基本情報

学部兼担

• 工学部

全学メールアドレス

• 全学メールアドレス

  mikami.kyota.6ykyoto-u.ac.jp

所属学協会

• 自 2025年09月, 至 現在

  応用物理学会 先進パワー半導体分科会
• 自 2021年03月, 至 現在

  応用物理学会

学位

• 2023年03月23日

  京都大学修士（工学）
• 2025年03月24日

  京都大学博士（工学）

出身学校・専攻等

• 京都大学, 工学部電気電子工学科（２年次編入）, 卒業

経歴

• 自 2025年04月, 至 現在

  京都大学大学院, 助教
• 自 2023年04月, 至 2025年03月

  京都大学, 大学院工学研究科, 日本学術振興会特別研究員（DC1）

ID,URL

• ORCID ID

  0000-0002-1922-6064

• J-Global ID

  202401019373206588

• 研究者番号

  61019402

researchmap URL

• https://researchmap.jp/Kyota

研究

研究キーワード

• ワイドギャップ半導体
• 電子デバイス
• 炭化ケイ素

研究分野

• ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学）, 電気電子材料工学

論文

• Influence of donor impurities and crystal faces on doping-dependent fixed charges in SiC/SiO ₂ structure

  Kyota Mikami; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto

  Japanese Journal of Applied Physics, 2026年03月12日, 査読有り, 筆頭著者, 責任著者

  
• Mechanism of doping-dependent fixed charges in SiC/SiO2 structure: Defect formation related to the Fermi level during final annealing

  Kyota Mikami; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto

  Journal of Applied Physics, 2025年12月08日, 査読有り, 筆頭著者, 責任著者

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• Modeling of SiC(0001) n-Channel MOSFETs Based on Comprehensive Understanding of Electron Scattering Mechanism

  Xilun Chi; Koji Ito; Takeru Suto; Akio Shima; Kyota Mikami; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto

  IEEE Transactions on Electron Devices, 2025年12月, 査読有り

  
• Different temperature dependence of mobility in n- and p-channel 4H-SiC MOSFETs

  Xilun Chi; Keita Tachiki; Kyota Mikami; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto

  Japanese Journal of Applied Physics, 2023年11月01日, 査読有り

  
• Fundamentals and Future Challenges of SiC Power Devices

  T. Kimoto; R. Ishikawa; K. Tachiki; X. Chi; K. Mikami; M. Kaneko

  2025 9th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM), 2025年03月09日, 招待有り

  
• Small surface potential fluctuation near the valence band edge at nitrided 4H-SiC(0001)/SiO2 interfaces

  Kyota Mikami; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto

  Applied Physics Letters, 2025年06月02日, 査読有り, 筆頭著者, 責任著者

  この論文にアクセスする：

  
• Doping-dependent fixed charges in SiC/SiO₂ structure

  Kyota Mikami; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto

  Applied Physics Express, 2025年03月01日, 査読有り, 筆頭著者, 責任著者

  この論文にアクセスする：

  
• An Overview of SiC High-Voltage Power Devices and High-Temperature ICs

  T. Kimoto; M. Kaneko; K. Tachiki; K. Ito; K. Mikami; H. Fujii; A. Inoue; N. Maeda

  2024 IEEE BiCMOS and Compound Semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium (BCICTS), 2024年10月27日

  
• High-Mobility 4H-SiC p-Channel MOSFETs on Nonpolar Faces

  Kyota Mikami; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto

  IEEE Electron Device Letters, 2024年07月, 査読有り, 筆頭著者, 責任著者

  
• Insight Into Mobility Improvement by the Oxidation-Minimizing Process in SiC MOSFETs

  Kyota Mikami; Keita Tachiki; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto

  IEEE Transactions on Electron Devices, 2024年01月, 査読有り, 筆頭著者, 責任著者

  
• Mobility enhancement in heavily doped 4H-SiC (0001), (112̄0), and (11̄00) MOSFETs via an oxidation-minimizing process

  Keita Tachiki; Kyota Mikami; Koji Ito; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto

  Applied Physics Express, 2022年07月01日, 査読有り

  
• Body doping dependence of field-effect mobility in both n- and p-channel 4H-SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with nitrided gate oxides

  Kyota Mikami; Keita Tachiki; Koji Ito; Tsunenobu Kimoto

  Applied Physics Express, 2022年03月01日, 査読有り, 筆頭著者, 責任著者

  

講演・口頭発表等

• バナジウムドープ半絶縁性SiC基板へのAlイオン注入によるp型層の形成

  金子 光顕; 足立 博哉; 三上 杏太; 木本 恒暢

  応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第12回講演会, 2025年11月20日

  
• プラズマ窒化がSiC表面に与える影響

  三浦 大輝; 三上 杏太; 金子 光顕; 木本 恒暢

  応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第12回講演会, 2025年11月20日

  
• 窒化SiC/SiO2界面における価電子帯端近傍の小さな表面ポテンシャルゆらぎ

  三上 杏太; 金子 光顕; 木本 恒暢

  応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第12回講演会, 2025年11月20日

  
• SiC pチャネルMOSFETおよびCMOS素子に与えるカウンタードープの効果

  伊東 遼馬; 井上 瑛; 三上 杏太; 金子 光顕; 木本 恒暢

  応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第12回講演会, 2025年11月20日, 招待有り

  
• 厳環境で動作可能なSiC相補型JFET集積回路の性能向上に向けた基礎研究

  金子 光顕; 三上 杏太; 木本 恒暢

  応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第12回講演会, 2025年11月20日, 招待有り

  
• 同一窒化処理条件による伝導帯端・価電子帯端近傍のSiC/SiO2界面準位低減

  平岩 修弥; 三上 杏太; 木本 恒暢; 金子 光顕

  応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第12回講演会, 2025年11月19日

  
• ベイズ推定に基づく過渡容量解析による電子線照射SiC中のエネルギー的に近接した欠陥準位の評価

  山中 孝太郎; 三上 杏太; 木本 恒暢; 金子 光顕

  応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第12回講演会, 2025年11月19日

  
• 4H-SiC フィンFETにおける高移動度の原因解明に向けたキャリア散乱機構の理論的解析

  利光 汐音; 三上 杏太; 金子 光顕; 木本 恒暢

  応用物理学会先進パワー半導体分科会 第12回講演会, 2025年11月19日

  
• 酸化膜中の電子有効質量に着目した熱酸化膜/SiC構造におけるトンネル電流のモデリング

  吉田 達紀; 三上 杏太; 金子 光顕; 木本 恒暢

  応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第12回講演会, 2025年11月19日

  
• Insight into mobility improvementy by the oxidation-minimizing process

  三上杏太; 立木馨大; 金子光顕; 木本恒暢

  第25回関西コロキアム電子デバイスワークショップ, 2025年10月03日, 招待有り

  
• Impacts on plasma nitridation on SiC surface

  Daiki Miura; Kyota Mikami; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto

  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2025, 2025年09月19日

  
• Physical Origin of Crystal Face-Dependent Electron Mobility in 4H-SiC (0001) and (11-20) MOSFETs

  Xilun Chi; Koji Ito; Kyota Mikami; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto

  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2025, 2025年09月19日

  
• Extremely uniform surface potential near the valence band edge at nitrided 4H-SiC/SiO2 interface

  Kyota Mikami; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto

  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2025, 2025年09月19日

  
• Temperature dependence of high-field electron and hole drift velocities in 4H-SiC

  Daichi Fujioka; Ryoya Ishikawa; Kyota Mikami; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto

  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2025, 2025年09月18日

  
• Detection of energetically close deep levels in electron-irradiated 4H-SiC by capacitance transient analysis based on Bayesian inference

  Kotaro Yamanaka; Kyota Mikami; Tsunenobu Kimoto; Mitsuaki Kaneko

  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2025, 2025年09月18日

  
• Dopant activation and compensation in p-type 4H-SiC formed by Al+ implantation into V-doped semi-insulating substrates

  Hiroya Adachi; Kyota Mikami; Tsunenobu Kimoto; Mitsuaki Kaneko

  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2025, 2025年09月17日

  
• Interface NIR SPS: Newly observed single photon sources in SiC

  Mitsuaki Kaneko; Naoya Morioka; Hideaki Takashima; Konosuke Shimazaki; Kyota Mikami; Shigeki Takeuchi; Norikazu Mizuochi; Tsunenobu Kimoto

  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2025, 2025年09月17日

  
• Origin of high mobility in 4H-SiC FinFETs through theoretical analysis of electron scattering mechanism

  Shion Toshimitsu; Kyota Mikami; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto

  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2025, 2025年09月16日

  
• 電子線照射 SiC における近接したエネルギーを有する Si 関連欠陥準位の検出

  山中孝太郎; 三上杏太; 木本恒暢; 金子光顕

  第86回 応用物理学会 秋季学術講演会, 2025年09月10日

  
• 4H-SiC における電子および正孔の高電界ドリフト速度の温度依存性

  藤岡大智; 石川諒弥; 三上杏太; 金子光顕; 木本恒暢

  第86回 応用物理学会 秋季学術講演会, 2025年09月10日

  
• 反応性 RF スパッタリングによる SiC 基板上への格子整合 AlBN 強誘電体高品質膜の成長

  白石健; 三上杏太; 木本恒暢; 金子光顕

  第86回 応用物理学会 秋季学術講演会, 2025年09月09日

  
• キャリア散乱機構の理論解析に基づく SiC フィン FET における移動度向上の考察

  利光汐音; 三上杏太; 金子光顕; 木本恒暢

  第86回 応用物理学会 秋季学術講演会, 2025年09月09日

  
• 熱酸化膜/SiC における電流―電圧特性の解析 - Fowler-Nordheim トンネル電流からの乖離

  吉田達紀; 三上杏太; 金子光顕; 木本恒暢

  第86回 応用物理学会 秋季学術講演会, 2025年09月09日

  
• プラズマ窒化した SiC 表面の体系的評価

  三浦大輝; 三上杏太; 金子光顕; 木本恒暢

  第86回 応用物理学会 秋季学術講演会, 2025年09月09日

  
• Fundamental Study for Precise Control of Threshold Voltage in SiC MOSFETs

  K. Mikami; M. Kaneko; T. Kimoto

  Mini-Conference on Modeling and Process Advancements for Enhanced Performance of Power MOSFETs, VCSEL, and THz Communication Transistors, 2025年05月19日

  
• 厳環境動作集積回路実現に向けたSiC相補型MOSおよび相補型JFETの研究

  金子光顕; 三上杏太; 木本恒暢

  SiCアライアンス第１回技術・普及WG, 2025年05月08日, 招待有り

  
• Fixed charges dependent on doping concentration in SiC/SiO2 structures

  K. Mikami; M. Kaneko; T. Kimoto

  Japan-UK Joint Opportunity in Semiconductor Research, 2025年04月24日

  
• Mobility improvement in SiC n- and p-channel MOSFETs

  M. Kaneko; K. Tachiki; K. Mikami; H. Fujii; T. Kimoto

  Japan-UK Joint Opportunity in Semiconductor Research, 2025年04月24日

  
• コンダクタンス法による価電子帯端近傍のSiC/SiO2界面準位評価

  三上杏太; 金子光顕; 木本恒暢

  第72回 応用物理学会 春季学術講演会, 2025年03月16日

  
• Fundamentals and Future Challenges of SiC Power Devices

  T. Kimoto; R. Ishikawa; K. Tachiki; X. Chi; K. Mikami; M. Kaneko

  9th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing (EDTM) Conference 2025, 2025年03月10日, 招待有り

  
• SiC/SiO2界面近傍に生成されるボディ層濃度に依存する固定電荷

  三上 杏太; 金子 光顕; 木本 恒暢

  応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第11回講演会, 2024年11月26日

  
• 酸化排除プロセスによるSiC(0001), (11-20), (1-100) MOSFETの移動度向上

  立木 馨大; 三上 杏太; 遅 熙倫; 金子 光顕; 木本恒暢

  応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第11回講演会, 2024年11月26日, 招待有り

  
• SiC pチャネルMOSFETにおけるAlイオン注入を用いたカウンタードープの効果

  伊東 遼馬; 井上 瑛; 三上 杏太; 金子 光顕; 木本 恒暢

  応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第11回講演会, 2024年11月25日

  
• SiC High-Voltage Power Devices and High-Temperature ICs

  T. Kimoto; M. Kaneko; K. Tachiki; K. Ito; K. Mikami; H. Fujii; A. Inoue; R. Ito; N. Maeda

  2024 IEEE BiCMOS and Compound Semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium, 2024年10月28日, 招待有り

  
• Impacts of Anisotropic Material Properties on Performance of SiC Power Devices

  T. Kimoto; R. Ishikawa; X. Chi; K. Mikami; K. Tachiki; M. Kaneko

  Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid State Science 2024, 2024年10月07日, 招待有り

  
• Effect of counter-doping on threshold voltage and mobility in SiC p-channel MOSFETs

  R. Ito; A. Inoue; K. Mikami; M. Kaneko; T. Kimoto

  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2024, 2024年10月04日

  
• Doping-dependent fixed charges in SiC MOSFETs

  K. Mikami; M. Kaneko; T. Kimoto

  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2024, 2024年10月01日, 招待有り

  
• Mobility enhancement in SiC n- and p-channel MOSFETs

  M. Kaneko; K. Tachiki; K. Mikami; H. Fujii; T. Kimoto

  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2024, 2024年10月01日, 招待有り

  
• SiC pチャネルMOSFETのしきい値電圧と移動度に与えるカウンタードープの効果

  伊東 遼馬; 井上 瑛; 三上 杏太; 金子 光顕; 木本 恒暢

  第85回 応用物理学会 秋季学術講演会, 2024年09月19日

  
• SiC MOS構造中に生成されるボディ層濃度に依存した固定電荷

  三上 杏太; 金子 光顕; 木本 恒暢

  第85回 応用物理学会 秋季学術講演会, 2024年09月19日

  
• 酸化抑制プロセスによる高濃度ボディ層を有するSiC(0001), (1120)および(1100)MOSFETの移動度向上

  立木 馨大; 三上 杏太; 金子 光顕; 木本恒暢

  第71回 応用物理学会 春季学術講演会, 2024年03月23日, 招待有り

  
• 4H-SiC無極性面上に作製したpチャネルMOSFETの移動度とその異方性

  三上 杏太; 金子 光顕; 木本 恒暢

  応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第10回講演会, 2023年12月01日

  
• SiC n・pチャネルMOSFETにおける移動度の異なる温度依存性の解析

  遅 熙倫; 立木 馨大; 三上 杏太; 金子 光顕; 木本恒暢

  応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第10回講演会, 2023年11月30日

  
• Physics and Performance Improvement of SiC MOSFETs

  T. Kimoto; K. Tachiki; K. Mikami; X. Chi; M. Kaneko

  2023 Int. Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology, 2023年10月23日, 招待有り

  
• SiC n-channel MOSFETs fabricated on a high-purity semi-insulating substrate

  S. Toshimitsu; K. Mikami; K. Tachiki; M. Kaneko; T. Kimoto

  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023, 2023年09月22日

  
• 無極性面の適用によるSiC pチャネルMOSFETの移動度向上

  三上 杏太; 金子 光顕; 木本 恒暢

  第84回 応用物理学会 秋季学術講演会, 2023年09月21日, 招待有り

  
• High-mobility SiC p-channel MOSFETs on nonpolar faces

  K. Mikami; M. Kaneko; T. Kimoto

  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023, 2023年09月19日

  
• Different temperature dependence of mobility in n- and p-channel 4H-SiC MOSFETs

  X. Chi; K. Tachiki; K. Mikami; M. Kaneko; T. Kimoto

  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023, 2023年09月19日

  
• Progress of SiC MOSFETs and JFETs beyond Power Applications

  T. Kimoto; K. Tachiki; K. Mikami; M. Kaneko

  IME Workshop on Wide Bandgap Semiconductors 2023, 2023年07月28日, 招待有り

  
• Fundamental study on SiC p-channel MOSFETs

  K. Mikami; T. Kimoto

  Mini-Conference on Next Generation Materials for Ultra Performance Microwave and Power Switching Applications, 2023年05月12日

  
• 無極性面を用いた高移動度SiC pチャネルMOSFETの作製と評価

  三上 杏太; 金子 光顕; 木本 恒暢

  第70回 応用物理学会 春季学術講演会, 2023年03月16日

  
• Subthreshold characteristics of 4H-SiC n- and p-channel MOSFETs at low temperature

  X. Chi; K. Tachiki; K. Mikami; M. Kaneko; T. Kimoto

  第70回 応用物理学会 春季学術講演会, 2023年03月16日

  
• 酸化抑制プロセスで作製した高移動度無極性面SiC MOSFETの低温特性評価

  三上 杏太; 立木 馨大; 金子 光顕; 木本 恒暢

  応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第9回講演会, 2022年12月20日

  
• Progress and Future Challenges in SiC MOSFETs

  T. Kimoto; K. Tachiki; K. Ito; K. Mikami; M. Kaneko

  10th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors, 2022年11月15日, 招待有り

  
• 酸化抑制プロセスによって形成した高品質4H-SiC(1120)/SiO2界面の低温特性評価

  三上 杏太; 立木 馨大; 金子 光顕; 木本 恒暢

  第83回 応用物理学会 秋季学術講演会, 2022年09月21日

  
• SiCパワーMOSFETの課題とMOS界面高品質化の進展

  木本 恒暢; 立木 馨大; 伊藤 滉二; 三上 杏太; 金子 光顕

  第83回 応用物理学会 秋季学術講演会, 2022年09月21日, 招待有り

  
• High-quality MOS interface on 4H-SiC(1120) formed by the oxidation-minimizing process

  International Conference on Silicon Carbide; Related Materia

  K. Mikami, K. Tachiki, M. Kaneko, and T. Kimoto, 2022年09月12日

  
• High Mobility in SiC MOSFETs with Heavily-Doped p-Bodies

  T. Kimoto; K. Tachiki; K. Ito; K. Mikami; M. Kaneko; M. Horita; J. Suda

  14th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics, 2022年08月30日, 招待有り

  
• 酸化抑制プロセスを用いて作製したSiC MOSFET特性の表面水素処理時間依存性

  村木 瞬星; 三上 杏太; 立木 馨大; 木本 恒暢

  第69回 応用物理学会 春季学術講演会, 2022年03月24日

  
• NOアニールを施した4H-SiC n・pチャネルMOSFETにおけるチャネル移動度のボディ層不純物密度依存性

  三上 杏太; 立木 馨大; 伊藤 滉二; 木本 恒暢

  応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第8回講演会, 2021年12月09日

  
• Channel mobility of NO- and N2-annealed 4H-SiC(0001) p-channel MOSFETs with various donor concentrations of n-body

  K. Mikami; K. Ito; K. Tachiki; T. Kimoto

  European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2020-2021, 2021年10月26日

  
• 様々なボディ層ドナー密度を有する4H-SiC(0001)pチャネルMOSFETのチャネル移動度評価

  三上 杏太; 伊藤 滉二; 立木 馨大; 木本 恒暢

  第68回 応用物理学会 春季学術講演会, 2021年03月18日

  

産業財産権

• 特開2024-118695, 特願2023-025123, ＳｉＣ ｐチャネルＭＯＳＦＥＴ及びＳｉＣ相補型ＭＯＳデバイス

  木本恒暢; 三上杏太

  

受賞

• 2026年02月21日

  丹羽保次郎記念論文賞

外部資金：科学研究費補助金

• 界面準位の考慮によるSiC pチャネルMOSトランジスタの高精度移動度モデル構築

  研究活動スタート支援

  0302:電気電子工学およびその関連分野

  京都大学

  三上 杏太

  自 2025年07月31日, 至 2027年03月31日, 交付

  炭化ケイ素;相補型MOS;集積回路;pチャネルMOSトランジスタ

  https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-25K23452/