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船戸 充

フナト ミツル

工学研究科 電子工学専攻量子機能工学講座 特定教授

船戸 充
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    Last Updated :2025/05/19

    基本情報

    学部兼担

    • 工学部
    • 工学部

    所属学協会

    • 応用物理学会

    学位

    • 工学修士(京都大学)
    • 博士（工学）(京都大学)

    出身大学院・研究科等

    • 京都大学, 大学院工学研究科修士課程電気工学専攻, 修了

    出身学校・専攻等

    • 京都大学, 工学部電気工学科, 卒業

    経歴

    • 自 2025年01月, 至 現在
      京都大学, 大学院工学研究科 電子工学専攻, 特定教授
    • 自 2007年09月, 至 2024年12月
      京都大学, 大学院工学研究科 電子工学専攻, 准教授

    使用言語

    • 英語

    ID,URL

    researchmap URL

    list
      Last Updated :2025/05/19

      研究

      研究テーマ・研究概要

      • 研究テーマ

        光材料の育成および評価

      • 研究概要

        窒化物半導体の結晶成長，およぶ物性評価，デバイス応用

      研究分野

      • ナノテク・材料, 結晶工学
      • ナノテク・材料, 応用物性

      論文

      • Electrical characterization of MOVPE-grown p-type GaN:Mg against annealing temperature
        Shizuo Fujita; Mitsuru Funato; Doo-Cheol Park; Yoshifumi Ikenaga; Shigeo Fujita
        Materials Research Society Symposium - Proceedings, 1999年
      • Correlated photoluminescence blinking phenomenon on InGaN/GaN nanopillar structures
        K. Oikawa; K. Okamoto; M. Funato; Y. Kawakami; R. Micheletto
        Applied Physics Letters, 2024年12月09日
      • Nanoscopic structural and optical investigations on blue InGaN single quantum wells serving as layers beneath efficient red active layers
        Zhaozong Zhang; Ryota Ishii; Kanako Shojiki; Mitsuru Funato; Kazuhiro Ohkawa; Daisuke Iida; Yoichi Kawakami
        Journal of Applied Physics, 2025年02月03日
        この論文にアクセスする：
      • ScAlMgO4 as a promising substrate for InGaN-based long wavelength emitters: demonstration of far-red LEDs
        Mitsuru Funato; Keita Maehara; Yoshinobu Matsuda; Takuya Ozaki; Yoichi Kawakami
        Gallium Nitride Materials and Devices XVIII, 2023年03月15日
      • 弱励起した高Al組成AlGaN/AlN量子井戸の局在励起子発光特性
        大音 隆男; 船戸 充; 川上 養一
        応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2012年02月29日
      • 「講演奨励賞受賞記念講演」電子線励起法によるAlGaN/AlN量子井戸からの高出力・高効率深紫外発光
        大音 隆男; 片岡 研; 船戸 充; 川上 養一
        応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2011年03月09日
      • 電子線励起法による高Al組成AlGaN/AlN量子井戸からの100 mW深紫外発光
        大音 隆男; 片岡 研; 船戸 充; 川上 養一
        応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2010年08月30日
      • Al0.79Ga0.21N/AlN量子井戸のフォトルミネッセンスの時間発展とMott転移付近の発光メカニズムの解析
        大音 隆男; 岩田 佳也; 金田 昭男; 船戸 充; 川上 養一
        応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2010年03月03日
      • High-efficiency green light emission from InGaN/GaN using localized surface plasmon resonance tuned by combination of Ag nanoparticles and dielectric thin film
        Y Kame; S Kaito; T Matsuyama; K Wada; M Funato; Y Kawakami; K Okamoto
        OPTICS EXPRESS, 2024年06月, 査読有り
      • An Approach Toward Broader Emission Bands in Semipolar InGaN Quantum Wells on Convex Lens‐Shaped GaN Microstructures via Lower‐Temperature Growth
        Shogo Fukushige; Yoshinobu Matsuda; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        physica status solidi (a), 2024年11月, 査読有り
      • Metal–Organic Vapor Phase Epitaxy of High‐Quality GaN on Al‐Pretreated Sapphire Substrates Without Using Low‐Temperature Buffer Layers
        Kodai Takemura; Takato Fukui; Yoshinobu Matsuda; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        physica status solidi (b), 2024年11月, 査読有り
      • Spontaneously Integrated Multicolor InGaN Micro‐Light‐Emitting Diodes for Spectrum‐Controllable Broadband Light Sources
        Yoshinobu Matsuda; Haruyoshi Miyawaki; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters, 2024年11月, 査読有り
      • Confinement of Excitons within GaN 1D Nanoarchitectures Formed on AlN Molecular Steps
        Mitsuru Funato; Hirotsugu Kobayashi; Yoichi Kawakami
        Advanced Optical Materials, 2024年04月, 査読有り
      • A review of three-dimensional structure-controlled InGaN quantum wells for efficient visible polychromatic light emitters
        Mitsuru Funato; Yoshinobu Matsuda; Yoichi Kawakami
        Semiconductor Science and Technology, 2024年01月01日, 査読有り
      • 自在制御された三次元構造に基づくInGaN系多色発光LED
        松田 祥伸; 船戸 充; 川上 養一
        日本結晶成長学会誌 Journal of the Japanese Association for Crystal Growth, 2024年, 査読有り
      • Anisotropic emission wavelength distribution of semipolar InGaN quantum wells on symmetric convex lens-shaped GaN microstructures
        Yoshinobu Matsuda; Atsushi Sakaki; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        Applied Physics Letters, 2023年12月11日, 査読有り
      • Flexible topographical design of light-emitting diodes realizing electrically controllable multi-wavelength spectra
        Y Matsuda; R Umemoto; M Funato; Y Kawakami
        SCIENTIFIC REPORTS, 2023年08月, 査読有り
      • Formation of ZnSe/GaAs heterovalent heterostructures by MOVPE
        Mitsuru Funato; Satoshi Aoki; Shizuo Fujita; Shigeo Fujita
        Materials Research Society Symposium - Proceedings, 1997年
      • Semipolar faceting for ingan-based polychromatic LEDs
        Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        CLEO: Applications and Technology, CLEO_AT 2013, 2013年
      • Raman spectra of cubic Zn1-xCdxS
        M. Ichimura; A. Usami; T. Wada; M. Funato; K. Ichino; Sz Fujita; Sg Fujita
        Physical Review B, 1992年
      • Correlative Micro‐Photoluminescence Study on Hybrid Quantum‐Well InGaN Red Light‐Emitting Diodes
        Zhaozong Zhang; Ryota Ishii; Kanako Shojiki; Mitsuru Funato; Daisuke Iida; Kazuhiro Ohkawa; Yoichi Kawakami
        physica status solidi (b), 2024年04月25日
      • Radiative and Nonradiative Recombination Processes in AlGaN Quantum Wells on Epitaxially Laterally Overgrown AlN/Sapphire from 10 to 500 K
        Ryota Ishii; Shiki Tanaka; Norman Susilo; Tim Wernicke; Michael Kneissl; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        physica status solidi (b), 2024年03月22日
      • Deep‐Ultraviolet Luminescence Properties of AlN
        Ryota Ishii; Akira Yoshikawa; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters, 2024年03月17日
      • GaN分子層量子井戸からの深紫外発光
        船戸 充; 川上 養一
        Optronics : 光技術コーディネートジャーナル, 2023年05月
      • Interface formation mechanism of GaN on Al-pretreated ScAlMgO4 (0001) substrates
        Takato Fukui; Yoshinobu Matsuda; Makoto Matsukura; Takahiro Kojima; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        Crystal Growth & Design, 2023年04月05日
      • Enhancement of the bandgap emission from GaN epilayer by surface plasmon resonance in the quadrupole oscillation mode using Ag nanoparticles protected by an oxide thin film
        Seiya Kaito; Tetsuya Matsuyama; Kenji Wada; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami; Koichi Okamoto
        Applied Physics Letters, 2023年04月10日, 査読有り
      • プラズモニクスに基づくIII-V族窒化物半導体の高効率緑色発光
        岡本 晃一; 船戸 充; 川上 養一
        レーザー研究, 2023年, 査読有り
      • Improved internal quantum efficiencies of far-UVC AlGaN/AlN quantum wells by the use of semipolar r-planes
        R. Akaike; M. Funato; Y. Kawakami
        Applied Physics Letters, 2023年03月27日
      • Temperature Dependent Exciton Dynamics in Al-rich AlGaN/AlN Quantum Wells Assessed by Cathodoluminescence Mapping Measurements
        Oto Takao; Iwata Yoshiya; Gachet David; Benameur Malik; Banal Ryan; Funato Mitsuru; Kawakami Yoichi
        JSAP Annual Meetings Extended Abstracts, 2014年03月03日
      • Co-existence of a few and sub μm inhomogeneity in Al-rich AlGaN/AlN quantum wells
        Iwata Yoshiya; Oto Takao; Gachet David; Benameur Malik; Banal Ryan; Funato Mitsuru; Kawakami Yoichi
        JSAP Annual Meetings Extended Abstracts, 2014年03月03日
      • 高Al組成AlGaN/AlN量子井戸における光学利得特性の井戸幅依存性
        大音 隆男; ライアン バナル; 船戸 充; 川上 養一
        応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2013年08月31日
      • 高Al組成AlGaN/AlN量子井戸における励起子局在の起源
        大音 隆男; ライアン バナル; 船戸 充; 川上 養一
        応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2013年03月11日
      • 高Al組成AlGaN/AlN量子井戸における発光メカニズムの励起密度依存性
        大音 隆男; 船戸 充; 川上 養一
        応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2012年08月27日
      • Revisiting the substitutional Mg acceptor binding energy of AlN
        Ryota Ishii; Akira Yoshikawa; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        Physical Review B, 2023年07月14日
      • InGaN-based LEDs on convex lens-shaped GaN arrays toward multiwavelength light emitters
        Yoshinobu Matsuda; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        Applied Physics Express, 2023年01月01日
      • Multiwavelength-emitting InGaN quantum wells on convex-lens-shaped GaN microstructures
        Yoshinobu Matsuda; Souta Funato; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        Applied Physics Express, 2022年10月01日
      • Metalorganic vapor phase epitaxy of GaN on 2 inch ScAlMgO4 (0001) substrates
        Takato Fukui; Taro Sakaguchi; Yoshinobu Matsuda; Makoto Matsukura; Takahiro Kojima; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        Japanese Journal of Applied Physics, 2022年09月01日
      • Approaches to highly efficient UV emitters based on AlGaN quantum wells
        Shuhei Ichikawa; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering, 2016年, 査読有り, 招待有り
      • Optical Anisotropy and Photopumped Lasing near 250 nm from Semipolar (11¯02) Al x Ga 1−x N / AlN Quantum Wells with Cleaved Mirrors
        Shuhei Ichikawa; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        Physical Review Applied, 2022年10月03日, 査読有り
      • Picosecond-laser-excited photoluminescence study of AlGaN quantum wells on epitaxially laterally overgrown AlN/sapphire under selective and non-selective excitation conditions
        Shiki Tanaka; Ryota Ishii; Norman Susilo; Tim Wernicke; Michael Kneissl; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        Japanese Journal of Applied Physics, 2022年11月01日
      • Stimulated emission mechanism of aluminum nitride
        Ryota Ishii; Toru Nagashima; Reo Yamamoto; Tatsuya Hitomi; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        Physical Review B, 2022年05月27日, 査読有り
      • Singularity structures for sub-250 nm emissions from AlGaN-based semiconductors
        Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        Japanese Journal of Applied Physics, 2021年12月01日
      • アルミニウムを用いた表面プラズモンによるInGaN系量子井戸の発光増強
        立石 和隆; Xiaoying Xu; 船戸 充; 川上 養一; 岡本 晃一; 玉田 薫
        表面科学学術講演会要旨集, 2012年
      • Optical anisotropy of (11 2¯3) semipolar InGaN quantum wells homoepitaxially grown on GaN substrates
        Mitsuru Funato; Yoshinobu Matsuda; Keito Mori-Tamamura; Atsushi A. Yamaguchi; Hiroki Goto; Yasunobu Sumida; Yujiro Ishihara; Yoichi Kawakami
        Journal of Applied Physics, 2022年02月21日
      • Structural and emission improvement of cyan-emitting InGaN quantum wells by introducing a large substrate misorientation angle
        A. Kafar; A. Sakaki; R. Ishii; K. Shojiki; S. Stanczyk; K. Gibasiewicz; G. Staszczak; L. Marona; D. Schiavon; S. Grzanka; S. Krukowski; T. Suski; P. Perlin; M. Funato; Y. Kawakami
        Optical Materials Express, 2022年01月01日
      • <大学の研究・動向> 新しい光材料と機能の探索 : IT時代へのseedsをめざして
        藤田 茂夫; 藤田 静雄; 川上 養一; 船戸 充
        Cue : 京都大学電気関係教室技術情報誌, 2000年12月
        この論文にアクセスする：
      • Samarium-doped red phosphor for InGaN-based optical device pumping
        H Saito; T Morioka; O Kawasaki; T Yuasa; M Taneya; S Tanabe; Y Kawakami; M Funato; S Fujita; M Harada
        Shapu Giho/Sharp Technical Journal, 2005年, 査読有り
      • Critical layer thickness of wurtzite heterostructures with arbitrary pairs of growth planes and slip systems
        Shuhei Ichikawa; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2021年08月, 査読有り
      • Impact of the positive electron–hole exchange interaction constant on the binding energy of neutral donor bound excitons in AlN
        Ryota Ishii; Akira Yoshikawa; Hirotsugu Kobayashi; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        Japanese Journal of Applied Physics, 2021年08月01日
      • Microscopic origin of thermal droop in blue-emitting InGaN/GaN quantum wells studied by temperature-dependent microphotoluminescence spectroscopy
        Ryota Ishii; Yuji Koyama; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        Optics Express, 2021年07月19日
      • Growth evolution of polar-plane-free faceted GaN structures on (1122) and (1122) GaN substrates
        Yoshinobu Matsuda; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2021年04月, 査読有り
      • Enhanced nonradiative recombination in AlxGa1−xN-based quantum wells thinner than the critical layer thickness determined by X-ray diffraction
        Shuhei Ichikawa; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        Applied Physics Express, 2021年03月
      • Bias-dependent time-resolved photoluminescence spectroscopy on 265 nm AlGaN-based LEDs on AlN substrates
        Ryota Ishii; Akira Yoshikawa; Kazuhiro Nagase; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        Japanese Journal of Applied Physics, 2021年02月01日
      • Influence of substrate misorientation on emission and waveguiding properties of blue (In,Al,Ga)N laser-like structure studied by synchrotron radiation microbeam X-ray diffraction
        Anna Kafar; Atsushi Sakaki; Ryota Ishii; Szymon Stanczyk; Krzysztof Gibasiewicz; Yoshinobu Matsuda; Dario Schiavon; Szymon Grzanka; Tadek Suski; Piotr Perlin; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        Photonics Research, 2021年01月05日
      • The 2020 UV emitter roadmap
        Hiroshi Amano; Ramón Collazo; Carlo De Santi; Sven Einfeldt; Mitsuru Funato; Johannes Glaab; Sylvia Hagedorn; Akira Hirano; Hideki Hirayama; Ryota Ishii; Yukio Kashima; Yoichi Kawakami; Ronny Kirste; Michael Kneissl; Robert Martin; Frank Mehnke; Matteo Meneghini; Abdallah Ougazzaden; Peter J Parbrook; Siddharth Rajan; Pramod Reddy; Friedhard Römer; Jan Ruschel; Biplab Sarkar; Ferdinand Scholz; Leo J Schowalter; Philip Shields; Zlatko Sitar; Luca Sulmoni; Tao Wang; Tim Wernicke; Markus Weyers; Bernd Witzigmann; Yuh-Renn Wu; Thomas Wunderer; Yuewei Zhang
        Journal of Physics D: Applied Physics, 2020年12月09日
      • Doping and fabrication of polar-plane-free faceted InGaN LEDs with polychromatic emission properties on (1¯1¯22¯) semipolar planes
        Yoshinobu Matsuda; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        Journal of Applied Physics, 2020年12月07日, 査読有り
      • Temperature-dependent electroluminescence study on 265-nm AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes grown on AlN substrates
        Ryota Ishii; Akira Yoshikawa; Kazuhiro Nagase; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        AIP Advances, 2020年12月01日
      • Long-range electron-hole exchange interaction in aluminum nitride
        Ryota Ishii; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        Physical Review B, 2020年10月12日
      • 265 nm AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes grown on AlN substrates studied by photoluminescence spectroscopy under ideal pulsed selective and non-selective excitation conditions
        Ryota Ishii; Akira Yoshikawa; Kazuhiro Nagase; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        Applied Physics Express, 2020年10月01日
      • Deposition of carbon-containing hole injection layers on p-type Al0.8Ga0.2N grown by metalorganic vapor phase epitaxy
        Katsuhiro Kishimoto; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        Applied Physics Letters, 2020年08月10日, 査読有り
      • Above 25 nm emission wavelength shift in blue-violet InGaN quantum wells induced by GaN substrate misorientation profiling: towards broad-band superluminescent diodes
        A. Kafar; R. Ishii; K. Gibasiewicz; Y. Matsuda; S. Stanczyk; D. Schiavon; S. Grzanka; M. Tano; A. Sakaki; T. Suski; P. Perlin; M. Funato; Y. Kawakami
        Optics Express, 2020年07月20日
      • Lattice relaxation in semipolar Al x Ga1−x N grown on (11̅02) AlN substrates
        Ryota Akaike; Shuhei Ichikawa; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        Applied Physics Express, 2020年06月01日, 査読有り
      • Broadband Ultraviolet Emission from 2D Arrays of AlGaN Microstructures Grown on the Patterned AlN Templates
        Ken Kataoka; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        physica status solidi (a), 2020年04月, 査読有り
      • Control of p-type conductivity at AlN surfaces by carbon doping
        Katsuhiro Kishimoto; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        Applied Physics Express, 2020年01月01日, 査読有り
      • Impact of face-to-face annealed sputtered AlN on the optical properties of AlGaN multiple quantum wells
        Kanako Shojiki; Ryota Ishii; Kenjiro Uesugi; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami; Hideto Miyake
        AIP Advances, 2019年12月, 査読有り
      • Intrinsic exciton transitions of isotopically purified 13C studied by photoluminescence and transmission spectroscopy
        Ryota Ishii; Shinichi Shikata; Tokuyuki Teraji; Hisao Kanda; Hideyuki Watanabe; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        Japanese Jounral of Applied Physics, 2019年12月, 査読有り
      • 微傾斜AlN(0001)面上へのGaN極薄膜量子井戸の作製と光学特性 (電子部品・材料)
        船戸 充; 小林 敬嗣; 川上 養一
        電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 2019年11月
      • Self-Limiting Growth of Ultrathin GaN/AlN Quantum Wells for Highly Efficient Deep Ultraviolet Emitters
        Hirotsugu Kobayashi; Shuhei Ichikawa; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        Advanced Optical Materials, 2019年11月01日, 査読有り
      • Metalorganic vapor phase epitaxy of pit-free AlN homoepitaxial films on various semipolar substrates
        Shuhei Ichikawa; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        Journal of Crystal Growth, 2019年09月15日, 査読有り
      • Pushing the limits of deep-ultraviolet scanning near-field optical microscopy
        Ryota Ishii; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        APL Photonics, 2019年07月, 査読有り
      • Micro-photoluminescence mapping of surface plasmon-coupled emission from InGaN/GaN quantum wells
        Koichi Okamoto; Kazutaka Tateishi; Kaoru Tamada; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2019年06月, 査読有り
      • Micro-photoluminescence mapping of light emissions from aluminum-coated InGaN/GaN quantum wells
        Kazutaka Tateishi; Pangpang Wang; Sou Ryuzaki; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami; Koichi Okamoto; Kaoru Tamada
        APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2019年05月, 査読有り
      • Impact of microscopic In fluctuations on the optical properties of InxGa1-xN blue light-emitting diodes assessed by low-energy X-ray fluorescence mapping using synchrotron radiation
        Atsushi Sakaki; Mitsuru Funato; Munehiko Miyano; Toshiyuki Okazaki; Yoichi Kawakami
        Scientific Reports, 2019年12月, 査読有り
        この論文にアクセスする：
      • AlxGa1−xN-Based Quantum Wells Fabricated on Macrosteps Effectively Suppressing Nonradiative Recombination
        Minehiro Hayakawa; Shuhei Ichikawa; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        Advanced Optical Materials, 2019年01月18日, 査読有り
      • Isotopic effects on phonons and excitons in diamond studied by deep-ultraviolet continuous-wave photoluminescence spectroscopy
        Ryota Ishii; Shinichi Shikata; Tokuyuki Teraji; Hisao Kanda; Hideyuki Watanabe; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2019年01月, 査読有り
      • Red-emitting In x Ga1−x N/In y Ga1−y N quantum wells grown on lattice-matched In y Ga1−y N/ScAlMgO4(0001) templates
        Takuya Ozaki; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        Applied Physics Express, 2019年01月01日, 査読有り
      • Deep-ultraviolet near band-edge emissions from nano-polycrystalline diamond
        Ryota Ishii; Rei Fukuta; Fumitaro Ishikawa; Masafumi Matsushita; Hiroaki Ohfuji; Toru Shinmei; Tetsuo Irifune; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        High Pressure Research, 2019年01月01日
      • Dominant Nonradiative Recombination Paths and Their Activation Processes in AlxGa1-x N -related Materials
        Shuhei Ichikawa; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        Physical Review Applied, 2018年12月11日, 査読有り
      • GaN/AlN極薄膜量子井戸の作製と偏光特性 (電子部品・材料)
        船戸 充; 市川 修平; 川上 養一
        電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 2018年11月
      • Growth Mechanism of Polar-Plane-Free Faceted InGaN Quantum Wells
        Yoshinobu MATSUDA; Mitsuru FUNATO; Yoichi KAWAKAMI
        IEICE Transactions on Electronics, 2018年07月01日, 査読有り
      • AlxGa1-xN-based semipolar deep ultraviolet light-emitting diodes
        Ryota Akaike; Shuhei Ichikawa; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        Applied Physics Express, 2018年06月, 査読有り
      • Synchrotron radiation microbeam X-ray diffraction for nondestructive assessments of local structural properties of faceted InGaN/GaN quantum wells
        Atsushi Sakaki; Mitsuru Funato; Tomoaki Kawamura; Jun Araki; Yoichi Kawakami
        Applied Physics Express, 2018年03月01日, 査読有り
      • 表面プラズモン共鳴によるInGaN/GaN多重量子井戸の発光増強 (レーザー計測とその応用)
        村尾 文弥; 中村 俊樹; 松山 哲也; 和田 健司; 船戸 充; 川上 養一; 岡本 晃一
        レーザー学会研究会報告 = Reports the on topical meeting of the Laser Society of Japan, 2018年01月, 査読有り
      • <大学の研究・動向>近接場光学顕微鏡の開発 : 光材料物性解明のためのツール開拓を目指して
        川上 養一; 船戸 充; 石井 良太
        Cue : 京都大学電気関係教室技術情報誌, 2018年01月
        この論文にアクセスする：
      • 超ワイドバンドギャップ半導体AlNにおける励起子再結合過程の同定
        船戸 充; 市川 修平; 川上 養一
        京都大学物性科学センター誌 : LTMセンター誌, 2018年01月, 査読有り
      • Development of polychromatic ultraviolet light-emitting diodes based on three-dimensional AlGaN quantum wells
        Ken Kataoka; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        Applied Physics Express, 2017年12月01日, 査読有り
      • Micro-photoluminescence mapping of surface plasmon enhanced light emissions from InGaN/GaN quantum wells
        Kazutaka Tateishi; Pangpang Wang; Sou Ryuzaki; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami; Koichi Okamoto; Kaoru Tamada
        APPLIED PHYSICS LETTERS, 2017年10月, 査読有り
      • Origin of temperature-induced luminescence peak shifts from semipolar (11(2)over-bar2) InxGa1-xN quantum wells
        Takuya Ozaki; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        PHYSICAL REVIEW B, 2017年09月, 査読有り
      • High-efficiency light emission by means of exciton-surface-plasmon coupling
        Koichi Okamoto; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami; Kaoru Tamada
        JOURNAL OF PHOTOCHEMISTRY AND PHOTOBIOLOGY C-PHOTOCHEMISTRY REVIEWS, 2017年09月, 査読有り
      • Polychromatic emission from polar-plane-free faceted InGaN quantum wells with high radiative recombination probabilities
        Yoshinobu Matsuda; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2017年07月, 査読有り
      • Effects of Al and N-2 Flow Sequences on the Interface Formation of AlN on Sapphire by EVPE
        Katsuhiro Kishimoto; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        CRYSTALS, 2017年05月, 査読有り
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      • Deep-ultraviolet polychromatic emission from three-dimensionally structured AlGaN quantum wells
        Ken Kataoka; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2017年03月, 査読有り
      • Heteroepitaxy mechanisms of AlN on nitridated c- and a-plane sapphire substrates
        Mitsuru Funato; Mami Shibaoka; Yoichi Kawakami
        JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2017年02月, 査読有り
      • マクロステップ上AlGaN量子細線の光学特性
        早川 峰洋; 林 佑樹; 長瀬 勇樹; 市川 修平; 熊本 恭介; 柴岡 真美; 船戸 充; 川上 養一
        電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 2017年11月
      • Plasmonics toward high efficiency LEDs from the visible to the deep UV region
        K. Okamoto; M. Funato; Y. Kawakami; N. Okada; K. Tadatomo; K. Tomada
        LIGHT-EMITTING DIODES: MATERIALS, DEVICES, AND APPLICATIONS FOR SOLID STATE LIGHTING XXI, 2017年, 査読有り
      • Design of Al-rich AlGaN quantum well structures for efficient UV emitters
        Mitsuru Funato; Shuhei Ichikawa; Kyosuke Kumamoto; Yoichi Kawakami
        GALLIUM NITRIDE MATERIALS AND DEVICES XII, 2017年, 査読有り, 招待有り
      • Control of Crystal Morphologies and Interface Structures of AlN Grown on Sapphire by Elementary Source Vapor Phase Epitaxy
        PeiTsen Wu; Katsuhiro Kishimoto; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        CRYSTAL GROWTH & DESIGN, 2016年11月, 査読有り
      • Impact of Radiative and Nonradiative Recombination Processes on the Efficiency-Droop Phenomenon in InxGa1-xN Single Quantum Wells Studied by Scanning Near-Field Optical Microscopy
        Yoichi Kawakami; Akio Kaneta; Akira Hashiya; Mitsuru Funato
        PHYSICAL REVIEW APPLIED, 2016年10月, 査読有り
      • Control of GaN facet structures through Eu doping toward achieving semipolar {1(1)over-bar01} and {2(2)over-bar01} InGaN/GaN quantum wells
        Takanori Kojima; Shota Takano; Ryosuke Hasegawa; Dolf Timmerman; Atsushi Koizumi; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami; Yasufumi Fujiwara
        APPLIED PHYSICS LETTERS, 2016年10月, 査読有り
      • Evaluating the well-to-well distribution of radiative recombination rates in semi-polar (11(2)over-bar2) InGaN multiple-quantum-well light-emitting diodes
        Mitsuru Funato; Kohei Matsufuji; Yoichi Kawakami
        APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2016年07月, 査読有り
      • Approaches to highly efficient UV emitters based on AlGaN quantum wells
        S. Ichikawa; M. Funato; Y. Kawakami
        Proc. of SPIE, 2016年02月, 査読有り, 招待有り
      • Highly efficient UV emission with semipolar quantum wells
        S. Ichikawa; M. Funato; Y. Kawakami
        SPIE Newsroom Lasers & Sources, 2016年02月
      • InGaN/AlGaN stress compensated superlattices coherently grown on semipolar (11(2)over-bar2) GaN substrates
        Junichi Nishinaka; Mitsuru Funato; Ryohei Kido; Yoichi Kawakami
        PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, 2016年01月, 査読有り
      • 近接場光学顕微鏡によるInGaN可視発光素子の時空間分解分光 (高時空間分解能の実現に向けた光計測技術)
        船戸 充; 川上 養一
        光学 = Japanese journal of optics : publication of the Optical Society of Japan, 2016年01月, 査読有り
      • 極性面フリーなInGaNマルチファセット構造を用いた多波長発光の実現
        松田 祥伸; 船戸 充; 川上 養一
        電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 2016年12月
      • クリーンプロセスによるAlNバルク結晶の成長
        岸元 克浩; 呉 珮岑; 船戸 充; 川上 養一
        電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 2016年12月
      • Environmentally friendly method to grow wide-bandgap semiconductor aluminum nitride crystals: Elementary source vapor phase epitaxy
        PeiTsen Wu; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        SCIENTIFIC REPORTS, 2015年11月, 査読有り
        この論文にアクセスする：
      • Screw dislocation-induced growth spirals as emissive exciton localization centers in Al-rich AlGaN/AlN quantum wells
        Mitsuru Funato; Ryan G. Banal; Yoichi Kawakami
        AIP ADVANCES, 2015年11月, 査読有り
        この論文にアクセスする：
      • InGaN-based visible light-emitting diodes on ScAlMgO4(0001) substrates
        Takuya Ozaki; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2015年06月, 査読有り
      • Highly enhanced green emission from InGaN quantum wells due to surface plasmon resonance on aluminum films
        Kazutaka Tateishi; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami; Koichi Okamoto; Kaoru Tamada
        APPLIED PHYSICS LETTERS, 2015年03月, 査読有り
      • Quantification of the internal quantum efficiency in GaN via analysis of the heat generated by non-radiative recombination processes
        Yoichi Kawakami; Kohei Inoue; Akio Kaneta; Koichi Okamoto; Mitsuru Funato
        JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2015年03月, 査読有り
      • Co-existence of a few and sub micron inhomogeneities in Al-rich AlGaN/AlN quantum wells
        Yoshiya Iwata; Takao Oto; David Gachet; Ryan G. Banal; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2015年03月, 査読有り
      • Markedly distinct growth characteristics of semipolar (11(2)over-bar2) and ((1)over-bar(1)over-bar2(2)over-bar) InGaN epitaxial layers
        Junichi Nishinaka; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        APPLIED PHYSICS LETTERS, 2015年02月, 査読有り
      • Emission mechanisms in Al-rich AlGaN/AlN quantum wells assessed by excitation power dependent photoluminescence spectroscopy
        Yoshiya Iwata; Ryan G. Banal; Shuhei Ichikawa; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2015年02月, 査読有り
      • 2探針近接場分光技術の開発 (「新たな展開を見せるプラズモン・ナノフォトニクス」特集号)
        川上 養一; 金田 昭男; 船戸 充
        レーザー研究 = The review of laser engineering : レーザー学会誌, 2015年01月, 査読有り
      • 多波長励起発光分離法を用いたInGaN薄膜のラマン散乱分光 (電子部品・材料)
        石戸 亮祐; 石井 良太; 船戸 充; 川上 養一
        電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 2015年01月
      • Semi/non-polar nitride quantum wells for high-efficient light emitters
        Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        GALLIUM NITRIDE MATERIALS AND DEVICES X, 2015年, 査読有り
      • 多波長励起発光分離法を用いたInGaN薄膜のラマン散乱分光 (レーザ・量子エレクトロニクス)
        石戸 亮祐; 石井 良太; 船戸 充
        電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 2015年01月
      • Effects of strong electron-hole exchange and exciton-phonon interactions on the exciton binding energy of aluminum nitride
        Ryota Ishii; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014年09月, 査読有り
      • Metalorganic vapor phase epitaxy of GaN and lattice-matched InGaN on ScAlMgO4(0001) substrates
        Takuya Ozaki; Yoshinori Takagi; Junichi Nishinaka; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2014年09月, 査読有り
      • High quality semipolar (1(1)over-bar02) AlGaN/AlN quantum wells with remarkably enhanced optical transition probabilities
        S. Ichikawa; Y. Iwata; M. Funato; S. Nagata; Y. Kawakami
        APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014年06月, 査読有り
      • Optical gain characteristics in Al-rich AlGaN/AlN quantum wells
        Takao Oto; Ryan G. Banal; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014年05月, 査読有り
      • Bistable nanofacet structures on vicinal AlN(0001) surfaces
        Mitsuru Funato; Yuki Hayashi; Yoichi Kawakami
        JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014年03月, 査読有り
      • AlGaN系量子井戸の深紫外光物性と電子線励起発光への応用 (特集 深紫外LED高効率化への新たな展開)
        船戸 充; 川上 養一
        オプトロニクス, 2014年02月
      • 格子整合系ScAlMgO?基板上でのGaN系窒化物半導体の結晶成長 (電子部品・材料)
        尾崎 拓也; 船戸 充; 川上 養一
        電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 2014年01月
      • (Al, Ga)N系半導体の物性予測に向けたGaNとAlNの物性定数の同定(<特集>固体紫外光源を目指した窒化物半導体結晶成長の最前線)
        石井 良太; 船戸 充; 川上 養一
        日本結晶成長学会誌, 2014年01月, 査読有り
      • 格子整合系ScAlMgO_4基板上でのGaN系窒化物半導体の結晶成長(窒化物半導体光・電子デバイス,材料,関連技術,及び一般)
        尾崎 拓也; 船戸 充; 川上 養一
        電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス, 2014年01月
      • Multi-wavelength light emission from three-dimensional AlGaN quantum wells fabricated on facet structures
        Ken Kataoka; Masanori Yamaguchi; Kensuke Fukushima; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        GALLIUM NITRIDE MATERIALS AND DEVICES IX, 2014年, 査読有り
      • Optical Gain Spectra of a (0001) InGaN Green Laser Diode
        Mitsuru Funato; Yoon Seok Kim; Yoshiaki Ochi; Akio Kaneta; Yoichi Kawakami; Takashi Miyoshi; Shin-ichi Nagahama
        APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2013年12月, 査読有り
      • Remarkably Suppressed Luminescence Inhomogeneity in a (0001) InGaN Green Laser Structure
        Mitsuru Funato; Yoon Seok Kim; Takayuki Hira; Akio Kaneta; Yoichi Kawakami; Takashi Miyoshi; Shin-ichi Nagahama
        APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2013年11月, 査読有り
      • Crack-free thick AlN films obtained by NH3 nitridation of sapphire substrates
        Ryan G. Banal; Yosuke Akashi; Kazuhisa Matsuda; Yuki Hayashi; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        Japanese Journal of Applied Physics, 2013年08月, 査読有り
      • Complete set of deformation potentials for AlN determined by reflectance spectroscopy under uniaxial stress
        Ryota Ishii; Akio Kaneta; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        PHYSICAL REVIEW B, 2013年06月, 査読有り
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      • Optical Properties of Highly Strained AlN Coherently Grown on 6H-SiC(0001)
        Mitsuaki Kaneko; Hironori Okumura; Ryota Ishii; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami; Tsunenobu Kimoto; Jun Suda
        APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2013年06月, 査読有り
      • Two-photon absorption induced anti-Stokes emission in single InGaN/GAN quantum-dot-like objects
        R. Bardoux; M. Funato; A. Kaneta; Y. Kawakami; A. Kikuchi; K. Kishino
        PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS, 2013年05月, 査読有り
      • Heteroepitaxy between wurtzite and corundum materials
        Yuki Hayashi; Ryan G. Banal; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2013年05月, 査読有り
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      • Huge electron-hole exchange interaction in aluminum nitride
        Ryota Ishii; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        PHYSICAL REVIEW B, 2013年04月, 査読有り
        この論文にアクセスする：
      • Grain size dependence of surface plasmon enhanced photoluminescence
        Xiaoying Xu; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami; Koichi Okamoto; Kaoru Tamada
        Optics Express, 2013年02月11日, 査読有り
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      • Strong optical polarization in nonpolar (1(1)over-bar00) AlxGa1-xN/AlN quantum wells
        Mitsuru Funato; Kazuhisa Matsuda; Ryan G. Banal; Ryota Ishii; Yoichi Kawakami
        PHYSICAL REVIEW B, 2013年01月, 査読有り
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      • Complex strain distribution in individual facetted InGaN/GaN nano-columnar heterostructures
        Richard Bardoux; Mitsuru Funato; Akio Kaneta; Yoichi Kawakami; Akihiko Kikuchi; Katsumi Kishino
        OPTICAL MATERIALS EXPRESS, 2012年12月, 査読有り
      • Nanoscopic Photoluminescence Properties of a Green-Emitting InGaN Single Quantum Well on a {20(2)over-bar1} GaN Substrate Probed by Scanning Near-Field Optical Microscopy
        Akio Kaneta; Yoon-Seok Kim; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami; Yohei Enya; Takashi Kyono; Masaki Ueno; Takao Nakamura
        APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2012年10月, 査読有り
      • Homoepitaxy and Photoluminescence Properties of (0001) AlN
        Mitsuru Funato; Kazuhisa Matsuda; Ryan G. Banal; Ryota Ishii; Yoichi Kawakami
        APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2012年08月, 査読有り
      • Anisotropic lattice relaxation in non-c-plane InGaN/GaN multiple quantum wells
        Junichi Nishinaka; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2012年08月, 査読有り
        この論文にアクセスする：
      • Instrumentation for dual-probe scanning near-field optical microscopy
        A. Kaneta; R. Fujimoto; T. Hashimoto; K. Nishimura; M. Funato; Y. Kawakami
        REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS, 2012年08月, 査読有り
        この論文にアクセスする：
      • Interference of the surface plasmon polaritons with an Ag waveguide probed by dual-probe scanning near-field optical microscopy
        R. Fujimoto; A. Kaneta; K. Okamoto; M. Funato; Y. Kawakami
        APPLIED SURFACE SCIENCE, 2012年07月, 査読有り
        この論文にアクセスする：
      • Semipolar {n(n)over-bar01} InGaN/GaN ridge quantum wells (n=1-3) fabricated by a regrowth technique
        Mitsuru Funato; Teruhisa Kotani; Takeshi Kondou; Yoichi Kawakami
        APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012年04月, 査読有り
        この論文にアクセスする：
      • Unambiguous relationship between photoluminescence energy and its pressure evolution in InGaN/GaN quantum wells
        T. Suski; G. Staszczak; S. P. Lepkowski; P. Perlin; R. Czernecki; I. Grzegory; M. Funato; Y. Kawakami
        PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, 2012年03月, 査読有り
      • 蛍光体フリー多色LED : テイラーメイド光源の実現に向けて (特集 LEDと照明)
        船戸 充; 川上 養一
        ディスプレイ, 2012年01月
      • 窒化アルミニウムの電子状態に対する歪みの効果
        石井 良太; 金田 昭男; バナル ライアン; 船戸 充; 川上 養一
        電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料, 2011年11月
      • Impact of nonpolar AlGaN quantum wells on deep ultraviolet laser diodes
        K. Kojima; A. A. Yamaguchi; M. Funato; Y. Kawakami; S. Noda
        JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2011年08月, 査読有り
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      • Different behavior of semipolar and polar InGaN/GaN quantum wells: Pressure studies of photoluminescence
        G. Staszczak; T. Suski; A. Khachapuridze; P. Perlin; M. Funato; Y. Kawakami
        PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2011年07月, 査読有り
      • Extremely high internal quantum efficiencies from AlGaN/AlN quantum wells emitting in the deep ultraviolet spectral region
        Ryan G. Banal; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011年07月, 査読有り
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      • Micromirror arrays to assess luminescent nano-objects
        Yoichi Kawakami; Akinobu Kanai; Akio Kaneta; Mitsuru Funato; Akihiko Kikuchi; Katsumi Kishino
        REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS, 2011年05月, 査読有り
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      • Single mode emission and non-stochastic laser system based on disordered point-sized structures: toward a tuneable random laser
        R. Bardoux; A. Kaneta; M. Funato; K. Okamoto; Y. Kawakami; A. Kikuchi; K. Kishino
        OPTICS EXPRESS, 2011年05月, 査読有り
      • Optical Gain Spectroscopy of a Semipolar {20(2)over-bar1}-Oriented Green InGaN Laser Diode
        Yoon Seok Kim; Akio Kaneta; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami; Takashi Kyono; Masaki Ueno; Takao Nakamura
        APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2011年05月, 査読有り
      • Time-resolved photoluminescence of Al-rich AlGaN/AlN quantum wells under selective excitation
        Yoshiya Iwata; Takao Oto; Akio Kaneta; Ryan G. Banal; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 8, NO 7-8, 2011年, 査読有り
      • 100 mW deep-ultraviolet emission from aluminium-nitride-based quantum wells pumped by an electron beam
        Takao Oto; Ryan G. Banal; Ken Kataoka; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        NATURE PHOTONICS, 2010年11月, 査読有り
        この論文にアクセスする：
      • 空間時間分解PLによるInGaN/GaN単一量子井戸のキャリア拡散ダイナミクスの評価 : SNOMによるEfficiency droop機構の解明(窒化物及び混晶半導体デバイス)
        橋谷 享; 金田 昭男; 船戸 充; 川上 養一
        電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス, 2010年11月
      • 電子線励起したAlGaN/AlN量子井戸からの100mW深紫外発光(窒化物及び混晶半導体デバイス)
        大音 隆男; Banal Ryan G; 片岡 研; 船戸 充; 川上 養一
        電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス, 2010年11月
      • <高校生のページ>固体照明が拓く明るい世界
        川上 養一; 船戸 充
        Cue : 京都大学電気関係教室技術情報誌, 2010年09月
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      • Gain Anisotropy Analysis in Green Semipolar InGaN Quantum Wells with Inhomogeneous Broadening
        Kazunobu Kojima; Atsushi A. Yamaguchi; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami; Susumu Noda
        JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010年08月, 査読有り
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      • Valence band effective mass of non-c-plane nitride heterostructures
        K. Kojima; M. Funato; Y. Kawakami; S. Noda
        Journal of Applied Physics, 2010年06月15日, 査読有り
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      • Strain states in semipolar III-nitride semiconductor quantum wells
        M. Funato; D. Inoue; M. Ueda; Y. Kawakami; Y. Narukawa; T. Mukai
        JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010年06月, 査読有り
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      • Valence band effective mass of non-c-plane nitride heterostructures
        K. Kojima; M. Funato; Y. Kawakami; S. Noda
        JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010年06月, 査読有り
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      • Strain relaxation effect by nanotexturing InGaN/GaN multiple quantum well
        V. Ramesh; A. Kikuchi; K. Kishino; M. Funato; Y. Kawakami
        JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010年06月, 査読有り
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      • Strain-Induced Effects on the Electronic Band Structures in GaN/AlGaN Quantum Wells: Impact of Breakdown of the Quasicubic Approximation in GaN
        Ryota Ishii; Akio Kaneta; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010年06月, 査読有り
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      • All deformation potentials in GaN determined by reflectance spectroscopy under uniaxial stress: Definite breakdown of the quasicubic approximation
        Ryota Ishii; Akio Kaneta; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami; Atsushi A. Yamaguchi
        PHYSICAL REVIEW B, 2010年04月, 査読有り
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      • Optical properties of InGaN/GaN nanopillars fabricated by postgrowth chemically assisted ion beam etching
        Y. Kawakami; A. Kaneta; L. Su; Y. Zhu; K. Okamoto; M. Funato; A. Kikuchi; K. Kishino
        JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010年01月, 査読有り
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      • Experimental and Theoretical Considerations of Polarization Field Direction in Semipolar InGaN/GaN Quantum Wells
        Mitsuru Funato; Masaya Ueda; Daisuke Inoue; Yoichi Kawakami; Yukio Narukawa; Takashi Mukai
        APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2010年, 査読有り
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      • Characteristics of high Al-content AlGaN/AlN quantum wells fabricated by modified migration enhanced epitaxy
        Ryan G. Banal; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 7, NO 7-8, 2010年, 査読有り
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      • Deep ultraviolet emission mechanisms in highly excited Al0.79Ga0.21N/AlN quantum wells
        Takao Oto; Ryan G. Banal; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 7, NO 7-8, 2010年, 査読有り
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      • Visualization of the Local Carrier Dynamics in an InGaN Quantum Well Using Dual-Probe Scanning Near-Field Optical Microscopy
        Akio Kaneta; Tsuneaki Hashimoto; Katsuhito Nishimura; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2010年, 査読有り
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      • Impact of Nonpolar Plane for Deep Ultraviolet Laser Diodes Based on AlGaN/AlN Quantum Wells
        K. Kojima; A. A. Yamaguchi; M. Funato; Y. Kawakami; S. Noda
        22ND IEEE INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR LASER CONFERENCE, 2010年
      • Weak Carrier/Exciton Localization in InGaN Quantum Wells for Green Laser Diodes Fabricated on Semi-Polar {20(2)over-bar1} GaN Substrates
        Mitsuru Funato; Akio Kaneta; Yoichi Kawakami; Yohei Enya; Koji Nishizuka; Masaki Ueno; Takao Nakamura
        APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2010年, 査読有り
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      • Optical Anisotropy Control of Non-c-plane InGaN Quantum Wells
        Kazunobu Kojima; Hiroaki Kamon; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009年08月, 査読有り
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      • Growth characteristics of AlN on sapphire substrates by modified migration-enhanced epitaxy
        Ryan G. Banal; Mitsuru Funato; Ybichi Kawakami
        JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2009年05月, 査読有り
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      • Semipolar III Nitride Semiconductors: Crystal Growth, Device Fabrication, and Optical Anisotropy
        Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        MRS BULLETIN, 2009年05月, 査読有り
      • Positive binding energy of a biexciton confined in a localization center formed in a single InxGa1-xN/GaN quantum disk
        R. Bardoux; A. Kaneta; M. Funato; Y. Kawakami; A. Kikuchi; K. Kishino
        PHYSICAL REVIEW B, 2009年04月, 査読有り
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      • Optical anisotropy in [0001]-oriented AlxGa1-xN/AlN quantum wells (x > 0.69)
        R. G. Banal; M. Funato; Y. Kawakami
        PHYSICAL REVIEW B, 2009年03月, 査読有り
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      • Surface diffusion during metalorganic vapor phase epitaxy of AlN
        Ryan G. Banal; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 6, NO 2, 2009年, 査読有り
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      • Surface diffusion during metalorganic vapor phase epitaxy of AlN
        Ryan G. Banal; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, 2009年, 査読有り
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      • Polarization switching phenomena in semipolar InxGa1-xN/GaN quantum well active layers
        M. Ueda; M. Funato; K. Kojima; Y. Kawakami; Y. Narukawa; T. Mukai
        PHYSICAL REVIEW B, 2008年12月, 査読有り
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      • Semipolar InGaN/GaN Quantum Wells for Highly Functional Light Emitters
        Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami; Yukio Narukawa; Takashi Mukai
        Nitrides with Nonpolar Surfaces: Growth, Properties, and Devices, 2008年09月16日, 査読有り
      • Nanoscopic recombination processes in InGaN/GaN quantum wells emitting violet, blue, and green spectra
        A. Kaneta; M. Funato; Y. Kawakami
        PHYSICAL REVIEW B, 2008年09月, 査読有り
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      • Emission color tunable light-emitting diodes composed of InGaN multifacet quantum wells
        M. Funato; K. Hayashi; M. Ueda; Y. Kawakami; Y. Narukawa; T. Mukai
        APPLIED PHYSICS LETTERS, 2008年07月, 査読有り
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      • Initial nucleation of AlN grown directly on sapphire substrates by metal-organic vapor phase epitaxy
        Ryan G. Banal; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakamia
        APPLIED PHYSICS LETTERS, 2008年06月, 査読有り
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      • Excitonic properties of polar, semipolar, and nonpolar InGaN/GaN strained quantum wells with potential fluctuations
        M. Funato; Y. Kawakami
        JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2008年05月, 査読有り
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      • Monolithic polychromatic light-emitting diodes based on InGaN microfacet quantum wells toward tailor-made solid-state lighting
        Mitsuru Funato; Takeshi Kondou; Keita Hayashi; Shotaro Nishiura; Masaya Ueda; Yoichi Kawakami; Yukio Narukawa; Takashi Mukai
        APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2008年01月, 査読有り
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      • Assessment and modification of recombination dynamics in In xGa1-xN-based quantum wells
        Yoichi Kawakami; Akio Kaneta; Mitsuru Funato
        Materials Science Forum, 2008年, 査読有り
      • Stimulated emission at 474 nm from an InGaN laser diode structure grown on a (11(2)over-bar2) GaN substrate
        K. Kojima; M. Funato; Y. Kawakami; S. Masui; S. Nagahama; T. Mukai
        APPLIED PHYSICS LETTERS, 2007年12月
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      • Stimulated emission at 474 nm from an InGaN laser diode structure grown on a (11(2)over-bar2) GaN substrate
        K. Kojima; M. Funato; Y. Kawakami; S. Masui; S. Nagahama; T. Mukai
        APPLIED PHYSICS LETTERS, 2007年12月, 査読有り
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      • Metalorganic vapor phase epitaxy of GaN, InN, and AlGaN using 1,1-dimethylhydrazine as a nitrogen source
        Mitsuru Funato; Shinji Ujita; Yoichi Kawakami
        JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS, 2007年10月
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      • Photoluminescence and optical reflectance investigation of semipolar and nonpolar GaN
        Kazunobu Kojima; Masaya Ueda; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, 2007年06月
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      • Optical gain spectra for near UV to aquamarine (Al,In) GaN laser diodes
        K. Kojima; Ulrich T. Schwarz; M. Funato; Y. Kawakami; S. Nagahama; T. Mukai
        OPTICS EXPRESS, 2007年06月
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      • Efficient green emission from (11(2)over-bar2) InGaN/GaN quantum wells on GaN microfacets probed by scanning near field optical microscopy
        Y. Kawakami; K. Nishizuka; D. Yamada; A. Kaneta; M. Funato; Y. Narukawa; T. Mukai
        APPLIED PHYSICS LETTERS, 2007年06月
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      • Comparison between optical gain spectra of InxGa1-xN/In0.02Ga0.98N laser diodes emitting at 404 nm and 470 nm
        K. Kojima; M. Funato; Y. Kawakami; H. Braun; U. T. Schwarz; S. Nagahama; T. Mukai
        PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2007年06月
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      • Mechanisms of metalorganic vapor phase epitaxy of InGaN quantum wells on GaN microfacet structures
        M Ueda, K Hayashi; T Kondou; M Funato; Y Kawakami; Y Narukawa; T Mukai
        physica status solidi (c), 2007年06月
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      • Comparison between optical gain spectra of in xGa 1-xN/In 0.02Ga 0.98N laser diodes emitting at 404 nm and 470 nm
        K. Kojima; M. Funato; Y. Kawakami; H. Braun; U. T. Schwarz; S. Nagahama; T. Mukai
        Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science, 2007年06月01日, 査読有り
      • Additive color mixture of emission from InGaN/GaN quantum wells on structure-controlled GaN microfacets
        M. Ueda; T. Kondou; K. Hayashi; M. Funato; Y. Kawakami; Y. Narukawa; T. Mukai
        APPLIED PHYSICS LETTERS, 2007年04月
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      • Mechanisms of metalorganic vapor phase epitaxy of InGaN quantum wells on GaN microfacet structures
        M. Ueda; K. Hayashi; T. Kondou; M. Funato; Y. Kawakami; Y. Narukawa; T. Mukai
        PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 4 NO 7 2007, 2007年, 査読有り
      • Gain suppression phenomena observed in InxGa1-xN quantum well laser diodes emitting at 470 nm
        K. Kojima; M. Funato; Y. Kawakami; S. Nagahama; T. Mukai; H. Braun; U. T. Schwarz
        APPLIED PHYSICS LETTERS, 2006年12月
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      • Epitaxial growth and optical properties of semipolar (11(2)over-bar2) GaN and InGaN/GaN quantum wells on GaN bulk substrates
        M. Ueda; K. Kojima; M. Funato; Y. Kawakami; Y. Narukawa; T. Mukai
        APPLIED PHYSICS LETTERS, 2006年11月
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      • Origin of high oscillator strength in green-emitting InGaN/GaN nanocolumns
        Y. Kawakami; S. Suzuki; A. Kaneta; M. Funato; A. Kikuchi; K. Kishino
        APPLIED PHYSICS LETTERS, 2006年10月
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      • Suppression mechanism of optical gain formation in InxGa1-xN quantum well structures due to localized carriers
        Kazunobu Kojima; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami; Yukio Narukawa; Takashi Mukai
        SOLID STATE COMMUNICATIONS, 2006年10月
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      • Carrier transport and optical properties of InGaNSQW with embedded AlGaN delta-layer
        Jonwoon Park; Akio Kaneta; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS, 2006年09月
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      • Blue, green, and amber InGaN/GaN light-emitting diodes on semipolar {1122} GaN bulk substrates
        Mitsuru Funato; Masaya Ueda; Yoichi Kawakami; Yukio Narukawa; Takao Kosugi; Masayoshi Takahashi; Takashi Mukai
        JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS, 2006年07月
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      • Tailored emission color synthesis using microfacet quantum wells consisting of nitride semiconductors without phosphors
        M Funato; T Kotani; T Kondou; Y Kawakami; Y Narukawa; T Mukai
        APPLIED PHYSICS LETTERS, 2006年06月
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      • Optical properties of CdSe/MgS monolayer quantum wells and self-assembled quantum dots
        M. Funato; K. Omae; Y. Kawakami; Sg. Fujita; C. Bradford; A. Balocchi; K. A. Prior; B. C. Cavenett
        PHYSICAL REVIEW B, 2006年06月, 査読有り
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      • Optical properties of CdSe MgS monolayer quantum wells and self-assembled quantum dots
        M. Funato; K. Omae; Y. Kawakami; Sg Fujita; C. Bradford; A. Balocchi; K. A. Prior; B. C. Cavenett
        Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, 2006年
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      • Direct correlation between nonradiative recombination centers and threading dislocations in InGaN quantum wells by near-field photoluminescence spectroscopy
        Akio Kaneta; Mitsuru Funato; Yukio Narukawa; Takashi Mukai; Yoichi Kawakami
        PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 3, NO 6, 2006年, 査読有り
      • Efficient rainbow color luminescence from InxGa1-xN single quantum wells fabricated on {11(2)over-bar2} microfacets
        K Nishizuka; M Funato; Y Kawakami; Y Narukawa; T Mukai
        APPLIED PHYSICS LETTERS, 2005年12月
      • Artificial control of ZnO nanodots by ion-beam nanopatterning
        SW Kim; M Ueda; M Funato; S Fujita; S Fujita
        JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2005年05月
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      • Optically pumped lasing and gain formation properties in blue InxGa1-xN MQWs
        K Kojima; A Shikanai; K Omae; M Funato; Y Kawakami; Y Narukawa; T Mukai; S Fujita
        PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, 2004年10月
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      • Efficient radiative recombination from < 11(2)over-bar-2 >-oriented InxGa1-xN multiple quantum wells fabricated by the regrowth technique
        K Nishizuka; M Funato; Y Kawakami; S Fujita; Y Narukawa; T Mukai
        APPLIED PHYSICS LETTERS, 2004年10月
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      • Growth and characterization of MgS/CdSe self-assembled quantum dots
        C Bradford; B Urbaszek; M Funato; TCM Graham; EJ McGhee; RJ Warburton; KA Prior; B Cavenett
        JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2003年04月
      • Photoluminescence properties of MgS/CdSe quantum wells and quantum dots
        M Funato; A Balocchi; C Bradford; KA Prior; BC Cavenett
        APPLIED PHYSICS LETTERS, 2002年01月
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      • Photoluminescence studies of the formation of MgS/CdSe quantum dots grown by molecular beam epitaxy
        M Funato; C Bradford; A Balocchi; JM Smith; KA Prior; BC Cavenett
        PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, 2002年01月
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      • Growth and spectroscopy of II-VI CdSe quantum dots
        B. C. Cavenett; X. Tang; C. Bradford; B. Urbaszek; T. C.M. Graham; R. J. Warburton; M. Funato; K. A. Prior
        Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices, Proceedings, COMMAD, 2002年, 査読有り
      • Hexagonal GaN grown on GaAs{11n} substrates by metalorganic vapor-phase epitaxy using AlAs intermediate layers
        M Funato; S Yamamoto; K Kaisei; K Shimogami; S Fujita; S Fujita
        APPLIED PHYSICS LETTERS, 2001年12月
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      • Growth mechanism of hexagonal GaN on AlAs-pregrown GaAs(001) and {11n} substrates
        M Funato; S Fujita; S Yamamoto; K Kaisei; K Shimogami; S Fujita
        PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH, 2001年11月
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      • Formation mechanism and energy levels of GaN six-bilayer periodic structures grown on GaAs(001)
        Mitsuru Funato; Shizuo Fujita; Shigeo Fujita
        Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, 2001年04月04日
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      • Formation mechanism and energy levels of GaN six-bilayer periodic structures grown on GaAs(001)
        M Funato; S Fujita; S Fujita
        PHYSICAL REVIEW B, 2001年04月, 査読有り
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      • AlAs/GaAs(001) as a template for c-oriented hexagonal GaN grown by metalorganic vapor-phase epitaxy
        T Ishido; M Funato; A Hamaguchi; S Fujita; S Fujita
        JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2000年12月
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      • Integration of GaN with Si using a AuGe-mediated wafer bonding technique
        M Funato; S Fujita; S Fujita
        APPLIED PHYSICS LETTERS, 2000年12月
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      • Single-phase hexagonal GaN grown on AlAs/GaAs(001)
        M Funato; T Ishido; A Hamaguchi; S Fujita; S Fujita
        APPLIED PHYSICS LETTERS, 2000年07月
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      • Engineered interface properties in ZnSSe/GaAs heterovalent heterostructures
        M Funato; S Fujita; S Fujita
        JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2000年06月
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      • The role of growth rates and buffer layer structures for quality improvement of cubic GaN grown on GaAs
        M Ogawa; M Funato; T Ishido; S Fujita; S Fujita
        JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS, 2000年02月
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      • Six-bilayer periodic structures in GaN grown on GaAs(001)
        M Funato; T Ishido; S Fujita; S Fujita
        APPLIED PHYSICS LETTERS, 2000年01月
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      • A cause of the crystalline orientation in hexagonal GaN grown on AIAs/GaAs(001)
        A Hamaguchi; M Funato; T Ishido; S Fujita; S Fujita
        PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, 2000年, 査読有り
      • Energy states in ZnSe-GaAs heterovalent quantum structures
        M Funato; S Fujita; S Fujita
        PHYSICAL REVIEW B, 1999年12月
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      • MOVPE growth of high quality cubic GaN on GaAs: The role of growth rates
        M Funato; M Ogawa; T Ishido; S Fujita; S Fujita
        PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 1999年11月, 査読有り
      • Tunable band offsets via control of interface atomic configuration in GaAs-on-ZnSe(001) heterovalent heterostructures
        M Funato; S Aoki; S Fujita; S Fujita
        JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1999年02月, 査読有り
      • Observation of high electric field at ZnSe/GaAs heterointerfaces by fast Fourier transformed photoreflectance
        Jiti Nukeaw; Yasufumi Fujiwara; Yoshikazu Takeda; Mitsuru Funato; Satoshi Aoki; Shizuo Fujita; Shigeo Fujita
        Thin Solid Films, 1998年12月04日, 査読有り
      • Nucleation processes during metalorganic vapor phase epitaxy of ZnSe on GaAs(001)
        M Funato; S Aoki; S Fujita; S Fujita
        JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1998年08月, 査読有り
      • Deep states in nitrogen-doped p-ZnSe
        M Funato; S Fujita; S Fujita
        JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1998年03月, 査読有り
      • A comparative study on deep levels in p-ZnSe grown by MBE, MOMBE and MOVPE
        M Funato; S Fujita; S Fujita
        JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1998年02月, 査読有り
      • Tunable band offsets in ZnSe/GaAs heterovalent heterostructures grown by metalorganic vapor phase epitaxy
        M Funato; S Aoki; S Fujita; S Fujita
        JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1997年09月, 査読有り
      • Role of self-formed InGaN quantum dots for exciton localization in the purple laser diode emitting at 420 nm
        Y Narukawa; Y Kawakami; M Funato; S Fujita; S Fujita; S Nakamura
        APPLIED PHYSICS LETTERS, 1997年02月, 査読有り
      • Formation of an atomically flat surface of ZnSe on GaAs(001) by metalorganic vapor phase epitaxy
        M Funato; S Aoki; S Fujita; S Fujita
        JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS, 1997年01月, 査読有り
      • Initial growth behavior of GaAs on ZnSe in MOVPE
        M Funato; S Aoki; S Fujita; S Fujita
        JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1997年01月, 査読有り
      • Growth of p-type ZnSe by metalorganic molecular beam epitaxy using metal Zn and dimethylselenide
        J Suda; M Tsuka; D Honda; M Funato; Y Kawakami; S Fujita; S Fujita
        JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 1996年02月, 査読有り
      • Effects of GaAs buffer layer and lattice-matching on deep levels in Zn(S)Se/GaAs heterostructures
        M Funato; H Kitani; S Fujita; S Fujita
        JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 1996年02月, 査読有り
      • Effects of high excitation on localized excitons in cubic ZnCdS lattice matched to GaAs
        Y Kawakami; M Funato; S Fujita; S Fujita; Y Yamada; T Mishina; Y Masumoto
        JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1996年02月, 査読有り
      • MOVPE GROWTH AND CHARACTERIZATION OF ZNSE-GAAS HETEROVALENT HETEROSTRUCTURES
        M FUNATO; S FUJITA; S FUJITA
        BULLETIN OF MATERIALS SCIENCE, 1995年08月, 査読有り
      • Time-resolved spectroscopy of excitonic luminescence in cubic ZnCdS lattice matched to GaAs
        Y. Kawakami; M. Funato; Sz. Fujita; Sg. Fujita; Y. Yamada; Y. Masumoto
        Proceedings of the 22nd International Conference on the Physics of Semiconductors, 1995年
      • GROWTH-BEHAVIOR OF GAAS IN METALORGANIC VAPOR-PHASE EPITAXY ONTO ZNSE
        M FUNATO; S FUJITA; S FUJITA
        JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, 1994年09月, 査読有り
      • Localized excitons in cubic Zn1-xCdxS lattice matched to GaAs
        Y. Kawakami; M. Funato; Sz. Fujita; Sg. Fujita; Y. Yamada; Y. Masumoto
        Physical Review B, 1994年, 査読有り
      • STRUCTURAL-ANALYSIS OF ZNSE-GAAS QUANTUM-WELLS
        M FUNATO; S FUJITA; S FUJITA
        JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, 1993年08月, 査読有り
      • FABRICATION OF SHORT-PERIOD ZNSE-GAAS SUPERLATTICES BY MOVPE
        M FUNATO; S FUJITA; S FUJITA
        SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES FOR PHOTONIC AND ELECTRONIC APPLICATIONS, 1993年, 査読有り
      • METALORGANIC VAPOR-PHASE EPITAXIAL-GROWTH AND CHARACTERIZATION OF ZNSE-GAAS MULTILAYERED STRUCTURES
        M FUNATO; M ISHII; PA MURAWALA; O TSUJI; S FUJITA; S FUJITA
        JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1992年02月, 査読有り
      • ANNEALING BEHAVIOR OF GAAS ZNSE MULTILAYERED HETEROSTRUCTURES GROWN BY OMVPE
        PA MURAWALA; M FUNATO; O TSUJI; S FUJITA; S FUJITA
        HETEROEPITAXY OF DISSIMILAR MATERIALS, 1991年, 査読有り
      • ORGANOMETALLIC VAPOR-PHASE EPITAXIAL-GROWTH OF CUBIC ZNCDS LATTICE-MATCHED TO GAAS SUBSTRATE
        S FUJITA; S HAYASHI; M FUNATO; S FUJITA
        JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1990年01月, 査読有り

      MISC

      • プラズモニクスによるInGaN/GaN量子井戸の発光増強の顕微フォトルミネセンスマッピング
        岡本晃一; 立石和隆; WANG Pangpang; 龍崎奏; 船戸充; 川上養一; 玉田薫
        プラズモニクスシンポジウム, 2018年
      • GaN微細ストライプ上InGaN量子構造の光学特性
        近藤剛; 小谷晃央; 船戸充; 成川幸男; 向井孝志; 川上養一
        応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2005年
      • 微細構造GaNを用いたInGaN細線構造の作製と特性評価
        小谷晃央; 船戸充; 近藤剛; 成川幸男; 向井孝志; 川上養一
        応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 2005年
      • 集束イオンビームによる窒化物半導体分布ブラッグ反射鏡の作製
        畑田芳隆; 小谷晃央; 船戸充; 成川幸男; 向井孝志; 川上養一
        応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 2005年
      • 非極性面InGaN量子井戸における不均一広がりと偏光の関係
        小島一信; 山口敦史; 船戸充; 川上養一; 野田進
        応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM), 2010年
      • 無極性面AlGaN/AlN量子井戸の光学特性に関する理論検討
        小島一信; 山口敦史; 船戸充; 川上養一; 野田進
        応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 2010年
      • 非c面窒化物半導体量子井戸における価電子帯有効質量
        小島一信; 船戸充; 川上養一; 野田進
        応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 2009年
      • 非極性面InGaN量子井戸の偏光制御に関する理論検討
        小島一信; 加門宏章; 船戸充; 川上養一; 長濱慎一; 向井孝志
        応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 2008年
      • 非極性面InGaN量子井戸レーザの光学特性
        小島一信; 船戸充; 川上養一; 枡井真吾; 長濱慎一; 向井孝志
        応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 2008年
      • InGaN量子井戸レーザの光学利得と内部電界の関係
        小島一信; 船戸充; 川上養一; SCHWARZ U. T.; SCHWARZ U. T.; 長濱慎一; 向井孝志
        応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2007年
      • 半極性・無極性InGaN量子井戸の光学的異方性に関する理論解析
        小島一信; 加門宏章; 船戸充; 川上養一
        応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2007年
      • 半極性面{1122}バルクGaNにおける面内光学異方性
        小島一信; 加門宏章; 船戸充; 川上養一
        応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 2006年
      • InxGa1-xN/In0.02Ga0.98N量子井戸の光学利得とアンチガイディングファクタの実測
        小島一信; 船戸充; 川上養一; BRAUN H.; SCHWARZ U. T.; 長濱慎一; 向井孝志
        応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2006年
      • GaN{11-22}基板上へのGaNのホモエピタキシャル成長
        上田雅也; 小島一信; 船戸充; 川上義一; 成川幸男; 向井孝志
        応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2006年
      • アップ・コンバージョン法によるInXGa1-XN低次元量子構造の誘導放出ダイナミクス
        小島一信; 船戸充; 成川幸男; 向井孝志; 川上養一
        応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 2005年
      • メタルマスクへの微小開口作製によるInGaNの空間分解分光
        金井聡庸; 小島一信; 船戸充; 成川幸男; 向井孝志; 川上養一
        応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 2005年
      • InGaN多重量子井戸構造におけるレーザモードとバッファ層の関係
        小島一信; 鹿内周; 船戸充; 川上養一; 成川幸男; 向井孝志; 藤田茂夫
        応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 2004年
      • InGaN低次元量子構造におけるホットキャリア分布
        小島一信; 鹿内周; 船戸充; 成川幸男; 向井孝志; 川上養一
        応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2004年
      • InGaN多重量子井戸構造における光学利得の測定 (2)
        小島一信; 鹿内周; 大前邦途; 船戸充; 川上養一; 成川幸男; 向井孝志; 藤田茂夫
        応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2003年
      • 光MOVPE成長ZnSeの熱処理効果と評価
        尾形 健一; 計良 尚志; 川口 大介; 船戸 充; 藤田 静雄; 藤田 茂夫
        電気学会研究会資料. EFM, 電子材料研究会, 1995年12月06日
      • C-6-8 InNおよびGaInN単結晶薄膜の熱電特性(C-6.電子部品・材料,一般講演)
        松本 崇之; 山口 栄雄; 山本 淳; 船戸 充; 川上 養一
        電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集, 2006年09月07日
      • C-6-9 InN薄膜の熱電特性(C-6.電子部品・材料,一般講演)
        松本 崇之; 貝和 央; 山口 栄雄; 山本 淳; 船戸 充; 川上 養一
        電子情報通信学会総合大会講演論文集, 2006年03月08日
      • 単一InGaN/GaNナノコラムの顕微分光
        金田 昭男; 金井 聡庸; 船戸 充; 川上 養一; 菊池 昭彦; 岸野 克己
        電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス, 2007年10月04日
      • Zn(S,Se)-GaAsヘテロエピタキシャル成長と積層構造の作製 : エピタキシーI
        船戸 充; 石井 正宏; 藤田 静雄; 藤田 茂夫
        日本結晶成長学会誌, 1991年07月25日
      • GaAs(001)基板上六方晶GaNのMOVPE成長とウェハ融着によるGaN/Si構造作製への応用
        山本 秀一郎; 船戸 充; 藤田 静雄; 藤田 茂夫
        電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス, 2000年10月12日
      • ZuSe/GaAsおよびGaAs/ZuSe有機金属気相成長と電気的特性の評価
        船戸 充; 藤田 静雄; 藤田 茂夫
        電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス, 1994年11月17日
      • 深紫外CW・時間分解PL分光法による12C/13C超格子の光学特性評価
        石井良太; 鹿田真一; 寺地徳之; 神田久生; 渡邊幸志; 船戸充; 川上養一
        応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 2018年
      • 深紫外CWレーザにより生成したダイヤモンド結晶中の極低温励起子に対する同位体効果
        石井良太; 鹿田真一; 寺地徳之; 神田久生; 渡邊幸志; 船戸充; 川上養一
        応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 2017年
      • InGaN/GaN三次元量子構造からの多色発光
        船戸 充; 小谷 晃央; 近藤 剛; 西塚 幸司; 成川 幸男; 向井 孝志; 川上 養一
        電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス, 2005年10月14日
      • InGaN量子井戸構造の貫通転位と発光機構との関係
        金田 昭男; 船戸 充; 成川 幸男; 向井 孝志; 川上 養一
        電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス, 2005年10月14日
      • 顕微蛍光マッピングによる表面プラズモン発光増強の評価
        立石和隆; 船戸充; 川上養一; 岡本晃一; 玉田薫
        応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 2017年
      • InGaN系量子井戸の表面プラズモン発光増強現象の空間分解評価
        立石和隆; 船戸充; 川上養一; 岡本晃一; 玉田薫
        応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 2016年
      • アルミニウムを用いたプラズモニクスの発光増強応用
        岡本晃一; 立石和隆; 川元駿; 西田知句; 玉田薫; 船戸充; 川上養一
        電子情報通信学会技術研究報告, 2015年
      • アルミニウムを用いたInGaN系量子井戸の表面プラズモン発光増強
        立石和隆; XU Xiaoying; 船戸充; 川上養一; 岡本晃一; 岡本晃一; 玉田薫
        応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 2013年
      • 半極性{H-22}InGaN量子井戸構造の近接場発光測定
        金田 昭男; 上田 雅也; 船戸 充; 川上 養一
        電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料, 2009年11月12日
      • 半極性{H-22}InGaN量子井戸構造の近接場発光測定
        金田 昭男; 上田 雅也; 船戸 充; 川上 養一
        電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス, 2009年11月12日
      • Enhanced radiative recombination probability in AlGaN quantum wires on (0001) vicinal surface
        Minehiro Hayakawa; Yuki Hayashi; Shuhei Ichikawa; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami
        Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering, 2016年, 査読有り
      • (Al,Ga)N系半導体の物性予測に向けたGaNとAlNの物性定数の同定 (特集 固体紫外光源を目指した窒化物半導体結晶成長の最前線)
        石井 良太; 船戸 充; 川上 養一
        日本結晶成長学会誌 Journal of the Japanese Association for Crystal Growth, 2014年
      • A novel method for crystallizations of aluminum nitride (レーザ・量子エレクトロニクス)
        WU PeiTsen; FUNATO Mitsuru; KAWAKAMI Yoichi
        電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 2013年11月28日
      • Local photoluminescence properties of InGaN green laser structure on (0001) GaN substrate
        Akio Kaneta; Takayuki Hira; Yoon Seok Kim; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami; Takashi Miyoshi; Shin-Ichi Nagahama
        Pacific Rim Conference on Lasers and Electro-Optics, CLEO - Technical Digest, 2013年, 査読有り
      • Effects of internal fields and potential inhomogeneity on the lasing properties of InGaN-based green laser diodes fabricated on (0001) polar substrates (レーザ・量子エレクトロニクス)
        KIM Yoon Seok; KANETA Akio; FUNATO Mitsuru; KAWAKAMI Yoichi; MIYOSHI Takashi; NAGAHAMA Shin-ichi
        電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス, 2012年11月22日
      • Effects of internal fields and potential inhomogeneity on the lasing properties of InGaN-based green laser diodes fabricated on (0001) polar substrates (電子部品・材料)
        KIM Yoon Seok; KANETA Akio; FUNATO Mitsuru; KAWAKAMI Yoichi; MIYOSHI Takashi; NAGAHAMA Shin-ichi
        電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料, 2012年11月22日
      • Effects of internal fields and potential inhomogeneity on the lasing properties of InGaN-based green laser diodes fabricated on (0001) polar substrates (電子デバイス)
        KIM Yoon Seok; KANETA Akio; FUNATO Mitsuru; KAWAKAMI Yoichi; MIYOSHI Takashi; NAGAHAMA Shin-ichi
        電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス, 2012年11月22日
      • 蛍光体フリー多色LED : テイラーメイド光源の実現に向けて (特集 LEDと照明)
        船戸 充; 川上 養一
        ディスプレイ, 2012年02月
      • Optical gain spectra in semipolar {2021} oriented green InGaN LDs in comparison with (0001) LDs (電子部品・材料)
        Kim Yoon Seok; Kaneta Akio; Funato Mitsuru; Kawakami Yoichi; Kyono Takashi; Ueno Masaki; Nakamura Takao
        電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報, 2011年11月17日
      • Optical gain spectra in semipolar {2021} oriented green InGaN LDs in comparison with (0001) LDs (レーザ・量子エレクトロニクス)
        Kim Yoon Seok; Kaneta Akio; Funato Mitsuru; KAWAKAMI Yoichi; KYONO Takashi; UENO Masaki; NAKAMURA Takao
        電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス, 2011年11月10日
      • 蛍光体フリー白色・多色発光ダイオードの開発
        船戸充; 川上養一
        応用物理, 2011年04月10日, 査読有り
      • 電子線励起したＡｌＧａＮ／ＡｌＮ量子井戸からの１００ｍＷ深紫外発光
        大音隆男; BANAL Ryan G; 片岡研; 船戸充; 川上養一
        電子情報通信学会技術研究報告, 2010年11月04日
      • 空間時間分解ＰＬによるＩｎＧａＮ／ＧａＮ単一量子井戸のキャリア拡散ダイナミクスの評価―ＳＮＯＭによるＥｆｆｉｃｉｅｎｃｙ ｄｒｏｏｐ機構の解明―
        橋谷享; 金田昭男; 船戸充; 川上養一
        電子情報通信学会技術研究報告, 2010年11月04日
      • Influence of inhomogeneous broadening for gain polarization switching in green semipolar InGaN quantum wells
        K. Kojima; A. Yamaguchi; M. Funato; Y. Kawakami; S. Noda
        International Workshop on Nitride Semiconductors 2010 (IWN2010), 2010年09月22日
      • 半極性（１１－２２）面上ＩｎＧａＮ量子井戸の光学特性と緑色レーザー実現の可能性
        船戸充; 上田雅也; 小島一信; 川上養一
        レーザー研究, 2010年04月15日
      • 近接場光学顕微鏡によるInGaNナノ構造の発光機構解明と高効率化へのアプローチ (特集 ナノフォトニクス)
        金田 昭男; 船戸 充; 川上 養一
        O plus E, 2010年02月
      • Impact of Nonpolar Plane for Deep Ultraviolet Laser Diodes Based on AlGaN/AlN Quantum Wells
        K. Kojima; A. A. Yamaguchi; M. Funato; Y. Kawakami; S. Noda
        22ND IEEE INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR LASER CONFERENCE, 2010年, 査読有り
      • 近接場光学顕微鏡によるＩｎＧａＮ／ＧａＮ単一量子井戸構造の発光強度飽和マッピング
        橋谷享; 金田昭男; 船戸充; 川上養一
        電子情報通信学会技術研究報告, 2009年11月12日
      • 半極性{11-22}InGaN量子井戸構造の近接場発光マッピング測定
        金田 昭男; 上田 雅也; 船戸 充; 川上 養一
        電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス,109 (290), pp. 35-38, 2009年11月
      • 近接場光学顕微鏡によるＩｎＧａＮ量子構造の欠陥と光学特性の相関の評価
        金田昭男; 船戸充; 川上養一
        日本結晶成長学会誌, 2009年10月
      • 半極性面上InGaN系緑色LDの可能性 (特集 注目の無極性面・半極性面発光デバイス)
        船戸 充; 川上 養一
        オプトロニクス, 2009年09月
      • 蛍光体フリー白色・多色LED (特集 発光デバイスの現状と将来(Part 2)無機発光デバイス)
        川上 養一; 船戸 充
        未来材料, 2009年07月
      • Semipolar (11-22)-based InGaN/GaN quantum wells for visible light emitters
        M. Funato; Y. Kawakami
        2009 Asia Communications and Photonics Conference and Exhibition, ACP 2009, 2009年, 査読有り
      • Multi-color light-emitting diodes based on GaN microstructures
        M. Funato; Y. Kawakami; Y. Narukawa; T. Mukai
        GALLIUM NITRIDE MATERIALS AND DEVICES IV, 2009年, 査読有り
      • Inhomogeneously broadened optical gain spectra of InGaN quantum well laser diodes
        Kojima Kazunobu; Funato Mitsuru; Kawakami Yoichi; Braun Harald; Schwarz Ulrich; Nagahama Shinichi; Mukai Takashi
        PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 5, NO 6, 2008年
      • Theoretical investigations on anisotropic optical properties in semipolar and nonpolar InGaN quantum wells
        Kojima Kazunobu; Kamon Hiroaki; Funato Mitsuru; Kawakami Yoichi
        PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 5, NO 9, 2008年
      • Monolithic polychromatic inGaN light-emitting diodes based on micro-facet structures
        M. Funato; Y. Kawakami
        Proceedings of International Meeting on Information Display, 2008年, 査読有り
      • Light-emitting devices based on semipolar-oriented InGaN/GaN quantum wells
        Y. Kawakami; M. Ueda; M. Funato; Y. Narukawa; T. Mukai
        IDW '07: PROCEEDINGS OF THE 14TH INTERNATIONAL DISPLAY WORKSHOPS, VOLS 1-3, 2007年, 査読有り
      • Thermoelectric and electrical properties of GaN and InN single crystals
        T. Matsumoto; N. Kaiwa; S. Yamaguchi; A. Yamamoto; M. Funa; Y. Kawakami
        PHYSICS OF SEMICONDUCTORS, PTS A AND B, 2007年, 査読有り
      • Investigation and comparison of optical gain spectra of (Al,In)GaN laser diodes emitting in the 375 nm to 470 nm spectral range
        Ulrich T. Schwarz; Harald Braun; Kazunobu Kojima; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami; Shinichi Nagahama; Takashi Mukai
        NOVEL IN - PLANE SEMICONDUCTOR LASERS IV, 2007年, 査読有り
      • 470及び400nm帯InGaN量子井戸半導体レーザの利得特性評価
        小島一信; 船戸充; 川上養一; ウルリヒ・T・シュワルツ; ハラルド・ブラウン; 長濱慎一; 向井孝志
        電子情報通信学会技術研究報告, 2006年
      • 半極性{11-22}GaN基板上へのInGaN/GaN量子井戸構造の作製と光学特性評価
        上田雅也; 小島一信; 船戸充; 川上養一; 成川幸男; 向井孝志
        電子情報通信学会技術研究報告, 2006年
      • Optoelectronic properties of InGaN SQW with embedded AlGaN δ-layer
        J. Park; A. Kaneta; M. Funato; Y. Kawakami
        2006 International Conference on Numerical Simulation of Semiconductor Optoelectronic Devices, NUSOD \\'06, 2006年, 査読有り
      • 近接場分光によってInGaNナノ構造の発光機構に迫る (特集 近接場光とナノデバイス)
        金田 昭男; 船戸 充; 川上 養一
        O plus E, 2005年12月
      • Efficient luminescence from {11.2} InGaN/GaN quantum wells
        M Funato; K Nishizuka; Y Kawakami; Y Narukawa; T Mukai
        GaN, AIN, InN and Their Alloys, 2005年, 査読有り
      • Fabrication and characterization of GaN-based distributed Bragg reflector mirrors for low lasing threshold and integrated photonics
        T Kotani; Y Hatada; M Funato; Y Narukawa; T Mukai; Y Kawakami; S Fujita
        Physica Status Solidi C - Conferences and Critical Reviews, Vol 2, No 7, 2005年, 査読有り
      • Fabrication and characterization of GaN-based distributed Bragg reflector mirrors for low lasing threshold and integrated photonics
        T Kotani; Y Hatada; M Funato; Y Narukawa; T Mukai; Y Kawakami; S Fujita
        Physica Status Solidi C - Conferences and Critical Reviews, Vol 2, No 7, 2005年, 査読有り
      • Proposal to use GaAs(114) substrates for improvement of the optical transition probability in nitride semiconductor quantum wells
        M Funato; Y Kawaguchi; S Fujita
        GAN AND RELATED ALLOYS - 2003, 2003年, 査読有り
      • Indium doping to GaN grown on GaAs{114}B substrates by metalorganic vapor phase epitaxy
        M Funato; K Shimogami; S Ujita; Y Kawaguchi; S Fujita; S Fujita
        INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, PROCEEDINGS, 2002年, 査読有り
      • Electrical characterization of MOVPE-grown P-type GaN : Mg against annealing temperature
        S Fujita; M Funato; DC Park; Y Ikenaga; S Fujita
        MRS INTERNET JOURNAL OF NITRIDE SEMICONDUCTOR RESEARCH, 1999年, 査読有り
      • Optical absorption in ZnSe-GaAs heterovalent quantum structures
        M Funato; S Fujita; S Fujita
        III-V AND IV-IV MATERIALS AND PROCESSING CHALLENGES FOR HIGHLY INTEGRATED MICROELECTRONICS AND OPTOELECTRONICS, 1999年, 査読有り
      • 原子価不整合系の半導体へテロ構造におけるバンド不連続量の制御
        船戸 充; 藤田 静雄; 藤田 茂夫
        應用物理, 1997年02月10日
      • Formation of ZnSe/GaAs heterovalent heterostructures by MOVPE
        M Funato; S Aoki; S Fujita; S Fujita
        CONTROL OF SEMICONDUCTOR SURFACES AND INTERFACES, 1997年, 査読有り
      • CUBIC ZNCDS LATTICE-MATCHED TO GAAS - A NOVEL MATERIAL FOR SHORT-WAVELENGTH OPTOELECTRONIC APPLICATIONS
        S FUJITA; M FUNATO; S HAYASHI; S FUJITA
        JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS, 1989年06月

      受賞

      • 1998年
        一般財団法人 安藤研究所, 安藤博記念学術奨励賞
      • 2005年
        米 材料学会, トロフィー賞
      • 2007年09月04日
        応用物理学会, 第29回応用物理学会論文賞
      • 2013年07月
        CLEO PR, 優秀論文賞
      • 2014年04月09日
        応用物理学会, APEX/JJAP編集貢献賞
      • 2014年09月17日
        応用物理学会, 第36回応用物理学会論文賞
      • 2016年
        応用物理学会, APEX/JJAP編集貢献賞

      外部資金：科学研究費補助金

      • InリッチInGaNによるScAlMgO4基板上での可視長波長LEDの実現
        基盤研究(A)
        中区分30:応用物理工学およびその関連分野
        京都大学
        船戸 充
        自 2021年04月05日, 至 2025年03月31日, 交付
        結晶成長;InリッチInGaN;ScAlMgO4;可視長波長LED;高効率化
        https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21H04661/
      • 発光シンセサイザー：究極の発光デバイス創成を目指して
        特別推進研究
        理工系
        京都大学
        川上 養一
        自 2020年07月30日, 至 2025年03月31日, 交付
        発光シンセサイザー;半導体3次元構造;次世代照明;深紫外フォトニクス;光空間無線通信;発光高効率化
        https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20H05622/
      • ScAlMgO4基板上へのInリッチInGaN系LEDの実現
        基盤研究(A)
        中区分30:応用物理工学およびその関連分野
        京都大学
        川上 養一
        自 2020年04月01日, 至 2021年03月31日, 中途終了
        InリッチInGaN;ScAlMgO4基板;発光ダイオード;高効率化
        https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20H00351/
      • 再利用が可能な基板上での窒化物半導体発光素子の作製
        挑戦的萌芽研究
        京都大学
        船戸 充
        自 2016年04月01日, 至 2018年03月31日, 完了
        窒化物半導体;発光素子;へき開性基板;結晶工学;光デバイス;結晶成長
        https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-16K14232/
      • 近接場分光（SNOM）による特異構造の発光機構解明と制御
        新学術領域研究(研究領域提案型)
        理工系
        京都大学
        川上 養一
        自 2016年06月30日, 至 2021年03月31日, 中途終了
        近接場光学顕微鏡;顕微分光;窒化物半導体;特異構造;近接場分光;発光機構解明;発光制御;深紫外分光;窒化物特異構造;光物性評価;多波長発光素子;深紫外フォトニクス
        https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PLANNED-16H06426/
      • AlGaN系超高効率紫外発光素子の実現に向けたキャリア再結合過程の解明と制御
        基盤研究(A)
        京都大学
        船戸 充
        自 2016年04月01日, 至 2021年03月31日, 完了
        電子材料;結晶工学;紫外光源技術;電気・電子材料;電子・電気材料
        https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-16H02332/
      • 窒化物ナノ局在系の物性制御によるテーラーメイド光源の実現
        基盤研究(S)
        京都大学
        川上 養一
        自 2015年05月29日, 至 2020年03月31日, 完了
        新機能発光デバイス;半導体3次元構造;局在光物性;多波長発光光源;窒化物半導体;プラズモニクス;3次元構造;ナノ局在;多波長発光;テーラーメイド光源;多波長発光制御;ナノ局在物性;近接場分光
        https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-15H05732/
      • 深紫外近接場分光による超ワイドギャップ半導体の物性解明
        基盤研究(A)
        京都大学
        川上 養一
        自 2015年04月01日, 至 2016年03月31日, 中途終了
        近接場光学;深紫外分光;超ワイドギャップ半導体
        https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-15H02013/
      • 近接場マルチプローブ分光の基盤技術開発
        基盤研究(S)
        京都大学
        川上 養一
        自 2009年05月11日, 至 2014年03月31日, 完了
        近接場光学;マルチプローブ分光;半導体ナノ構造;発光機構解明;新規顕微分光応用;マルチプローブ技術;光物性;半導体;ナノ構造;プラズモニクス;光計測;走査プローブ顕微鏡
        https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21226001/
      • 新規半極性結晶面上での窒化物半導体緑色レーザの開発
        基盤研究(A)
        京都大学
        船戸 充
        自 2007年04月01日, 至 2010年03月31日, 完了
        薄膜;量子構造;窒化物半導体;緑色レーザ;半極性結晶面;発光効率;偏光;厚膜InGaN
        https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19206036/
      • ナノ空間発光ダイナミクス計測の基盤技術開発
        基盤研究(A)
        京都大学
        川上 養一
        自 2006年04月01日, 至 2009年03月31日, 完了
        近接場分光;フォトルミネッセンス;発光ダイナミクス;先進フォトセンシング;窒化物半導体;量子ナノ構造;局在発光制御;バイオセンシング;マルチプローブ技術;バイオセンシング応用;発光機構解明;InGaNナノ構造;輻射再結合;非輻射再結合;局在励起子;時間空間ダイナミクス
        https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-18206002/
      • 窒化物光半導体のフロンティア-材料潜在能力の極限発現-
        特定領域研究
        理工系
        立命館大学
        名西 やす之
        自 2006年04月01日, 至 2012年03月31日, 完了
        窒化物半導体;光デバイス;結晶成長;半導体物性;紫外;赤外;発光デバイス;窒化インジウム;窒化アルミニウム;バンドギャップ
        https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-ORGANIZER-18069013/
      • 高In組成InGaNおよび高Al組成AlGaNの輻射・非輻射再結合過程の解明と制
        特定領域研究
        理工系
        京都大学
        川上 養一
        自 2006年04月01日, 至 2011年03月31日, 完了
        InGaN;AlGaN;輻射再結合;非輻射再結合;発光機構解明;INGaN;A1GaN;発光マッピング;深紫外発光;偏光異方性;Modified MEE法;高品質エピ膜;半極性面;マイクロファセット;多波長発光;誘導放出
        https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PLANNED-18069007/
      • 超微細ナノドット・ナノロッド・ナノラインの新しい超精密配列制御技術の研究
        基盤研究(B)
        京都大学
        藤田 静雄
        自 2003年04月01日, 至 2005年03月31日, 完了
        集束イオンビーム;ナノ加工;ナノドット;MOCVD成長;配列制御;酸化亜鉛;励起子物性;光機能;ZnO, focused ion beam;nanopatterning;nanodots;MOCVD growth;artificial arrangement;zinc oxide;exciton properties;optical functions
        https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-15360009/
      • 近接場光学法による窒化物半導体ナノ構造の発光機構解明
        基盤研究(A)
        京都大学
        川上 養一
        自 2003年04月01日, 至 2006年03月31日, 完了
        近接場分光;フォトルミネッセンス;発光ダイナミクス;マルチプローブ技術;先進フォトセンシング;窒化物半導体;量子ナノ構造;超高効率発光;超高発光効率, Near Field Spectroscopy;Photoluminescence;Emission Dynamics;Multi-probe Technique;Advanced Photo-sensing;GaN-based semiconductors;Quantum nano-structures;Highly Efficient Emission
        https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-15206033/
      • ワイドギャップ半導体における非輻射再結合機構の解明
        基盤研究(B)
        京都大学
        川上 養一
        自 2000年04月01日, 至 2003年03月31日, 完了
        ワイドギャップ半導体;励起子;輻射再結合;非輻射再結合;近接場工学;過渡グレーティング法;熱レンズ法;時間・空間ダイナミクス;ワイドキャップ半導体;時間ダイナミクス;空間ダイナミクス;熱レイズ法, widegap semiconductor;exciton;radiative recombination;nonradiative recombination;transient grating spectroscopy;thermal lens spectroscopy;temporal dynamics;spatial dynamics
        https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-12450011/
      • 半導体/強磁性体薄膜多層構造による励起子磁気光学効果の創出
        萌芽的研究
        京都大学
        藤田 静雄
        自 1999年04月01日, 至 2000年03月31日, 完了
        励起子;励起子磁気光学効果;強磁性体薄膜;ZnO;多層構造;配向特性
        https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-11875005/
      • 表面エネルギー変調エピタキシーによる半導体不整合系へテロ構造の作製
        基盤研究(C)
        京都大学
        船戸 充
        自 1999年04月01日, 至 2001年03月31日, 完了
        表面エネルギー;半導体へテロ構造;不整合;GaN;GaAs;結晶構造
        https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-11650014/
      • 量子ドット閉じこめ励起子分子を用いた発光素子の基礎研究
        基盤研究(A)
        京都大学
        藤田 茂夫
        自 1998年04月01日, 至 2001年03月31日, 完了
        ワイドギャップ半導体;励起子;励起子分子;低次元構造;局在;時間分解分光;発光ダイナミクス;ZnCdSe;InGaN;量子ドット;多体効果;局在化, Widegap Semiconductors;Exciton;Exciton Molecule;Low-dimensional Structures;Localization;Time-resolved spectroscopy;Luminescence Dynamics
        https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-10305025/
      • 原子価不整合系半導体ヘテロ界面の原子層レベル制御とバンド不連続量
        奨励研究(A)
        京都大学
        船戸 充
        自 1997年04月01日, 至 1999年03月31日, 完了
        原子価不整合;半導体ヘテロ界面;Zn(S)Se;GaAs;バンド不連続量;硫黄原子;ZnSe
        https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-09750034/
      • 半導体表面光触媒反応による気相成長のダイナミクス
        基盤研究(A)
        京都大学
        藤田 茂夫
        自 1995年04月01日, 至 1998年03月31日, 完了
        光触媒反応;反応過程;ZnCdSSe;不純物添加;p型伝導性制御;量子構造;電流注入レーザ発振;反応素過程;欠陥制御;励起子発光寿命, photocatalysis;growth processes;ZnCdSSe;impurity doping;p-type control;quantum structure;current-injection lasing
        https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-07405017/
      • 異族半導体多層構造の作製と界面物性に関する研究
        奨励研究(A)
        京都大学
        船戸 充
        自 1994年04月01日, 至 1995年03月31日, 完了
        異族半導体多層構造;GaAs-ZnSe;成長姿態;透過型電子顕微鏡;ヘテロ接合ダイオード
        https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-06855003/
      • 異族半導体AlGaAs-ZnSe新人工多層構造の作製と新物性に関する研究
        奨励研究(A)
        京都大学
        船戸 充
        自 1993年04月01日, 至 1994年03月31日, 完了
        異族半導体多層構造;GaAs-ZnSe;透過型電子顕微鏡;三次元成長;マイグレーション
        https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-05855005/
      • 紫外光デバイス用II-VI族新混晶半導体の成長に関する研究
        一般研究(B)
        京都大学
        藤田 茂夫
        自 1993年04月01日, 至 1995年03月31日, 完了
        紫外光デバイス;分子線エピタキシ-;ZnCdSSe;GaP;MIS;量子井戸構造;紫外発光ダイオード;紫外半導体レーザ;Gap;P型伝導度制御;量子井戸;原子層制御成長, Ultraviolet Optical Devices;Moleclar Beam Epitaxy;ZnCdSSe;GaP;MIS;Quantum Well
        https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-05452097/

      外部資金：その他

      • II-VI/III-V異族半導体多層構造に関する研究
        自 1990年, 至 2000年
      • 立方晶GaNの有機金属気相成長
        自 1997年
      • 六方晶 GaN の有機金属気相成長
        自 1999年
      list
        Last Updated :2025/05/19

        教育

        担当科目

        • 自 2024年04月01日, 至 2025年03月31日
          光工学１
          6044, 後期, 工学部, 2
        • 自 2024年04月01日, 至 2025年03月31日
          電気電子工学実験
          6201, 前期, 工学部, 2
        • 自 2024年04月01日, 至 2025年03月31日
          光工学２
          6057, 前期, 工学部, 2
        • 自 2024年04月01日, 至 2025年03月31日
          光物性工学
          C822, 前期, 工学研究科, 2
        • 自 2023年04月01日, 至 2024年03月31日
          光工学２
          6057, 前期, 工学部, 2
        • 自 2023年04月01日, 至 2024年03月31日
          光工学１
          6044, 後期, 工学部, 2
        • 自 2023年04月01日, 至 2024年03月31日
          電気電子工学実験
          6201, 前期, 工学部, 2
        • 自 2023年04月01日, 至 2024年03月31日
          光物性工学
          C822, 前期, 工学研究科, 2
        • 自 2022年04月01日, 至 2023年03月31日
          光物性工学
          C822, 前期, 工学研究科, 2
        • 自 2022年04月01日, 至 2023年03月31日
          光工学２
          6057, 前期, 工学部, 2
        • 自 2022年04月01日, 至 2023年03月31日
          光工学１
          6044, 後期, 工学部, 2
        • 自 2022年04月01日, 至 2023年03月31日
          電気電子工学実験
          6201, 前期, 工学部, 2
        • 自 2011年04月, 至 2012年03月
          光工学２
          前期, 工学部
        • 自 2011年04月, 至 2012年03月
          光工学１
          後期, 工学部
        • 自 2011年04月, 至 2012年03月
          光物性工学
          前期, 工学研究科
        • 自 2012年04月, 至 2013年03月
          光工学１
          後期, 工学部
        • 自 2012年04月, 至 2013年03月
          光工学２
          前期, 工学部
        • 自 2012年04月, 至 2013年03月
          光物性工学
          前期, 工学研究科
        • 自 2013年04月, 至 2014年03月
          光工学１
          後期, 工学部
        • 自 2013年04月, 至 2014年03月
          光工学２
          前期, 工学部
        • 自 2013年04月, 至 2014年03月
          光物性工学
          前期, 工学研究科
        • 自 2014年04月, 至 2015年03月
          光工学１
          後期, 工学部
        • 自 2014年04月, 至 2015年03月
          光工学２
          前期, 工学部
        • 自 2014年04月, 至 2015年03月
          電気電子工学実験Ａ
          前期, 工学部
        • 自 2014年04月, 至 2015年03月
          電気電子工学実験Ｂ
          後期, 工学部
        • 自 2014年04月, 至 2015年03月
          電気電子工学実習Ａ
          前期, 工学部
        • 自 2014年04月, 至 2015年03月
          電気電子工学実習Ｂ
          後期, 工学部
        • 自 2014年04月, 至 2015年03月
          光物性工学
          前期, 工学研究科
        • 自 2015年04月, 至 2016年03月
          光工学１
          後期, 工学部
        • 自 2015年04月, 至 2016年03月
          光工学２
          前期, 工学部
        • 自 2015年04月, 至 2016年03月
          光物性工学
          前期, 工学研究科
        • 自 2016年04月, 至 2017年03月
          光工学１
          後期, 工学部
        • 自 2016年04月, 至 2017年03月
          光工学２
          前期, 工学部
        • 自 2016年04月, 至 2017年03月
          光物性工学
          前期, 工学研究科
        • 自 2017年04月, 至 2018年03月
          光工学１
          後期, 工学部
        • 自 2017年04月, 至 2018年03月
          光工学２
          前期, 工学部
        • 自 2017年04月, 至 2018年03月
          光物性工学
          前期, 工学研究科
        • 自 2017年04月, 至 2018年03月
          電気電子工学実験
          前期, 工学部
        • 自 2018年04月, 至 2019年03月
          光工学１
          後期, 工学部
        • 自 2018年04月, 至 2019年03月
          光工学２
          前期, 工学部
        • 自 2018年04月, 至 2019年03月
          光物性工学
          前期, 工学研究科
        • 自 2018年04月, 至 2019年03月
          電気電子工学実験
          前期, 工学部
        • 自 2019年04月, 至 2020年03月
          光工学１
          後期, 工学部
        • 自 2019年04月, 至 2020年03月
          光工学２
          前期, 工学部
        • 自 2019年04月, 至 2020年03月
          光物性工学
          前期, 工学研究科
        • 自 2019年04月, 至 2020年03月
          電気電子工学実験
          前期, 工学部
        • 自 2020年04月, 至 2021年03月
          光工学１
          後期, 工学部
        • 自 2020年04月, 至 2021年03月
          光工学２
          前期, 工学部
        • 自 2020年04月, 至 2021年03月
          光物性工学
          前期, 工学研究科
        • 自 2020年04月, 至 2021年03月
          電気電子工学実験
          前期, 工学部
        • 自 2021年04月, 至 2022年03月
          光工学１
          後期, 工学部
        • 自 2021年04月, 至 2022年03月
          光工学２
          前期, 工学部
        • 自 2021年04月, 至 2022年03月
          光物性工学
          前期, 工学研究科
        • 自 2021年04月, 至 2022年03月
          電気電子工学実験
          前期, 工学部

        博士学位審査

        • High-Field Transport at Heavily-Doped SiC Schottky Contacts and Formation of Non-Alloyed Ohmic Contacts(高濃度ドープSiCショットキー接合における高電界輸送および非合金化オーミック接合の形成)
          原　征大, 工学研究科, 副査
          2024年03月25日
        list
          Last Updated :2025/05/19

          大学運営

          部局運営(役職等)

          • 自 2007年04月01日, 至 2026年03月31日
            工学研究科・工学部化学物質管理委員会　委員
          • 自 2007年04月01日, 至 2025年03月31日
            工学研究科・工学部化学物質管理委員会　委員
          • 自 2007年04月01日, 至 2024年03月31日
            工学研究科・工学部化学物質管理委員会　委員
          • 自 2014年04月01日, 至 2016年03月31日
            工学研究科附属桂インテックセンター運営委員会　委員
          • 自 2007年04月01日, 至 2023年03月31日
            工学研究科・工学部化学物質管理委員会　委員

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