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• Faculty of Engineering

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  mikami.kyota.6ykyoto-u.ac.jp

Professional Memberships

• From Sep. 2025, To Present

  応用物理学会 先進パワー半導体分科会
• From Mar. 2021, To Present

  応用物理学会

Academic Degree

• 23 Mar. 2023

  京都大学修士（工学）
• 24 Mar. 2025

  京都大学博士（工学）

Academic Resume (Undergraduate School/Majors)

• 京都大学, 工学部電気電子工学科（２年次編入）, 卒業

Research History

• From Apr. 2025, To Present

  京都大学大学院, 助教
• From Apr. 2023, To Mar. 2025

  Kyoto University, Graduate School of Engineering, 日本学術振興会特別研究員（DC1）

ID,URL

• ORCID ID

  0000-0002-1922-6064

• J-Global ID

  202401019373206588

• Researcher number

  61019402

researchmap URL

• https://researchmap.jp/Kyota

Research

Research Interests

• ワイドギャップ半導体
• 電子デバイス
• 炭化ケイ素

Research Areas

• Manufacturing technology (mechanical, electrical/electronic, chemical engineering), Electric/electronic material engineering

Papers

• Influence of donor impurities and crystal faces on doping-dependent fixed charges in SiC/SiO ₂ structure

  Kyota Mikami; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto

  Japanese Journal of Applied Physics, 12 Mar. 2026, Peer-reviewed, Lead author, Corresponding author

  
• Mechanism of doping-dependent fixed charges in SiC/SiO2 structure: Defect formation related to the Fermi level during final annealing

  Kyota Mikami; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto

  Journal of Applied Physics, 08 Dec. 2025, Peer-reviewed, Lead author, Corresponding author

  Access this paper :

  
• Modeling of SiC(0001) n-Channel MOSFETs Based on Comprehensive Understanding of Electron Scattering Mechanism

  Xilun Chi; Koji Ito; Takeru Suto; Akio Shima; Kyota Mikami; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto

  IEEE Transactions on Electron Devices, Dec. 2025, Peer-reviewed

  
• Different temperature dependence of mobility in n- and p-channel 4H-SiC MOSFETs

  Xilun Chi; Keita Tachiki; Kyota Mikami; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto

  Japanese Journal of Applied Physics, 01 Nov. 2023, Peer-reviewed

  
• Fundamentals and Future Challenges of SiC Power Devices

  T. Kimoto; R. Ishikawa; K. Tachiki; X. Chi; K. Mikami; M. Kaneko

  2025 9th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM), 09 Mar. 2025, Invited

  
• Small surface potential fluctuation near the valence band edge at nitrided 4H-SiC(0001)/SiO2 interfaces

  Kyota Mikami; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto

  Applied Physics Letters, 02 Jun. 2025, Peer-reviewed, Lead author, Corresponding author

  Access this paper :

  
• Doping-dependent fixed charges in SiC/SiO₂ structure

  Kyota Mikami; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto

  Applied Physics Express, 01 Mar. 2025, Peer-reviewed, Lead author, Corresponding author

  Access this paper :

  
• An Overview of SiC High-Voltage Power Devices and High-Temperature ICs

  T. Kimoto; M. Kaneko; K. Tachiki; K. Ito; K. Mikami; H. Fujii; A. Inoue; N. Maeda

  2024 IEEE BiCMOS and Compound Semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium (BCICTS), 27 Oct. 2024

  
• High-Mobility 4H-SiC p-Channel MOSFETs on Nonpolar Faces

  Kyota Mikami; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto

  IEEE Electron Device Letters, Jul. 2024, Peer-reviewed, Lead author, Corresponding author

  
• Insight Into Mobility Improvement by the Oxidation-Minimizing Process in SiC MOSFETs

  Kyota Mikami; Keita Tachiki; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto

  IEEE Transactions on Electron Devices, Jan. 2024, Peer-reviewed, Lead author, Corresponding author

  
• Mobility enhancement in heavily doped 4H-SiC (0001), (112̄0), and (11̄00) MOSFETs via an oxidation-minimizing process

  Keita Tachiki; Kyota Mikami; Koji Ito; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto

  Applied Physics Express, 01 Jul. 2022, Peer-reviewed

  
• Body doping dependence of field-effect mobility in both n- and p-channel 4H-SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with nitrided gate oxides

  Kyota Mikami; Keita Tachiki; Koji Ito; Tsunenobu Kimoto

  Applied Physics Express, 01 Mar. 2022, Peer-reviewed, Lead author, Corresponding author

  

Presentations

• バナジウムドープ半絶縁性SiC基板へのAlイオン注入によるp型層の形成

  金子 光顕; 足立 博哉; 三上 杏太; 木本 恒暢

  応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第12回講演会, 20 Nov. 2025

  
• プラズマ窒化がSiC表面に与える影響

  三浦 大輝; 三上 杏太; 金子 光顕; 木本 恒暢

  応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第12回講演会, 20 Nov. 2025

  
• 窒化SiC/SiO2界面における価電子帯端近傍の小さな表面ポテンシャルゆらぎ

  三上 杏太; 金子 光顕; 木本 恒暢

  応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第12回講演会, 20 Nov. 2025

  
• SiC pチャネルMOSFETおよびCMOS素子に与えるカウンタードープの効果

  伊東 遼馬; 井上 瑛; 三上 杏太; 金子 光顕; 木本 恒暢

  応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第12回講演会, 20 Nov. 2025, Invited

  
• 厳環境で動作可能なSiC相補型JFET集積回路の性能向上に向けた基礎研究

  金子 光顕; 三上 杏太; 木本 恒暢

  応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第12回講演会, 20 Nov. 2025, Invited

  
• 同一窒化処理条件による伝導帯端・価電子帯端近傍のSiC/SiO2界面準位低減

  平岩 修弥; 三上 杏太; 木本 恒暢; 金子 光顕

  応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第12回講演会, 19 Nov. 2025

  
• ベイズ推定に基づく過渡容量解析による電子線照射SiC中のエネルギー的に近接した欠陥準位の評価

  山中 孝太郎; 三上 杏太; 木本 恒暢; 金子 光顕

  応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第12回講演会, 19 Nov. 2025

  
• 4H-SiC フィンFETにおける高移動度の原因解明に向けたキャリア散乱機構の理論的解析

  利光 汐音; 三上 杏太; 金子 光顕; 木本 恒暢

  応用物理学会先進パワー半導体分科会 第12回講演会, 19 Nov. 2025

  
• 酸化膜中の電子有効質量に着目した熱酸化膜/SiC構造におけるトンネル電流のモデリング

  吉田 達紀; 三上 杏太; 金子 光顕; 木本 恒暢

  応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第12回講演会, 19 Nov. 2025

  
• Insight into mobility improvementy by the oxidation-minimizing process

  三上杏太; 立木馨大; 金子光顕; 木本恒暢

  第25回関西コロキアム電子デバイスワークショップ, 03 Oct. 2025, Invited

  
• Impacts on plasma nitridation on SiC surface

  Daiki Miura; Kyota Mikami; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto

  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2025, 19 Sep. 2025

  
• Physical Origin of Crystal Face-Dependent Electron Mobility in 4H-SiC (0001) and (11-20) MOSFETs

  Xilun Chi; Koji Ito; Kyota Mikami; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto

  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2025, 19 Sep. 2025

  
• Extremely uniform surface potential near the valence band edge at nitrided 4H-SiC/SiO2 interface

  Kyota Mikami; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto

  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2025, 19 Sep. 2025

  
• Temperature dependence of high-field electron and hole drift velocities in 4H-SiC

  Daichi Fujioka; Ryoya Ishikawa; Kyota Mikami; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto

  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2025, 18 Sep. 2025

  
• Detection of energetically close deep levels in electron-irradiated 4H-SiC by capacitance transient analysis based on Bayesian inference

  Kotaro Yamanaka; Kyota Mikami; Tsunenobu Kimoto; Mitsuaki Kaneko

  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2025, 18 Sep. 2025

  
• Dopant activation and compensation in p-type 4H-SiC formed by Al+ implantation into V-doped semi-insulating substrates

  Hiroya Adachi; Kyota Mikami; Tsunenobu Kimoto; Mitsuaki Kaneko

  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2025, 17 Sep. 2025

  
• Interface NIR SPS: Newly observed single photon sources in SiC

  Mitsuaki Kaneko; Naoya Morioka; Hideaki Takashima; Konosuke Shimazaki; Kyota Mikami; Shigeki Takeuchi; Norikazu Mizuochi; Tsunenobu Kimoto

  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2025, 17 Sep. 2025

  
• Origin of high mobility in 4H-SiC FinFETs through theoretical analysis of electron scattering mechanism

  Shion Toshimitsu; Kyota Mikami; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto

  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2025, 16 Sep. 2025

  
• 電子線照射 SiC における近接したエネルギーを有する Si 関連欠陥準位の検出

  山中孝太郎; 三上杏太; 木本恒暢; 金子光顕

  第86回 応用物理学会 秋季学術講演会, 10 Sep. 2025

  
• 4H-SiC における電子および正孔の高電界ドリフト速度の温度依存性

  藤岡大智; 石川諒弥; 三上杏太; 金子光顕; 木本恒暢

  第86回 応用物理学会 秋季学術講演会, 10 Sep. 2025

  
• 反応性 RF スパッタリングによる SiC 基板上への格子整合 AlBN 強誘電体高品質膜の成長

  白石健; 三上杏太; 木本恒暢; 金子光顕

  第86回 応用物理学会 秋季学術講演会, 09 Sep. 2025

  
• キャリア散乱機構の理論解析に基づく SiC フィン FET における移動度向上の考察

  利光汐音; 三上杏太; 金子光顕; 木本恒暢

  第86回 応用物理学会 秋季学術講演会, 09 Sep. 2025

  
• 熱酸化膜/SiC における電流―電圧特性の解析 - Fowler-Nordheim トンネル電流からの乖離

  吉田達紀; 三上杏太; 金子光顕; 木本恒暢

  第86回 応用物理学会 秋季学術講演会, 09 Sep. 2025

  
• プラズマ窒化した SiC 表面の体系的評価

  三浦大輝; 三上杏太; 金子光顕; 木本恒暢

  第86回 応用物理学会 秋季学術講演会, 09 Sep. 2025

  
• Fundamental Study for Precise Control of Threshold Voltage in SiC MOSFETs

  K. Mikami; M. Kaneko; T. Kimoto

  Mini-Conference on Modeling and Process Advancements for Enhanced Performance of Power MOSFETs, VCSEL, and THz Communication Transistors, 19 May 2025

  
• 厳環境動作集積回路実現に向けたSiC相補型MOSおよび相補型JFETの研究

  金子光顕; 三上杏太; 木本恒暢

  SiCアライアンス第１回技術・普及WG, 08 May 2025, Invited

  
• Fixed charges dependent on doping concentration in SiC/SiO2 structures

  K. Mikami; M. Kaneko; T. Kimoto

  Japan-UK Joint Opportunity in Semiconductor Research, 24 Apr. 2025

  
• Mobility improvement in SiC n- and p-channel MOSFETs

  M. Kaneko; K. Tachiki; K. Mikami; H. Fujii; T. Kimoto

  Japan-UK Joint Opportunity in Semiconductor Research, 24 Apr. 2025

  
• コンダクタンス法による価電子帯端近傍のSiC/SiO2界面準位評価

  三上杏太; 金子光顕; 木本恒暢

  第72回 応用物理学会 春季学術講演会, 16 Mar. 2025

  
• Fundamentals and Future Challenges of SiC Power Devices

  T. Kimoto; R. Ishikawa; K. Tachiki; X. Chi; K. Mikami; M. Kaneko

  9th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing (EDTM) Conference 2025, 10 Mar. 2025, Invited

  
• SiC/SiO2界面近傍に生成されるボディ層濃度に依存する固定電荷

  三上 杏太; 金子 光顕; 木本 恒暢

  応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第11回講演会, 26 Nov. 2024

  
• 酸化排除プロセスによるSiC(0001), (11-20), (1-100) MOSFETの移動度向上

  立木 馨大; 三上 杏太; 遅 熙倫; 金子 光顕; 木本恒暢

  応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第11回講演会, 26 Nov. 2024, Invited

  
• SiC pチャネルMOSFETにおけるAlイオン注入を用いたカウンタードープの効果

  伊東 遼馬; 井上 瑛; 三上 杏太; 金子 光顕; 木本 恒暢

  応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第11回講演会, 25 Nov. 2024

  
• SiC High-Voltage Power Devices and High-Temperature ICs

  T. Kimoto; M. Kaneko; K. Tachiki; K. Ito; K. Mikami; H. Fujii; A. Inoue; R. Ito; N. Maeda

  2024 IEEE BiCMOS and Compound Semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium, 28 Oct. 2024, Invited

  
• Impacts of Anisotropic Material Properties on Performance of SiC Power Devices

  T. Kimoto; R. Ishikawa; X. Chi; K. Mikami; K. Tachiki; M. Kaneko

  Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid State Science 2024, 07 Oct. 2024, Invited

  
• Effect of counter-doping on threshold voltage and mobility in SiC p-channel MOSFETs

  R. Ito; A. Inoue; K. Mikami; M. Kaneko; T. Kimoto

  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2024, 04 Oct. 2024

  
• Doping-dependent fixed charges in SiC MOSFETs

  K. Mikami; M. Kaneko; T. Kimoto

  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2024, 01 Oct. 2024, Invited

  
• Mobility enhancement in SiC n- and p-channel MOSFETs

  M. Kaneko; K. Tachiki; K. Mikami; H. Fujii; T. Kimoto

  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2024, 01 Oct. 2024, Invited

  
• SiC pチャネルMOSFETのしきい値電圧と移動度に与えるカウンタードープの効果

  伊東 遼馬; 井上 瑛; 三上 杏太; 金子 光顕; 木本 恒暢

  第85回 応用物理学会 秋季学術講演会, 19 Sep. 2024

  
• SiC MOS構造中に生成されるボディ層濃度に依存した固定電荷

  三上 杏太; 金子 光顕; 木本 恒暢

  第85回 応用物理学会 秋季学術講演会, 19 Sep. 2024

  
• 酸化抑制プロセスによる高濃度ボディ層を有するSiC(0001), (1120)および(1100)MOSFETの移動度向上

  立木 馨大; 三上 杏太; 金子 光顕; 木本恒暢

  第71回 応用物理学会 春季学術講演会, 23 Mar. 2024, Invited

  
• 4H-SiC無極性面上に作製したpチャネルMOSFETの移動度とその異方性

  三上 杏太; 金子 光顕; 木本 恒暢

  応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第10回講演会, 01 Dec. 2023

  
• SiC n・pチャネルMOSFETにおける移動度の異なる温度依存性の解析

  遅 熙倫; 立木 馨大; 三上 杏太; 金子 光顕; 木本恒暢

  応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第10回講演会, 30 Nov. 2023

  
• Physics and Performance Improvement of SiC MOSFETs

  T. Kimoto; K. Tachiki; K. Mikami; X. Chi; M. Kaneko

  2023 Int. Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology, 23 Oct. 2023, Invited

  
• SiC n-channel MOSFETs fabricated on a high-purity semi-insulating substrate

  S. Toshimitsu; K. Mikami; K. Tachiki; M. Kaneko; T. Kimoto

  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023, 22 Sep. 2023

  
• 無極性面の適用によるSiC pチャネルMOSFETの移動度向上

  三上 杏太; 金子 光顕; 木本 恒暢

  第84回 応用物理学会 秋季学術講演会, 21 Sep. 2023, Invited

  
• High-mobility SiC p-channel MOSFETs on nonpolar faces

  K. Mikami; M. Kaneko; T. Kimoto

  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023, 19 Sep. 2023

  
• Different temperature dependence of mobility in n- and p-channel 4H-SiC MOSFETs

  X. Chi; K. Tachiki; K. Mikami; M. Kaneko; T. Kimoto

  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023, 19 Sep. 2023

  
• Progress of SiC MOSFETs and JFETs beyond Power Applications

  T. Kimoto; K. Tachiki; K. Mikami; M. Kaneko

  IME Workshop on Wide Bandgap Semiconductors 2023, 28 Jul. 2023, Invited

  
• Fundamental study on SiC p-channel MOSFETs

  K. Mikami; T. Kimoto

  Mini-Conference on Next Generation Materials for Ultra Performance Microwave and Power Switching Applications, 12 May 2023

  
• 無極性面を用いた高移動度SiC pチャネルMOSFETの作製と評価

  三上 杏太; 金子 光顕; 木本 恒暢

  第70回 応用物理学会 春季学術講演会, 16 Mar. 2023

  
• Subthreshold characteristics of 4H-SiC n- and p-channel MOSFETs at low temperature

  X. Chi; K. Tachiki; K. Mikami; M. Kaneko; T. Kimoto

  第70回 応用物理学会 春季学術講演会, 16 Mar. 2023

  
• 酸化抑制プロセスで作製した高移動度無極性面SiC MOSFETの低温特性評価

  三上 杏太; 立木 馨大; 金子 光顕; 木本 恒暢

  応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第9回講演会, 20 Dec. 2022

  
• Progress and Future Challenges in SiC MOSFETs

  T. Kimoto; K. Tachiki; K. Ito; K. Mikami; M. Kaneko

  10th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors, 15 Nov. 2022, Invited

  
• 酸化抑制プロセスによって形成した高品質4H-SiC(1120)/SiO2界面の低温特性評価

  三上 杏太; 立木 馨大; 金子 光顕; 木本 恒暢

  第83回 応用物理学会 秋季学術講演会, 21 Sep. 2022

  
• SiCパワーMOSFETの課題とMOS界面高品質化の進展

  木本 恒暢; 立木 馨大; 伊藤 滉二; 三上 杏太; 金子 光顕

  第83回 応用物理学会 秋季学術講演会, 21 Sep. 2022, Invited

  
• High-quality MOS interface on 4H-SiC(1120) formed by the oxidation-minimizing process

  International Conference on Silicon Carbide; Related Materia

  K. Mikami, K. Tachiki, M. Kaneko, and T. Kimoto, 12 Sep. 2022

  
• High Mobility in SiC MOSFETs with Heavily-Doped p-Bodies

  T. Kimoto; K. Tachiki; K. Ito; K. Mikami; M. Kaneko; M. Horita; J. Suda

  14th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics, 30 Aug. 2022, Invited

  
• 酸化抑制プロセスを用いて作製したSiC MOSFET特性の表面水素処理時間依存性

  村木 瞬星; 三上 杏太; 立木 馨大; 木本 恒暢

  第69回 応用物理学会 春季学術講演会, 24 Mar. 2022

  
• NOアニールを施した4H-SiC n・pチャネルMOSFETにおけるチャネル移動度のボディ層不純物密度依存性

  三上 杏太; 立木 馨大; 伊藤 滉二; 木本 恒暢

  応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第8回講演会, 09 Dec. 2021

  
• Channel mobility of NO- and N2-annealed 4H-SiC(0001) p-channel MOSFETs with various donor concentrations of n-body

  K. Mikami; K. Ito; K. Tachiki; T. Kimoto

  European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2020-2021, 26 Oct. 2021

  
• 様々なボディ層ドナー密度を有する4H-SiC(0001)pチャネルMOSFETのチャネル移動度評価

  三上 杏太; 伊藤 滉二; 立木 馨大; 木本 恒暢

  第68回 応用物理学会 春季学術講演会, 18 Mar. 2021

  

Industrial Property Rights

• 特開2024-118695, 特願2023-025123, ＳｉＣ ｐチャネルＭＯＳＦＥＴ及びＳｉＣ相補型ＭＯＳデバイス

  木本恒暢; 三上杏太

  

Awards

• 21 Feb. 2026

  丹羽保次郎記念論文賞

External funds: Kakenhi

• Accurate mobility model in SiC p-channel MOSFETs considering interface states

  Grant-in-Aid for Research Activity Start-up

  0302:Electrical and electronic engineering and related fields

  Kyoto University

  三上 杏太

  From 31 Jul. 2025, To 31 Mar. 2027, Granted

  炭化ケイ素;相補型MOS;集積回路;pチャネルMOSトランジスタ

  https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-25K23452/