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石井 良太

イシイ リョウタ

工学研究科 電子工学専攻量子機能工学講座 助教

石井 良太
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    Last Updated :2024/06/13

    基本情報

    学部兼担

    • 工学部

    学位

    • 修士(工学)(京都大学)
    • 博士(工学)(京都大学)

    出身大学院・研究科等

    • 京都大学, 大学院工学研究科修士課程電子工学専攻, 修了
    • 京都大学, 大学院工学研究科博士後期課程電子工学専攻, 修了

    出身学校・専攻等

    • 京都大学, 工学部電気電子工学科, 卒業

    出身高等学校

    • 出身高等学校

      私立洛星高校

    経歴

    • 自 2014年04月, 至 現在
      京都大学大学院工学研究科電子工学専攻, Graduate School of Engineering, Department of Electronic Science and Engineering, 助教
    • 自 2019年05月, 至 2019年06月
      モンペリエ大学シャルルクーロン研究所, 客員研究員
    • 自 2013年04月, 至 2014年03月
      京都大学大学院工学研究科電子工学専攻, Graduate School of Engineering, Department of Electronic Science and Engineering, 特別研究員
    • 自 2010年04月, 至 2013年03月
      京都大学大学院工学研究科博士課程修了, Graduate School of Engineering
    • 自 2008年04月, 至 2010年03月
      京都大学大学院工学研究科修士課程修了, Graduate School of Engineering

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      Last Updated :2024/06/13

      研究

      研究テーマ・研究概要

      • 研究テーマ

        ワイドギャップ半導体の基礎光物性の解明

      研究キーワード

      • 時空間分解分光
      • 超ワイドギャップ半導体
      • 近接場分光
      • 深紫外分光
      • 半導体光物性
      • 励起子

      研究分野

      • ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学), 電気電子材料工学, 電子材料の評価
      • 自然科学一般, 磁性、超伝導、強相関系, 半導体光物性
      • ナノテク・材料, 結晶工学, ワイドギャップ半導体

      論文

      • Correlative Micro‐Photoluminescence Study on Hybrid Quantum‐Well InGaN Red Light‐Emitting Diodes
        Zhaozong Zhang; Ryota Ishii; Kanako Shojiki; Mitsuru Funato; Daisuke Iida; Kazuhiro Ohkawa; Yoichi Kawakami
        physica status solidi (b), 2024年04月25日, 査読有り
      • Radiative and Nonradiative Recombination Processes in AlGaN Quantum Wells on Epitaxially Laterally Overgrown AlN/Sapphire from 10 to 500 K
        Ryota Ishii; Shiki Tanaka; Norman Susilo; Tim Wernicke; Michael Kneissl; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        physica status solidi (b), 2024年03月22日, 査読有り, 筆頭著者, 責任著者
      • Deep‐Ultraviolet Luminescence Properties of AlN
        Ryota Ishii; Akira Yoshikawa; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters, 2024年03月17日, 査読有り, 招待有り, 筆頭著者, 責任著者
      • Revisiting the substitutional Mg acceptor binding energy of AlN
        Ryota Ishii; Akira Yoshikawa; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        Physical Review B, 2023年07月14日, 査読有り, 筆頭著者, 責任著者
      • Frontiers of Nitride Semiconductor Research FOREWORD
        Shigefusa F. Chichibu; Yoshinao Kumagai; Kazunobu Kojima; Momoko Deura; Toru Akiyama; Munetaka Arita; Hiroshi Fujioka; Yasufumi Fujiwara; Naoki Hara; Tamotsu Hashizume; Hideki Hirayama; Mark Holmes; Yoshio Honda; Masataka Imura; Ryota Ishii; Yoshihiro Ishitani; Motoaki Iwaya; Satoshi Kamiyama; Yoshihiro Kangawa; Ryuji Katayama; Yoichi Kawakami; Takahiro Kawamura; Atsushi Kobayashi; Masaaki Kuzuhara; Koh Matsumoto; Yusuke Mori; Takashi Mukai; Hisashi Murakami; Hideaki Murotani; Satoshi Nakazawa; Narihito Okada; Yoshiki Saito; Akira Sakai; Hiroto Sekiguchi; Koji Shiozaki; Kanako Shojiki; Jun Suda; Tetsuya Takeuchi; Tomoyuki Tanikawa; Jun Tatebayashi; Shigetaka Tomiya; Yoichi Yamada
        JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2019年06月, 査読有り
      • Picosecond-laser-excited photoluminescence study of AlGaN quantum wells on epitaxially laterally overgrown AlN/sapphire under selective and non-selective excitation conditions
        Shiki Tanaka; Ryota Ishii; Norman Susilo; Tim Wernicke; Michael Kneissl; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        Japanese Journal of Applied Physics, 2022年11月01日, 査読有り
      • Stimulated emission mechanism of aluminum nitride
        Ryota Ishii; Toru Nagashima; Reo Yamamoto; Tatsuya Hitomi; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        Physical Review B, 2022年05月, 査読有り, 筆頭著者, 責任著者
      • DUV coherent light emission from ultracompact microcavity wavelength conversion device
        TOMOAKI NAMBU; TAKETO YANO; SOSHI UMEDA; NAOKI YOKOYAMA; HIROTO HONDA; YASUNORI TANAKA; YUTAKA MAEGAKI; YUSUKE MORI; MASASHI YOSHIMURA; SHUHEI KOBAYASHI; SHUHEI ICHIKAWA; YASUFUMI FUJIWARA; RYOTA ISHII; YOICHI KAWAKAMI; MASAHIRO UEMUKAI; TOMOYUKI TANIKAWA; AND RYUJI; KATAYAMA
        Optics Express, 2022年03月, 査読有り
      • Structural and emission improvement of cyan-emitting InGaN quantum wells by introducing a large substrate misorientation angle
        A. Kafar; A. Sakaki; R. Ishii; K. Shojiki; S. Stanczyk; K. Gibasiewicz; G. Staszczak; L. Marona; D. Schiavon; S. Grzanka; S. Krukowski; T. Suski; P. Perlin; M. Funato; Y. Kawakami
        Optical Materials Express, 2022年01月01日, 査読有り
      • Impact of the positive electron–hole exchange interaction constant on the binding energy of neutral donor bound excitons in AlN
        Ryota Ishii; Akira Yoshikawa; Hirotsugu Kobayashi; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        Japanese Journal of Applied Physics, 2021年08月01日, 査読有り, 筆頭著者, 責任著者
      • Microscopic origin of thermal droop in blue-emitting InGaN/GaN quantum wells studied by temperature-dependent microphotoluminescence spectroscopy
        Ryota Ishii; Yuji Koyama; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        Optics Express, 2021年07月19日, 査読有り, 筆頭著者, 責任著者
      • Bias-dependent time-resolved photoluminescence spectroscopy on 265 nm AlGaN-based LEDs on AlN substrates
        Ryota Ishii; Akira Yoshikawa; Kazuhiro Nagase; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        Japanese Journal of Applied Physics, 2021年01月21日, 査読有り, 筆頭著者, 責任著者
      • Influence of substrate misorientation on emission and waveguiding properties of blue (In,Al,Ga)N laser-like structure studied by synchrotron radiation microbeam X-ray diffraction
        Anna Kafar; Atsushi Sakaki; Ryota Ishii; Szymon Stanczyk; Krzysztof Gibasiewicz; Yoshinobu Matsuda; Dario Schiavon; Szymon Grzanka; Tadek Suski; Piotr Perlin; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        Photonics Research, 2021年01月05日, 査読有り
      • The 2020 UV emitter roadmap
        Hiroshi Amano; Ramón Collazo; Carlo De Santi; Sven Einfeldt; Mitsuru Funato; Johannes Glaab; Sylvia Hagedorn; Akira Hirano; Hideki Hirayama; Ryota Ishii; Yukio Kashima; Yoichi Kawakami; Ronny Kirste; Michael Kneissl; Robert Martin; Frank Mehnke; Matteo Meneghini; Abdallah Ougazzaden; Peter J Parbrook; Siddharth Rajan; Pramod Reddy; Friedhard Römer; Jan Ruschel; Biplab Sarkar; Ferdinand Scholz; Leo J Schowalter; Philip Shields; Zlatko Sitar; Luca Sulmoni; Tao Wang; Tim Wernicke; Markus Weyers; Bernd Witzigmann; Yuh-Renn Wu; Thomas Wunderer; Yuewei Zhang
        Journal of Physics D: Applied Physics, 2020年12月09日, 査読有り
      • Temperature-dependent electroluminescence study on 265-nm AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes grown on AlN substrates
        Ryota Ishii; Akira Yoshikawa; Kazuhiro Nagase; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        AIP Advances, 2020年12月01日, 査読有り, 筆頭著者, 責任著者
      • エレクトロルミネッセンス・フォトルミネッセンス法による AlN 基板上 265 nm 帯 AlGaN LED の評価
        石井 良太; 吉川 陽; 永瀬 和宏; 船戸 充; 川上 養一
        電子情報通信学会技術研究報告, 2020年11月, 筆頭著者
      • Long-range electron-hole exchange interaction in aluminum nitride
        Ryota Ishii; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        Physical Review B, 2020年10月12日, 査読有り, 筆頭著者, 責任著者
      • 265 nm AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes grown on AlN substrates studied by photoluminescence spectroscopy under ideal pulsed selective and non-selective excitation conditions
        Ryota Ishii; Akira Yoshikawa; Kazuhiro Nagase; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        Applied Physics Express, 2020年10月01日, 査読有り, 筆頭著者, 責任著者
      • Achromatic Deep Ultraviolet Lens Using Novel Optical Materials
        Yuki Minami; Marilou Cadatal-Raduban; Koki Kuroda; Keito Shinohara; Youwei Lai; Kohei Yamanoi; Nobuhiko Sarukura; Toshihiko Shimizu; Ryota Ishii; Yoichi Kawakami; Nobuo Kabasawa; Takashi Amano; Kosuke Kiyohara; Motosuke Kiyohara
        physica status solidi (b), 2020年08月, 査読有り
      • Above 25 nm emission wavelength shift in blue-violet InGaN quantum wells induced by GaN substrate misorientation profiling: towards broad-band superluminescent diodes
        A. Kafar; R. Ishii; K. Gibasiewicz; Y. Matsuda; S. Stanczyk; D. Schiavon; S. Grzanka; M. Tano; A. Sakaki; T. Suski; P. Perlin; M. Funato; Y. Kawakami
        Optics Express, 2020年07月20日, 査読有り
      • Direct detection of rare earth ion distributions in gallium nitride and its influence on growth morphology
        B. Mitchell; D. Timmerman; W. Zhu; J. Y. Lin; H. X. Jiang; J. Poplawsky; R. Ishii; Y. Kawakami; V. Dierolf; J. Tatebayashi; S. Ichikawa; Y. Fujiwara
        Journal of Applied Physics, 2020年01月07日, 査読有り
      • Deep-ultraviolet near band-edge emissions from nano-polycrystalline diamond
        Ryota Ishii; Rei Fukuta; Fumitaro Ishikawa; Masafumi Matsushita; Hiroaki Ohfuji; Toru Shinmei; Tetsuo Irifune; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        High Pressure Research, 2019年12月, 査読有り
      • Impact of face-to-face annealed sputtered AlN on the optical properties of AlGaN multiple quantum wells
        Kanako Shojiki; Ryota Ishii; Kenjiro Uesugi; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami; Hideto Miyake
        AIP ADVANCES, 2019年12月, 査読有り
      • Intrinsic exciton transitions of isotopically purified 13C studied by photoluminescence and transmission spectroscopy
        Ryota Ishii; Shinichi Shikata; Tokuyuki Teraji; Hisao Kanda; Hideyuki Watanabe; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        Japanese Jounral of Applied Physics, 2019年12月, 査読有り
      • Pushing the limits of deep-ultraviolet scanning near-field optical microscopy
        Ryota Ishii; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        APL Photonics, 2019年06月, 査読有り, 招待有り
      • Isotopic effects on phonons and excitons in diamond studied by deep-ultraviolet continuous-wave photoluminescence spectroscopy
        Ryota Ishii; Shinichi Shikata; Tokuyuki Teraji; Hisao Kanda; Hideyuki Watanabe; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        Japanese Journal of Applied Physics, 2018年12月, 査読有り
      • <大学の研究・動向>近接場光学顕微鏡の開発 : 光材料物性解明のためのツール開拓を目指して
        川上 養一; 船戸 充; 石井 良太
        Cue : 京都大学電気関係教室技術情報誌, 2018年01月
      • 多波長励起発光分離法を用いたInGaN薄膜のラマン散乱分光 (電子部品・材料)
        石戸 亮祐; 石井 良太; 船戸 充; 川上 養一
        電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 2015年01月
      • Effects of strong electron-hole exchange and exciton-phonon interactions on the exciton binding energy of aluminum nitride
        Ryota Ishii; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014年09月, 査読有り
      • (Al, Ga)N系半導体の物性予測に向けたGaNとAlNの物性定数の同定(<特集>固体紫外光源を目指した窒化物半導体結晶成長の最前線)
        石井 良太; 船戸 充; 川上 養一
        日本結晶成長学会誌, 2014年01月, 査読有り
      • Complete set of deformation potentials for AlN determined by reflectance spectroscopy under uniaxial stress
        Ryota Ishii; Akio Kaneta; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        PHYSICAL REVIEW B, 2013年06月, 査読有り
      • Optical Properties of Highly Strained AlN Coherently Grown on 6H-SiC(0001)
        Mitsuaki Kaneko; Hironori Okumura; Ryota Ishii; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami; Tsunenobu Kimoto; Jun Suda
        APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2013年06月, 査読有り
      • Huge electron-hole exchange interaction in aluminum nitride
        Ryota Ishii; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        PHYSICAL REVIEW B, 2013年04月, 査読有り
      • Strong optical polarization in nonpolar (1(1)over-bar00) AlxGa1-xN/AlN quantum wells
        Mitsuru Funato; Kazuhisa Matsuda; Ryan G. Banal; Ryota Ishii; Yoichi Kawakami
        PHYSICAL REVIEW B, 2013年01月, 査読有り
      • Homoepitaxy and Photoluminescence Properties of (0001) AlN
        Mitsuru Funato; Kazuhisa Matsuda; Ryan G. Banal; Ryota Ishii; Yoichi Kawakami
        APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2012年08月, 査読有り
      • 窒化アルミニウムの電子状態に対する歪みの効果
        石井 良太; 金田 昭男; バナル ライアン; 船戸 充; 川上 養一
        電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料, 2011年11月
      • Strain-Induced Effects on the Electronic Band Structures in GaN/AlGaN Quantum Wells: Impact of Breakdown of the Quasicubic Approximation in GaN
        Ryota Ishii; Akio Kaneta; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010年06月, 査読有り
      • All deformation potentials in GaN determined by reflectance spectroscopy under uniaxial stress: Definite breakdown of the quasicubic approximation
        Ryota Ishii; Akio Kaneta; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami; Atsushi A. Yamaguchi
        PHYSICAL REVIEW B, 2010年04月, 査読有り

      MISC

      • 深紫外CW・時間分解PL分光法による12C/13C超格子の光学特性評価
        石井良太; 鹿田真一; 寺地徳之; 神田久生; 渡邊幸志; 船戸充; 川上養一
        応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 2018年
      • 深紫外CWレーザにより生成したダイヤモンド結晶中の極低温励起子に対する同位体効果
        石井良太; 鹿田真一; 寺地徳之; 神田久生; 渡邊幸志; 船戸充; 川上養一
        応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 2017年
      • (Al,Ga)N系半導体の物性予測に向けたGaNとAlNの物性定数の同定 (特集 固体紫外光源を目指した窒化物半導体結晶成長の最前線)
        石井 良太; 船戸 充; 川上 養一
        日本結晶成長学会誌 Journal of the Japanese Association for Crystal Growth, 2014年

      講演・口頭発表等

      • Optoelectronic properties of ultrawide-band-gap semiconductors probed by deep-ultraviolet spectroscopy
        Ryota Ishii; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        SPIE Optics + Photonics 2024, 招待有り
      • 超ワイドギャップ半導体光物性評価のための深紫外分光技術の現状と展望
        石井 良太; 船戸 充; 川上 養一
        ワイドギャップ半導体学会, 2024年03月01日, 招待有り
      • Fundamental optical properties of AlN revealed by deep-ultraviolet spectroscopy
        Ryota Ishii
        International Conference on Nitride Semiconductors 14, 2023年11月, 招待有り
      • Spontaneous and stimulated emission physics of aluminum nitride
        Ryota Ishii
        SPIE PHOTONICS WEST 2023, 2023年01月31日, 招待有り
      • Luminescence spectroscopies on 265-nm AlGaN DUV LEDs and AlN films grown on AlN substrates
        Ryota Ishii; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        SPIE PHOTONICS WEST 2022, 2022年02月22日, 招待有り
      • Recent progress in deep-ultraviolet scanning near-field optical microscope: a tool visualizing the luminescence properties of Al-rich AlGaN active layers
        Ryota Ishii
        SPIE PHOTONICS WEST 2021, 2021年03月08日, 招待有り
      • Exciton fine structure of aluminum nitride
        Ryota Ishii
        SPIE PHOTONICS WEST 2020, 2020年02月04日, 招待有り
      • ダイヤモンドの励起子光物性とその深紫外光応用
        石井 良太
        超高圧材料科学セミナー「高温・高圧合成ダイヤモンドの電子材料応用の可能性」, 2019年12月23日, 招待有り
      • 窒化物半導体光物性
        石井 良太
        第38回電子材料シンポジウム, 2019年10月08日, 招待有り
      • ダイヤモンドを中心としたワイドギャップ半導体の深紫外光物性と同位体効果
        石井 良太
        ニューダイヤモンドフォーラム第2回研究会, 2019年09月30日, 招待有り
      • 深紫外近接場光学顕微鏡の開発とAlリッチAlGaN系特異構造のPLマッピング評価
        石井 良太
        第66回応用物理学会春季学術講演会, 2019年03月09日, 招待有り
      • Development of a deep-ultraviolet scanning nearfield optical microscope for nano-spectroscopic characterizations of AlxGa1-xN (x: 0∼1) active layers
        Ryota Ishii
        IWN2018, 2018年11月11日, 招待有り
      • Optical properties of excitons in widegap semiconductors
        Ryota Ishii
        ISPESE 2017, 2017年03月10日, 招待有り
      • GaNとAlNの物性定数の同定と(Al,Ga)N系半導体の物性予測
        石井 良太
        日本結晶成長学会, 2016年05月09日, 招待有り
      • 光と物質の量子相互作用ハンドブック
        荒川, 泰彦; 岩本, 敏; 金光, 義彦; 島野, 亮; 高原, 淳一; 立間, 徹, 分担執筆, 窒化物半導体
        エヌ・ティー・エス, 2023年03月

      受賞

      • 2010年
        応用物理学会, 応用物理学会関係連合講演会講演奨励賞
      • 2010年
        The 37th International Symposium on Compound Semiconductors, Student Award
      • 2012年
        第31回電子材料シンポジウム, EMS賞
      • 日本結晶成長学会, 第8回窒化物半導体結晶成長講演会,研究奨励賞
      • 第8回エヌエフ基金研究開発奨励賞(優秀賞)

      外部資金:科学研究費補助金

      • InリッチInGaNによるScAlMgO4基板上での可視長波長LEDの実現
        基盤研究(A)
        中区分30:応用物理工学およびその関連分野
        京都大学
        船戸 充
        自 2021年04月05日, 至 2025年03月31日, 交付
        結晶成長;InリッチInGaN;ScAlMgO4;可視長波長LED;高効率化
      • 発光シンセサイザー:究極の発光デバイス創成を目指して
        特別推進研究
        理工系
        京都大学
        川上 養一
        自 2020年07月30日, 至 2025年03月31日, 交付
        発光シンセサイザー;半導体3次元構造;次世代照明;深紫外フォトニクス;光空間無線通信;発光高効率化
      • ScAlMgO4基板上へのInリッチInGaN系LEDの実現
        基盤研究(A)
        中区分30:応用物理工学およびその関連分野
        京都大学
        川上 養一
        自 2020年04月01日, 至 2021年03月31日, 中途終了
        InリッチInGaN;ScAlMgO4基板;発光ダイオード;高効率化
      • 極限環境下深紫外時空間分解分光法を用いた超ワイドギャップ半導体励起子工学の創成
        基盤研究(B)
        小区分30010:結晶工学関連
        京都大学
        石井 良太
        自 2019年04月01日, 至 2022年03月31日, 完了
        フォトルミネッセンス;エレクトロルミネッセンス;窒化物半導体;ダイヤモンド;励起子;深紫外分光;近接場分光;極限環境下分光;束縛励起子;AlGaN;量子井戸;時間分解分光;超ワイドギャップ半導体;極限環境;顕微分光
      • 深紫外時空間スペクトロスコピーの開拓による超ワイドギャップ半導体の光物性解明
        若手研究(A)
        京都大学
        石井 良太
        自 2017年04月01日, 至 2020年03月31日, 完了
        深紫外分光;近接場分光;励起子;ダイヤモンド;窒化物半導体;時間分解分光;ワイドギャップ半導体;同位体効果;フォトルミネッセンス;フォノン;超ワイドギャップ半導体;時空間分解分光
      • 近接場分光(SNOM)による特異構造の発光機構解明と制御
        新学術領域研究(研究領域提案型)
        理工系
        京都大学
        川上 養一
        自 2016年06月30日, 至 2021年03月31日, 中途終了
        近接場光学顕微鏡;顕微分光;窒化物半導体;特異構造;近接場分光;発光機構解明;発光制御;深紫外分光;窒化物特異構造;光物性評価;多波長発光素子;深紫外フォトニクス
      • 軽元素同位体制御工学の実現に向けたダイヤモンドの物性解明
        基盤研究(B)
        関西学院大学
        鹿田 真一
        自 2016年04月01日, 至 2019年03月31日, 完了
        同位体;軽元素;電気・電子;ダイヤモンド;電子・電気材料;半導体物性;光物性
      • 摂動下分光法の複合測定による(Al,In,Ga)N系半導体の光物性解明
        若手研究(B)
        京都大学
        石井 良太
        自 2015年04月01日, 至 2017年03月31日, 完了
        摂動下分光法;窒化物半導体;励起子;光物性;再結合過程;緩和過程;発光ダイオード;レーザダイオード;ダイヤモンド;一軸性応力
      • 窒化物ナノ局在系の物性制御によるテーラーメイド光源の実現
        基盤研究(S)
        京都大学
        川上 養一
        自 2015年05月29日, 至 2020年03月31日, 完了
        新機能発光デバイス;半導体3次元構造;局在光物性;多波長発光光源;窒化物半導体;プラズモニクス;3次元構造;ナノ局在;多波長発光;テーラーメイド光源;多波長発光制御;ナノ局在物性;近接場分光
      • 深紫外近接場分光による超ワイドギャップ半導体の物性解明
        基盤研究(A)
        京都大学
        川上 養一
        自 2015年04月01日, 至 2016年03月31日, 中途終了
        近接場光学;深紫外分光;超ワイドギャップ半導体
      • 磁場下偏光反射・偏光フォトルミネッセンス測定によるAlNの励起子状態の解明
        研究活動スタート支援
        京都大学
        石井 良太
        自 2014年08月29日, 至 2015年03月31日, 完了
        ワイドギャップ半導体;励起子;光物性;結晶工学;窒化物半導体;摂動下分光法
      • 超ワイドギャップ半導体の両極性電気伝導発現に向けた物性の解明と制御
        基盤研究(B)
        小区分30010:結晶工学関連
        京都大学
        石井 良太
        自 2023年04月01日, 至 2026年03月31日, 交付
        超ワイドギャップ半導体;両極性電気伝導;励起子;深紫外分光;磁場下分光
      • 超ワイドギャップ半導体の両極性電気伝導発現に向けた物性の解明と制御
        基盤研究(B)
        小区分30010:結晶工学関連
        京都大学
        石井 良太
        自 2024年02月28日, 至 2026年03月31日, 採択
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        Last Updated :2024/06/13

        教育

        担当科目

        • 自 2024年04月01日, 至 2025年03月31日
          電気電子工学実習
          6202, 後期, 工学部, 2
        • 自 2023年04月01日, 至 2024年03月31日
          電気電子工学実習
          6202, 後期, 工学部, 2
        • 自 2022年04月01日, 至 2023年03月31日
          電気電子工学実習
          6202, 後期, 工学部, 2
        • 自 2017年04月, 至 2018年03月
          電気電子工学実習
          後期, 工学部
        • 自 2018年04月, 至 2019年03月
          電気電子工学実習
          後期, 工学部
        • 自 2019年04月, 至 2020年03月
          電気電子工学実習
          後期, 工学部
        • 自 2020年04月, 至 2021年03月
          電気電子工学実習
          後期, 工学部
        • 自 2021年04月, 至 2022年03月
          電気電子工学実習
          後期, 工学部
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          Last Updated :2024/06/13

          学術・社会貢献

          委員歴

          • 自 2024年, 至 2026年
            代議員, 応用物理学会
          • 自 2019年04月, 至 2024年04月
            Financial Committee, 14th International Conference on Nitride Semiconductors
          • 自 2021年04月, 至 2023年03月
            応用物理学会関西支部幹事
          • 自 2019年04月, 至 2021年03月
            企業展示委員, 電子材料シンポジウム(EMS 38-39)
          • 自 2018年, 至 2018年
            General affair, Intenational Worikshop on Nitride Semiconductors (IWN) 2018
          • 自 2018年, 至 2018年
            Local Arrangement Committee, 19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (IC-MOVPE)
          • 自 2017年, 至 2018年
            会計監査委員, 日本真空学会関西支部
          • 自 2015年, 至 2016年
            庶務委員, 日本真空学会関西支部
          • 自 2015年, 至 2016年
            会場委員, 第34,35回電子材料シンポジウム
          • 自 2015年, 至 2015年
            運営委員, International Symposium on Photonics and Electronics Science and Engineering 2015
          • 自 2022年03月, 至 現在
            学術講演会 中分類 15.4 プログラム編集委員, 応用物理学会

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