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川上 養一

カワカミ ヨウイチ

工学研究科 電子工学専攻量子機能工学講座 教授

川上 養一
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    Last Updated :2025/04/23

    基本情報

    学部兼担

    • 工学部

    所属学協会

    • レーザー学会
    • 応用物理学会

    学位

    • 工学修士(大阪大学)
    • 工学博士(大阪大学)

    出身大学院・研究科等

    • 大阪大学, 大学院工学研究科博士前期課程電気工学専攻, 修了
    • 大阪大学, 大学院工学研究科博士後期課程電気工学専攻, 修了

    出身学校・専攻等

    • 大阪大学, 工学部電気工学科, 卒業

    出身高等学校

    • 出身高等学校

      愛媛県立川之江高等学校, えひめけんりつかわのえこうとうがっこう

    使用言語

    • 英語

    ID,URL

    researchmap URL

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      Last Updated :2025/04/23

      研究

      研究テーマ・研究概要

      • 研究テーマ

        ワイドバンドギャップ半導体の光物性解明と新光機能性探索
      • 研究概要

        川上研究室では,光と物質との相互作用に基づく新物性の発現と解明に取り組んでいます。このことによって,新しい光デバイスや光応用への展開を推進しています。具体的には,以下のようなテーマが,挙げられます。  (1) ナノ空間での光ダイナミクスを測定するための新手法の開発  (2) 上記手法によるバイオセンシングや局在系光物性の解明  (3) ナノ構造制御によって任意の色,任意の大きさ,効率100%で発光する材料の開発 (3)は,発光スペクトルの合成(シンセサイズ)による究極のテイラーメイド固体光源の開発に繋がるものですが,(1),(2)とも相互にリンクしています。基礎光物性を材料開発にポジティブにフィードバックすることによって研究を推進しています。光材料物性の応用の一例として,私たちは,バイオ医療応用では次のような展開が期待できるのではないかと思い描いています。近未来には「ミクロの決死圏」に代表される医療用マイクロマシンが私たちの体内に入り込んで病気を診断したり治療したりする時代が訪れるでしょう。その際には,微小な高品位固体照明と固体撮像デバイスが必ず搭載され,微妙な色合いの差を際立たせるための照明スペクトルのシンセサイズが必要とされるはずです。また,病変部(究極的には細胞レベル)にのみ選択的に取り込まれる蛍光体と固体照明との組み合わせて微小ガン組織の診断・治療を行うなど種々の可能性が期待できるでしょう。固体照明は,自動車のヘッドライトなどの一般照明はもとより,マイクロサイズあるいはナノサイズの光源としての可能性を秘めており,それを支える基礎光物性と材料開発,そしてバイオ・医療応用などの研究に日夜取り組んでいます。

      研究分野

      • ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学), 電気電子材料工学
      • ナノテク・材料, 光工学、光量子科学
      • ナノテク・材料, 結晶工学
      • ナノテク・材料, 応用物性

      論文

      • Correlated photoluminescence blinking phenomenon on InGaN/GaN nanopillar structures
        K. Oikawa; K. Okamoto; M. Funato; Y. Kawakami; R. Micheletto
        Applied Physics Letters, 2024年12月09日
      • Nanoscopic structural and optical investigations on blue InGaN single quantum wells serving as layers beneath efficient red active layers
        Zhaozong Zhang; Ryota Ishii; Kanako Shojiki; Mitsuru Funato; Kazuhiro Ohkawa; Daisuke Iida; Yoichi Kawakami
        Journal of Applied Physics, 2025年02月03日
      • ScAlMgO4 as a promising substrate for InGaN-based long wavelength emitters: demonstration of far-red LEDs
        Mitsuru Funato; Keita Maehara; Yoshinobu Matsuda; Takuya Ozaki; Yoichi Kawakami
        Gallium Nitride Materials and Devices XVIII, 2023年03月15日
      • 弱励起した高Al組成AlGaN/AlN量子井戸の局在励起子発光特性
        大音 隆男; 船戸 充; 川上 養一
        応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2012年02月29日
      • 「講演奨励賞受賞記念講演」電子線励起法によるAlGaN/AlN量子井戸からの高出力・高効率深紫外発光
        大音 隆男; 片岡 研; 船戸 充; 川上 養一
        応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2011年03月09日
      • 電子線励起法による高Al組成AlGaN/AlN量子井戸からの100 mW深紫外発光
        大音 隆男; 片岡 研; 船戸 充; 川上 養一
        応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2010年08月30日
      • Al0.79Ga0.21N/AlN量子井戸のフォトルミネッセンスの時間発展とMott転移付近の発光メカニズムの解析
        大音 隆男; 岩田 佳也; 金田 昭男; 船戸 充; 川上 養一
        応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2010年03月03日
      • 199 nm vacuum-ultraviolet second harmonic generation from SrB4O7 vertical microcavity pumped with picosecond laser
        Tomoaki Nambu; Masashi YOSHIMURA; Yusuke Mori; Yasufumi FUJIWARA; Ryota Ishii; Yoichi KAWAKAMI; Masahiro Uemukai; Tomoyuki TANIKAWA; Ryuji KATAYAMA
        Applied Physics Express, 2024年08月, 査読有り
      • An Approach Toward Broader Emission Bands in Semipolar InGaN Quantum Wells on Convex Lens-Shaped GaN Microstructures via Lower-Temperature Growth
        S Fukushige; Y Matsuda; M Funato; Y Kawakami
        PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2024年06月, 査読有り
      • High-efficiency green light emission from InGaN/GaN using localized surface plasmon resonance tuned by combination of Ag nanoparticles and dielectric thin film
        Y Kame; S Kaito; T Matsuyama; K Wada; M Funato; Y Kawakami; K Okamoto
        OPTICS EXPRESS, 2024年06月, 査読有り
      • Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy of High-Quality GaN on Al-Pretreated Sapphire Substrates Without Using Low-Temperature Buffer Layers
        K Takemura; T Fukui; Y Matsuda; M Funato; Y Kawakami
        PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, 2024年05月, 査読有り
      • Spontaneously Integrated Multicolor InGaN Micro-Light-Emitting Diodes for Spectrum-Controllable Broadband Light Sources
        Y Matsuda; H Miyawaki; M Funato; Y Kawakami
        PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS, 2024年05月, 査読有り
      • Confinement of Excitons within GaN 1D Nanoarchitectures Formed on AlN Molecular Steps
        M Funato; H Kobayashi; Y Kawakami
        ADVANCED OPTICAL MATERIALS, 2024年04月, 査読有り
      • A review of three-dimensional structure-controlled InGaN quantum wells for efficient visible polychromatic light emitters
        M Funato; Y Matsuda; Y Kawakami
        SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2024年01月, 査読有り
      • 自在制御された三次元構造に基づくInGaN系多色発光LED
        松田 祥伸; 船戸 充; 川上 養一
        日本結晶成長学会誌 Journal of the Japanese Association for Crystal Growth, 2024年, 査読有り
      • Anisotropic emission wavelength distribution of semipolar InGaN quantum wells on symmetric convex lens-shaped GaN microstructures
        Y Matsuda; A Sakaki; M Funato; Y Kawakami
        APPLIED PHYSICS LETTERS, 2023年12月, 査読有り
      • Flexible topographical design of light-emitting diodes realizing electrically controllable multi-wavelength spectra
        Y Matsuda; R Umemoto; M Funato; Y Kawakami
        SCIENTIFIC REPORTS, 2023年08月, 査読有り
      • SrB₄O₇微小共振器を用いた深紫外第二高調波発生
        南部 誠明; 田中 康教; 森 勇介; 吉村 政志; 市川 修平; 藤原 康文; 石井 良太; 川上 養一; 上向井 正裕; 谷川 智之; 片山 竜二
        レーザー学会研究会報告 = Reports the on topical meeting of the Laser Society of Japan, 2022年07月
      • Enhanced light emission by exciton-surface plasmon coupling
        Koichi Okamoto; Axel Scherer; Yoichi Kawakami
        Materials Research Society Symposium Proceedings, 2008年
      • Growth of ZnSe/ZnMgSSe quantum well structures by metalorganic molecular beam epitaxy under in situ observation of reflection high energy electron diffraction intensity oscillation
        Jun Suda; Yoichi Kawakami; Shizuo Fujita; Shigeo Fujita
        Journal of Crystal Growth, 1995年
      • Optical characteristics of InGaN quantum wells for high-power and high-efficiency true green laser diodes
        Takashi Kyono; Yohei Enya; Koji Nishizuka; Masaki Ueno; Takao Nakamura; Yoichi Kawakami
        SEI Technical Review, 2013年10月
      • Semipolar faceting for ingan-based polychromatic LEDs
        Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        CLEO: Applications and Technology, CLEO_AT 2013, 2013年
      • Correlative Micro‐Photoluminescence Study on Hybrid Quantum‐Well InGaN Red Light‐Emitting Diodes
        Zhaozong Zhang; Ryota Ishii; Kanako Shojiki; Mitsuru Funato; Daisuke Iida; Kazuhiro Ohkawa; Yoichi Kawakami
        physica status solidi (b), 2024年04月25日
      • Radiative and Nonradiative Recombination Processes in AlGaN Quantum Wells on Epitaxially Laterally Overgrown AlN/Sapphire from 10 to 500 K
        Ryota Ishii; Shiki Tanaka; Norman Susilo; Tim Wernicke; Michael Kneissl; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        physica status solidi (b), 2024年03月22日
      • Deep‐Ultraviolet Luminescence Properties of AlN
        Ryota Ishii; Akira Yoshikawa; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters, 2024年03月17日
      • GaN分子層量子井戸からの深紫外発光
        船戸 充; 川上 養一
        Optronics : 光技術コーディネートジャーナル, 2023年05月
      • Enhancement of the bandgap emission from GaN epilayer by surface plasmon resonance in the quadrupole oscillation mode using Ag nanoparticles protected by an oxide thin film
        S Kaito; T Matsuyama; K Wada; M Funato; Y Kawakami; K Okamoto
        APPLIED PHYSICS LETTERS, 2023年04月, 査読有り
      • Interface formation mechanism of GaN on Al-pretreated ScAlMgO4 (0001) substrates
        T Fukui; Y Matsuda; M Matsukura; T Kojima; M Funato; Y Kawakami
        CRYSTAL GROWTH & DESIGN, 2023年04月
      • プラズモニクスに基づくIII-V族窒化物半導体の高効率緑色発光
        岡本 晃一; 船戸 充; 川上 養一
        レーザー研究, 2023年, 査読有り
      • 窒化物半導体を用いた発光シンセサイザの開発を目指して
        川上 養一
        応用物理, 2022年10月
      • Improved internal quantum efficiencies of far-UVC AlGaN/AlN quantum wells by the use of semipolar r-planes
        R. Akaike; M. Funato; Y. Kawakami
        Applied Physics Letters, 2023年03月27日
      • Temperature Dependent Exciton Dynamics in Al-rich AlGaN/AlN Quantum Wells Assessed by Cathodoluminescence Mapping Measurements
        Oto Takao; Iwata Yoshiya; Gachet David; Benameur Malik; Banal Ryan; Funato Mitsuru; Kawakami Yoichi
        JSAP Annual Meetings Extended Abstracts, 2014年03月03日
      • Co-existence of a few and sub μm inhomogeneity in Al-rich AlGaN/AlN quantum wells
        Iwata Yoshiya; Oto Takao; Gachet David; Benameur Malik; Banal Ryan; Funato Mitsuru; Kawakami Yoichi
        JSAP Annual Meetings Extended Abstracts, 2014年03月03日
      • 高Al組成AlGaN/AlN量子井戸における光学利得特性の井戸幅依存性
        大音 隆男; ライアン バナル; 船戸 充; 川上 養一
        応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2013年08月31日
      • 高Al組成AlGaN/AlN量子井戸における励起子局在の起源
        大音 隆男; ライアン バナル; 船戸 充; 川上 養一
        応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2013年03月11日
      • 高Al組成AlGaN/AlN量子井戸における発光メカニズムの励起密度依存性
        大音 隆男; 船戸 充; 川上 養一
        応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2012年08月27日
      • Revisiting the substitutional Mg acceptor binding energy of AlN
        Ryota Ishii; Akira Yoshikawa; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        Physical Review B, 2023年07月14日
      • DUV coherent light emission from ultracompact microcavity wavelength conversion device
        Tomoaki Nambu; Taketo Yano; Soshi Umeda; Naoki Yokoyama; Hiroto Honda; Yasunori Tanaka; Yutaka Maegaki; Yusuke Mori; Masashi Yoshimura; Shuhei Kobayashi; Shuhei Ichikawa; Yasufumi Fujiwara; Ryota Ishii; Yoichi Kawakami; Masahiro Uemukai; Tomoyuki Tanikawa; Ryuji Katayama
        OPTICS EXPRESS, 2022年05月, 査読有り
      • InGaN-based LEDs on convex lens-shaped GaN arrays toward multiwavelength light emitters
        Yoshinobu Matsuda; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        Applied Physics Express, 2023年01月01日
      • Multiwavelength-emitting InGaN quantum wells on convex-lens-shaped GaN microstructures
        Yoshinobu Matsuda; Souta Funato; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        Applied Physics Express, 2022年10月01日
      • Metalorganic vapor phase epitaxy of GaN on 2 inch ScAlMgO4 (0001) substrates
        Takato Fukui; Taro Sakaguchi; Yoshinobu Matsuda; Makoto Matsukura; Takahiro Kojima; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        Japanese Journal of Applied Physics, 2022年09月01日
      • Approaches to highly efficient UV emitters based on AlGaN quantum wells
        Shuhei Ichikawa; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering, 2016年, 査読有り, 招待有り
      • Optical Anisotropy and Photopumped Lasing near 250 nm from Semipolar (11¯02) Al x Ga 1−x N / AlN Quantum Wells with Cleaved Mirrors
        Shuhei Ichikawa; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        Physical Review Applied, 2022年10月03日, 査読有り
      • "Time-resolved spectroscopy of biexciton luminescence in ZnxCd1-xSe-ZnSySe1-y multiple quantum wells" (共著)
        YAMADA Y; MISHINA T; MASUMOTO Y; KAWAKAMI Y; YAMAGUCHI S; ICHINO K; FUJITA S; FUJITA S; TAGUCHI T
        Physical Review B, 1995年01月, 査読有り
      • PHOTOPUMPED LASING PROPERTIES IN ZNCDSE-ZNSSE MULTIPLE-QUANTUM WELLS
        S YAMAGUCHI; T SHINZATO; K ICHINO; Y KAWAKAMI; S FUJITA; S FUJITA
        JOURNAL OF LUMINESCENCE, 1994年07月, 査読有り
      • GROWTH OF ZNS AND ZNCDSSE ALLOYS ON GAP USING AN ELEMENTAL SULFUR SOURCE BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY
        K ICHINO; T ONISI; Y KAWAKAMI; S FUJITA; S FUJITA
        JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1994年04月, 査読有り
      • ULTRAVIOLET SEMICONDUCTOR-LASER STRUCTURES WITH PSEUDOMORPHIC ZNCDSSE QUATERNARY ALLOYS ON GAP SUBSTRATES
        K ICHINO; K IWAMI; Y KAWAKAMI; SZ FUJITA; SG FUJITA
        JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 1993年05月, 査読有り
      • METALORGANIC MOLECULAR-BEAM EPITAXY OF ZN1-XCDXSYSE1-Y QUATERNARY ALLOYS ON GAAS SUBSTRATE
        K ICHINO; YH WU; Y KAWAKAMI; S FUJITA; S FUJITA
        JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS, 1991年09月, 査読有り
      • Fundamental properties of wide bandgap semiconductors
        Sadafumi Yoshida; Toshimichi Ito; Akio Hiraki; Hiroshi Saito; Shizuo Fujita; Yoshihiro Ishitani; Shiro Sakai; Takao Miyajima; Yoichi Yamada; Yoichi Kawakami; Ikuo Suemune; Kazumasa Hiramatsu; Hideo Kawanishi; Hiroshi Amano; Hajime Okumura; Takashi Mizutani
        Wide Bandgap Semiconductors: Fundamental Properties and Modern Photonic and Electronic Devices, 2007年, 査読有り
      • Picosecond-laser-excited photoluminescence study of AlGaN quantum wells on epitaxially laterally overgrown AlN/sapphire under selective and non-selective excitation conditions
        Shiki Tanaka; Ryota Ishii; Norman Susilo; Tim Wernicke; Michael Kneissl; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        Japanese Journal of Applied Physics, 2022年11月01日
      • Dynamics of dense excitonic systems in ZnSe-based single quantum wells
        Yoichi Yamada; Tomobumi Mishina; Yasuaki Masumoto; Yoichi Kawakami; Jun Suda; Shizuo Fujita; Shigeo Fujita; Tsunemasa Taguchi
        Journal of Crystal Growth, 1996年02月
      • Stimulated emission mechanism of aluminum nitride
        Ryota Ishii; Toru Nagashima; Reo Yamamoto; Tatsuya Hitomi; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        PHYSICAL REVIEW B, 2022年05月, 査読有り
      • Singularity structures for sub-250 nm emissions from AlGaN-based semiconductors
        Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2021年12月
      • アルミニウムを用いた表面プラズモンによるInGaN系量子井戸の発光増強
        立石 和隆; Xiaoying Xu; 船戸 充; 川上 養一; 岡本 晃一; 玉田 薫
        表面科学学術講演会要旨集, 2012年
      • 半導体低次元系における励起子物性とレーザへの応用
        川上 養一; 藤田 静雄; 藤田 茂夫
        レーザー学会学術講演会年次大会講演予稿集 = Annual meeting, of the Laser Society of Japan digest of technical papers, 1997年01月01日
      • Near-UV Electroluminescence from a ZnCdSSe/ZnSSe Metal-Insulator- Semiconductor Diode on GaP Grown by Molecular Beam Epitaxy
        Ichino Kunio; Onishi Toshikazu; Kawakami Yoichi; Fujita Shizuo; Fujita Shigeo
        Jpn J Appl Phys, 1993年09月20日
      • Optical Properties of ZnCdSe/ZnSSe Strained-Layer Quantum Wells
        Wu Yi-hong; Ichino Kunio; Kawakami Yoichi; Fujita Shizuo; Fujita Shigeo
        Jpn J Appl Phys, 1992年11月20日
      • Optically Pumped Blue-Green Laser Operation Above Room-Temperature in Zn0.80Cd0.20Se–ZnS0.08Se0.92 Multiple Quantum Well Structures Grown by Metalorganic Molecular Beam Epitaxy
        Kawakami Yoichi; Yamaguchi Shigeo; Wu Yi-hong; Ichino Kunio; Fujita Shizuo; Fujita Shigeo
        Jpn J Appl Phys, 1991年04月20日
      • Optical anisotropy of (11 2¯3) semipolar InGaN quantum wells homoepitaxially grown on GaN substrates
        Mitsuru Funato; Yoshinobu Matsuda; Keito Mori-Tamamura; Atsushi A. Yamaguchi; Hiroki Goto; Yasunobu Sumida; Yujiro Ishihara; Yoichi Kawakami
        Journal of Applied Physics, 2022年02月21日
      • Structural and emission improvement of cyan-emitting InGaN quantum wells by introducing a large substrate misorientation angle
        A. Kafar; A. Sakaki; R. Ishii; K. Shojiki; S. Stanczyk; K. Gibasiewicz; G. Staszczak; L. Marona; D. Schiavon; S. Grzanka; S. Krukowski; T. Suski; P. Perlin; M. Funato; Y. Kawakami
        Optical Materials Express, 2022年01月01日
      • <大学の研究・動向> 新しい光材料と機能の探索 : IT時代へのseedsをめざして
        藤田 茂夫; 藤田 静雄; 川上 養一; 船戸 充
        Cue : 京都大学電気関係教室技術情報誌, 2000年12月
      • ZnSeのMOMBEの成長におけるGaAs基板硫黄処理効果
        川上 養一; 呉 義宏; 宮崎 泰典; 豊田 孝; 藤田 静雄; 藤田 茂夫
        真空, 1990年
      • Molecular Beam Epitaxial Growth Behaviors of Zn1-xCdxSe on the GaAs(110)Surface Cleaved in Ultra High Vacuum (第37回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス(1996年10月30日〜11月1日,大阪))
        高 賢哲; Park Doo・Cheol; 川上 養一; FUJITA Shizuo; FUJITA Shigeo
        真空, 1997年03月20日
      • Critical layer thickness of wurtzite heterostructures with arbitrary pairs of growth planes and slip systems
        Shuhei Ichikawa; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2021年08月, 査読有り
      • Impact of the positive electron–hole exchange interaction constant on the binding energy of neutral donor bound excitons in AlN
        Ryota Ishii; Akira Yoshikawa; Hirotsugu Kobayashi; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        Japanese Journal of Applied Physics, 2021年08月01日
      • Microscopic origin of thermal droop in blue-emitting InGaN/GaN quantum wells studied by temperature-dependent microphotoluminescence spectroscopy
        Ryota Ishii; Yuji Koyama; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        Optics Express, 2021年07月19日
      • Growth evolution of polar-plane-free faceted GaN structures on (1122) and (1122) GaN substrates
        Yoshinobu Matsuda; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2021年04月, 査読有り
      • Enhanced nonradiative recombination in AlxGa1−xN-based quantum wells thinner than the critical layer thickness determined by X-ray diffraction
        Shuhei Ichikawa; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        Applied Physics Express, 2021年03月
      • Bias-dependent time-resolved photoluminescence spectroscopy on 265 nm AlGaN-based LEDs on AlN substrates
        Ryota Ishii; Akira Yoshikawa; Kazuhiro Nagase; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        Japanese Journal of Applied Physics, 2021年02月01日
      • Influence of substrate misorientation on emission and waveguiding properties of blue (In,Al,Ga)N laser-like structure studied by synchrotron radiation microbeam X-ray diffraction
        Anna Kafar; Atsushi Sakaki; Ryota Ishii; Szymon Stanczyk; Krzysztof Gibasiewicz; Yoshinobu Matsuda; Dario Schiavon; Szymon Grzanka; Tadek Suski; Piotr Perlin; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        Photonics Research, 2021年01月05日
      • The 2020 UV emitter roadmap
        Hiroshi Amano; Ramón Collazo; Carlo De Santi; Sven Einfeldt; Mitsuru Funato; Johannes Glaab; Sylvia Hagedorn; Akira Hirano; Hideki Hirayama; Ryota Ishii; Yukio Kashima; Yoichi Kawakami; Ronny Kirste; Michael Kneissl; Robert Martin; Frank Mehnke; Matteo Meneghini; Abdallah Ougazzaden; Peter J Parbrook; Siddharth Rajan; Pramod Reddy; Friedhard Römer; Jan Ruschel; Biplab Sarkar; Ferdinand Scholz; Leo J Schowalter; Philip Shields; Zlatko Sitar; Luca Sulmoni; Tao Wang; Tim Wernicke; Markus Weyers; Bernd Witzigmann; Yuh-Renn Wu; Thomas Wunderer; Yuewei Zhang
        Journal of Physics D: Applied Physics, 2020年12月09日
      • Doping and fabrication of polar-plane-free faceted InGaN LEDs with polychromatic emission properties on (1122) semipolar planes
        Yoshinobu Matsuda; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2020年12月, 査読有り
      • Temperature-dependent electroluminescence study on 265-nm AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes grown on AlN substrates
        Ryota Ishii; Akira Yoshikawa; Kazuhiro Nagase; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        AIP Advances, 2020年12月01日
      • Long-range electron-hole exchange interaction in aluminum nitride
        Ryota Ishii; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        Physical Review B, 2020年10月12日
      • 265 nm AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes grown on AlN substrates studied by photoluminescence spectroscopy under ideal pulsed selective and non-selective excitation conditions
        Ryota Ishii; Akira Yoshikawa; Kazuhiro Nagase; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        Applied Physics Express, 2020年10月01日
      • Deposition of carbon-containing hole injection layers on p-type Al0.8Ga0.2N grown by metalorganic vapor phase epitaxy
        Katsuhiro Kishimoto; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        APPLIED PHYSICS LETTERS, 2020年08月, 査読有り
      • Achromatic Deep Ultraviolet Lens Using Novel Optical Materials
        Yuki Minami; Marilou Cadatal-Raduban; Koki Kuroda; Keito Shinohara; Youwei Lai; Kohei Yamanoi; Nobuhiko Sarukura; Toshihiko Shimizu; Ryota Ishii; Yoichi Kawakami; Nobuo Kabasawa; Takashi Amano; Kosuke Kiyohara; Motosuke Kiyohara
        PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, 2020年08月
      • Above 25 nm emission wavelength shift in blue-violet InGaN quantum wells induced by GaN substrate misorientation profiling: towards broad-band superluminescent diodes
        A. Kafar; R. Ishii; K. Gibasiewicz; Y. Matsuda; S. Stanczyk; D. Schiavon; S. Grzanka; M. Tano; A. Sakaki; T. Suski; P. Perlin; M. Funato; Y. Kawakami
        Optics Express, 2020年07月20日
      • Lattice relaxation in semipolar Al x Ga1−x N grown on (11̅02) AlN substrates
        Ryota Akaike; Shuhei Ichikawa; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        Applied Physics Express, 2020年06月01日, 査読有り
      • Broadband Ultraviolet Emission from 2D Arrays of AlGaN Microstructures Grown on the Patterned AlN Templates
        Ken Kataoka; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2020年04月, 査読有り
      • Control of p-type conductivity at AlN surfaces by carbon doping
        Katsuhiro Kishimoto; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2020年01月, 査読有り
      • Direct detection of rare earth ion distributions in gallium nitride and its influence on growth morphology
        B. Mitchell; D. Timmerman; W. Zhu; J. Y. Lin; H. X. Jiang; J. Poplawsky; R. Ishii; Y. Kawakami; V. Dierolf; J. Tatebayashi; S. Ichikawa; Y. Fujiwara
        Journal of Applied Physics, 2020年01月, 査読有り
      • Impact of face-to-face annealed sputtered AlN on the optical properties of AlGaN multiple quantum wells
        Kanako Shojiki; Ryota Ishii; Kenjiro Uesugi; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami; Hideto Miyake
        AIP Advances, 2019年12月, 査読有り
      • Intrinsic exciton transitions of isotopically purified 13C studied by photoluminescence and transmission spectroscopy
        Ryota Ishii; Shinichi Shikata; Tokuyuki Teraji; Hisao Kanda; Hideyuki Watanabe; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        Japanese Jounral of Applied Physics, 2019年12月, 査読有り
      • 微傾斜AlN(0001)面上へのGaN極薄膜量子井戸の作製と光学特性 (電子部品・材料)
        船戸 充; 小林 敬嗣; 川上 養一
        電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 2019年11月
      • Self-Limiting Growth of Ultrathin GaN/AlN Quantum Wells for Highly Efficient Deep Ultraviolet Emitters
        Hirotsugu Kobayashi; Shuhei Ichikawa; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        Advanced Optical Materials, 2019年11月01日, 査読有り
      • Metalorganic vapor phase epitaxy of pit-free AlN homoepitaxial films on various semipolar substrates
        Shuhei Ichikawa; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        Journal of Crystal Growth, 2019年09月15日, 査読有り
      • Pushing the limits of deep-ultraviolet scanning near-field optical microscopy
        Ryota Ishii; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        APL PHOTONICS, 2019年07月, 査読有り
      • Micro-photoluminescence mapping of surface plasmon-coupled emission from InGaN/GaN quantum wells
        Koichi Okamoto; Kazutaka Tateishi; Kaoru Tamada; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2019年06月, 査読有り
      • Frontiers of Nitride Semiconductor Research FOREWORD
        Shigefusa F. Chichibu; Yoshinao Kumagai; Kazunobu Kojima; Momoko Deura; Toru Akiyama; Munetaka Arita; Hiroshi Fujioka; Yasufumi Fujiwara; Naoki Hara; Tamotsu Hashizume; Hideki Hirayama; Mark Holmes; Yoshio Honda; Masataka Imura; Ryota Ishii; Yoshihiro Ishitani; Motoaki Iwaya; Satoshi Kamiyama; Yoshihiro Kangawa; Ryuji Katayama; Yoichi Kawakami; Takahiro Kawamura; Atsushi Kobayashi; Masaaki Kuzuhara; Koh Matsumoto; Yusuke Mori; Takashi Mukai; Hisashi Murakami; Hideaki Murotani; Satoshi Nakazawa; Narihito Okada; Yoshiki Saito; Akira Sakai; Hiroto Sekiguchi; Koji Shiozaki; Kanako Shojiki; Jun Suda; Tetsuya Takeuchi; Tomoyuki Tanikawa; Jun Tatebayashi; Shigetaka Tomiya; Yoichi Yamada
        JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2019年06月
      • Micro-photoluminescence mapping of light emissions from aluminum-coated InGaN/GaN quantum wells
        Kazutaka Tateishi; Pangpang Wang; Sou Ryuzaki; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami; Koichi Okamoto; Kaoru Tamada
        APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2019年05月, 査読有り
      • Impact of of microscopic In fluctuations on the optical properties of InxGa1-xN blue light-emitting diodes assessed by low-energy X-ray fluorescence mapping using synchrotron radiation
        Atsushi Sakaki; Mitsuru Funato; Munehiko Miyano; Toshiyuki Okazaki; Yoichi Kawakami
        SCIENTIFIC REPORTS, 2019年03月, 査読有り
      • AlxGa1−xN-Based Quantum Wells Fabricated on Macrosteps Effectively Suppressing Nonradiative Recombination
        Minehiro Hayakawa; Shuhei Ichikawa; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        Advanced Optical Materials, 2019年01月18日, 査読有り
      • Red-emitting InxGa-xN/ln(1)(-x)Ga(1-y)N quantum wells grown on lattice-matched InyGa1-yN/ScAlMgO4(0001) templates
        Takuya Ozaki; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2019年01月, 査読有り
      • Isotopic effects on phonons and excitons in diamond studied by deep-ultraviolet continuous-wave photoluminescence spectroscopy
        Ryota Ishii; Shinichi Shikata; Tokuyuki Teraji; Hisao Kanda; Hideyuki Watanabe; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2019年01月, 査読有り
      • Deep-ultraviolet near band-edge emissions from nano-polycrystalline diamond
        Ryota Ishii; Rei Fukuta; Fumitaro Ishikawa; Masafumi Matsushita; Hiroaki Ohfuji; Toru Shinmei; Tetsuo Irifune; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        High Pressure Research, 2019年01月01日
      • Dominant Nonradiative Recombination Paths and Their Activation Processes in AlxGa1-x N -related Materials
        Shuhei Ichikawa; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        Physical Review Applied, 2018年12月11日, 査読有り
      • GaN/AlN極薄膜量子井戸の作製と偏光特性 (電子部品・材料)
        船戸 充; 市川 修平; 川上 養一
        電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 2018年11月
      • Growth Mechanism of Polar-Plane-Free Faceted InGaN Quantum Wells
        Yoshinobu Matsuda; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS, 2018年07月, 査読有り
      • AlxGa1-xN-based semipolar deep ultraviolet light-emitting diodes
        Ryota Akaike; Shuhei Ichikawa; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        Applied Physics Express, 2018年06月, 査読有り
      • Synchrotron radiation microbeam X-ray diffraction for nondestructive assessments of local structural properties of faceted InGaN/GaN quantum wells
        Atsushi Sakaki; Mitsuru Funato; Tomoaki Kawamura; Jun Araki; Yoichi Kawakami
        Applied Physics Express, 2018年03月01日, 査読有り
      • 会議報告 第16回照明の科学と技術に関する国際シンポジウム(LS16)参加報告
        安田 丈夫; 川上 養一; 鎌田 憲彦; 木村 能子; 請川 信; 神野 雅文
        照明学会誌, 2018年01月
      • <大学の研究・動向>近接場光学顕微鏡の開発 : 光材料物性解明のためのツール開拓を目指して
        川上 養一; 船戸 充; 石井 良太
        Cue : 京都大学電気関係教室技術情報誌, 2018年01月
      • 表面プラズモン共鳴によるInGaN/GaN多重量子井戸の発光増強 (レーザー計測とその応用)
        村尾 文弥; 中村 俊樹; 松山 哲也; 和田 健司; 船戸 充; 川上 養一; 岡本 晃一
        レーザー学会研究会報告 = Reports the on topical meeting of the Laser Society of Japan, 2018年01月, 査読有り
      • 超ワイドバンドギャップ半導体AlNにおける励起子再結合過程の同定
        船戸 充; 市川 修平; 川上 養一
        京都大学物性科学センター誌 : LTMセンター誌, 2018年01月, 査読有り
      • Reduction of the blue light hazard by adding a cyan light LED
        Junxiong Ni; Tie Shen; Yasuo Ebara; Koji Koyamada; Yoichi Kawakami; Yuichi Nakamura
        JOURNAL OF ADVANCED SIMULATION IN SCIENCE AND ENGINEERING, 2018年, 査読有り
      • Development of polychromatic ultraviolet light-emitting diodes based on three-dimensional AlGaN quantum wells
        Ken Kataoka; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        Applied Physics Express, 2017年12月01日, 査読有り
      • マクロステップ上AlGaN量子細線の光学特性
        早川 峰洋; 林 佑樹; 長瀬 勇樹; 市川 修平; 熊本 恭介; 柴岡 真美; 船戸 充; 川上 養一
        電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 2017年11月
      • Micro-photoluminescence mapping of surface plasmon enhanced light emissions from InGaN/GaN quantum wells
        Kazutaka Tateishi; Pangpang Wang; Sou Ryuzaki; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami; Koichi Okamoto; Kaoru Tamada
        APPLIED PHYSICS LETTERS, 2017年10月, 査読有り
      • High-efficiency light emission by means of exciton-surface-plasmon coupling
        Koichi Okamoto; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami; Kaoru Tamada
        JOURNAL OF PHOTOCHEMISTRY AND PHOTOBIOLOGY C-PHOTOCHEMISTRY REVIEWS, 2017年09月, 査読有り
      • Origin of temperature-induced luminescence peak shifts from semipolar (11(2)over-bar2) InxGa1-xN quantum wells
        Takuya Ozaki; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        PHYSICAL REVIEW B, 2017年09月, 査読有り
      • Polychromatic emission from polar-plane-free faceted InGaN quantum wells with high radiative recombination probabilities
        Yoshinobu Matsuda; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2017年07月, 査読有り
      • Effects of Al and N-2 Flow Sequences on the Interface Formation of AlN on Sapphire by EVPE
        Katsuhiro Kishimoto; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        CRYSTALS, 2017年05月, 査読有り
      • Deep-ultraviolet polychromatic emission from three-dimensionally structured AlGaN quantum wells
        Ken Kataoka; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2017年03月, 査読有り
      • Heteroepitaxy mechanisms of AlN on nitridated c- and a-plane sapphire substrates
        Mitsuru Funato; Mami Shibaoka; Yoichi Kawakami
        JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2017年02月, 査読有り
      • 電気系教室における光に関する教育の現状 (特集資料 照明と照明隣接分野の教育の現状とビジョン)
        川上 養一
        照明学会誌, 2017年01月
      • The relation between photoluminescence properties and gas pressure with [0001] InGaN single quantum well systems
        Toshiaki Tsutsumi; Giovanni Alfieri; Yoichi Kawakami; Ruggero Micheletto
        APPLIED SURFACE SCIENCE, 2017年01月, 査読有り
      • マクロステップ上AlGaN量子細線の光学特性 (レーザ・量子エレクトロニクス)
        早川 峰洋; 林 佑樹; 長瀬 勇樹; 市川 修平; 熊本 恭介; 柴岡 真美; 船戸 充; 川上 養一
        電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 2017年01月
      • Plasmonics toward high efficiency LEDs from the visible to the deep UV region
        K. Okamoto; M. Funato; Y. Kawakami; N. Okada; K. Tadatomo; K. Tomada
        LIGHT-EMITTING DIODES: MATERIALS, DEVICES, AND APPLICATIONS FOR SOLID STATE LIGHTING XXI, 2017年, 査読有り
      • Design of Al-rich AlGaN quantum well structures for efficient UV emitters
        Mitsuru Funato; Shuhei Ichikawa; Kyosuke Kumamoto; Yoichi Kawakami
        GALLIUM NITRIDE MATERIALS AND DEVICES XII, 2017年, 査読有り, 招待有り
      • クリーンプロセスによるAlNバルク結晶の成長
        岸元 克浩; 呉 珮岑; 船戸 充; 川上 養一
        電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 2016年12月
      • 極性面フリーなInGaNマルチファセット構造を用いた多波長発光の実現
        松田 祥伸; 船戸 充; 川上 養一
        電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 2016年12月
      • 照明学会創立100周年記念 : 第15回照明の科学と技術に関する国際シンポジウム(LS15)を開催して (照明学会創立100周年記念特集) -- (特集資料)
        川上 養一; 神野 雅文; 安田 丈夫; 鎌田 憲彦; 明石 行生; 吉澤 望; 大森 信哉
        照明学会誌, 2016年12月
      • Control of Crystal Morphologies and Interface Structures of AlN Grown on Sapphire by Elementary Source Vapor Phase Epitaxy
        PeiTsen Wu; Katsuhiro Kishimoto; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        CRYSTAL GROWTH & DESIGN, 2016年11月, 査読有り
      • Impact of Radiative and Nonradiative Recombination Processes on the Efficiency-Droop Phenomenon in InxGa1-xN Single Quantum Wells Studied by Scanning Near-Field Optical Microscopy
        Yoichi Kawakami; Akio Kaneta; Akira Hashiya; Mitsuru Funato
        PHYSICAL REVIEW APPLIED, 2016年10月, 査読有り
      • Control of GaN facet structures through Eu doping toward achieving semipolar {1(1)over-bar01} and {2(2)over-bar01} InGaN/GaN quantum wells
        Takanori Kojima; Shota Takano; Ryosuke Hasegawa; Dolf Timmerman; Atsushi Koizumi; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami; Yasufumi Fujiwara
        APPLIED PHYSICS LETTERS, 2016年10月, 査読有り
      • Evaluating the well-to-well distribution of radiative recombination rates in semi-polar (11(2)over-bar2) InGaN multiple-quantum-well light-emitting diodes
        Mitsuru Funato; Kohei Matsufuji; Yoichi Kawakami
        APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2016年07月, 査読有り
      • Approaches to highly efficient UV emitters based on AlGaN quantum wells
        S. Ichikawa; M. Funato; Y. Kawakami
        Proc. of SPIE, 2016年02月, 査読有り, 招待有り
      • Highly efficient UV emission with semipolar quantum wells
        S. Ichikawa; M. Funato; Y. Kawakami
        SPIE Newsroom Lasers & Sources, 2016年02月
      • 極性面フリーなInGaNマルチファセット構造を用いた多波長発光の実現 (レーザ・量子エレクトロニクス)
        松田 祥伸; 船戸 充; 川上 養一
        電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 2016年01月
      • 近接場光学顕微鏡によるInGaN可視発光素子の時空間分解分光 (高時空間分解能の実現に向けた光計測技術)
        船戸 充; 川上 養一
        光学 = Japanese journal of optics : publication of the Optical Society of Japan, 2016年01月, 査読有り
      • クリーンプロセスによるAlNバルク結晶の成長 (レーザ・量子エレクトロニクス)
        岸元 克浩; 呉 珮岑; 船戸 充; 川上 養一
        電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 2016年01月
      • InGaN/AlGaN stress compensated superlattices coherently grown on semipolar (11(2)over-bar2) GaN substrates
        Junichi Nishinaka; Mitsuru Funato; Ryohei Kido; Yoichi Kawakami
        PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, 2016年01月, 査読有り
      • Environmentally friendly method to grow wide-bandgap semiconductor aluminum nitride crystals: Elementary source vapor phase epitaxy
        PeiTsen Wu; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        SCIENTIFIC REPORTS, 2015年11月, 査読有り
      • Screw dislocation-induced growth spirals as emissive exciton localization centers in Al-rich AlGaN/AlN quantum wells
        Mitsuru Funato; Ryan G. Banal; Yoichi Kawakami
        AIP ADVANCES, 2015年11月, 査読有り
      • Novel selective area growth (SAG) method for regularly arranged AlGaN nanocolumns using nanotemplates
        Koji Yamano; Katsumi Kishino; Hiroto Sekiguchi; Takao Oto; Akihiro Wakahara; Yoichi Kawakami
        JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2015年09月, 査読有り
      • InGaN-based visible light-emitting diodes on ScAlMgO4(0001) substrates
        Takuya Ozaki; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2015年06月, 査読有り
      • Quantification of the internal quantum efficiency in GaN via analysis of the heat generated by non-radiative recombination processes
        Yoichi Kawakami; Kohei Inoue; Akio Kaneta; Koichi Okamoto; Mitsuru Funato
        JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2015年03月, 査読有り
      • Highly enhanced green emission from InGaN quantum wells due to surface plasmon resonance on aluminum films
        Kazutaka Tateishi; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami; Koichi Okamoto; Kaoru Tamada
        APPLIED PHYSICS LETTERS, 2015年03月, 査読有り
      • Co-existence of a few and sub micron inhomogeneities in Al-rich AlGaN/AlN quantum wells
        Yoshiya Iwata; Takao Oto; David Gachet; Ryan G. Banal; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2015年03月, 査読有り
      • Emission mechanisms in Al-rich AlGaN/AlN quantum wells assessed by excitation power dependent photoluminescence spectroscopy
        Yoshiya Iwata; Ryan G. Banal; Shuhei Ichikawa; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2015年02月, 査読有り
      • Markedly distinct growth characteristics of semipolar (11(2)over-bar2) and ((1)over-bar(1)over-bar2(2)over-bar) InGaN epitaxial layers
        Junichi Nishinaka; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        APPLIED PHYSICS LETTERS, 2015年02月, 査読有り
      • 多波長励起発光分離法を用いたInGaN薄膜のラマン散乱分光 (電子部品・材料)
        石戸 亮祐; 石井 良太; 船戸 充; 川上 養一
        電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 2015年01月
      • 2探針近接場分光技術の開発 (「新たな展開を見せるプラズモン・ナノフォトニクス」特集号)
        川上 養一; 金田 昭男; 船戸 充
        レーザー研究 = The review of laser engineering : レーザー学会誌, 2015年01月, 査読有り
      • Semi/non-polar nitride quantum wells for high-efficient light emitters
        Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        GALLIUM NITRIDE MATERIALS AND DEVICES X, 2015年, 査読有り
      • Metalorganic vapor phase epitaxy of GaN and lattice-matched InGaN on ScAlMgO4(0001) substrates
        Takuya Ozaki; Yoshinori Takagi; Junichi Nishinaka; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2014年09月, 査読有り
      • Effects of strong electron-hole exchange and exciton-phonon interactions on the exciton binding energy of aluminum nitride
        Ryota Ishii; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014年09月, 査読有り
      • High quality semipolar (1(1)over-bar02) AlGaN/AlN quantum wells with remarkably enhanced optical transition probabilities
        S. Ichikawa; Y. Iwata; M. Funato; S. Nagata; Y. Kawakami
        APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014年06月, 査読有り
      • Optical gain characteristics in Al-rich AlGaN/AlN quantum wells
        Takao Oto; Ryan G. Banal; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014年05月, 査読有り
      • Bistable nanofacet structures on vicinal AlN(0001) surfaces
        Mitsuru Funato; Yuki Hayashi; Yoichi Kawakami
        JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014年03月, 査読有り
      • AlGaN系量子井戸の深紫外光物性と電子線励起発光への応用 (特集 深紫外LED高効率化への新たな展開)
        船戸 充; 川上 養一
        オプトロニクス, 2014年02月
      • (Al, Ga)N系半導体の物性予測に向けたGaNとAlNの物性定数の同定(<特集>固体紫外光源を目指した窒化物半導体結晶成長の最前線)
        石井 良太; 船戸 充; 川上 養一
        日本結晶成長学会誌, 2014年01月, 査読有り
      • 格子整合系ScAlMgO?基板上でのGaN系窒化物半導体の結晶成長 (電子部品・材料)
        尾崎 拓也; 船戸 充; 川上 養一
        電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 2014年01月
      • 格子整合系ScAlMgO?基板上でのGaN系窒化物半導体の結晶成長 (電子デバイス)
        尾崎 拓也; 船戸 充; 川上 養一
        電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 2014年01月
      • ノーベル物理学賞 : 日本発の青色LED開発の成果
        川上 養一
        パリティ, 2014年01月
      • 格子整合系ScAlMgO_4基板上でのGaN系窒化物半導体の結晶成長(窒化物半導体光・電子デバイス,材料,関連技術,及び一般)
        尾崎 拓也; 船戸 充; 川上 養一
        電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス, 2014年01月
      • 格子整合系ScAlMgO?基板上でのGaN系窒化物半導体の結晶成長 (レーザ・量子エレクトロニクス)
        尾崎 拓也; 船戸 充; 川上 養一
        電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 2014年01月
      • Multi-wavelength light emission from three-dimensional AlGaN quantum wells fabricated on facet structures
        Ken Kataoka; Masanori Yamaguchi; Kensuke Fukushima; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        GALLIUM NITRIDE MATERIALS AND DEVICES IX, 2014年, 査読有り
      • In plane manipulation of a dielectric nanobeam with gradient optical forces
        Pedro A. Favuzzi; Richard Bardoux; Takashi Asano; Yoichi Kawakami; Susumu Noda
        OPTICS EXPRESS, 2013年12月, 査読有り
      • Optical Gain Spectra of a (0001) InGaN Green Laser Diode
        Mitsuru Funato; Yoon Seok Kim; Yoshiaki Ochi; Akio Kaneta; Yoichi Kawakami; Takashi Miyoshi; Shin-ichi Nagahama
        APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2013年12月, 査読有り
      • Remarkably Suppressed Luminescence Inhomogeneity in a (0001) InGaN Green Laser Structure
        Mitsuru Funato; Yoon Seok Kim; Takayuki Hira; Akio Kaneta; Yoichi Kawakami; Takashi Miyoshi; Shin-ichi Nagahama
        APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2013年11月, 査読有り
      • Crack-free thick AlN films obtained by NH3 nitridation of sapphire substrates
        Ryan G. Banal; Yosuke Akashi; Kazuhisa Matsuda; Yuki Hayashi; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        Japanese Journal of Applied Physics, 2013年08月, 査読有り
      • Optical Properties of Highly Strained AlN Coherently Grown on 6H-SiC(0001)
        Mitsuaki Kaneko; Hironori Okumura; Ryota Ishii; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami; Tsunenobu Kimoto; Jun Suda
        APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2013年06月, 査読有り
      • Complete set of deformation potentials for AlN determined by reflectance spectroscopy under uniaxial stress
        Ryota Ishii; Akio Kaneta; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        PHYSICAL REVIEW B, 2013年06月, 査読有り
      • Two-photon absorption induced anti-Stokes emission in single InGaN/GAN quantum-dot-like objects
        R. Bardoux; M. Funato; A. Kaneta; Y. Kawakami; A. Kikuchi; K. Kishino
        PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS, 2013年05月, 査読有り
      • Heteroepitaxy between wurtzite and corundum materials
        Yuki Hayashi; Ryan G. Banal; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2013年05月, 査読有り
      • Huge electron-hole exchange interaction in aluminum nitride
        Ryota Ishii; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        PHYSICAL REVIEW B, 2013年04月, 査読有り
      • Grain size dependence of surface plasmon enhanced photoluminescence
        Xiaoying Xu; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami; Koichi Okamoto; Kaoru Tamada
        Optics Express, 2013年02月11日, 査読有り
      • Strong optical polarization in nonpolar (1(1)over-bar00) AlxGa1-xN/AlN quantum wells
        Mitsuru Funato; Kazuhisa Matsuda; Ryan G. Banal; Ryota Ishii; Yoichi Kawakami
        PHYSICAL REVIEW B, 2013年01月, 査読有り
      • Complex strain distribution in individual facetted InGaN/GaN nano-columnar heterostructures
        Richard Bardoux; Mitsuru Funato; Akio Kaneta; Yoichi Kawakami; Akihiko Kikuchi; Katsumi Kishino
        OPTICAL MATERIALS EXPRESS, 2012年12月, 査読有り
      • Ab-initio design of nanophotonic waveguides for tunable, bidirectional optical forces
        Pedro A. Favuzzi; Richard Bardoux; Takashi Asano; Yoichi Kawakami; Susumu Noda
        OPTICS EXPRESS, 2012年10月, 査読有り
      • Nanoscopic Photoluminescence Properties of a Green-Emitting InGaN Single Quantum Well on a {20(2)over-bar1} GaN Substrate Probed by Scanning Near-Field Optical Microscopy
        Akio Kaneta; Yoon-Seok Kim; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami; Yohei Enya; Takashi Kyono; Masaki Ueno; Takao Nakamura
        APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2012年10月, 査読有り
      • Homoepitaxy and Photoluminescence Properties of (0001) AlN
        Mitsuru Funato; Kazuhisa Matsuda; Ryan G. Banal; Ryota Ishii; Yoichi Kawakami
        APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2012年08月, 査読有り
      • Anisotropic lattice relaxation in non-c-plane InGaN/GaN multiple quantum wells
        Junichi Nishinaka; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2012年08月, 査読有り
      • Instrumentation for dual-probe scanning near-field optical microscopy
        A. Kaneta; R. Fujimoto; T. Hashimoto; K. Nishimura; M. Funato; Y. Kawakami
        REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS, 2012年08月, 査読有り
      • Interference of the surface plasmon polaritons with an Ag waveguide probed by dual-probe scanning near-field optical microscopy
        R. Fujimoto; A. Kaneta; K. Okamoto; M. Funato; Y. Kawakami
        APPLIED SURFACE SCIENCE, 2012年07月, 査読有り
      • Semipolar {n(n)over-bar01} InGaN/GaN ridge quantum wells (n=1-3) fabricated by a regrowth technique
        Mitsuru Funato; Teruhisa Kotani; Takeshi Kondou; Yoichi Kawakami
        APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012年04月, 査読有り
      • Partially disordered photonic-crystal thin films for enhanced and robust photovoltaics
        Ardavan Oskooi; Pedro A. Favuzzi; Yoshinori Tanaka; Hiroaki Shigeta; Yoichi Kawakami; Susumu Noda
        APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012年04月, 査読有り
      • Unambiguous relationship between photoluminescence energy and its pressure evolution in InGaN/GaN quantum wells
        T. Suski; G. Staszczak; S. P. Lepkowski; P. Perlin; R. Czernecki; I. Grzegory; M. Funato; Y. Kawakami
        PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, 2012年03月, 査読有り
      • Lateral charge carrier diffusion in InGaN quantum wells
        J. Danhof; H. -M. Solowan; U. T. Schwarz; A. Kaneta; Y. Kawakami; D. Schiavon; T. Meyer; M. Peter
        PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, 2012年03月, 査読有り
      • 蛍光体フリー多色LED : テイラーメイド光源の実現に向けて (特集 LEDと照明)
        船戸 充; 川上 養一
        ディスプレイ, 2012年01月
      • Tailoring repulsive optical forces in nanophotonic waveguides
        Ardavan Oskooi; Pedro A. Favuzzi; Yoichi Kawakami; Susumu Noda
        OPTICS LETTERS, 2011年12月, 査読有り
      • 窒化アルミニウムの電子状態に対する歪みの効果(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
        石井 良太; 金田 昭男; バナル ライアン; 船戸 充; 川上 養一
        電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス, 2011年11月
      • 窒化アルミニウムの電子状態に対する歪みの効果
        石井 良太; 金田 昭男; バナル ライアン; 船戸 充; 川上 養一
        電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料, 2011年11月
      • Impact of nonpolar AlGaN quantum wells on deep ultraviolet laser diodes
        K. Kojima; A. A. Yamaguchi; M. Funato; Y. Kawakami; S. Noda
        JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2011年08月, 査読有り
      • Different behavior of semipolar and polar InGaN/GaN quantum wells: Pressure studies of photoluminescence
        G. Staszczak; T. Suski; A. Khachapuridze; P. Perlin; M. Funato; Y. Kawakami
        PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2011年07月, 査読有り
      • Extremely high internal quantum efficiencies from AlGaN/AlN quantum wells emitting in the deep ultraviolet spectral region
        Ryan G. Banal; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011年07月, 査読有り
      • Time-of-flight measurements of charge carrier diffusion in InxGa1-xN/GaN quantum wells
        J. Danhof; U. T. Schwarz; A. Kaneta; Y. Kawakami
        PHYSICAL REVIEW B, 2011年07月, 査読有り
      • Real-time near-field evidence of optical blinking in the photoluminescence of InGaN by scanning near-field optical microscope
        Kotaro Oikawa; Christian Feldmeier; Ulrich Theodor Schwarz; Yoichi Kawakami; Ruggero Micheletto
        OPTICAL MATERIALS EXPRESS, 2011年06月, 査読有り
      • Optical Gain Spectroscopy of a Semipolar {20(2)over-bar1}-Oriented Green InGaN Laser Diode
        Yoon Seok Kim; Akio Kaneta; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami; Takashi Kyono; Masaki Ueno; Takao Nakamura
        APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2011年05月, 査読有り
      • Single mode emission and non-stochastic laser system based on disordered point-sized structures: toward a tuneable random laser
        R. Bardoux; A. Kaneta; M. Funato; K. Okamoto; Y. Kawakami; A. Kikuchi; K. Kishino
        OPTICS EXPRESS, 2011年05月, 査読有り
      • Micromirror arrays to assess luminescent nano-objects
        Yoichi Kawakami; Akinobu Kanai; Akio Kaneta; Mitsuru Funato; Akihiko Kikuchi; Katsumi Kishino
        REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS, 2011年05月, 査読有り
      • Time-resolved photoluminescence of Al-rich AlGaN/AlN quantum wells under selective excitation
        Yoshiya Iwata; Takao Oto; Akio Kaneta; Ryan G. Banal; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 8, NO 7-8, 2011年, 査読有り
      • 100 mW deep-ultraviolet emission from aluminium-nitride-based quantum wells pumped by an electron beam
        Takao Oto; Ryan G. Banal; Ken Kataoka; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        NATURE PHOTONICS, 2010年11月, 査読有り
      • 電子線励起したAlGaN/AlN量子井戸からの100mW深紫外発光(窒化物及び混晶半導体デバイス)
        大音 隆男; Banal Ryan G; 片岡 研; 船戸 充; 川上 養一
        電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス, 2010年11月
      • 空間時間分解PLによるInGaN/GaN単一量子井戸のキャリア拡散ダイナミクスの評価 : SNOMによるEfficiency droop機構の解明(窒化物及び混晶半導体デバイス)
        橋谷 享; 金田 昭男; 船戸 充; 川上 養一
        電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス, 2010年11月
      • <高校生のページ>固体照明が拓く明るい世界
        川上 養一; 船戸 充
        Cue : 京都大学電気関係教室技術情報誌, 2010年09月
      • Gain Anisotropy Analysis in Green Semipolar InGaN Quantum Wells with Inhomogeneous Broadening
        Kazunobu Kojima; Atsushi A. Yamaguchi; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami; Susumu Noda
        JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010年08月, 査読有り
      • Valence band effective mass of non-c-plane nitride heterostructures
        K. Kojima; M. Funato; Y. Kawakami; S. Noda
        JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010年06月, 査読有り
      • Valence band effective mass of non-c-plane nitride heterostructures
        K. Kojima; M. Funato; Y. Kawakami; S. Noda
        JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010年06月, 査読有り
      • Strain states in semipolar III-nitride semiconductor quantum wells
        M. Funato; D. Inoue; M. Ueda; Y. Kawakami; Y. Narukawa; T. Mukai
        JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010年06月, 査読有り
      • Strain-Induced Effects on the Electronic Band Structures in GaN/AlGaN Quantum Wells: Impact of Breakdown of the Quasicubic Approximation in GaN
        Ryota Ishii; Akio Kaneta; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010年06月, 査読有り
      • Strain relaxation effect by nanotexturing InGaN/GaN multiple quantum well
        V. Ramesh; A. Kikuchi; K. Kishino; M. Funato; Y. Kawakami
        JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010年06月, 査読有り
      • 伝搬型および局在型表面プラズモンを利用した高効率発光・受光素子(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
        岡本 晃一; Bardoux Richard; 川上 養一
        電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス, 2010年05月
      • All deformation potentials in GaN determined by reflectance spectroscopy under uniaxial stress: Definite breakdown of the quasicubic approximation
        Ryota Ishii; Akio Kaneta; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami; Atsushi A. Yamaguchi
        PHYSICAL REVIEW B, 2010年04月, 査読有り
      • Optical properties of InGaN/GaN nanopillars fabricated by postgrowth chemically assisted ion beam etching
        Y. Kawakami; A. Kaneta; L. Su; Y. Zhu; K. Okamoto; M. Funato; A. Kikuchi; K. Kishino
        JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010年01月, 査読有り
      • Characteristics of high Al-content AlGaN/AlN quantum wells fabricated by modified migration enhanced epitaxy
        Ryan G. Banal; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 7, NO 7-8, 2010年, 査読有り
      • Experimental and Theoretical Considerations of Polarization Field Direction in Semipolar InGaN/GaN Quantum Wells
        Mitsuru Funato; Masaya Ueda; Daisuke Inoue; Yoichi Kawakami; Yukio Narukawa; Takashi Mukai
        APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2010年, 査読有り
      • Deep ultraviolet emission mechanisms in highly excited Al0.79Ga0.21N/AlN quantum wells
        Takao Oto; Ryan G. Banal; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 7, NO 7-8, 2010年, 査読有り
      • Visualization of the Local Carrier Dynamics in an InGaN Quantum Well Using Dual-Probe Scanning Near-Field Optical Microscopy
        Akio Kaneta; Tsuneaki Hashimoto; Katsuhito Nishimura; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2010年, 査読有り
      • Weak Carrier/Exciton Localization in InGaN Quantum Wells for Green Laser Diodes Fabricated on Semi-Polar {20(2)over-bar1} GaN Substrates
        Mitsuru Funato; Akio Kaneta; Yoichi Kawakami; Yohei Enya; Koji Nishizuka; Masaki Ueno; Takao Nakamura
        APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2010年, 査読有り
      • Impact of Nonpolar Plane for Deep Ultraviolet Laser Diodes Based on AlGaN/AlN Quantum Wells
        K. Kojima; A. A. Yamaguchi; M. Funato; Y. Kawakami; S. Noda
        22ND IEEE INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR LASER CONFERENCE, 2010年
      • Enhancements of emission rates and efficiencies by surface plasmon coupling
        Koichi Okamoto; Yoichi Kawakami
        PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 7, NO 10, 2010年, 査読有り
      • Transient memory effect in the photoluminescence of InGaN single quantum wells
        Christian Feldmeier; Masayoshi Abiko; Ulrich T. Schwarz; Yoichi Kawakami; Ruggero Micheletto
        OPTICS EXPRESS, 2009年12月, 査読有り
      • Near-field evidence of local polarized emission centers in InGaN/GaN materials
        Ruggero Micheletto; Maria Allegrini; Yoichi Kawakami
        APPLIED PHYSICS LETTERS, 2009年11月, 査読有り
      • Optical Anisotropy Control of Non-c-plane InGaN Quantum Wells
        Kazunobu Kojima; Hiroaki Kamon; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009年08月, 査読有り
      • High-Efficiency InGaN/GaN Light Emitters Based on Nanophotonics and Plasmonics
        Koichi Okamoto; Yoichi Kawakami
        IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS, 2009年07月, 査読有り
      • Growth characteristics of AlN on sapphire substrates by modified migration-enhanced epitaxy
        Ryan G. Banal; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        Journal of Crystal Growth, 2009年05月01日, 査読有り
      • Semipolar III Nitride Semiconductors: Crystal Growth, Device Fabrication, and Optical Anisotropy
        Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        MRS BULLETIN, 2009年05月, 査読有り
      • Positive binding energy of a biexciton confined in a localization center formed in a single InxGa1-xN/GaN quantum disk
        R. Bardoux; A. Kaneta; M. Funato; Y. Kawakami; A. Kikuchi; K. Kishino
        PHYSICAL REVIEW B, 2009年04月, 査読有り
      • Optical anisotropy in [0001]-oriented AlxGa1-xN/AlN quantum wells (x > 0.69)
        R. G. Banal; M. Funato; Y. Kawakami
        PHYSICAL REVIEW B, 2009年03月, 査読有り
      • Surface diffusion during metalorganic vapor phase epitaxy of AlN
        Ryan G. Banal; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 6, NO 2, 2009年, 査読有り
      • Surface diffusion during metalorganic vapor phase epitaxy of AlN
        Ryan G. Banal; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, 2009年, 査読有り
      • Polarization switching phenomena in semipolar InxGa1-xN/GaN quantum well active layers
        M. Ueda; M. Funato; K. Kojima; Y. Kawakami; Y. Narukawa; T. Mukai
        PHYSICAL REVIEW B, 2008年12月, 査読有り
      • Tenfold improved sensitivity using high refractive-index substrates for surface plasmon sensing
        Ruggero Micheletto; Katsumi Hamamoto; Takashi Fujii; Yoichi Kawakami
        APPLIED PHYSICS LETTERS, 2008年10月, 査読有り
      • Semipolar InGaN/GaN Quantum Wells for Highly Functional Light Emitters
        Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami; Yukio Narukawa; Takashi Mukai
        Nitrides with Nonpolar Surfaces: Growth, Properties, and Devices, 2008年09月16日, 査読有り
      • Nanoscopic recombination processes in InGaN/GaN quantum wells emitting violet, blue, and green spectra
        A. Kaneta; M. Funato; Y. Kawakami
        PHYSICAL REVIEW B, 2008年09月, 査読有り
      • Emission color tunable light-emitting diodes composed of InGaN multifacet quantum wells
        M. Funato; K. Hayashi; M. Ueda; Y. Kawakami; Y. Narukawa; T. Mukai
        APPLIED PHYSICS LETTERS, 2008年07月, 査読有り
      • 表面プラズモンを用いた高輝度発光素子
        岡本 晃一; Scherer Axel; 川上 養一
        表面科学 = Journal of The Surface Science Society of Japan, 2008年06月10日
      • Initial nucleation of AlN grown directly on sapphire substrates by metal-organic vapor phase epitaxy
        Ryan G. Banal; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakamia
        APPLIED PHYSICS LETTERS, 2008年06月, 査読有り
      • Excitonic properties of polar, semipolar, and nonpolar InGaN/GaN strained quantum wells with potential fluctuations
        M. Funato; Y. Kawakami
        JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2008年05月, 査読有り
      • A polarization-modulation method for the near-field mapping of laterally grown InGaN samples
        Ruggero Micheletto; Daisuke Yamada; Maria Allegrini; Yoichi Kawakami
        OPTICS EXPRESS, 2008年05月, 査読有り
      • Dual partial dye doping for chromaticity tuning and performance enhancement of white OLEDs
        Jongwoon Park; Naotoshi Suganuma; Yoichi Kawakami
        JOURNAL OF DISPLAY TECHNOLOGY, 2008年03月, 査読有り
      • Monolithic polychromatic light-emitting diodes based on InGaN microfacet quantum wells toward tailor-made solid-state lighting
        Mitsuru Funato; Takeshi Kondou; Keita Hayashi; Shotaro Nishiura; Masaya Ueda; Yoichi Kawakami; Yukio Narukawa; Takashi Mukai
        APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2008年01月, 査読有り
      • Assessment and modification of recombination dynamics in In xGa1-xN-based quantum wells
        Yoichi Kawakami; Akio Kaneta; Mitsuru Funato
        Materials Science Forum, 2008年, 査読有り
      • Highly efficient light emission based on plasmonics
        Koichi Okamoto; Yoichi Kawakami
        Conference Proceedings - Lasers and Electro-Optics Society Annual Meeting-LEOS, 2008年, 査読有り
      • Surface plasmon enhanced light emission from semiconductor materials
        Koichi Okamoto; Axel Scherer; Yoichi Kawakami
        PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 5, NO 9, 2008年, 査読有り
      • Stimulated emission at 474 nm from an InGaN laser diode structure grown on a (11(2)over-bar2) GaN substrate
        K. Kojima; M. Funato; Y. Kawakami; S. Masui; S. Nagahama; T. Mukai
        APPLIED PHYSICS LETTERS, 2007年12月
      • Stimulated emission at 474 nm from an InGaN laser diode structure grown on a (11(2)over-bar2) GaN substrate
        K. Kojima; M. Funato; Y. Kawakami; S. Masui; S. Nagahama; T. Mukai
        APPLIED PHYSICS LETTERS, 2007年12月, 査読有り
      • Metalorganic vapor phase epitaxy of GaN, InN, and AlGaN using 1,1-dimethylhydrazine as a nitrogen source
        Mitsuru Funato; Shinji Ujita; Yoichi Kawakami
        JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS, 2007年10月
      • Numerical analysis of multilayer organic light-emitting diodes
        Jongwoon Park; Yoichi Kawakami; Seoung-Hwan Park
        JOURNAL OF LIGHTWAVE TECHNOLOGY, 2007年09月
      • Interplay of built-in potential and piezoelectric field on carrier recombination in green light emitting InGaN quantum wells
        Ulrich T. Schwarz; H. Braun; K. Kojima; Y. Kawakami; S. Nagahama; T. Mukai
        APPLIED PHYSICS LETTERS, 2007年09月
      • Mechanisms of metalorganic vapor phase epitaxy of InGaN quantum wells on GaN microfacet structures
        M Ueda, K Hayashi; T Kondou; M Funato; Y Kawakami; Y Narukawa; T Mukai
        physica status solidi (c), 2007年06月
      • Optical gain spectra for near UV to aquamarine (Al,In) GaN laser diodes
        K. Kojima; Ulrich T. Schwarz; M. Funato; Y. Kawakami; S. Nagahama; T. Mukai
        OPTICS EXPRESS, 2007年06月
      • Efficient green emission from (11(2)over-bar2) InGaN/GaN quantum wells on GaN microfacets probed by scanning near field optical microscopy
        Y. Kawakami; K. Nishizuka; D. Yamada; A. Kaneta; M. Funato; Y. Narukawa; T. Mukai
        APPLIED PHYSICS LETTERS, 2007年06月
      • Surface plasmon enhanced bright light emission from InGaN/GaN
        Koichi Okamoto; Isamu Niki; Alexander Shvartser; George Maltezos; Yukio Narukawa; Takashi Mukai; Yoichi Kawakami; Axel Scherer
        PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2007年06月
      • Comparison between optical gain spectra of InxGa1-xN/In0.02Ga0.98N laser diodes emitting at 404 nm and 470 nm
        K. Kojima; M. Funato; Y. Kawakami; H. Braun; U. T. Schwarz; S. Nagahama; T. Mukai
        PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2007年06月
      • Optical nanometer-scale sensing of mechanical vibrations with a planar glass at critical angle
        Ruggero Micheletto; Yoichi Kawakami; Katsumi Hamamoto
        APPLIED PHYSICS LETTERS, 2007年06月
      • Photoluminescence and optical reflectance investigation of semipolar and nonpolar GaN
        Kazunobu Kojima; Masaya Ueda; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, 2007年06月
      • Comparison between optical gain spectra of in xGa 1-xN/In 0.02Ga 0.98N laser diodes emitting at 404 nm and 470 nm
        K. Kojima; M. Funato; Y. Kawakami; H. Braun; U. T. Schwarz; S. Nagahama; T. Mukai
        Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science, 2007年06月01日, 査読有り
      • Artefacts in polarization modulation scanning near-field optical microscopes
        R. Micheletto; M. Allegrini; Yoichi Kawakami
        JOURNAL OF OPTICS A-PURE AND APPLIED OPTICS, 2007年05月
      • Additive color mixture of emission from InGaN/GaN quantum wells on structure-controlled GaN microfacets
        M. Ueda; T. Kondou; K. Hayashi; M. Funato; Y. Kawakami; Y. Narukawa; T. Mukai
        APPLIED PHYSICS LETTERS, 2007年04月
      • Acoustical nanometre-scale vibrations of live cells detected by a near-field optical setup
        Rosaria Piga; Ruggero Micheletto; Yoichi Kawakami
        OPTICS EXPRESS, 2007年04月
      • Mechanisms of metalorganic vapor phase epitaxy of InGaN quantum wells on GaN microfacet structures
        M. Ueda; K. Hayashi; T. Kondou; M. Funato; Y. Kawakami; Y. Narukawa; T. Mukai
        PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 4 NO 7 2007, 2007年, 査読有り
      • Gain suppression phenomena observed in InxGa1-xN quantum well laser diodes emitting at 470 nm
        K. Kojima; M. Funato; Y. Kawakami; S. Nagahama; T. Mukai; H. Braun; U. T. Schwarz
        APPLIED PHYSICS LETTERS, 2006年12月
      • Comparative analysis of the effects of internal lasing oscillation and external light injection on semiconductor optical amplifier performance
        Jongwoon Park; Yoichi Kawakami; Xun Li; Wei-Ping Huang
        OPTICS COMMUNICATIONS, 2006年11月
      • Epitaxial growth and optical properties of semipolar (11(2)over-bar2) GaN and InGaN/GaN quantum wells on GaN bulk substrates
        M. Ueda; K. Kojima; M. Funato; Y. Kawakami; Y. Narukawa; T. Mukai
        APPLIED PHYSICS LETTERS, 2006年11月
      • Equation for internal quantum efficiency and its temperature dependence of luminescence, and application to InxGa1-xN/GaN multiple quantum wells
        Akio Sasaki; Shin-ichiro Shibakawa; Yoichi Kawakami; Kohji Nishizuka; Yukio Narijkawa; Takashi Mukai
        JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS, 2006年11月
      • Origin of high oscillator strength in green-emitting InGaN/GaN nanocolumns
        Y. Kawakami; S. Suzuki; A. Kaneta; M. Funato; A. Kikuchi; K. Kishino
        APPLIED PHYSICS LETTERS, 2006年10月
      • Suppression mechanism of optical gain formation in InxGa1-xN quantum well structures due to localized carriers
        Kazunobu Kojima; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami; Yukio Narukawa; Takashi Mukai
        SOLID STATE COMMUNICATIONS, 2006年10月
      • Dichroism of diamond grains by a polarization modulated near field optical setup
        Ruggero Micheletto; Yoichi Kawakami; Claudio Manfredotti; Yiuri Garino; Maria Allegrini
        APPLIED PHYSICS LETTERS, 2006年09月
      • Carrier transport and optical properties of InGaNSQW with embedded AlGaN delta-layer
        Jonwoon Park; Akio Kaneta; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS, 2006年09月
      • Blue, green, and amber InGaN/GaN light-emitting diodes on semipolar {1122} GaN bulk substrates
        Mitsuru Funato; Masaya Ueda; Yoichi Kawakami; Yukio Narukawa; Takao Kosugi; Masayoshi Takahashi; Takashi Mukai
        JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS, 2006年07月
      • Tailored emission color synthesis using microfacet quantum wells consisting of nitride semiconductors without phosphors
        M Funato; T Kotani; T Kondou; Y Kawakami; Y Narukawa; T Mukai
        APPLIED PHYSICS LETTERS, 2006年06月
      • Optical properties of CdSe/MgS monolayer quantum wells and self-assembled quantum dots
        M. Funato; K. Omae; Y. Kawakami; Sg. Fujita; C. Bradford; A. Balocchi; K. A. Prior; B. C. Cavenett
        PHYSICAL REVIEW B, 2006年06月, 査読有り
      • Photoluminescence property of InGaN single quantum well with embedded AlGaN delta layer
        Jongwoon Park; Yoichi Kawakami
        APPLIED PHYSICS LETTERS, 2006年05月
      • Shape dependent thermal effects in apertured fiber probes for scanning near-field optical microscopy
        A. Ambrosio; O. Fenwick; F. Cacialli; R. Micheletto; Y. Kawakami; P. G. Gucciardi; D. J. Kang; M. Allegrini
        JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2006年04月
      • Time-domain models for the performance simulation of semiconductor optical amplifiers
        J Park; Y Kawakami
        OPTICS EXPRESS, 2006年04月
      • Observation of a nanometer size confined transient phenomenon. at the gold STM tip interface under UV illumination
        R Micheletto; M Yokokawa; Y Ding; D Hobara; T Kakiuchi; Y Kawakami
        COLLOIDS AND SURFACES A-PHYSICOCHEMICAL AND ENGINEERING ASPECTS, 2006年02月
      • Observation of optical instabilities in the photoluminescence of InGaN single quantum well
        R Micheletto; M Abiko; A Kaneta; Y Kawakami; Y Narukawa; T Mukai
        APPLIED PHYSICS LETTERS, 2006年02月
      • Index-of-refraction sensors: virtually unlimited sensing power at the critical angle
        R Micheletto; Y Kawakami; K Hamamoto; S Kawai
        OPTICS LETTERS, 2006年01月
      • Fabrication of an atomic resolution low cost STM-SNOM hybrid probe
        R Micheletto; M Yokokawa; S Okazakaki; Y Kawakami
        JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, 2006年01月
      • Optical properties of CdSe MgS monolayer quantum wells and self-assembled quantum dots
        M. Funato; K. Omae; Y. Kawakami; Sg Fujita; C. Bradford; A. Balocchi; K. A. Prior; B. C. Cavenett
        Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, 2006年
      • Direct correlation between nonradiative recombination centers and threading dislocations in InGaN quantum wells by near-field photoluminescence spectroscopy
        Akio Kaneta; Mitsuru Funato; Yukio Narukawa; Takashi Mukai; Yoichi Kawakami
        PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 3, NO 6, 2006年, 査読有り
      • Performance simulation of organic light-emitting diodes
        Jongwoon Park; Naotoshi Suganuma; Akio Kaneta; Yoichi Kawakami
        NUSOD '06: PROCEEDINGS OF THE 6TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NUMERICAL SIMULATION OF OPTOELECTRONIC DEVICES, 2006年, 査読有り
      • Efficient rainbow color luminescence from InxGa1-xN single quantum wells fabricated on {11(2)over-bar2} microfacets
        K Nishizuka; M Funato; Y Kawakami; Y Narukawa; T Mukai
        APPLIED PHYSICS LETTERS, 2005年12月
      • Near-field scanning optical microscopic transient lens for carrier dynamics study in InGaN/GaN
        K Okamoto; A Scherer; Y Kawakami
        APPLIED PHYSICS LETTERS, 2005年10月
      • Nano-probing of the membrane dynamics of rat pheochromocytoma by near-field optics
        R Piga; R Micheletto; Y Kawakami
        BIOPHYSICAL CHEMISTRY, 2005年09月
      • Confocal microphotoluminescence of InGaN-based light-emitting diodes
        K Okamoto; A Kaneta; Y Kawakami; S Fujita; J Choi; M Terazima; T Mukai
        JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2005年09月
      • Waveguide behavior of Distributed Bragg Reflectors probed by polarization-modulated near-field optical microscopy
        PG Gucciardi; M Allegrini; R Micheletto; T Kotani; T Hatada; Y Kawakami
        JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY, 2005年08月
      • Surface plasmon enhanced spontaneous emission rate of InGaN/GaN quantum wells probed by time-resolved photoluminescence spectroscopy
        K Okamoto; Niki, I; A Scherer; Y Narukawa; T Mukai; Y Kawakami
        APPLIED PHYSICS LETTERS, 2005年08月
      • Dynamic polarization filtering in anisotropically strained M-plane GaN films
        K Omae; T Flissikowski; P Misra; O Brandt; HT Grahn; K Kojima; Y Kawakami
        APPLIED PHYSICS LETTERS, 2005年05月
      • Modeling and test of fiber-optics fast SPR sensor for biological investigation
        R Micheletto; K Hamamoto; S Kawai; Y Kawakami
        SENSORS AND ACTUATORS A-PHYSICAL, 2005年04月
      • Magnetic induced vertical crystal growth of perylene cation radicals on ITO glass surface
        R Micheletto; J Matsui; M Oyama; K El-Hami; K Matsushige; Y Kawakami
        APPLIED SURFACE SCIENCE, 2005年03月
      • Erratum: Fabrication and characterization of GaN-based distributed Bragg reflector mirrors for low lasing threshold and integrated photonics (Physica Status Solidi C: Conferences (2005) 2:7 (2895-2898))
        Teruhisa Kotani; Yoshitaka Hatada; Mitsuru Funato; Yukio Narukawa; Takashi Mukai; Yoichi Kawakami
        Physica Status Solidi C: Conferences, 2005年, 査読有り
      • Near-field photoluminescence study in violet light emitting InGaN single quantum well structures
        A Kaneta; D Yamada; G Marutsuki; Y Narukawa; T Mukai; Y Kawakami
        Physica Status Solidi C - Conferences and Critical Reviews, Vol 2, No 7, 2005年, 査読有り
      • Samarium-doped red phosphor for InGaN-based optical device pumping
        Saito H; Morioka T; Kawasaki O; Yuasa T; Taneya M; Tanabe S; Kawakami Y; Funato M; Fujita S; Harada M
        Shapu Giho/Sharp Technical Journal, 2005年, 査読有り
      • Optical properties of GaN-based magnetic semiconductors
        YK Zhou; MS Kim; XJ Li; S Kimura; A Kaneta; Y Kawakami; S Fujita; S Emura; S Hasegawa; H Asahi
        JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, 2004年12月
      • Optically pumped lasing and gain formation properties in blue InxGa1-xN MQWs
        K Kojima; A Shikanai; K Omae; M Funato; Y Kawakami; Y Narukawa; T Mukai; S Fujita
        PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, 2004年10月
      • Efficient radiative recombination from < 11(2)over-bar-2 >-oriented InxGa1-xN multiple quantum wells fabricated by the regrowth technique
        K Nishizuka; M Funato; Y Kawakami; S Fujita; Y Narukawa; T Mukai
        APPLIED PHYSICS LETTERS, 2004年10月
      • Indium concentration influence on PL spatial inhomogeneity in InGaN single quantum well structures detected by original low-cost near-field probes
        R Micheletto; N Yoshimatsu; A Kaneta; Y Kawakami; S Fujita
        APPLIED SURFACE SCIENCE, 2004年05月
      • Submicron-scale photoluminescence of InGaN/GaN probed by confocal scanning laser microscopy
        K Okamoto; J Choi; Y Kawakami; M Terazima; T Mukai; S Fujita
        JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, 2004年02月
      • Radiative carrier recombination dependent on temperature and well width of InGaN/GaN single quantum well
        A Sasaki; K Nishizuka; T Wang; S Sakai; A Kaneta; Y Kawakami; S Fujita
        SOLID STATE COMMUNICATIONS, 2004年01月
      • The hot carrier dynamics in InGaN multi-quantum well structure
        A Shikanai; K Kojima; K Omae; Y Kawakami; Y Narukawa; T Mukai; S Fujita
        PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, 2003年11月
      • Recombination dynamics in low-dimensional nitride semiconductors
        Y Kawakami; A Kaneta; K Omae; A Shikanai; K Okamoto; G Marutsuki; Y Narukawa; T Mukai; S Fujita
        PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, 2003年11月
      • Sub-microscopic transient lens spectroscopy of InGaN/GaN quantum wells
        K Okamoto; S Fujita; Y Kawakami; A Scherer
        PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, 2003年11月
      • Discrimination of local radiative and nonradiative recombination processes in an InGaN/GaN single-quantum-well structure by a time-resolved multimode scanning near-field optical microscopy
        A Kaneta; T Mutoh; Y Kawakami; S Fujita; G Marutsuki; Y Narukawa; T Mukai
        APPLIED PHYSICS LETTERS, 2003年10月
      • Effects of internal electrical field on transient absorption in InxGa1-xN thin layers and quantum wells with different thickness by pump and probe spectroscopy
        K Omae; Y Kawakami; S Fujita; Y Narukawa; T Mukai
        PHYSICAL REVIEW B, 2003年08月, 査読有り
      • Optical properties of Si-, Ge- and Sn-doped GaN
        A Shikanai; H Fukahori; Y Kawakami; K Hazu; T Sota; T Mitani; T Mukai; S Fujita
        PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, 2003年01月
      • Nonradiative recombination processes of carriers in InGaN/GaN probed by the microscopic transient lens spectroscopy
        K Okamoto; K Inoue; Y Kawakami; S Fujita; M Terazima; A Tsujimura; Kidoguchi, I
        REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS, 2003年01月
      • Effects of internal electrical field on transient absorption in InxGa1−xN thin layers and quantum wells with different thickness by pump and probe spectroscopy
        Kunimichi Omae; Yoichi Kawakami; Shigeo Fujita; Yukio Narukawa; Takashi Mukai
        Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, 2003年
      • Recombination mechanism in low-dimensional nitride semiconductors
        Y Kawakami; A Kaneta; K Okamoto; T Inoue; F Satou; Y Narita; F Henneberger; G Marutsuki; Y Narukawa; T Mukai; S Fujita
        PHYSICS AND SIMULATION OF OPTOELECTRONIC DEVICES XI, 2003年, 査読有り
      • Spatial and temporal luminescence dynamics in an InxGa1-xN single quantum well probed by near-field optical microscopy
        A Kaneta; K Okamoto; Y Kawakami; S Fujita; G Marutsuki; Y Narukawa; T Mukai
        APPLIED PHYSICS LETTERS, 2002年12月
      • Electroluminescence mapping of InGaN-based LEDs by SNOM
        G. Marutsuki; Y. Narukawa; T. Mitani; T. Mukai; G. Shinomiya; A. Kaneta; Y. Kawakami; Sg Fujita
        Physica Status Solidi (A) Applied Research, 2002年07月
      • Electroluminescence mapping of InGaN-based LEDs by SNOM
        G Marutsuki; Y Narukawa; T Mitani; T Mukai; G Shinomiya; A Kaneta; Y Kawakami; S Fujita
        PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2002年07月, 査読有り
      • Nondegenerated pump and probe spectroscopy in InGaN-based semiconductors
        K. Omae; Y. Kawakami; Y. Narukawa; Y. Watanabe; T. Mukai; Sg. Fujita
        Physica Status Solidi (A) Applied Research, 2002年03月
      • Nondegenerated pump and probe spectroscopy in InGaN-based semiconductors
        K Omae; Y Kawakami; Y Narukawa; Y Watanabe; T Mukai; S Fujita
        PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2002年03月, 査読有り
      • Effects of internal electric field and carrier density on transient absorption spectra in a thin GaN epilayer
        K Omae; Y Kawakami; S Fujita; M Yamada; Y Narukawa; T Mukai
        PHYSICAL REVIEW B, 2002年02月, 査読有り
      • Effects of internal electric field and carrier density on transient absorption spectra in a thin GaN epilayer
        Kunimichi Omae; Yoichi Kawakami; Shigeo Fujita; Motokazu Yamada; Yukio Narukawa; Takashi Mukai
        Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, 2002年
      • Spatial inhomogeneity of photoluminescence in InGaN single quantum well structures
        A Kaneta; G Marutsuki; K Okamoto; Y Kawakami; Y Nakagawa; G Shinomiya; T Mukai; S Fujita
        PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, 2001年11月
      • Carrier dynamics in InGaN/GaN SQW structure probed by the transient grating method with subpicosecond pulsed laser
        K Okamoto; A Kaneta; K Inoue; Y Kawakami; M Terazima; G Shinomiya; T Mukai; S Fujita
        PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, 2001年11月
      • Degenerate four-wave-mixing spectroscopy on epitaxially laterally overgrown GaN: Signals from below the fundamental absorption edge
        K Omae; Y Kawakami; S Fujita; Y Kiyoku; T Mukai
        APPLIED PHYSICS LETTERS, 2001年10月
      • In inhomogeneity and emission characteristics of InGaN
        Y Kawakami; K Omae; A Kaneta; K Okamoto; Y Narukawa; T Mukai; S Fujita
        JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, 2001年08月
      • Pump and probe spectroscopy of InGaN multi quantum well based laser diodes
        Y Kawakami; Y Narukawa; K Omae; S Nakamura; S Fujita
        MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 2001年05月
      • Spatial inhomogeneity of photoluminescence in an InGaN-based light-emitting diode structure probed by near-field optical microscopy under illumination-collection mode
        A Kaneta; T Izumi; K Okamoto; Y Kawakami; S Fujita; Y Narita; T Inoue; T Mukai
        JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS, 2001年01月
      • Radiative and nonradiative recombination processes in GaN-based semiconductors
        Y. Kawakami; K. Omae; A. Kaneta; K. Okamoto; T. Izumi; S. Saijou; K. Inoue; Y. Narukawa; T. Mukai; Sg Fujita
        Physica Status Solidi (A) Applied Research, 2001年01月
      • Ordering dependence of carrier lifetimes and ordered states of Ga0.52In0.48P/GaAs with degree of order <= 0.55
        A Sasaki; K Tsuchida; Y Narukawa; Y Kawakami; S Fujita; Y Hsu; GB Stringfellow
        JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2001年01月
      • Photothermal processes of wide-bandgap semiconductors probed by the transient grating method
        K Okamoto; Y Kawakami; S Fujita; M Terazima
        ANALYTICAL SCIENCES, 2001年
      • Emission mechanism in InGaN-based light emitting devices
        Y. Kawakami; K. Omae; Y. Narukawa; S. Nakamura; S. Fujita
        Zairyo/Journal of the Society of Materials Science, Japan, 2001年, 査読有り
      • Dynamics of spontaneous and stimulated emissions in GaN-based semiconductors
        Y Kawakami; K Omae; A Kaneta; K Okamoto; T Izumi; S Saijou; K Inoue; Y Narukawa; T Mukai; S Fujita
        ULTRAFAST PHENOMENA IN SEMICONDUCTORS V, 2001年, 査読有り
      • Radiative and nonradiative recombination processes in GaN-based semiconductors
        Y Kawakami; K Omae; A Kaneta; K Okamoto; T Izumi; S Saijou; K Inoue; Y Narukawa; T Mukai; S Fujita
        PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2001年01月, 査読有り
      • Narrow luminescence lines from self-assembled CdSe quantum dots at room temperature
        ZH Zheng; K Okamoto; HC Ko; Y Kawakami; S Fujita
        APPLIED PHYSICS LETTERS, 2001年01月, 査読有り
      • Dynamics of optical gain in InxGa1-xN multi-quantum-well-based laser diodes
        Y Kawakami; Y Narukawa; K Omae; S Fujita; S Nakamura
        APPLIED PHYSICS LETTERS, 2000年10月
      • Time-space-resolved photoluminescence from (Zn,Cd)Se-based quantum structures
        K Okamoto; HC Ko; Y Kawakami; S Fujita
        JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2000年06月
      • Scanning tunneling microscopy and time-resolved photoluminiscence spectroscopy study of self-organized GaP/InP quantum dot structures
        J Mori; H Asahi; M Fudeta; JH Noh; D Watanabe; S Matsuda; K Asami; Y Narukawa; Y Kawakami; S Fujita; T Kaneko; S Gonda
        APPLIED SURFACE SCIENCE, 2000年06月
      • Orientation effect on intersubband tunneling of quantum wells grown on high-index GaAs(n11)A (n <= 4) substrates
        JM Feng; K Asai; Y Narukawa; Y Kawakami; S Fujita; T Ohachi
        APPLIED SURFACE SCIENCE, 2000年06月
      • Time-resolved photoluminescence spectroscopy in GaN-based semiconductors with micron spatial resolution
        T Izumi; Y Narukawa; K Okamoto; Y Kawakami; S Fujita; S Nakamura
        JOURNAL OF LUMINESCENCE, 2000年05月
      • Effect of degree of localization and confinement dimensionality of excitons on their recombination process in CdSe/ZnSe/ZnSxSe1-x single quantum well structures
        S Yamaguchi; H Kurusu; Y Kawakami; S Fujita; S Fujita
        PHYSICAL REVIEW B, 2000年04月
      • Dimensionality of excitons in InGaN-based light emitting devices
        Y. Kawakami; Y. Narukawa; K. Omae; Sg Fujita; S. Nakamura
        Physica Status Solidi (A) Applied Research, 2000年03月
      • Dimensionality of excitons in InGaN-based light emitting devices
        Y Kawakami; Y Narukawa; K Omae; S Fujita; S Nakamura
        PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2000年03月, 査読有り
      • Recombination dynamics in GaN and InGaN/GaN multiple quantum wells on air-bridged lateral epitaxial grown GaN layers
        T Izumi; K Inoue; Y Narukawa; K Okamoto; Y Kawakami; S Fujita; A Tsujimura; Kidoguchi, I; Y Ban
        PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, 2000年, 査読有り
      • Nonradiative recombination processes in GaN-based semiconductors probed by the transient grating method
        K Okamoto; Y Kawakami; S Fujita; M Terazima; S Nakamura
        PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, 2000年, 査読有り
      • Recombination dynamics in InxGa1-xN multiple-quantum-well-based laser diodes under high photoexcitation
        Y Narukawa; Y Kawakami; S Fujita; S Nakamura
        PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH, 1999年11月, 査読有り
      • Dimensionality of excitons in laser-diode structures composed of InxGa1-xN multiple quantum wells
        Y Narukawa; Y Kawakami; S Fujita; S Nakamura
        PHYSICAL REVIEW B, 1999年04月, 査読有り
      • Radiative and nonradiative recombination processes in ultraviolet light-emitting diode composed of an In0.02Ga0.98N active layer
        Y Narukawa; S Saijou; Y Kawakami; S Fujita; T Mukai; S Nakamura
        APPLIED PHYSICS LETTERS, 1999年01月, 査読有り
      • Time-resolved electroluminescence spectroscopy of InxGa1-xN single quantum well LEDs
        Y Narukawa; S Saijyo; Y Kawakami; S Fujita; S Fujita; S Nakamura
        JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1998年06月, 査読有り
      • Emission mechanism of localized excitons in InxGa1-xN single quantum wells
        Y Narukawa; K Sawada; Y Kawakami; S Fujita; S Fujita; S Nakamura
        JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1998年06月, 査読有り
      • Radiative and non-radiative recombination processes in ultra-violet InGaN light emitting diodes
        Y Narukawa; S Saijou; Y Kawakami; S Fujita; T Mukai; S Nakamura
        BLUE LASER AND LIGHT EMITTING DIODES II, 1998年, 査読有り
      • Recombination dynamics of localized excitons in self-formed InGaN quantum dots
        Y Kawakami; Y Narukawa; K Sawada; S Saijyo; S Fujita; S Fujita; S Nakamura
        MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 1997年12月, 査読有り
      • 5a-E-2 GaN量子ドットの多励起子効果
        田中, 悟; 野村, 晋太郎; Riblet, P; Ramvall, P; 青柳, 克信; 成川, 幸男; 川上, 養一; 藤田, 静雄; 藤田, 茂夫
        日本物理学会講演概要集, 1997年09月
      • Role of self-formed InGaN quantum dots for exciton localization in the purple laser diode emitting at 420 nm
        Y Narukawa; Y Kawakami; M Funato; S Fujita; S Fujita; S Nakamura
        APPLIED PHYSICS LETTERS, 1997年02月, 査読有り
      • Recombination dynamics of localized excitons in In0.20Ga0.80N-In0.05Ga0.95 multiple quantum wells
        Y Narukawa; Y Kawakami; S Fujita; S Fujita; S Nakamura
        PHYSICAL REVIEW B, 1997年01月, 査読有り
      • (2x6) surface reconstruction of GaAs (001) obtained by hydrogen sulfide irradiation
        J Suda; Y Kawakami; S Fujita; S Fujita
        JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS, 1996年11月, 査読有り
      • Recombination dynamics of excitons and biexcitons in a hexagonal GaN epitaxial layer
        Y Kawakami; AG Peng; Y Narukawa; S Fujita; S Fujita; S Nakamura
        APPLIED PHYSICS LETTERS, 1996年09月, 査読有り
      • MO(GS)MBE and photo-MO(GS)MBE of II-VI semiconductors
        S Fujita; Y Kawakami; S Fujita
        JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1996年07月, 査読有り
      • Reflection high energy electron diffraction intensity oscillations during the growth of ZnSe on cleaved GaAs(110) surface by molecular beam epitaxy
        HC Ko; S Yamaguchi; H Kurusu; Y Kawakami; S Fujita; S Fujita
        JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS, 1996年03月, 査読有り
      • Growth of p-type ZnSe by metalorganic molecular beam epitaxy using metal Zn and dimethylselenide
        J Suda; M Tsuka; D Honda; M Funato; Y Kawakami; S Fujita; S Fujita
        JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 1996年02月, 査読有り
      • Effects of high excitation on localized excitons in cubic ZnCdS lattice matched to GaAs
        Y Kawakami; M Funato; S Fujita; S Fujita; Y Yamada; T Mishina; Y Masumoto
        JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1996年02月, 査読有り
      • RECOMBINATION DYNAMICS IN ZNXCD1-XS SINGLE-QUANTUM-WELL GROWN BY PHOTOASSISTED METALORGANIC VAPOR-PHASE EPITAXY BY TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE SPECTROSCOPY
        H DUMONT; Y KAWAKAMI; S FUJITA; S FUJITA
        JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS, 1995年10月, 査読有り
      • Time-resolved spectroscopy of excitonic luminescence in cubic ZnCdS lattice matched to GaAs
        Y. Kawakami; M. Funato; Sz. Fujita; Sg. Fujita; Y. Yamada; Y. Masumoto
        Proceedings of the 22nd International Conference on the Physics of Semiconductors, 1995年
      • OPTICAL-PROPERTIES OF ZNSE/ZNMGSSE SINGLE QUANTUM-WELLS GROWN BY METALORGANIC MOLECULAR-BEAM EPITAXY
        J SUDA; Y KAWAKAMI; S FUJITA; S FUJITA
        JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS, 1994年07月, 査読有り
      • GAS-SOURCE MOLECULAR-BEAM EPITAXIAL-GROWTH OF (ZN,MG)(S,SE) USING BIS-METHYLCYCLOPENTADIENYL-MAGNESIUM AND HYDROGEN-SULFIDE
        J SUDA; Y KAWAKAMI; S FUJITA; S FUJITA
        JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS, 1994年03月, 査読有り
      • Localized excitons in cubic Zn1-xCdxS lattice matched to GaAs
        Y. Kawakami; M. Funato; Sz. Fujita; Sg. Fujita; Y. Yamada; Y. Masumoto
        Physical Review B, 1994年, 査読有り
      • FABRICATION OF II-VI SEMICONDUCTOR QUANTUM-WELL STRUCTURES IN ZNCDSSE ALLOY SYSTEMS
        S FUJITA; Y KAWAKAMI; S FUJITA
        PHYSICA B, 1993年09月, 査読有り
      • II-VI族半導体ヘテロ構造の設計と作製
        市野 邦男; 川上 養一; 藤田 静雄; 藤田 茂夫
        應用物理, 1992年02月10日
      • FABRICATION OF ZNCDSSE ALLOYS BY MOMBE AND THEIR APPLICATIONS FOR DOUBLE-HETERO AND QUANTUM-WELL STRUCTURES
        K ICHINO; YH WU; Y KAWAKAMI; S FUJITA; S FUJITA
        JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1992年02月
      • GROWTH AND OPTICAL-PROPERTIES OF NOVEL WIDE-BAND-GAP STRAINED-LAYER SINGLE QUANTUM-WELLS - ZN1-YCDYSE/ZNSXSE1-X
        YH WU; Y KAWAKAMI; S FUJITA; S FUJITA
        JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS, 1991年04月, 査読有り
      • GROWTH OF SHORT-PERIOD ZNSE-ZNSXSE1-X STRAINED-LAYER SUPERLATTICES BY METALORGANIC MOLECULAR-BEAM EPITAXY
        YH WU; Y KAWAKAMI; S FUJITA; S FUJITA
        JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS, 1991年03月, 査読有り
      • EFFECTS OF (NH4)2SX-PRETREATMENT OF GAAS-SURFACES ON PROPERTIES OF EPILAYERS AND HETEROINTERFACES IN PSEUDOMORPHIC ZNSE/GAAS GOWN BY MOMBE
        YH WU; Y KAWAKAMI; S FUJITA
        JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS, 1990年07月, 査読有り
      • ATOMIC LAYER EPITAXY OF ZNS ON GAAS SUBSTRATES BY METALORGANIC MOLECULAR-BEAM EPITAXY
        YH WU; T TOYODA; Y KAWAKAMI; S FUJITA; S FUJITA
        JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS, 1990年05月, 査読有り

      MISC

      • Deep ultraviolet light sources for post-COVID-19 sustainable society FOREWORD
        Yoichi Kawakami; Hideki Hirayama; Hideto Miyake; Motoaki Iwaya; Yoshitaka Taniyasu
        JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2022年11月
      • GaN微細ストライプ上InGaN量子構造の光学特性
        近藤剛; 小谷晃央; 船戸充; 成川幸男; 向井孝志; 川上養一
        応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2005年
      • 微細構造GaNを用いたInGaN細線構造の作製と特性評価
        小谷晃央; 船戸充; 近藤剛; 成川幸男; 向井孝志; 川上養一
        応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 2005年
      • 集束イオンビームによる窒化物半導体分布ブラッグ反射鏡の作製
        畑田芳隆; 小谷晃央; 船戸充; 成川幸男; 向井孝志; 川上養一
        応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 2005年
      • 非極性面InGaN量子井戸における不均一広がりと偏光の関係
        小島一信; 山口敦史; 船戸充; 川上養一; 野田進
        応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM), 2010年
      • 無極性面AlGaN/AlN量子井戸の光学特性に関する理論検討
        小島一信; 山口敦史; 船戸充; 川上養一; 野田進
        応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 2010年
      • 非c面窒化物半導体量子井戸における価電子帯有効質量
        小島一信; 船戸充; 川上養一; 野田進
        応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 2009年
      • 非極性面InGaN量子井戸の偏光制御に関する理論検討
        小島一信; 加門宏章; 船戸充; 川上養一; 長濱慎一; 向井孝志
        応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 2008年
      • 非極性面InGaN量子井戸レーザの光学特性
        小島一信; 船戸充; 川上養一; 枡井真吾; 長濱慎一; 向井孝志
        応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 2008年
      • InGaN量子井戸レーザの光学利得と内部電界の関係
        小島一信; 船戸充; 川上養一; SCHWARZ U. T.; SCHWARZ U. T.; 長濱慎一; 向井孝志
        応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2007年
      • 半極性・無極性InGaN量子井戸の光学的異方性に関する理論解析
        小島一信; 加門宏章; 船戸充; 川上養一
        応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2007年
      • 高In組成InGaNの輻射・非輻射再結合過程の解明と制御
        川上養一; 船戸充; 金田昭男; 上田雅也; 小島一信; 成川幸男; 向井孝志
        応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2007年
      • 半極性面{1122}バルクGaNにおける面内光学異方性
        小島一信; 加門宏章; 船戸充; 川上養一
        応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 2006年
      • InxGa1-xN/In0.02Ga0.98N量子井戸の光学利得とアンチガイディングファクタの実測
        小島一信; 船戸充; 川上養一; BRAUN H.; SCHWARZ U. T.; 長濱慎一; 向井孝志
        応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2006年
      • アップ・コンバージョン法によるInXGa1-XN低次元量子構造の誘導放出ダイナミクス
        小島一信; 船戸充; 成川幸男; 向井孝志; 川上養一
        応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 2005年
      • メタルマスクへの微小開口作製によるInGaNの空間分解分光
        金井聡庸; 小島一信; 船戸充; 成川幸男; 向井孝志; 川上養一
        応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 2005年
      • InGaN多重量子井戸構造におけるレーザモードとバッファ層の関係
        小島一信; 鹿内周; 船戸充; 川上養一; 成川幸男; 向井孝志; 藤田茂夫
        応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 2004年
      • InGaN低次元量子構造におけるホットキャリア分布
        小島一信; 鹿内周; 船戸充; 成川幸男; 向井孝志; 川上養一
        応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2004年
      • InGaN多重量子井戸構造における光学利得の測定 (2)
        小島一信; 鹿内周; 大前邦途; 船戸充; 川上養一; 成川幸男; 向井孝志; 藤田茂夫
        応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2003年
      • InGaN多重量子井戸構造におけるホットキャリアダイナミクス
        鹿内周; 小島一信; 大前邦途; 川上養一; 成川幸男; 向井孝志; 藤田茂夫
        応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 2003年
      • InGaN多重量子井戸構造における光学利得の測定
        小島一信; 鹿内周; 川上養一; 成川幸男; 向井孝志; 藤田茂夫
        応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 2003年
      • InGaNレーザダイオード構造における光ゲイン生成ダイナミクス
        成川 幸男; 川上 養一; 中村 修二; 藤田 茂夫
        電気学会研究会資料. OQD, 光・量子デバイス研究会, 1999年12月09日
      • 「窒化物半導体紫外LED, LDの現状と展開」特集号によせて窒化物半導体の研究物語を後世に伝えるために : 教育研究者の役割
        川上 養一
        レーザー研究, 2004年06月15日
      • 近接場分光法による3族窒化物半導体の発光ダイナミクスの観測 (近接場光学技術特集)
        金田 昭男; 川上 養一
        Jasco report, 2004年04月
      • 表面プラズモンを用いた高輝度LED (特集 LEDとデバイス技術)
        岡本 晃一; 川上 養一
        ディスプレイ, 2009年02月
      • C-6-8 InNおよびGaInN単結晶薄膜の熱電特性(C-6.電子部品・材料,一般講演)
        松本 崇之; 山口 栄雄; 山本 淳; 船戸 充; 川上 養一
        電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集, 2006年09月07日
      • C-6-9 InN薄膜の熱電特性(C-6.電子部品・材料,一般講演)
        松本 崇之; 貝和 央; 山口 栄雄; 山本 淳; 船戸 充; 川上 養一
        電子情報通信学会総合大会講演論文集, 2006年03月08日
      • 単一InGaN/GaNナノコラムの顕微分光
        金田 昭男; 金井 聡庸; 船戸 充; 川上 養一; 菊池 昭彦; 岸野 克己
        電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス, 2007年10月04日
      • 25pK-6 InGaN中の低次元ナノ構造からの発光
        川上 養一; 成川 幸男; 藤田 茂夫; 中村 修二
        日本物理学会講演概要集, 1999年09月03日
      • InGaN 単一量子井戸における双ピーク発光の成長温度依存性
        西塚 幸司; 佐々木 昭夫; 金田 昭男; 川上 養一; 藤田 茂夫; 石田 昌宏; 油利 正昭
        電子情報通信学会論文誌. C, エレクトロニクス = The transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C, 2003年09月01日
      • 顕微-時間分解分光法によるELO-GaNの輻射・非輻射再結合過程の評価
        泉 知明; 成川 幸男; 岡本 晃一; 川上 養一; 藤田 茂夫; 中村 修二
        電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料, 1999年10月22日
      • InGaN量子井戸構造の強励起下における発光ダイナミクス
        成川 幸男; 川上 養一; 藤田 静雄; 藤田 茂夫; 中村 修二
        電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料, 1997年10月09日
      • 青紫LD励起固体照明用Smドープガラス蛍光体の発光特性
        澁谷 吉紀; 田部 勢津久; 川上 養一; 齋藤 肇; 湯浅 貴之; 種谷 元隆
        希土類 = Rare earths, 2005年05月18日
      • InGaN量子井戸発光デバイスのふく射再結合機構
        川上 養一; 成川 幸男; 澤田 憲; 西條 慎; 藤田 静雄; 藤田 茂夫; 中村 修二
        電子情報通信学会論文誌. C-2, エレクトロニクス 2-電子素子・応用, 1998年01月
      • 時間分解分光によるInGaN量子井戸構造の発光ダイナミクス
        成川 幸男; 川上 養一; 藤田 静雄; 藤田 茂夫; 中村 修二
        電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス, 1996年10月11日
      • GaAs(110)面上への高品質ZnSe系半導体のMBE成長
        高 賢哲; 朴 斗哲; 川上 養一; 藤田 静雄; 藤田 茂夫
        電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス, 1996年10月11日
      • CdSe/ZnSe/ZnSSe単一量子井戸における局在励起子の時間分解発光特性および青緑色発光ダイオードの作製
        山口 栄雄; 川上 養一; 藤田 静雄; 藤田 茂夫
        電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス, 1995年11月24日
      • ZnMgSSeのMOMBE成長と評価
        須田 淳; 川上 養一; 藤田 静雄; 藤田 茂夫
        電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス, 1993年11月19日
      • 深紫外CW・時間分解PL分光法による12C/13C超格子の光学特性評価
        石井良太; 鹿田真一; 寺地徳之; 神田久生; 渡邊幸志; 船戸充; 川上養一
        応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 2018年
      • 深紫外CWレーザにより生成したダイヤモンド結晶中の極低温励起子に対する同位体効果
        石井良太; 鹿田真一; 寺地徳之; 神田久生; 渡邊幸志; 船戸充; 川上養一
        応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 2017年
      • プラズモニクスを利用したLEDの高速・高効率化
        岡本 晃一; 川上 養一
        電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス, 2009年05月15日
      • InGaN/GaN三次元量子構造からの多色発光
        船戸 充; 小谷 晃央; 近藤 剛; 西塚 幸司; 成川 幸男; 向井 孝志; 川上 養一
        電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス, 2005年10月14日
      • InGaN量子井戸構造の貫通転位と発光機構との関係
        金田 昭男; 船戸 充; 成川 幸男; 向井 孝志; 川上 養一
        電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス, 2005年10月14日
      • 集束イオンビームによる窒化物半導体の微細加工と分布ブラッグ反射鏡の試作
        畑田 芳隆; 小谷 晃央; 船戸 充; 成川 幸男; 向井 孝志; 川上 養一
        電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス, 2004年10月22日
      • 低転位GaNの時間-空間分解光熱変換過程の観測
        岡本 晃一; 井上 謙一; 川上 養一; 藤田 茂夫; 崔 正權; 寺嶋 正秀; 辻村 歩; 木戸口 勲
        電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス, 2002年06月07日
      • 時間分解近接場分光によるInGaN単一量子井戸の発光ダイナミクス
        金田 昭男; 丸月 義一; 成川 幸男; 向井 孝志; 川上 養一; 藤田 茂夫
        電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス, 2002年06月07日
      • InGaN量子井戸発光デバイスにおける自然および誘導放出機構
        成川 幸男; 澤田 憲; 川上 養一; 藤田 静雄; 藤田 茂夫; 中村 修二
        電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス, 1998年01月22日
      • III-V窒化物系とII-VI族系量子井戸の励起子光物性
        川上 養一; 山口 栄雄; 須田 淳; 成川 幸男; 藤田 静雄; 藤田 茂夫; 中村 修二
        電子情報通信学会技術研究報告. OPE, 光エレクトロニクス, 1997年01月17日
      • ZnSe系量子井戸構造の成長と励起子ダイナミクス
        川上 養一; 藤田 茂夫
        電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス, 1995年05月26日
      • アルミニウム被覆InGaN/GaN系量子井戸の表面プラズモン発光増強に対する顕微フォトルミネセンスマッピング
        立石和隆; 船戸充; 川上養一; 岡本晃一; 玉田薫
        応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 2018年
      • プラズモニクスによるInGaN/GaN量子井戸の発光増強の顕微フォトルミネセンスマッピング
        岡本晃一; 立石和隆; WANG Pangpang; 龍崎奏; 船戸充; 川上養一; 玉田薫
        プラズモニクスシンポジウム, 2018年
      • 顕微蛍光マッピングによる表面プラズモン発光増強の評価
        立石和隆; 船戸充; 川上養一; 岡本晃一; 玉田薫
        応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 2017年
      • InGaN系量子井戸の表面プラズモン発光増強現象の空間分解評価
        立石和隆; 船戸充; 川上養一; 岡本晃一; 玉田薫
        応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 2016年
      • アルミニウムを用いたプラズモニクスの発光増強応用
        岡本晃一; 立石和隆; 川元駿; 西田知句; 玉田薫; 船戸充; 川上養一
        電子情報通信学会技術研究報告, 2015年
      • アルミニウムを用いたInGaN系量子井戸の表面プラズモン発光増強
        立石和隆; XU Xiaoying; 船戸充; 川上養一; 岡本晃一; 岡本晃一; 玉田薫
        応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 2013年
      • 半極性{H-22}InGaN量子井戸構造の近接場発光測定
        金田 昭男; 上田 雅也; 船戸 充; 川上 養一
        電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料, 2009年11月12日
      • 半極性{H-22}InGaN量子井戸構造の近接場発光測定
        金田 昭男; 上田 雅也; 船戸 充; 川上 養一
        電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス, 2009年11月12日
      • 青色発光GaNの微細構造と発光特性--なぜよく光るか?もっと光らせるには (日本電子顕微鏡学会第43回シンポジウム論文集--21世紀へ向けての新技術の展開--平成10年10月28日(水)〜30日(金),千葉大学けやき会館〔含 著者名索引〕) -- (新デバイス材料開発技術の最前線)
        川上 養一; 成川 幸男; 藤田 茂夫
        電子顕微鏡, 1998年
      • マルチファセットを利用したInGaN/GaN波長可変発光ダイオード
        船戸 充; 林 啓太; 上田 雅也; 川上 養一; 成川 幸男; 向井 孝志
        電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス, 2008年11月20日
      • II-VI族半導体量子井戸の励起子物性とレーザー発振機構
        川上 養一
        應用物理, 1996年01月10日
      • Enhanced radiative recombination probability in AlGaN quantum wires on (0001) vicinal surface
        Minehiro Hayakawa; Yuki Hayashi; Shuhei Ichikawa; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering, 2016年, 査読有り
      • (Al,Ga)N系半導体の物性予測に向けたGaNとAlNの物性定数の同定 (特集 固体紫外光源を目指した窒化物半導体結晶成長の最前線)
        石井 良太; 船戸 充; 川上 養一
        日本結晶成長学会誌 Journal of the Japanese Association for Crystal Growth, 2014年
      • A novel method for crystallizations of aluminum nitride (レーザ・量子エレクトロニクス)
        WU PeiTsen; FUNATO Mitsuru; KAWAKAMI Yoichi
        電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 2013年11月28日
      • A novel method for crystallizations of aluminum nitride (電子デバイス)
        WU PeiTsen; FUNATO Mitsuru; KAWAKAMI Yoichi
        電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 2013年11月28日
      • Local photoluminescence properties of InGaN green laser structure on (0001) GaN substrate
        A. Kaneta; T. Hira; Y.S. Kim; M. Funato; Y. Kawakami; T. Miyoshi; S.-I. Nagahama
        Pacific Rim Conference on Lasers and Electro-Optics, CLEO - Technical Digest, 2013年, 査読有り
      • Effects of internal fields and potential inhomogeneity on the lasing properties of InGaN-based green laser diodes fabricated on (0001) polar substrates (レーザ・量子エレクトロニクス)
        KIM Yoon Seok; KANETA Akio; FUNATO Mitsuru; KAWAKAMI Yoichi; MIYOSHI Takashi; NAGAHAMA Shin-ichi
        電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス, 2012年11月22日
      • Effects of internal fields and potential inhomogeneity on the lasing properties of InGaN-based green laser diodes fabricated on (0001) polar substrates (電子部品・材料)
        KIM Yoon Seok; KANETA Akio; FUNATO Mitsuru; KAWAKAMI Yoichi; MIYOSHI Takashi; NAGAHAMA Shin-ichi
        電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料, 2012年11月22日
      • Effects of internal fields and potential inhomogeneity on the lasing properties of InGaN-based green laser diodes fabricated on (0001) polar substrates (電子デバイス)
        KIM Yoon Seok; KANETA Akio; FUNATO Mitsuru; KAWAKAMI Yoichi; MIYOSHI Takashi; NAGAHAMA Shin-ichi
        電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス, 2012年11月22日
      • 光学力の調整
        Pedro Favuzzi; Ardavan Oskooi; 川上養一; 野田進
        2012年第59回応用物理学関係連合講演会, 2012年03月15日
      • 光起電力素子の光電変換効率増大に向けたフォトニック結晶共振作用の最適化(V) 〜ランダム構造フォトニック結晶の導入〜
        Ardavan Oskooi; Pedro Favuzzi; 田中良典; 重田博昭; 原潤一; 宮西晋太郎; 川上養一; 野田進
        2012年第59回応用物理学関係連合講演会, 2012年03月15日
      • Fabrication of photo-induced microstructure embedded inside ZnO crystal
        Ishikawa, Yuichiro; Shimotsuma, Yasuhiko; Kaneta, Akio; Sakakura, Masaaki; Nishi, Masayuki; Miura, Kiyotaka; Hirao, Kazuyuki; Kawakami, Yoichi
        LASER APPLICATIONS IN MICROELECTRONIC AND OPTOELECTRONIC MANUFACTURING (LAMOM) XVII,8243, pp. 82430N-82430N, 2012年, 査読有り
      • Optical gain spectra in semipolar {2021} oriented green InGaN LDs in comparison with (0001) LDs (電子部品・材料)
        Kim Yoon Seok; Kaneta Akio; Funato Mitsuru; Kawakami Yoichi; Kyono Takashi; Ueno Masaki; Nakamura Takao
        電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報, 2011年11月17日
      • Optical gain spectra in semipolar {2021} oriented green InGaN LDs in comparison with (0001) LDs (レーザ・量子エレクトロニクス)
        Kim Yoon Seok; Kaneta Akio; Funato Mitsuru; KAWAKAMI Yoichi; KYONO Takashi; UENO Masaki; NAKAMURA Takao
        電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス, 2011年11月10日
      • 蛍光体フリー白色・多色発光ダイオードの開発
        船戸充; 川上養一
        応用物理, 2011年04月10日, 査読有り
      • Influence of inhomogeneous broadening for gain polarization switching in green semipolar InGaN quantum wells
        K. Kojima; A. Yamaguchi; M. Funato; Y. Kawakami; S. Noda
        International Workshop on Nitride Semiconductors 2010 (IWN2010), 2010年09月22日
      • 半極性(11-22)面上InGaN量子井戸の光学特性と緑色レーザー実現の可能性
        船戸充; 上田雅也; 小島一信; 川上養一
        レーザー研究, 2010年04月15日
      • 近接場光学顕微鏡によるInGaNナノ構造の発光機構解明と高効率化へのアプローチ (特集 ナノフォトニクス)
        金田 昭男; 船戸 充; 川上 養一
        O plus E, 2010年02月
      • 近接場光学顕微鏡によるInGaN/GaN単一量子井戸構造の発光強度飽和マッピング
        橋谷享; 金田昭男; 船戸充; 川上養一
        電子情報通信学会技術研究報告, 2009年11月12日
      • 半極性{11-22}InGaN量子井戸構造の近接場発光マッピング測定
        金田 昭男; 上田 雅也; 船戸 充; 川上 養一
        電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス,109 (290), pp. 35-38, 2009年11月
      • 近接場光学顕微鏡によるInGaN量子構造の欠陥と光学特性の相関の評価
        金田昭男; 船戸充; 川上養一
        日本結晶成長学会誌, 2009年10月
      • 半極性面上InGaN系緑色LDの可能性 (特集 注目の無極性面・半極性面発光デバイス)
        船戸 充; 川上 養一
        オプトロニクス, 2009年09月
      • 蛍光体フリー白色・多色LED (特集 発光デバイスの現状と将来(Part 2)無機発光デバイス)
        川上 養一; 船戸 充
        未来材料, 2009年07月
      • Enhancing radiative recombination process in low dimensional semicondoctor structures
        K. Kojima; Y. Kawakami; S. Noda
        2nd GCOE International Symosium on Photonics and Electronic Science and Engineering, 2009年03月13日
      • Semipolar (11-22)-based InGaN/GaN quantum wells for visible light emitters
        M. Funato; Y. Kawakami
        2009 Asia Communications and Photonics Conference and Exhibition, ACP 2009, 2009年, 査読有り
      • Multi-color light-emitting diodes based on GaN microstructures
        M. Funato; Y. Kawakami; Y. Narukawa; T. Mukai
        Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering, 2009年, 査読有り
      • Monolithic polychromatic inGaN light-emitting diodes based on micro-facet structures
        M. Funato; Y. Kawakami
        Proceedings of International Meeting on Information Display, 2008年, 査読有り
      • Inhomogeneously broadened optical gain spectra of InGaN quantum well laser diodes
        Kojima Kazunobu; Funato Mitsuru; Kawakami Yoichi; Braun Harald; Schwarz Ulrich; Nagahama Shinichi; Mukai Takashi
        PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 5, NO 6, 2008年
      • Theoretical investigations on anisotropic optical properties in semipolar and nonpolar InGaN quantum wells
        Kojima Kazunobu; Kamon Hiroaki; Funato Mitsuru; Kawakami Yoichi
        PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 5, NO 9, 2008年
      • Light-emitting devices based on semipolar-oriented InGaN/GaN quantum wells
        Y. Kawakami; M. Ueda; M. Funato; Y. Narukawa; T. Mukai
        IDW \\'07 - Proceedings of the 14th International Display Workshops, 2007年, 査読有り
      • Thermoelectric and electrical properties of GaN and InN single crystals
        T. Matsumoto; N. Kaiwa; S. Yamaguchi; A. Yamamoto; M. Funato; Y. Kawakami
        AIP Conference Proceedings, 2007年, 査読有り
      • Investigation and comparison of optical gain spectra of (Al,In)GaN laser diodes emitting in the 375 nm to 470 nm spectral range
        Schwarz Ulrich T; Braun Harald; Kojima Kazunobu; Funato Mitsuru; Kawakami Yoichi; Nagahama Shinichi; Mukai Takashi
        NOVEL IN - PLANE SEMICONDUCTOR LASERS IV, 2007年, 査読有り
      • The study of InGaN SQW materials with Polarization Modulation SNOM
        Ruggero Micheletto; Daisuke Yamada; Yoichi Kawakami; Maria Allegrini
        Conference on Lasers and Electro-Optics and 2006 Quantum Electronics and Laser Science Conference, CLEO/QELS 2006, 2006年12月01日
      • An original planar multireflection system for sensing using the local surface plasmon resonance of gold nanospheres
        K. Hamamoto; R. Micheletto; M. Oyama; A. Ali Umar; S. Kawai; Yoichi Kawakami
        Journal of Optics A: Pure and Applied Optics, 2006年03月01日
      • Optoelectronic properties of InGaN SQW with embedded AlGaN δ-layer
        J. Park; A. Kaneta; M. Funato; Y. Kawakami
        2006 International Conference on Numerical Simulation of Semiconductor Optoelectronic Devices, NUSOD \\'06, 2006年, 査読有り
      • 470及び400nm帯InGaN量子井戸半導体レーザの利得特性評価
        小島一信; 船戸充; 川上養一; ウルリヒ・T・シュワルツ; ハラルド・ブラウン; 長濱慎一; 向井孝志
        電子情報通信学会技術研究報告, 2006年
      • 半極性{11-22}GaN基板上へのInGaN/GaN量子井戸構造の作製と光学特性評価
        上田雅也; 小島一信; 船戸充; 川上養一; 成川幸男; 向井孝志
        電子情報通信学会技術研究報告, 2006年
      • Dynamic polarization rotation in pump-and-probe transients of anisotropically strained M-plane GaN films on LiAlO2
        K. Omae; T. Flissikowski; P. Misra; O. Brandt; H. T. Grahn; K. Kojima; Y. Kawakami
        Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, 2006年
      • 近接場分光によってInGaNナノ構造の発光機構に迫る (特集 近接場光とナノデバイス)
        金田 昭男; 船戸 充; 川上 養一
        O plus E, 2005年12月
      • Evidence of polarized InGaN SQW photoluminescence by a Polarization Modulation SNOM
        Ruggero Micheletto; Yoichi Kawakami; Maria Allegrini
        IQEC, International Quantum Electronics Conference Proceedings, 2005年12月01日
      • Thermal effects in near-field optical microscopy experiments
        A. Ambrosio; M. Allegrini; R. Micheletto; P. G. Gucciardi; P. G. Gucciardi; Y. Kawakami; O. Fenwick; F. Cacialli
        IQEC, International Quantum Electronics Conference Proceedings, 2005年12月01日
      • Efficient luminescence from {11.2} InGaN/GaN quantum wells
        M. Funato; K. Nishizuka; Y. Kawakami; Y. Narukawa; T. Mukai
        Materials Research Society Symposium Proceedings, 2005年, 査読有り
      • Fabrication and characterization of GaN-based distributed Bragg reflector mirrors for low lasing threshold and integrated photonics
        T. Kotani; Y. Hatada; M. Funato; Y. Narukawa; T. Mukai; Y. Kawakami; S. Fujita
        Physica Status Solidi C: Conferences, 2005年, 査読有り
      • Study of long time-scale photoluminescence dynamics of GaN/InGaN quantum wells and comparison with samples grown on ELOG-GaN
        R. Micheletto; M. Abiko; A. Kaneta; Y. Narukawa; T. Mukai; Y. Kawakami
        Proceedings - Electrochemical Society, 2004年12月01日
      • Direct observation of the nonradiative recombination processes in InGaN-based LEDs probed by the third-order nonlinear spectroscopy
        K. Okamoto; S. Saijou; Y. Kawakami; S. Fujita; M. Terazima; G. Shimomiya; T. Mukai
        Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering, 2001年, 査読有り
      • Surface reconstruction and morphology of hydrogen sulfide treated GaAs (001) substrate
        Jun Suda; Yoichi Kawakami; Shizuo Fujita; Shigeo Fujita
        Materials Research Society Symposium - Proceedings, 1997年, 査読有り
      • Emission mechanism of the InGaN MQW grown by MOCVD
        Y. Narukawa; Y. Kawakami; S. Fujita; S. Fujita; S. Nakamura
        Materials Research Society Symposium - Proceedings, 1997年, 査読有り
      • Gas source molecular beam epitaxy (MBE) of ZnMgSSe layers
        Shizuo Fujita; Jun Suda; Yoichi Kawakami; Shiego Fujita
        Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering, 1995年, 査読有り
      • Well-width dependence of Stark effect in ZnSe-ZnCdSe multiple quantum well modulators
        Jiu Y. Tang; T. Onishi; H. Kurusu; Yoichi Kawakami; Shizuo Fujita; Shiego Fujita
        Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering, 1994年, 査読有り

      講演・口頭発表等

      • Control of radiative recombination rate and polarization degree in nitride-based semiconductors
        川上 養一
        the 11th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-11), 2015年08月31日, Peking University,State Key Laboratory of Artificial Micorstructure and Mesoscopic Physics,National Key Laboratory of ASIC, HSRI,Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory
      • Radiative and nonradiative recombination processes in Al-rich AlGaN-based materials
        川上 養一
        日本学術振興会第162委員会 日独西ワークショップ, 2015年07月12日, 日本学術振興会
      • Recombination dynamics in nitride semiconductors
        川上 養一
        7th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors, 2015年05月18日, APWS2015
      • InGaN系緑色レーザ構造の発光マッピングと光利得特性
        川上 養一
        第356回蛍光体同学会講演会, 2015年02月13日, 蛍光体同学会
      • 窒化物半導体の光物性解明と制御 ‐波長フロンティア開拓に向けて‐
        川上 養一; 船戸 充
        電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会, 2015年01月29日, 電子情報通信学会
      • GaN系発光デバイスの現状と展望
        川上 養一
        日本真空学会産学連携委員会平成27年1月例会(第279回), 2015年01月20日, 日本真空学会
      • 窒化物半導体の現状と将来展望
        川上 養一
        日本真空学会関西支部平成27年度第1回講演会, 2015年01月16日, 日本真空学会関西支部
      • GaN系混晶デバイスの構造設計
        川上 養一
        第8回ワイドバンドギャップ半導体スクール, 2014年10月25日, 日本学術振興会
      • 高ピエゾ電場下でのキャリア再結合と発光デバイス
        川上 養一
        研究会「限界光駆動系のコンセプトとめざす学理」, 2014年08月22日
      • GaN系光デバイスの最前線
        川上 養一
        日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会 あけぼのから最前線へ〜出版記念シンポジウム〜, 2013年07月16日, 日本学術振興会
      • Semipolar faceting for InGaN-based polychromatic LEDs
        CLEO:2013, 2013年06月13日
      • Determination of deformation potentials in GaN and AlN for the design of strained AlGaN-based quantum structures
        E-MRS, 2013年05月28日
      • Impact of crystal orientation on InGaN-based efficient visible light emitters
        Conf. on LED and its industrial application '13, 2013年04月23日
      • ナノ光励起による窒化物半導体の発光機構解明と制御へのアプローチ
        第60回応用物理学会関係連合講演会, 2013年03月27日, 応用物理学会
      • 白色LEDの現状と次世代デバイスへのアプローチ -テーラーメイド固体照明を目指して-
        川上 養一
        京都光技術研究会第3回光ものづくりセミナー -LEDの進展と広がるアプリケーション-, 2012年12月19日, 京都中小企業事業継続支援センター
      • Epitaxial growth of AlN and related alloys
        Collaborative Conf. on Crystal Growth, 2012年12月11日
      • Approaches to efficient visible light emitters using semipolar InGaN quantum wells
        IUMRS-Intern. Conf. in Asia 2012, 2012年08月29日
      • 窒化物半導体発光デバイスの現状と挑戦-光物性の理解と制御によるアプローチ-
        応用物理学会 応用電子物性分科会研究例会 窒化物半導体光デバイスの最前線~デバイスと光物性~, 2012年06月14日
      • High quality AlGaN-based quantum wells for deep-ultraviolet emitters
        16th Intern. Conf. on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy, 2012年05月22日
      • SNOM characterization on inhomogenity and defects in III-N alloy semiconductors
        Intern. Workshop on SMART Energy Harvesting and Saving with III-Nitride Semiconductors "Frontier of Nitride Semiconductor Alloy Photonics", 2012年05月10日
      • 結晶からの発光を診る ~空間・時間分解分光による評価~
        第4回窒化物半導体結晶成長講演会, 2012年04月28日
      • Recombination dynamics in InGaN-based nanostructures by scanning near-field optical microscopy
        DYCE-ASIA Workshop, 2012年04月23日
      • 近接場分光による局在・輻射・非輻射再結合ダイナミクスの評価
        第59回応用物理学会関係連合講演会, 2012年03月15日, 応用物理学会
      • Recombination dynamics in nitride semiconductors by scanning near-field optical microscopy
        5th GCOE Intern. Symp. on Photonics and Electronics Science and Engineering, 2012年03月08日
      • 白色LEDの現状と新規白色LED開発へのアプローチ
        川上 養一
        京都・島本・高槻広域 産学公連携 第2回グリーン・イノベーション研究会, 2012年02月14日, 高槻商工会議所
      • 窒化物半導体による発光デバイスの最近の展開
        平成23年度応用物理学会関西支部シンポジウム「最先端の光研究とその将来」~次世代の光源・材料・デバイス開発の最新動向~, 2011年11月18日
      • AlNおよび高Al組成AlGaN量子井戸構造の有機金属気相成長
        第41回結晶成長国内会議, 2011年11月04日
      • Visualization of the local carrier dynamics in InGaN SQW using dual probe SNOM
        4th JST-DFG German-Japanese Nanophotonics Joint Research Project Meeting, 2011年09月26日
      • Local carrier dynamics in InGaN quantum wells studied by scanning near-fi eld optical microscopy
        2011 Optics+Photonics, 2011年08月25日
      • Optical properties of Al-rich AIGaN quantum wells and their application to electron-beam pumped deep-UV emitters
        9th Intern. Conf. on Nitride Semiconductors, 2011年07月13日
      • Universal behavior of photoluminescence in polar and semipolar InGaN quantum wells revealed by hydrostatic pressure studies
        9th Intern. Conf. on Nitride Semiconductors, 2011年07月12日
      • Realization of highly-efficient deep-ultraviolet emitters based on AlGaN/AlN quantum well
        Intern. Conf. on Materials for Advanced Technologies, 2011年06月30日
      • 電子線励起法によるAlGaN/AlN量子井戸からの高出力・高効率深紫外発光
        第58回応用物理学会関係連合講演会, 2011年03月26日, 応用物理学会
      • Visualization of the local carrier dynamics in InGaN SQW using dual-probe scanning near-field optical microscopy
        2011 German-Japanese-Spanish Joint Workshop on Frontier Photonic and Electronic Materials and Device, 2011年03月18日
      • 窒化物半導体発光素子の高効率化が拓くグリーンイノベーション
        レーザー学会学術講演会第31回年次大会, 2011年01月10日
      • Visualization of the local carrier dynamics in InGaN SQW using dual probe scanning near field optical microscope
        Intern. workshop on Nitride Semiconductors, 2010年09月21日
      • ウルツ鉱構造におけるquasicubic近似の破綻
        弟71回応用物理学会学術講演会, 2010年09月15日, 応用物理学会
      • Impact of breakdown of the quasi-cubic approximation in GaN on the optical polarization properties of nonpolar and semipolar GaN/AlGaN quantum wells
        The 37th Intern. Symp. on Compound Semiconductors, 2010年06月01日
      • Applications of plasmonics toward high-efficiency LEDs and solar cells
        The Intern. Symp. on Advanced Nanomaterials and Nanosystems 2010, 2010年05月21日
      • Mapping of efficiency droop in InGaN quantum wells studied by scanning near-field optical microscopy
        The 8th Intern. Symp. on Semiconductor Light Emitting Devices, 2010年05月17日
      • Approach to the Efficient Light Emitters in Deep-UV with Al-rich AlGaN/AlN Quantum Wells
        3rd GCOE Intern. Symp., 2010年03月12日
      • Semipolar (11-22)-oriented InGaN/GaN LEDs and their optical properties
        The 2nd International Conference on White LEDs and Solid State Lighting, 2009年12月16日
      • Semipolar (11-22)-oriented InGaN/GaN quantum wells
        Asia Communications and Photonics Conference and Exhibition, 2009年11月03日
      • Semipolar III-nitride semiconductors for visible light emitters
        27th Physics Congress, Samahang Pisika ng Pilipinas, 2009年10月28日
      • Polarization anisotropy in semipolar/polar nitride semiconductor quantum wells
        8th Intern. Conf. on Nitride Semiconductors, 2009年10月23日
      • 交互供給法によるAlNおよびAlGaN量子井戸の作製と評価
        弟70回応用物理学会学術講演会, 2009年09月09日, 応用物理学会
      • AlリッチAlGaN系量子井戸の光物性-InGaN系量子井戸と比較して-
        弟70回応用物理学会学術講演会, 2009年09月09日, 応用物理学会
      • Recombination dynamics in semi-polar -11 InGaN/GaN quantum wells
        6th Intern. Workshop on Bulk Nitride Semiconductors, 2009年08月25日
      • Characterization and control of recombination process in nitride semiconductors
        E-MRS Spring meeting 2009, 2009年06月11日
      • Multi-color Light-emitters Diodes Based on GaN Microstructures
        2nd GCOE Intern. Symp., 2009年03月13日
      • Multi-color light-emitting diodes based on GaN micro-structures
        SPIE Photonics West, 2009年01月29日
      • Monolithic polychromatic InGaN light-emitting diodes based on micro-facet structures
        Intern. Meeting on Information Display, Intern. Display Manufacturing, Conf. and Asia Display 2008, 2008年10月16日
      • Polarization anisotropy in semipolar InGaN/GaN quantum well active layers
        Intern. workshop on Nitride Semiconductors, 2008年10月09日
      • Highly efficient light emission based on plasmonics
        2008 Japan-US Nanophotonics Seminar, 2008年09月25日
      • Surface plasmon enhanced highly efficient light-emitting devices
        2nd Intern. Conf. on Functional materials and Devices, 2008年06月18日
      • Characterization and Control of Recombination Dynamics in Low-dimensional InGaN-based Semiconductors
        The 3rd Intern. Conf. Smart Materials Structures Systems, 2008年06月09日
      • 非極性面InGaN量子井戸レーザの光学特性
        弟55回応用物理学会関係連合講演会, 2008年03月28日, 応用物理学会
      • Surface Plasmon Interaction in Nitride Nanostructures
        JSPS-UNT Winterschool on Nanophotonics, 2008年02月15日

      書籍等出版物

      • 半極性・半極性面上新規高効率発光デバイスワイドギャップ半導体-あけぼのから最前線へー
        日本学術振興会ワイドギャップ半導体光; 電子デバイス第; 委員会編; 赤崎勇; 松波弘之, 分担執筆
        培風館, 2013年01月, 査読無し
      • フォトニックナノ構造の最近の進展, 第9章, pp.167-184
        川上養一
        シーエムシー出版, 2011年, 査読無し
      • レアメタル便覧
        足立吟也; 監修; 編集, 分担執筆, 第18章2節
        丸善, 2011年01月, 査読無し
      • 窒化物基板および格子整合基板の成長とデバイス特性, 第2章, pp.104-118
        川上 養一; 船戸 充
        シーエムシー出版, 2009年, 査読無し
      • 発光と受光の物理と応用
        川上 養一, 分担執筆
        培風館, 2008年03月, 査読無し
      • Advances in Light Emitting Materials, Materials Science Forum, 590, pp.249-274
        Kawakami, Y; Kaneta, A; Funato, M
        Trans Tech Publications, 2008年, 査読無し
      • Nitrides with Nonpolar Surfaces:Growth, Properties, and Devices edited by Tanya Paskova, pp.385-411
        Fuanto, M; Kawakami, Y; Narukawa, Y; Mukai, T
        Wiley-Vch Verlag GmbH & Co. KGaA, 2008年, 査読無し
      • Low-Dimensional Nitride Semiconductors[Partial Collaboration]
        川上 養一
        Oxford University Press,, 2002年, 査読無し
      • Introduction to Nitride semiconductor Blue Lasers and Light Emitting Diodes (jointly worked)
        川上 養一
        Taylor & Francis,, 2000年, 査読無し
      • Time-Resolved Spectroscopy of Excitonic Luminescence in Cubic ZnCdS Lattice Matched to GaAs
        川上 養一
        Proc. 22nd Intern. Conf. on the Physics of Semiconductors,1/,305-308, 1994年, 査読無し
      • Well width dependence of Stark effect in ZnSe-ZnCdSe multiple quantum well modulators
        川上 養一
        Proc. 2nd Intern. Conf. on Thin Film Physics & Application,SPIE2364/,267-272, 1994年, 査読無し
      • Sulfur-passivation pretreatment of GaAs surface for layer-by-layer growth and atomic layer epitaxy of ZnSe by MOMBE(jointly worked)
        川上 養一
        Extended Abstracts of the 22th Intern. Conf. on Solid State Devices and Materials,897-900, 1990年, 査読無し
      • Heavy-hole and light-hole excitions in ZnSe-ZnS0.12Se0.85 and ZnSe-ZnS strained-layer superlattices
        川上 養一
        Proc. 19th Intern. Conf. on the Physics of Semiconductors,479-483, 1988年, 査読無し

      産業財産権

      • 特許5548204, 紫外線照射装置
        岡本晃一; 船戸 充; 川上養一; 片岡 研; 羽田博成; 高椋健司
      • 特許5733724, 特開WO2010/150756, 走査型プローブ顕微鏡及びそのプローブ近接検出方法
        西村活人; 川上養一; 船戸 充; 金田昭男; 橋本恒明
      • 特許5286723, 特開2009-071127, 窒化物半導体レーザ素子
        小島一信; 川上養一; 船戸 充; 長濱慎一; 枡井真吾
      • 特許5178993, 発光装置
        齊藤 肇; 種谷元隆; 湯浅貴之; 田部勢津久; 川上養一
      • 特許5192097, 紫外線照射装置
        川上養一; 船戸 充; 大音隆男; R. G. Banal; 山口真典; 片岡 研; 羽田博成
      • 特許4805980, 発光装置及び蛍光体
        石田真也; 森岡達也; 花岡大介; 種谷元隆; 藤田茂夫; 川上養一; 原田雅史; 佐々木考友; 森 勇介
      • 特許4785363, 蛍光体粒子、蛍光体粒子分散体ならびにこれらを含む照明装置および表示装置
        森岡達也; 齊藤 肇; 種谷元隆; 藤田茂夫; 藤田静雄; 川上養一; 船戸 充; 原田雅史
      • 特許4623643, 光射出器及び光制御素子
        川上養一; 鈴木文雄; 黒田剛正; 鈴木亜香
      • 特許4637534, 発光ダイオード素子およびその製造方法
        成川幸男; 仁木 勇; アクセル シェラー; 岡本晃一; 川上養一; 船戸 充; 藤田茂夫
      • 特許4572270, 窒化物半導体素子およびその製造方法
        成川幸男; 仁木 勇; アクセル シェラー; 岡本 晃一; 川上養一; 船戸 充; 藤田茂夫
      • 特許4614296, 近接場光学顕微鏡装置
        川上養一; 岡本晃一; 金田昭男; 藤田茂夫
      • 特許4592457, 赤色蛍光体およびこれを用いた発光装置
        齊藤 肇; 種谷 元隆; 湯浅 貴之; 田部 勢津久; 川上 養一
      • 特許4488183, 照明装置
        島田順一; 川上 養一; 山田元量; 加藤 勝
      • 特許4526339, 発光体
        齊藤 肇; 藤田茂夫; 藤田静雄; 川上養一; 船戸 充; 原田雅史
      • 特許4502758, 蛍光体およびその製造方法
        両輪達也; 齊藤 肇; 湯浅貴之; 種谷元隆; 藤田茂夫; 川上養一; 原田雅史
      • 特許4452607, 照明装置、フィルタ装置、画像表示装置
        島田順一; 川上養一; 山田元量
      • 特許4401264, 蛍光体およびその製造方法ならびに発光装置
        齊藤 肇; 藤田茂夫; 藤田静雄; 川上養一; 船戸 充; 原田雅史
      • 特許4197109, 照明装置
        森岡達也; 石田真也; 花岡大介; 種谷元隆; 藤田茂夫; 藤田静雄; 川上養一
      • 特許4124638, LED照明システム
        島田順一; 川上養一; 藤田茂夫
      • 特許3897110, 発光装置
        島田順一; 川上養一; 藤田茂夫; 長谷川 靖哉; 柳田祥三; 和田雄二
      • 特許3668966, 希土類錯体並びにそれを用いた光機能材料及び発光装置
        長谷川靖哉; 柳田祥三; 和田雄二; 島田順一; 川上養一; 藤田茂夫
      • 特許3515994, 液晶を用いた電場センサ及びそれを用いた立体動画記録再生装置
        岡本晃一; 川上養一

      受賞

      • 2007年09月04日
        応用物理学会, JJAP論文賞
      • 2011年08月30日
        応用物理学会, 第5回(2011年度)応用物理学会Fellow表彰
      • 2013年07月04日
        CLEO-PR&OECC/PS 2013, Best Paper Award
      • 2014年09月17日
        応用物理学会, 応用物理学会論文賞
      • 2020年03月12日
        応用物理学会, APEX/JJAP編集貢献賞

      外部資金:科学研究費補助金

      • 発光シンセサイザー:究極の発光デバイス創成を目指して
        特別推進研究
        理工系
        京都大学
        川上 養一
        自 2020年07月30日, 至 2025年03月31日, 交付
        発光シンセサイザー;半導体3次元構造;次世代照明;深紫外フォトニクス;光空間無線通信;発光高効率化
      • ScAlMgO4基板上へのInリッチInGaN系LEDの実現
        基盤研究(A)
        中区分30:応用物理工学およびその関連分野
        京都大学
        川上 養一
        自 2020年04月01日, 至 2021年03月31日, 中途終了
        InリッチInGaN;ScAlMgO4基板;発光ダイオード;高効率化
      • 再利用が可能な基板上での窒化物半導体発光素子の作製
        挑戦的萌芽研究
        京都大学
        船戸 充
        自 2016年04月01日, 至 2018年03月31日, 完了
        窒化物半導体;発光素子;へき開性基板;結晶工学;光デバイス;結晶成長
      • 近接場分光(SNOM)による特異構造の発光機構解明と制御
        新学術領域研究(研究領域提案型)
        理工系
        京都大学
        川上 養一
        自 2016年06月30日, 至 2021年03月31日, 中途終了
        近接場光学顕微鏡;顕微分光;窒化物半導体;特異構造;近接場分光;発光機構解明;発光制御;深紫外分光;窒化物特異構造;光物性評価;多波長発光素子;深紫外フォトニクス
      • 総括班
        新学術領域研究(研究領域提案型)
        理工系
        東京大学
        藤岡 洋
        自 2016年06月30日, 至 2021年03月31日, 完了
        結晶工学;特異構造;電子・電気材料;半導体物性;格子欠陥;先端機能デバイス
      • AlGaN系超高効率紫外発光素子の実現に向けたキャリア再結合過程の解明と制御
        基盤研究(A)
        京都大学
        船戸 充
        自 2016年04月01日, 至 2021年03月31日, 完了
        電子材料;結晶工学;紫外光源技術;電気・電子材料;電子・電気材料
      • 窒化物ナノ局在系の物性制御によるテーラーメイド光源の実現
        基盤研究(S)
        京都大学
        川上 養一
        自 2015年05月29日, 至 2020年03月31日, 完了
        新機能発光デバイス;半導体3次元構造;局在光物性;多波長発光光源;窒化物半導体;プラズモニクス;3次元構造;ナノ局在;多波長発光;テーラーメイド光源;多波長発光制御;ナノ局在物性;近接場分光
      • 深紫外近接場分光による超ワイドギャップ半導体の物性解明
        基盤研究(A)
        京都大学
        川上 養一
        自 2015年04月01日, 至 2016年03月31日, 中途終了
        近接場光学;深紫外分光;超ワイドギャップ半導体
      • 近接場マルチプローブ分光の基盤技術開発
        基盤研究(S)
        京都大学
        川上 養一
        自 2009年05月11日, 至 2014年03月31日, 完了
        近接場光学;マルチプローブ分光;半導体ナノ構造;発光機構解明;新規顕微分光応用;マルチプローブ技術;光物性;半導体;ナノ構造;プラズモニクス;光計測;走査プローブ顕微鏡
      • 新規半極性結晶面上での窒化物半導体緑色レーザの開発
        基盤研究(A)
        京都大学
        船戸 充
        自 2007年04月01日, 至 2010年03月31日, 完了
        薄膜;量子構造;窒化物半導体;緑色レーザ;半極性結晶面;発光効率;偏光;厚膜InGaN
      • ナノ空間発光ダイナミクス計測の基盤技術開発
        基盤研究(A)
        京都大学
        川上 養一
        自 2006年04月01日, 至 2009年03月31日, 完了
        近接場分光;フォトルミネッセンス;発光ダイナミクス;先進フォトセンシング;窒化物半導体;量子ナノ構造;局在発光制御;バイオセンシング;マルチプローブ技術;バイオセンシング応用;発光機構解明;InGaNナノ構造;輻射再結合;非輻射再結合;局在励起子;時間空間ダイナミクス
      • 窒化物光半導体のフロンティア-材料潜在能力の極限発現-
        特定領域研究
        理工系
        立命館大学
        名西 やす之
        自 2006年04月01日, 至 2012年03月31日, 完了
        窒化物半導体;光デバイス;結晶成長;半導体物性;紫外;赤外;発光デバイス;窒化インジウム;窒化アルミニウム;バンドギャップ
      • 高In組成InGaNおよび高Al組成AlGaNの輻射・非輻射再結合過程の解明と制
        特定領域研究
        理工系
        京都大学
        川上 養一
        自 2006年04月01日, 至 2011年03月31日, 完了
        InGaN;AlGaN;輻射再結合;非輻射再結合;発光機構解明;INGaN;A1GaN;発光マッピング;深紫外発光;偏光異方性;Modified MEE法;高品質エピ膜;半極性面;マイクロファセット;多波長発光;誘導放出
      • LED光源とサーモビューアによる手掌多汗症・胸部交感神経焼灼術の医療工学的検討
        基盤研究(C)
        京都府立医科大学
        伊藤 和弘
        自 2005年04月01日, 至 2007年03月31日, 完了
        LED;多汗症;胸部交感神経焼灼術, LED;Plam hidrosis;thoracic sympathectomy
      • 顕微時間分光法による神経伝達物質ドーパミンの可視化技術の開発
        萌芽研究
        京都大学
        川上 養一
        自 2004年04月01日, 至 2006年03月31日, 完了
        顕微分光;近接場光学;可視化技術;神経伝達物質;表面プラズモン反射;バイオセンシング;時間空間分解分光;時間・空間分解計測
      • 近接場光学法による窒化物半導体ナノ構造の発光機構解明
        基盤研究(A)
        京都大学
        川上 養一
        自 2003年04月01日, 至 2006年03月31日, 完了
        近接場分光;フォトルミネッセンス;発光ダイナミクス;マルチプローブ技術;先進フォトセンシング;窒化物半導体;量子ナノ構造;超高効率発光;超高発光効率, Near Field Spectroscopy;Photoluminescence;Emission Dynamics;Multi-probe Technique;Advanced Photo-sensing;GaN-based semiconductors;Quantum nano-structures;Highly Efficient Emission
      • 手術用LEDゴーグルライトの演出性最適化の医療工学的検討
        萌芽研究
        京都府立医科大学
        島田 順一
        自 2002年04月01日, 至 2004年03月31日, 完了
        白色LED;医療応用;LED電源;波長解析;LED;手術;医用工学
      • 高演色性白色LED設計データベースの構築と医療工学応用
        萌芽研究
        京都大学
        藤田 茂夫
        自 2002年04月01日, 至 2003年03月31日, 完了
        白色LED;医用工学;ゴーグルライト;固体照明;パワー照明;蛍光体;窒化物半導体;演色性
      • 短波長材料における励起子局在化の空間制御と多波長発光の研究
        特定領域研究
        理工系
        京都大学
        藤田 茂夫
        自 2001年04月01日, 至 2004年03月31日, 完了
        短波長材料;窒化物半導体;酸化物半導体;励起子;組成不均一;局在化;多波長発光;時間スペクトロスコピー;時間空間分解スペクトロスコピー
      • ワイドギャップ半導体における非輻射再結合機構の解明
        基盤研究(B)
        京都大学
        川上 養一
        自 2000年04月01日, 至 2003年03月31日, 完了
        ワイドギャップ半導体;励起子;輻射再結合;非輻射再結合;近接場工学;過渡グレーティング法;熱レンズ法;時間・空間ダイナミクス;ワイドキャップ半導体;時間ダイナミクス;空間ダイナミクス;熱レイズ法, widegap semiconductor;exciton;radiative recombination;nonradiative recombination;transient grating spectroscopy;thermal lens spectroscopy;temporal dynamics;spatial dynamics
      • InAlN系半導体量子ドットの自己形成に関する研究
        萌芽的研究
        京都大学
        川上 養一
        自 1999年04月01日, 至 2000年03月31日, 完了
        InAlN;InGaN;励起子;局在;輻射再結合過程;光利得生成機構
      • 光機能性有機薄膜多層構造の光ダイナミクス
        基盤研究(B)
        京都大学
        藤田 静雄
        自 1999年04月01日, 至 2001年03月31日, 完了
        有機薄膜多層構造;HOMOエネルギー;LUMOエネルギー;光ダイナミクス;発光再結合寿命;励起子局在;白色EL;光タイナミクス;Alq;TPD;PBD, organic materials multilayer structures;HOMO energy;LUMO energy;photodynamics;radiative recombination lifetime;exciton localization;white EL
      • 超高効率短波長発光ダイオードの試作研究
        基盤研究(A)
        京都大学
        藤田 茂夫
        自 1998年04月01日, 至 2001年03月31日, 完了
        窒化物半導体;低次元構造;局在励起子;時間・空間分解分光;輻射過程;非輻射過程;超高効率発光;InGaN;短波長発光ダイオード;輻射再結合;非輻射再結合;外部量子効率;時間分解ホトルミネセンス;ツーフローOMVPE, Nitride Semiconductors;Low-dimensional Structures;Localized Exciton;Time-space resolved spectroscopy;Radiative Recombination;Non-radiative Recombination;Ultra-high Efficient Emission
      • 量子ドット閉じこめ励起子分子を用いた発光素子の基礎研究
        基盤研究(A)
        京都大学
        藤田 茂夫
        自 1998年04月01日, 至 2001年03月31日, 完了
        ワイドギャップ半導体;励起子;励起子分子;低次元構造;局在;時間分解分光;発光ダイナミクス;ZnCdSe;InGaN;量子ドット;多体効果;局在化, Widegap Semiconductors;Exciton;Exciton Molecule;Low-dimensional Structures;Localization;Time-resolved spectroscopy;Luminescence Dynamics
      • オリゴシランエピタキシャル膜と量子井戸構造形成による新機能の発現に関する研究
        特定領域研究(A)
        京都大学
        松重 和美
        自 1998年04月01日, 至 1999年03月31日, 完了
        ポリシラン;オリゴシラン;分子線蒸着法;超薄膜;励起子吸収
      • 励起子系の巨大振動子効果を利用した超低しきい値半導体レーザの基礎研究
        基盤研究(B)
        京都大学
        川上 養一
        自 1997年04月01日, 至 1999年03月31日, 完了
        ワイドギャップ半導体;励起子;励起子分子;低次元構造;局在;時間分解分光;発光ダイナミクス;レーザダイオード;顕微分光;巨大振動子効果;レーザ, Wide-bandgap Semiconductors;Exciton;Exciton Molecule;Low-dimensional Structures;Localization;Time-resolved Spectroscopy;PL-dynamics;Laser Diode
      • 新物質ヘテロフラーレン(SiC)_<60>の合成と基礎物性に関する研究
        萌芽的研究
        京都大学
        藤田 茂夫
        自 1996年04月01日, 至 1997年03月31日, 完了
        ヘテロフラーレン;(SiC)_<60>;共蒸着法
      • 半導体低次元構造制御の新技術に関する研究
        基盤研究(B)
        京都大学
        藤田 静雄
        自 1996年04月01日, 至 1998年03月31日, 完了
        光照射結晶成長;原料の光感度による反応の選択性;照射光波長による反応の選択性;基板温度による反応の選択性;ZnCdSSe;低次元構造;構造制御;量子構造, photoassisted growth;growth selectivity for photoirradiation;growth selectivity with photon energy;growth selectivity with temperature;ZnCdSSe;low dimensional structure;structure control;quantum structure
      • II-VI族化合物半導体低次元構造における励起子ダイナミクスの研究
        一般研究(C)
        京都大学
        川上 養一
        自 1995年04月01日, 至 1996年03月31日, 完了
        ZnSe系量子井戸;青緑色発光素子;励起子;局在;励起子分子;発光ダイナミクス
      • 半導体表面光触媒反応による気相成長のダイナミクス
        基盤研究(A)
        京都大学
        藤田 茂夫
        自 1995年04月01日, 至 1998年03月31日, 完了
        光触媒反応;反応過程;ZnCdSSe;不純物添加;p型伝導性制御;量子構造;電流注入レーザ発振;反応素過程;欠陥制御;励起子発光寿命, photocatalysis;growth processes;ZnCdSSe;impurity doping;p-type control;quantum structure;current-injection lasing
      • 可視短波長域動作シュタルクモジュレータの開発に関する研究
        一般研究(C)
        京都大学
        川上 養一
        自 1994年04月01日, 至 1995年03月31日, 完了
        原子層制御;ド-ピング超格子;シュタルク効果;青緑色域動作;ZnSe based Structures
      • 有機金属気相成長法による青緑色半導体レーザの試作研究
        試験研究(B)
        京都大学
        藤田 茂夫
        自 1994年04月01日, 至 1996年03月31日, 完了
        光触媒反応;水素パッシベーション;不純物添加;量子構造;急速熱処理;青緑半導体レーザ;有機金属気相成長法;ZnCdSe;p型ZnSe;窒素添加;熱処理, photocatalysis;hydrogen passivation;impurity doping;quanturn structure;rapid thermal annealing
      • II-VI族半導体量子井戸構造を用いた光吸収変調素子に関する研究
        一般研究(C)
        京都大学
        川上 養一
        自 1993年04月01日, 至 1994年03月31日, 完了
        光吸収変調;量子閉じ込めシュタルク効果;青緑色領動作;ZnCdSe;ZnSSe;励起子;原子層制御
      • 準格子整合系異族半導体新ヘテロ構造の物性とデバイス応用に関する研究
        一般研究(C)
        京都大学
        藤田 静雄
        自 1993年04月01日, 至 1994年03月31日, 完了
        準格子整合系;異族半導体;ヘテロ構造;超格子;界面物性
      • 短波長レ-ザ用IIーVI族新混晶半導体の成長と物性に関する研究
        一般研究(B)
        京都大学
        藤田 茂夫
        自 1990年04月01日, 至 1992年03月31日, 完了
        短波長半導体レ-ザ;二重異種接合;バンド不連続;新混晶半導体;有機金属分子線成長, Short Wavelength Lasers;Double Heterostructure;Band Discontinuity;New Alloy Semiconductor

      外部資金:その他

      • ワイドギャップ半導体の物性制御に関する研究
      • 青線〜紫外域発光素子に関する研究
      • 量子井戸の作製とその励起子物性に関する研究
      • ナノ結晶効果の解明と新規ナノ光物性の発現
        受託研究
        自 2005年10月01日, 至 2011年03月31日
        川上養一
      list
        Last Updated :2025/04/23

        教育

        担当科目

        • 自 2024年04月01日, 至 2025年03月31日
          光工学1
          6044, 後期, 工学部, 2
        • 自 2024年04月01日, 至 2025年03月31日
          光工学2
          6057, 前期, 工学部, 2
        • 自 2024年04月01日, 至 2025年03月31日
          融合光・電子科学の展望
          X001, 前期, 工学研究科, 2
        • 自 2024年04月01日, 至 2025年03月31日
          光物性工学
          C822, 前期, 工学研究科, 2
        • 自 2024年04月01日, 至 2025年03月31日
          専攻共通卓越特別講義
          4515, 前期集中, 理学研究科, 1
        • 自 2023年04月01日, 至 2024年03月31日
          光工学2
          6057, 前期, 工学部, 2
        • 自 2023年04月01日, 至 2024年03月31日
          光工学1
          6044, 後期, 工学部, 2
        • 自 2023年04月01日, 至 2024年03月31日
          光物性工学
          C822, 前期, 工学研究科, 2
        • 自 2023年04月01日, 至 2024年03月31日
          融合光・電子科学の展望
          X001, 前期, 工学研究科, 2
        • 自 2023年04月01日, 至 2024年03月31日
          研究倫理・研究公正(理工系)
          G101, 前期集中, 国際高等教育院, 0.5
        • 自 2023年04月01日, 至 2024年03月31日
          専攻共通卓越特別講義
          4515, 前期集中, 理学研究科, 1
        • 自 2022年04月01日, 至 2023年03月31日
          光工学2
          6057, 前期, 工学部, 2
        • 自 2022年04月01日, 至 2023年03月31日
          専攻共通卓越特別講義
          4515, 前期集中, 理学研究科, 1
        • 自 2022年04月01日, 至 2023年03月31日
          光物性工学
          C822, 前期, 工学研究科, 2
        • 自 2022年04月01日, 至 2023年03月31日
          融合光・電子科学の展望
          X001, 前期, 工学研究科, 2
        • 自 2022年04月01日, 至 2023年03月31日
          研究倫理・研究公正(理工系)
          G101, 前期集中, 国際高等教育院, 0.5
        • 自 2022年04月01日, 至 2023年03月31日
          光工学1
          6044, 後期, 工学部, 2
        • 自 2011年04月, 至 2012年03月
          光物性工学
          前期, 工学研究科
        • 自 2011年04月, 至 2012年03月
          光工学1
          後期, 工学部
        • 自 2011年04月, 至 2012年03月
          電気応用工学
          前期, 工学部
        • 自 2011年04月, 至 2012年03月
          光工学2
          前期, 工学部
        • 自 2012年04月, 至 2013年03月
          光工学1
          後期, 工学部
        • 自 2012年04月, 至 2013年03月
          光工学2
          前期, 工学部
        • 自 2012年04月, 至 2013年03月
          光物性工学
          前期, 工学研究科
        • 自 2013年04月, 至 2014年03月
          光工学1
          後期, 工学部
        • 自 2013年04月, 至 2014年03月
          光工学2
          前期, 工学部
        • 自 2013年04月, 至 2014年03月
          電子工学特別実験及演習1
          通年, 工学研究科
        • 自 2013年04月, 至 2014年03月
          電子工学特別実験及演習2
          通年, 工学研究科
        • 自 2013年04月, 至 2014年03月
          研究論文
          通年, 工学研究科
        • 自 2013年04月, 至 2014年03月
          研究インターンシップM
          通年, 工学研究科
        • 自 2013年04月, 至 2014年03月
          光物性工学
          前期, 工学研究科
        • 自 2013年04月, 至 2014年03月
          電子工学特別研修1(インターン)
          前期, 工学研究科
        • 自 2013年04月, 至 2014年03月
          電子工学特別研修2(インターン)
          前期, 工学研究科
        • 自 2013年04月, 至 2014年03月
          電子工学特別セミナー
          通年, 工学研究科
        • 自 2013年04月, 至 2014年03月
          研究インターンシップD
          通年, 工学研究科
        • 自 2013年04月, 至 2014年03月
          電子工学特別演習1
          通年, 工学研究科
        • 自 2013年04月, 至 2014年03月
          電子工学特別演習2
          通年, 工学研究科
        • 自 2014年04月, 至 2015年03月
          光工学1
          後期, 工学部
        • 自 2014年04月, 至 2015年03月
          光工学2
          前期, 工学部
        • 自 2014年04月, 至 2015年03月
          光物性工学
          前期, 工学研究科
        • 自 2015年04月, 至 2016年03月
          光工学1
          後期, 工学部
        • 自 2015年04月, 至 2016年03月
          光工学2
          前期, 工学部
        • 自 2015年04月, 至 2016年03月
          光物性工学
          前期, 工学研究科
        • 自 2016年04月, 至 2017年03月
          光工学1
          後期, 工学部
        • 自 2016年04月, 至 2017年03月
          光工学2
          前期, 工学部
        • 自 2016年04月, 至 2017年03月
          光物性工学
          前期, 工学研究科
        • 自 2017年04月, 至 2018年03月
          光工学1
          後期, 工学部
        • 自 2017年04月, 至 2018年03月
          光工学2
          前期, 工学部
        • 自 2017年04月, 至 2018年03月
          光物性工学
          前期, 工学研究科
        • 自 2018年04月, 至 2019年03月
          光工学1
          後期, 工学部
        • 自 2018年04月, 至 2019年03月
          光工学2
          前期, 工学部
        • 自 2018年04月, 至 2019年03月
          光物性工学
          前期, 工学研究科
        • 自 2018年04月, 至 2019年03月
          研究倫理・研究公正(理工系)
          前期集中, 全学共通科目
        • 自 2019年04月, 至 2020年03月
          光工学1
          後期, 工学部
        • 自 2019年04月, 至 2020年03月
          光工学2
          前期, 工学部
        • 自 2019年04月, 至 2020年03月
          光物性工学
          前期, 工学研究科
        • 自 2019年04月, 至 2020年03月
          研究倫理・研究公正(理工系)
          前期集中, 全学共通科目
        • 自 2020年04月, 至 2021年03月
          光工学1
          後期, 工学部
        • 自 2020年04月, 至 2021年03月
          光工学2
          前期, 工学部
        • 自 2020年04月, 至 2021年03月
          光物性工学
          前期, 工学研究科
        • 自 2020年04月, 至 2021年03月
          専攻共通卓越特別講義
          通年集中, 理学研究科
        • 自 2020年04月, 至 2021年03月
          研究インターンシップD(電子)
          通年集中, 工学研究科
        • 自 2020年04月, 至 2021年03月
          研究インターンシップM(電子)
          通年集中, 工学研究科
        • 自 2020年04月, 至 2021年03月
          研究倫理・研究公正(理工系)
          前期集中, 全学共通科目
        • 自 2020年04月, 至 2021年03月
          研究論文(修士)
          通年集中, 工学研究科
        • 自 2020年04月, 至 2021年03月
          電子工学特別セミナー
          通年集中, 工学研究科
        • 自 2020年04月, 至 2021年03月
          電子工学特別実験及演習2
          通年集中, 工学研究科
        • 自 2020年04月, 至 2021年03月
          電子工学特別実験及演習1
          通年集中, 工学研究科
        • 自 2020年04月, 至 2021年03月
          電子工学特別演習1
          通年集中, 工学研究科
        • 自 2020年04月, 至 2021年03月
          電子工学特別演習2
          通年集中, 工学研究科
        • 自 2020年04月, 至 2021年03月
          電子工学特別研修2(インターン)
          後期, 工学研究科
        • 自 2020年04月, 至 2021年03月
          電子工学特別研修1(インターン)
          後期, 工学研究科
        • 自 2021年04月, 至 2022年03月
          光工学1
          後期, 工学部
        • 自 2021年04月, 至 2022年03月
          光工学2
          前期, 工学部
        • 自 2021年04月, 至 2022年03月
          光物性工学
          前期, 工学研究科
        • 自 2021年04月, 至 2022年03月
          専攻共通卓越特別講義
          前期集中, 理学研究科
        • 自 2021年04月, 至 2022年03月
          研究倫理・研究公正(理工系)
          前期集中, 全学共通科目
        • 自 2021年04月, 至 2022年03月
          融合光・電子科学の展望
          前期, 工学研究科

        博士学位審査

        • Digital Active Gate Drive System for Silicon Carbide Power MOSFETs(シリコンカーバイドパワーMOSFETのためのデジタルアクティブゲート駆動システム)
          高山 創, 工学研究科, 副査
          2024年03月25日
        • Study on broadband quantum infrared spectroscopy using visible-infrared photon pair sources in the mid-infrared region(可視-赤外域光子対源を用いた中赤外域における広帯域量子赤外分光に関する研究)
          荒畑 雅也, 工学研究科, 副査
          2023年03月23日
        • Study on Electron Trapping and Transport in SiC MOSFETs(SiC MOSFETにおける電子捕獲および輸送に関する研究)
          伊藤 滉二, 工学研究科, 副査
          2023年03月23日
        • MOVPE of Semipolar r-plane AlGaN-based Semiconductors toward Highly Efficient Solid-state UVC Emitters(高効率固体UVC光源開発に向けた半極性r面AlGaN系半導体のMOVPE成長に関する研究)
          赤池 良太, 工学研究科, 主査
          2023年03月23日
        • Growth and Process-Induced Deep Levels in Wide Bandgap Semiconductor GaN and SiC (結晶成長及びプロセスにより導入されるワイドバンドギャップ半導体GaN及びSiC中の深い準位)
          鐘ケ江 一孝, 工学研究科, 副査
          2022年03月23日
        • プラズモン薄膜導波路プローブを用いた低バックグラウンド探針増強ラマン分光法に関する研究
          張 開鋒, 工学研究科, 副査
          2022年03月23日
        • フォトニック結晶レーザーの短パルス・高ピーク出力化に関する研究
          森田 遼平, 工学研究科, 副査
          2022年03月23日
        • Investigation of spectral properties of broadband photon-pairs generated by four-wave mixing in an on-chip ring resonator (リング共振器内で四光波混合により発生する広帯域光子対のスペクトルに関する研究)
          杉浦 健太, 工学研究科, 副査
          2022年03月23日

        非常勤講師

        • 自 2016年04月01日, 至 2016年09月30日
          国立大学法人大阪大学
        • 自 2017年04月01日, 至 2017年09月30日
          国立大学法人大阪大学
        list
          Last Updated :2025/04/23

          大学運営

          全学運営(役職等)

          • 自 2024年04月01日, 至 2026年03月31日
            図書館協議会学修・教育支援特別委員会 委員
          • 自 2024年04月01日, 至 2026年03月31日
            図書館協議会 協議員
          • 自 2023年04月01日, 至 2024年03月31日
            図書館協議会 協議員
          • 自 2023年04月01日, 至 2024年03月31日
            図書館協議会学修・教育支援特別委員会 委員
          • 自 2009年09月20日, 至 2011年03月31日
            京都大学国際交流センター外国人留学生日本語・日本文化研修委員会 委員
          • 自 2011年04月01日, 至 2012年03月31日
            外国人留学生日本語・日本文化研修委員会 委員
          • 自 2014年10月01日, 至 2015年02月28日
            京都大学研究公正の推進検討委員会 研究公正教育小委員会 委員
          • 自 2015年03月01日, 至 2017年03月31日
            京都大学研究公正推進委員会 委員
          • 自 2015年03月01日
            研究公正推進委員会 委員
          • 自 2018年04月01日, 至 2019年03月31日
            障害者入試委員会 委員
          • 自 2019年04月01日, 至 2020年03月31日
            障害者入試委員会 委員
          • 自 2015年03月01日, 至 2018年06月28日
            研究公正推進委員会 委員

          部局運営(役職等)

          • 自 2023年04月01日, 至 2025年03月31日
            副研究科長
          • 自 2023年04月01日, 至 2025年03月31日
            工学研究科運営会議
          • 自 2024年04月01日, 至 2025年03月31日
            工学研究科人権委員会 委員
          • 自 2024年04月01日, 至 2025年03月31日
            工学部人権委員会 委員
          • 自 2023年04月01日, 至 2025年03月31日
            工学研究科工学研究倫理委員会 委員長
          • 工学研究科附属情報センター運営委員会 委員
          • 自 2023年04月01日, 至 2025年03月31日
            工学研究科・工学部広報委員会 副委員長
          • 自 2023年04月01日, 至 2025年03月31日
            工学研究科・工学部図書委員会 委員長
          • 自 2023年04月01日, 至 2025年03月31日
            桂図書館運営委員会 委員
          • 自 2023年04月01日, 至 2025年03月31日
            工学研究科運営会議
          • 自 2023年04月01日, 至 2024年03月31日
            工学研究科人権委員会 委員
          • 自 2023年04月01日, 至 2024年03月31日
            工学部人権委員会 委員
          • 自 2023年04月01日, 至 2025年03月31日
            工学研究科工学研究倫理委員会 委員長
          • 工学研究科附属情報センター運営委員会 委員
          • 自 2023年04月01日, 至 2025年03月31日
            工学研究科・工学部広報委員会 副委員長
          • 自 2023年04月01日, 至 2024年03月31日
            工学研究科・工学部図書委員会 委員長
          • 自 2023年04月01日, 至 2025年03月31日
            桂図書館運営委員会 委員
          • 自 2023年04月01日, 至 2025年03月31日
            副研究科長
          • 自 2013年04月01日, 至 2014年03月31日
            電子工学専攻長
          • 自 2014年04月01日, 至 2015年03月31日
            工学研究科運営会議
          • 自 2014年04月01日, 至 2015年03月31日
            工学研究科点検・評価委員会 委員
          • 自 2014年04月01日, 至 2015年03月31日
            工学研究科研究推進委員会 委員
          • 自 2015年04月01日, 至 2016年03月31日
            工学研究科点検・評価委員会 委員
          • 自 2015年04月01日, 至 2018年03月31日
            工学研究科研究推進委員会 委員
          • 自 2015年04月01日, 至 2018年03月31日
            副研究科長
          • 自 2015年04月01日, 至 2018年03月31日
            工学研究科運営会議
          • 自 2015年04月01日, 至 2018年03月31日
            工学研究科運営会議 企画・運営・評価部門 企画担当
          • 自 2015年04月01日, 至 2018年03月31日
            工学研究科運営会議 企画・運営・評価部門 財務担当
          • 自 2015年04月01日, 至 2018年03月31日
            工学研究科運営会議 企画・運営・評価部門 施設整備担当
          • 自 2015年04月01日, 至 2018年03月31日
            工学研究科運営会議 企画・運営・評価部門 事務改革担当
          • 自 2016年04月01日, 至 2018年03月31日
            工学研究科運営会議 広報・情報部門
          • 自 2015年04月01日, 至 2018年03月31日
            工学研究科運営会議 法務部門
          • 自 2016年04月01日, 至 2018年03月31日
            工学研究科運営会議 研究公正部門
          • 自 2015年04月01日, 至 2017年03月31日
            工学研究科研究推進委員会 委員
          • 自 2017年07月01日, 至 2018年03月31日
            工学研究科附属情報センター運営委員会 委員
          • 自 2016年04月01日, 至 2018年03月31日
            工学研究科運営会議 研究推進・産官学連携部門
          • 自 2017年04月01日, 至 2018年03月31日
            工学研究科・工学部広報委員会 委員
          • 自 2018年04月01日, 至 2019年03月31日
            工学研究科運営委員会 学生・教育部門 教育担当
          • 自 2020年04月01日, 至 2021年03月31日
            電子工学専攻長
          • 自 2018年04月01日, 至 2021年03月31日
            工学研究科運営会議 学生・教育部門 教育担当
          • 自 2021年04月01日, 至 2023年03月31日
            工学部教育制度委員会 委員

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