基本情報

学部兼担

• 工学部

学位

• 修士(工学)(京都大学)
• 博士(工学)(京都大学)

出身大学院・研究科等

• 京都大学, 大学院工学研究科修士課程電子工学専攻, 修了
• 京都大学, 大学院工学研究科博士後期課程電子工学専攻, 修了

出身学校・専攻等

• 京都大学, 工学部電気電子工学科, 卒業

経歴

• 自 2025年07月, 至 現在

  京都大学大学院, 准教授
• 自 2019年01月, 至 2025年06月

  京都大学大学院, 助教
• 自 2017年12月, 至 2018年12月

  スイス連邦工科大学, 日本学術振興会海外特別研究員
• 自 2017年04月, 至 2017年12月

  京都大学大学院, 特定研究員（PD）
• 自 2016年10月, 至 2017年03月

  京都大学大学院, 日本学術振興会特別研究員（PD）
• 自 2014年04月, 至 2016年09月

  京都大学大学院, 日本学術振興会特別研究員（DC1）

ID,URL

• J-Global ID

  201901019940361859

• 外部リンク

  http://semicon.kuee.kyoto-u.ac.jp/

researchmap URL

• https://researchmap.jp/Miki-k

研究

研究テーマ・研究概要

• 研究テーマ

  厳環境動作集積回路実現に向けたSiCデバイスの開発

• 研究概要

  ワイドギャップ半導体SiCを用いた高温・高放射線環境・高圧といった厳環境で動作する集積回路開発に向けた基礎検討

研究キーワード

• 炭化ケイ素
• 結晶成長
• 電子デバイス
• ワイドギャップ半導体

研究分野

• ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学）, 電気電子材料工学

論文

• Small surface potential fluctuation near the valence band edge at nitrided 4H-SiC(0001)/SiO2 interfaces

  Kyota Mikami; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto

  Applied Physics Letters, 2025年06月02日, 査読有り

  
• First-order SPICE modeling of SiC p- and n-channel side-gate JFETs toward high-temperature complementary JFET ICs

  Noriyuki Maeda; Mitsuaki Kaneko; Hajime Tanaka; Tsunenobu Kimoto

  APL Electronic Devices, 2025年04月23日, 査読有り, 責任著者

  
• Fundamentals and Future Challenges of SiC Power Devices

  Tsunenobu Kimoto; Ryoya Ishikawa; Keita Tachiki; Xilun Chi; Kyota Mikami; Mitsuaki Kaneko

  Proceedings of 9th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing (EDTM) Conference 2025, 2025年03月

  
• Unique Electron Trapping and its Impacts on Electron Mobility in SiC n-Channel MOSFETs

  Xilun Chi; Koji Ito; Takeru Suto; Akio Shima; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto

  2024 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2024年12月07日, 査読有り

  
• Analysis of trap-assisted tunneling current at non-alloyed contacts formed on heavily ion-implanted n-type SiC

  Masahiro Hara; Hajime Tanaka; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto

  Journal of Applied Physics, 2025年04月, 査読有り

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• Doping-dependent fixed charges in SiC/SiO₂ structure

  Kyota Mikami; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto

  Applied Physics Express, 2025年03月06日, 査読有り

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• Depth profiles of hole traps in the tail region of Al ion implantation into p-type 4H-SiC

  Haruki Fujii; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto

  Japanese Journal of Applied Physics, 2024年11月01日, 査読有り

  
• Impact ionization coefficients along 4H-SiC <11-20 in a wide temperature range

  Takeaki Kitawaki; Xilun Chi; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto

  Japanese Journal of Applied Physics, 2024年11月26日

  
• An Overview of SiC High-Voltage Power Devices and High-Temperature ICs

  T. Kimoto; M. Kaneko; K. Tachiki; K. Ito; K. Mikami; H. Fujii; A. Inoue; N. Maeda

  2024 IEEE BiCMOS and Compound Semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium (BCICTS), 2024年10月27日

  
• Demonstration of SiC n-channel MOSFETs fabricated on a high-purity semi-insulating substrate and investigation of the short-channel effects

  Shion Toshimitsu; Keita Tachiki; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto

  Japanese Journal of Applied Physics, 2024年09月02日, 査読有り

  
• Estimation of Electron Drift Mobility along the <i>c</i>-Axis in 4H-SiC by Using Vertical Schottky Barrier Diodes

  Ryoya Ishikawa; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto

  Solid State Phenomena, 2024年08月23日

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• Depth profiles of electron and hole traps generated by reactive ion etching near the surface of 4H-SiC

  Shota Kozakai; Haruki Fujii; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto

  Journal of Applied Physics, 2024年09月06日, 査読有り

  この論文にアクセスする：

  
• High-Mobility 4H-SiC p-Channel MOSFETs on Nonpolar Faces

  Kyota Mikami; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto

  IEEE Electron Device Letters, 2024年07月, 査読有り

  
• Depth profiles of deep levels generated in the tail region of Al ion implantation into n-type 4H-SiC

  Haruki Fujii; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto

  Japanese Journal of Applied Physics, 2024年06月03日, 査読有り

  
• Formation of ohmic contacts on heavily Al⁺-implanted p-type SiC without an alloying process

  Kotaro Kuwahara; Takeaki Kitawaki; Masahiro Hara; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto

  Japanese Journal of Applied Physics, 2024年05月01日, 査読有り

  
• High electron mobility in heavily sulfur-doped 4H-SiC

  Mitsuaki Kaneko; Taiga Matsuoka; Tsunenobu Kimoto

  Journal of Applied Physics, 2024年05月23日, 査読有り, 筆頭著者, 責任著者

  
• Generation of deep levels near the 4H-SiC surface by thermal oxidation

  Haruki Fujii; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto

  Applied Physics Express, 2024年04月29日, 査読有り

  
• 高温環境での動作を可能にするSiC JFETを用いた相補型論理回路の研究

  金子光顕; 木本恒暢

  電子情報通信学会誌 C, 2024年04月, 査読有り, 招待有り, 筆頭著者, 責任著者

  
• Origin of hole mobility anisotropy in 4H-SiC

  Ryoya Ishikawa; Hajime Tanaka; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto

  Journal of Applied Physics, 2024年02月16日, 査読有り

  
• Insight Into Mobility Improvement by the Oxidation-Minimizing Process in SiC MOSFETs

  Kyota Mikami; Keita Tachiki; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto

  IEEE Transactions on Electron Devices, 2024年01月, 査読有り

  
• Tunneling current through non-alloyed metal/heavily-doped SiC interfaces

  Masahiro Hara; Takeaki Kitawaki; Hajime Tanaka; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto

  Materials Science in Semiconductor Processing, 2023年11月, 査読有り, 招待有り

  
• 350°C Operation of SiC Complementary JFET Logic Gates

  Mitsuaki Kaneko; Masashi Nakajima; Qimin Jin; Noriyuki Maeda; Tsunenobu Kimoto

  2023 IEEE CPMT Symposium Japan (ICSJ), 2023年11月15日, 筆頭著者

  
• Different temperature dependence of mobility in n- and p-channel 4H-SiC MOSFETs

  Xilun Chi; Keita Tachiki; Kyota Mikami; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto

  Japanese Journal of Applied Physics, 2023年11月16日, 査読有り

  
• Impact of the oxidation temperature on the density of single-photon sources formed at SiO2/SiC interface

  Mitsuaki Kaneko; Hideaki Takashima; Konosuke Shimazaki; Shigeki Takeuchi; Tsunenobu Kimoto

  APL Materials, 2023年09月27日, 査読有り, 筆頭著者, 責任著者

  この論文にアクセスする：

  
• Experimental and Theoretical Study on Anisotropic Electron Mobility in 4H‐SiC

  Ryoya Ishikawa; Hajime Tanaka; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto

  physica status solidi (b), 2023年08月17日, 査読有り

  
• Nearly Ideal Breakdown Voltage Observed in Lateral p-i-n Diodes Fabricated on a SiC High-Purity Semi-Insulating Substrate

  M. Kaneko; A. Tsibizov; T. Kimoto; U. Grossner

  IEEE Transactions on Electron Devices, 2023年04月, 査読有り, 筆頭著者, 責任著者

  
• Impact of the split-off band on the tunneling current at metal/heavily-doped p-type SiC Schottky interfaces

  Takeaki Kitawaki; Masahiro Hara; Hajime Tanaka; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto

  Applied Physics Express, 2023年03月01日, 査読有り

  
• Enhanced tunneling current and low contact resistivity at Mg contacts on heavily phosphorus-ion-implanted SiC

  Masahiro Hara; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto

  Applied Physics Express, 2023年02月15日, 査読有り

  
• Physical properties of sulfur double donors in 4H-SiC introduced by ion implantation

  Taiga Matsuoka; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto

  Japanese Journal of Applied Physics, 2023年01月31日, 査読有り

  
• SiC Complementary Junction Field-Effect Transistor Logic Gate Operation at 623 K

  M. Kaneko; M. Nakajima; Q. Jin; T. Kimoto

  IEEE Electron Device Letters, 2022年07月, 査読有り, 筆頭著者, 責任著者

  
• Mobility enhancement in heavily doped 4H-SiC (0001), (112̄0), and (11̄00) MOSFETs via an oxidation-minimizing process

  Keita Tachiki; Kyota Mikami; Koji Ito; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto

  Applied Physics Express, 2022年07月01日, 査読有り

  
• Performance Improvement and Reliability Physics in SiC MOSFETs

  T. Kimoto; K. Tachiki; A. Iijima; M. Kaneko

  Proc. of IEEE Int. Reliability Phys. Sympo., 2022年05月

  
• Critical electric field for transition of thermionic field emission/field emission transport in heavily doped SiC Schottky barrier diodes

  Masahiro Hara; Hajime Tanaka; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto

  Applied Physics Letters, 2022年04月25日, 査読有り

  
• Electron mobility along 〈0001〉 and 〈11̅00〉 directions in 4H-SiC over a wide range of donor concentration and temperature

  Ryoya Ishikawa; Masahiro Hara; Hajime Tanaka; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto

  Applied Physics Express, 2021年06月03日, 査読有り

  
• Expansion patterns of single Shockley stacking faults from scratches on 4H-SiC

  Euihyeon Do; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto

  Japanese Journal of Applied Physics, 2021年05月13日, 査読有り

  
• Lateral spreads of ion-implanted Al and P atoms in silicon carbide

  Qimin Jin; Masashi Nakajima; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto

  Japanese Journal of Applied Physics, 2021年04月28日, 査読有り

  
• Nearly Fermi-level-pinning-free interface in metal/heavily-doped SiC Schottky structures

  Masahiro Hara; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto

  Japanese Journal of Applied Physics, 2021年02月18日, 査読有り

  
• Mobility improvement of 4H-SiC (0001) MOSFETs by a three-step process of H2 etching, SiO2 deposition, and interface nitridation

  Keita Tachiki; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto

  Applied Physics Express, 2021年01月29日, 査読有り

  
• Formation of high-quality SiC(0001)/SiO2 structures by excluding oxidation process with H2 etching before SiO2 deposition and high-temperature N2 annealing

  Keita Tachiki; Mitsuaki Kaneko; Takuma Kobayashi; Tsunenobu Kimoto

  Applied Physics Express, 2020年12月01日, 査読有り

  
• Experimental Study on Short-Channel Effects in Double-Gate Silicon Carbide JFETs

  M. Kaneko; M. Nakajima; Q. Jin; T. Kimoto

  IEEE Transactions on Electron Devices, 2020年10月, 査読有り, 筆頭著者

  
• Experimental Determination of Impact Ionization Coefficients Along 〈1120〉 in 4H-SiC

  Dionysios Stefanakis; Xilun Chi; Takuya Maeda; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto

  IEEE Transactions on Electron Devices, 2020年09月, 査読有り

  
• Tunneling Current in 4H-SiC p-n Junction Diodes

  M. Kaneko; X. Chi; T. Kimoto

  IEEE Transactions on Electron Devices, 2020年08月, 査読有り, 筆頭著者

  
• Multi-cycle RHEED oscillation under nitrogen supply in alternative source supply AlN growth by rf-MBE

  Mitsuaki Kaneko; Kazuto Hirai; Tsunenobu Kimoto; Jun Suda

  Applied Physics Express, 2020年02月01日, 査読有り, 筆頭著者

  
• Normally-off 400 °c Operation of n- and p-JFETs with a Side-Gate Structure Fabricated by Ion Implantation into a High-Purity Semi-Insulating SiC Substrate

  M. Nakajima; M. Kaneko; T. Kimoto

  IEEE Electron Device Letters, 2019年06月, 査読有り

  
• SIC vertical-channel n-and P-JFETS fully fabricated by ion implantation

  Mitsuaki Kaneko; Ulrike Grossner; Tsunenobu Kimoto

  Materials Science Forum, 2019年01月, 査読有り, 筆頭著者

  
• Characterization of carrier concentration and mobility of GaN bulk substrates by Raman scattering and infrared reflectance spectroscopies

  Kanegae Kazutaka; Kaneko Mitsuaki; Kimoto Tsunenobu; Horita Masahiro; Suda Jun

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2018年07月, 査読有り

  
• High-Temperature Operation of n- and p-Channel JFETs Fabricated by Ion Implantation into a High-Purity Semi-Insulating SiC Substrate

  M. Kaneko; T. Kimoto

  IEEE Electron Device Letters, 2018年05月01日, 査読有り, 筆頭著者, 責任著者

  
• Deep-ultraviolet light emission from 4H-AlN/4H-GaN short-period superlattice grown on 4 H - SiC (11 2 0)

  M. Kaneko; S. Ueta; M. Horita; T. Kimoto; J. Suda

  Applied Physics Letters, 2018年01月01日, 査読有り, 筆頭著者, 責任著者

  
• Phonon frequencies of a highly strained AlN layer coherently grown on 6H-SiC (0001)

  M. Kaneko; T. Kimoto; J. Suda

  AIP Advances, 2017年01月01日, 査読有り, 筆頭著者, 責任著者

  この論文にアクセスする：

  
• Strain control in AlN top layer by inserting an ultrathin GaN interlayer on an AlN template coherently grown on SiC(0001) by PAMBE

  Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto; Jun Suda

  Physica Status Solidi (B) Basic Research, 2016年05月01日, 査読有り, 筆頭著者, 責任著者

  
• Strong impact of the initial III/V ratio on the crystalline quality of an AlN layer grown by rf-plasma-assisted molecular-beam epitaxy

  Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto; Jun Suda

  Applied Physics Express, 2016年02月01日, 査読有り, 筆頭著者, 責任著者

  
• Coherent growth of AlN/GaN short-period superlattice with average GaN mole fraction of up to 20% on 6H-SiC(0001) substrates by plasma-assisted molecular-beam epitaxy

  Mitsuaki Kaneko; Ryosuke Kikuchi; Hironori Okumura; Tsunenobu Kimoto; Jun Suda

  Japanese Journal of Applied Physics, 2013年08月, 査読有り, 筆頭著者, 責任著者

  
• Optical properties of highly strained AlN coherently grown on 6H-SiC(0001)

  Mitsuaki Kaneko; Hironori Okumura; Ryota Ishii; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami; Tsunenobu Kimoto; Jun Suda

  Applied Physics Express, 2013年06月, 査読有り, 筆頭著者, 責任著者

  
• AIN/GaN short-period superlattice coherently grown on 6H-SiC(0001) substrates by molecular beam epitaxy

  Ryosuke Kikuchi; Hironori Okumura; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto; Jun Suda

  Applied Physics Express, 2012年05月, 査読有り

  
• Physics and Innovative Technologies in SiC Power Devices

  T. Kimoto; M. Kaneko; K. Tachiki; K. Ito; R. Ishikawa; X. Chi; D. Stefanakis; T. Kobayashi; H. Tanaka

  Tech. Digest of 67th IEEE Int. Electron Devices Meeting, 2022年03月09日

  
• Carrier Trapping Effects on Forward Characteristics of SiC p-i-n Diodes Fabricated on High-Purity Semi-Insulating Substrates

  Katsuya Takahashi; Hajime Tanaka; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto

  IEEE Transactions on Electron Devices, 2022年04月, 査読有り

  

MISC

• ラマン散乱分光法および赤外反射分光法によるGaN自立基板の評価 (電子デバイス)

  鐘ヶ江 一孝; 金子 光顕; 木本 恒暢; 堀田 昌宏; 須田 淳

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 2016年12月12日

  
• ラマン散乱分光法および赤外反射分光法によるGaN自立基板の評価 (電子部品・材料)

  鐘ヶ江 一孝; 金子 光顕; 木本 恒暢; 堀田 昌宏; 須田 淳

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 2016年12月12日

  
• ラマン散乱分光法および赤外反射分光法によるGaN自立基板の評価 (レーザ・量子エレクトロニクス)

  鐘ヶ江 一孝; 金子 光顕; 木本 恒暢; 堀田 昌宏; 須田 淳

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 2016年12月12日

  
• 学生としてノーベルウィークに参加して:SIYSS参加報告

  金子 光顕

  応用物理, 2015年

  

講演・口頭発表等

• Performance Improvement of SiC Complementary JFETs for High-Temperature Integrated Circuits

  Mitsuaki Kaneko; Taiga Matsuoka; Shunya Shibata; Kyota Mikami; Tsunenobu Kimoto

  2025 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2025), 2025年07月03日, 招待有り

  
• 厳環境動作IC実現に向けたSiC相補型JFETの提案とその動作実証

  金子 光顕; 三上 杏太; 木本 恒暢

  第163回結晶工学分科会研究会, 2025年06月18日, 招待有り

  
• Effect of oxidation ambient on the density of single photon sources formed at SiO2/SiC interface

  Mitsuaki Kaneko; Hideaki Takashima; Konosuke Shimazaki; Shigeki Takeuchi; Tsunenobu Kimoto

  Workshop on Material, Photonics, and Quantum Technology (WMPQT2025), 2025年06月12日, 招待有り

  
• 酸化抑制プロセスによる高濃度ボディ層を有するSiC(0001),(1120)および(1100)MOSFETの移動度向上

  立木 馨大; 三上 杏太; 金子 光顕; 木本 恒暢

  第71回応用物理学会春季学術講演会, 2024年03月23日, 招待有り

  
• 高温動作集積回路を目指したSiC基板へのイオン注入によるボトムゲートJFETの作製

  柴田 峻弥; 松岡 大雅; 金子 光顕; 木本 恒暢

  応用物理学会先進パワー半導体分科会 第10回講演会, 2023年12月01日, 招待有り

  
• 無極性面の適用によるSiC p チャネルMOSFET の移動度向上

  三上 杏太; 金子 光顕; 木本 恒暢

  第84回応用物理学会秋季学術講演会, 2023年09月21日, 招待有り

  
• 4H-SiCにおける電子移動度および正孔移動度の異方性

  石川 諒弥; 原 征大; 田中 一; 金子 光顕; 木本 恒暢

  第69回応用物理学会春季学術講演会, 2022年03月25日, 招待有り

  
• 水素エッチングとSiO2堆積後の窒化処理を組み合わせた高品質4H-SiC/SiO2界面の形成

  立木 馨大; 金子 光顕; 小林 拓真; 木本 恒暢

  第68回応用物理学会春季学術講演会, 2021年03月18日, 招待有り

  
• 厳環境動作集積回路実現に向けたSiC相補型MOSおよび相補型JFETの研究

  金子 光顕; 三上 杏太; 木本 恒暢

  SiCアライアンス第１回技術・普及WG, 2025年05月08日, 招待有り

  
• SiC相補型JFETの350℃動作実証および性能向上に向けた基礎研究

  金子 光顕; 木本 恒暢

  第72回応用物理学会春季学術講演会 特別シンポジウム「極限環境デバイス」, 2025年03月15日, 招待有り

  
• Fundamentals and Future Challenges of SiC Power Devices

  Tsunenobu Kimoto; Ryoya Ishikawa; Keita Tachiki; Xilun Chi; Kyota Mikami; Mitsuaki Kaneko

  9th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing (EDTM) Conference 2025, 2025年03月10日, 招待有り

  
• 酸化排除プロセスによるSiC(0001), (11-20), (1-100)MOSFETの移動度向上

  立木 馨大; 三上 杏太; 遅 熙倫; 金子 光顕; 木本 恒暢

  応用物理学会先進パワー半導体分科会 第11回講演会, 2024年11月25日, 招待有り

  
• SiC High-Voltage Power Devices and High-Temperature Ics

  Tsunenobu Kimoto; Mitsuaki Kaneko; Keita Tachiki; Koji Ito; Kyota Mikami; Haruki Fujii; Akira Inoue; Noriyuki Maeda

  2024 IEEE BiCMOS and Compound Semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium, 2024年10月28日, 招待有り

  
• 金属/高濃度ドープSiC非合金化界面トンネル現象の理解に基づく低抵抗オーミック接合形成

  原 征大; 北脇 武晃; 桑原 功太朗; 田中 一; 金子 光顕; 木本 恒暢

  応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会 第251回研究集会, 2024年07月11日, 招待有り

  
• Tunneling Phenomena and Ohmic Contact Formation at Non-Alloyed Metal/Heavily-Doped SiC Interfaces

  Masahiro Hara; Tateaki Kitawaki; Hajime Tanaka; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto

  Pacific Rim Meeting of Electrochemical and Solid State Science 2024, 2024年10月09日, 招待有り

  
• Impacts of Anisotropic Material Properties on Performance of SiC Power Devices

  Tsunenobu Kimoto; Ryoya Ishikawa; Xilun Chi; Kyota Mikami; Keita Tachiki; Mitsuaki Kaneko

  Pacific Rim Meeting of Electrochemical and Solid State Science 2024, 2024年10月07日, 招待有り

  
• Doping-dependent fixed charges in SiC MOSFETs

  Kyota Mikami; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto

  21st International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2024), 2024年10月01日, 招待有り

  
• Mobility enhancement in SiC n- and p-channel MOSFETs

  Mitsuaki Kaneko; Keita Tachiki; Kyota Mikami; Haruki Fujii; Tsunenobu Kimoto

  21st International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2024), 2024年10月01日, 招待有り

  
• SiC JFETを用いた厳環境動作相補型論理回路

  金子 光顕; 中島 誠志; 金 祺民; 前田 憲幸; 木本 恒暢

  半導体エレクトロニクス部門委員会第2回研究会 ナノ材料部門委員会第3回研究会, 2023年11月25日, 招待有り

  
• 350˚C operation of SiC complementary JFET logic gates

  Mitsuaki Kaneko; Masashi Nakajima; Qimin Jin; Noriyuki Maeda; Tsunenobu Kimoto

  12th IEEE CPMT Symposium Japan (ICSJ2023), 2023年11月17日, 招待有り

  
• Physics and Performance Improvement of SiC MOSFETs

  Tsunenobu Kimoto; Keita Tachiki; Kyota Mikami; Xilun Chi; Mitsuaki Kaneko

  2023 Int. Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology, 2023年10月23日, 招待有り

  
• SiC Complementary Junction Field-Effect Transistor Logic Gate Operation at 623 K [IEEE EDL]

  Mitsuaki Kaneko; Masashi Nakajima; Qimin Jin; Tsunenobu Kimoto

  The 23rd Kansai Colloquium Electron Devices Workshop, 2023年10月06日, 招待有り

  
• Depth profiles of deep levels in the whole band gap generated by reactive ion etching near the surface of 4H-SiC

  Shota Kozakai; Haruki Fujii; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto

  20th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2023), 2023年09月22日, 招待有り

  
• Density control of single-photon sources formed at a SiO2/SiC interface

  Mitsuaki Kaneko; Hideaki Takashima; Shigeki Takeuchi; Tsunenobu Kimoto

  20th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2023), 2023年09月18日, 招待有り

  
• Fundamentals of SiC Complementary MOSFETs and JFETs for Advanced IC Applications

  Tsunenobu Kimoto; Mitsuaki Kaneko

  20th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2023) Tutorial, 2023年09月17日, 招待有り

  
• High-Field Phenomena in SiC Material and Devices

  Tsunenobu Kimoto; Hiroki Niwa; Xilun Chi; Masahiro Hara; Ryoya Ishikawa; Hajime Tanaka; Mitsuaki Kaneko

  Symposium on Silicon Carbide as Quantum-Classical Platform, 2023年09月15日, 招待有り

  
• 熱酸化SiO2/SiC界面近傍に形成されるSiC中の深い準位

  藤井 開; 鐘ヶ江 一孝; 金子 光顕; 木本 恒暢

  第70回応用物理学会春季学術講演会, 2023年03月16日, 招待有り

  
• Progress of SiC MOSFETs and JFETs beyond Power Applications

  Tsunenobu Kimoto; Keita Tachiki; Kyota Mikami; Mitsuaki Kaneko

  IME Workshop on Wide Bandgap Semiconductors 2023, 2023年07月28日, 招待有り

  
• Hall効果測定によるSイオン注入n型SiC層の電気的性質評価

  松岡 大雅; 金子 光顕; 木本 恒暢

  応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第9回講演会, 2022年12月21日, 招待有り

  
• 高温動作集積回路を目指したSiC相補型JFETの基礎研究

  金子 光顕; 中島 誠志; 金 祺民; 前田 憲幸; 木本 恒暢

  応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第9回講演会, 2022年12月21日, 招待有り

  
• Progress and future challenges in SiC MOSFETs

  Tsunenobu Kimoto; Keita Tachiki; Koji Ito; Kyota Mikami; Mitsuaki Kaneko

  10th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors 2022, 2022年11月15日, 招待有り

  
• Ion Implantation Technology in SiC for Advanced Electron Devices

  Mitsuaki Kaneko; Masahiro Hara; Masashi Nakajima; Qimin Jin; Tsunenobu Kimoto

  23rd International Conference on Ion Implantation Technology (IIT2022), 2022年09月27日, 招待有り

  
• SiCパワーMOSFETの課題とMOS界面高品質化の進展

  木本 恒暢; 立木 馨大; 伊藤 滉二; 三上 杏太; 金子 光顕

  第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年09月21日, 招待有り

  
• High temperature operation of SiC complementary JFET logic gates fully fabricated by ion implantation

  Mitsuaki Kaneko; Masashi Nakajima; Qimin Jin; Tsunenobu Kimoto

  19th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2022), 2022年09月15日, 招待有り

  
• High Mobility in SiC MOSFETs with Heavily-Doped p-Bodies

  Tsunenobu Kimoto; Keita Tachiki; Koji Ito; Kyota Mikami; Mitsuaki Kaneko; Masahiro Horita; Jun Suda

  14th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2022), 2022年08月30日, 招待有り

  
• High-Temperature Operation of SiC JFET-Based Complementary Circuits

  M. Kaneko, M. Nakajima, Q. Jin, and T. Kimoto

  2022 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices, 2022年07月08日, 招待有り

  
• Physical Understanding and Prevention of Bipolar Degradation in SiC Power Devices

  Tsunenobu Kimoto; Akifumi Iijima; Mitsuaki Kaneko

  241st Electrochemical Society Meeting, 2022年05月30日, 招待有り

  
• Physics and Innovative Technologies in SiC Power Devices

  Tsunenobu Kimoto; Mitsuaki Kaneko; Keita Tachiki; Koji Ito; Ryoya Ishikawa; Xilun Chi; Dionysios Stefanakis; Takuma Kobayashi; Hajime Tanaka

  67th IEEE Int. Electron Devices Meeting, 2021年12月15日, 招待有り

  
• A New Horizon of SiC Technology Driven by Deeper Understanding of Physics

  Tsunenobu Kimoto; Mitsuaki Kaneko; Takuya Kobayashi; Hajime Tanaka; Keita Tachiki; Akihumi Iijima; Shoma Yamashita; Xilun Chi; Ying Zhao; Dionysios Stefanakis; Yu-ichiro Matsushita

  13th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2020・2021), 2021年10月28日, 招待有り

  
• Mobility improvement in 4H-SiC MOSFETs by H2 etching before SiO2 deposition and interface nitridation

  Keita Tachiki; Koji Ito; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto

  13th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2020・2021), 2021年10月26日, 招待有り

  
• Progress and Future Challenges of SiC Power MOSFETs

  Tsunenobu Kimoto; Takuma Kobayashi; Keita Tachiki; Koji Ito; Mitsuaki Kaneko

  5th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference 2021, 2021年04月11日, 招待有り

  
• Progress and Future Prospects of High-Voltage SiC Power Devices

  Tsunenobu Kimoto; Mitsuaki Kaneko

  2020 Int. Symp. on VLSI Technology, Systems and Applications, 2020年08月11日, 招待有り

  
• Progress and future challenges of SiC power devices for energy efficiency

  T. Kimoto; M. Kaneko

  12th Int. Symp. on Advanced Plasma Sci. & Its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2020), 2020年03月09日, 招待有り

  
• Breakdown Phenomena in High- and Low-Voltage SiC Devices

  T. Kimoto; X. Chi; Y. Zhao; H. Niwa; M. Kaneko

  Materials Research Meeting 2019, 2019年12月11日, 招待有り

  
• 高温動作集積回路を目指したノーマリオフ型p-JFETおよびn-JFETの同一SiC基板上への作製

  中島誠志; 金祺民; 金子光顕; 木本恒暢

  応用物理学会先進パワー半導体分科会 第6回講演会, 2019年12月04日, 招待有り

  
• SiCにおけるショックレー型積層欠陥の拡大/縮小臨界条件のモデリング

  金子光顕; 飯島彬文; 田中一; 木本恒暢

  応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第5回個別討論会「ここまで来たSiC順方向劣化現象の理解と対策」, 2019年06月17日, 招待有り

  
• 400℃ operation of normally-off n- and p-JFETs with a side-gate structure fabricated by ion implantation into a high-purity semi-insulating SiC substrate

  Masashi Nakjima; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto

  European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2018), 2018年09月10日, 招待有り

  
• Intentional introduction of misfit dislocations at AlN/SiC heterointerface

  Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto; Jun Suda

  6th Center for Integrated Research of Future Electronics Seminar: Seminar on Interface Control, 2017年08月10日, 招待有り

  
• Performance Improvement and Reliability Physics in SiC MOSFETs

  Tsunenobu Kimoto; Keita Tachiki; Akifumi Iijima; Mitsuaki Kaneko

  IEEE Int. Reliability Phys. Sympo., 2022年03月30日, 招待有り

  

産業財産権

• 特願2025-32410, 過渡容量変化の解析方法、装置およびプログラム

  金子 光顕; 山中 孝太郎; 木本 恒暢

  
• 特願2022-112930, ＳｉＣ接合型電界効果トランジスタ及びＳｉＣ相補型接合型電界効果トランジスタ

  金子光顕; 柴田峻弥; 木本恒暢

  
• 特願2022-065535, ＳｉＣ相補型電界効果トランジスタ

  金子光顕; 松岡大雅; 木本恒暢

  
• 特願2020-104834, SiC相補型電界効果トランジスタ

  木本恒暢; 金子光顕; 中島誠志

  
• 特開2019-091873, 特願2018-036440, SiC接合型電界効果トランジスタ及びSiC相補型接合型電界効果トランジスタ

  木本 恒暢; 金子 光顕; 中島 誠志

  

受賞

• 2024年11月29日

  第13回(2024年度）研究開発奨励賞
• 2023年10月06日

  IEEE　EDS　Kansai Chapter　of　the　Year　Award
• 2023年06月24日

  一般財団法人　安藤研究所, 第36回安藤博記念学術奨励賞

  炭化ケイ素を用いた低消費電力厳環境動作ICの研究, 出版社・新聞社・財団等の賞
• 2012年04月28日

  第4回窒化物半導体結晶成長講演会, 発表奨励賞
• 2012年10月19日

  窒化物半導体国際ワークショップ2012, 最優秀論文賞
• 2015年07月17日

  第34回電子材料シンポジウム, EMS賞
• 2015年09月13日

  応用物理学会, 第38回応用物理学会講演奨励賞
• 2020年04月40日

  船井情報科学振興財団, 船井研究奨励賞

メディア報道

• 京大、350℃で「SiC半導体IC」基本動作実証 相補型、消費電力抑える

  日刊工業新聞, 2022年04月, 新聞・雑誌

  

外部資金：科学研究費補助金

• SiC集積回路の超広温域における論理閾値電圧安定化

  若手研究

  小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連

  京都大学

  金子 光顕

  自 2021年04月01日, 至 2024年03月31日, 完了

  炭化ケイ素;電界効果トランジスタ;論理回路;閾値電圧;イオン注入;厳環境;接合型電界効果トランジスタ;深いドナー

  https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21K14209/
• ロバストエレクトロニクスを目指したSiC半導体の学理深化

  基盤研究(S)

  大区分C

  京都大学

  木本 恒暢

  自 2021年07月05日, 至 2026年03月31日, 交付

  炭化珪素;MOSFET;絶縁破壊;パワーデバイス;高温動作デバイス;MOS界面

  https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21H05003/
• 学理に基づく高品質SiC/酸化膜界面の形成とロバストデバイスへの展開

  基盤研究(A)

  中区分21:電気電子工学およびその関連分野

  京都大学

  木本 恒暢

  自 2021年04月05日, 至 2022年03月31日, 中途終了

  炭化珪素;MOS界面;酸化膜;MOSFET;チャネル移動度

  https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21H04563/
• 厳環境動作SiCハイブリッド集積回路の開発

  研究活動スタート支援

  0302:電気電子工学およびその関連分野

  京都大学

  金子 光顕

  自 2019年08月30日, 至 2021年03月31日, 完了

  炭化ケイ素;電界効果トランジスタ;論理回路;ハイブリッド;イオン注入;厳環境;接合型トランジスタ;炭化珪素;集積回路

  https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19K23515/
• 耐高温SiC集積回路の研究

  若手研究

  小区分21050:電気電子材料工学関連

  京都大学

  金子 光顕

  自 2024年04月01日, 至 2027年03月31日, 交付

  炭化ケイ素;電界効果トランジスタ;論理回路;デバイスモデル;ホール効果

  https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-24K17307/

外部資金：その他

• 高温動作不揮発性メモリ実現に向けたAlBN強誘電体のSiC基板上への成長

  岩谷直治記念財団, 第51回岩谷科学技術研究助成

  自 2025年04月01日, 至 2026年03月31日
• 高温環境で動作可能な大規模集積回路（LSI）

  キヤノン財団, 新産業を生む科学技術

  自 2025年04月01日, 至 2028年03月31日
• 200℃以上の高温環境で動作するロジック半導体（集積回路）の実現

  科学技術振興機構（JST）, 大学発新産業創出基金事業　スタートアップ・エコシステム共創プログラム KSAC-GAPファンド

  自 2025年04月01日, 至 2026年03月31日
• 厳環境エレクトロニクス実現に向けた炭化ケイ素電子デバイスの研究

  みずほ学術振興財団, 第67回工学研究助成

  自 2024年10月01日, 至 2025年09月30日
• 異種原子ドープSiC半絶縁性基板へのイオン注入によるn型およびp型層の形成とその物性評価

  日本板硝子材料工学助成会, 令和6年度（第46回）研究助成

  自 2024年04月01日, 至 2027年03月31日
• イオン注入による厳環境動作SiC集積回路の開発

  増屋記念基礎研究振興財団

  自 2019年04月01日, 至 2020年03月31日

  金子光顕
• 超高温環境動作SiC集積回路の開発

  稲盛財団

  自 2020年04月01日, 至 2023年03月31日

  金子光顕
• 超高温環境動作可能な相補型JFET集積回路の開発

  村田学術振興財団

  自 2020年07月01日, 至 2021年06月30日

  金子光顕
• 厳環境動作集積回路実現に向けた炭化ケイ素半導体中のイオン注入時チャネリング量の同定

  池谷科学技術振興財団

  自 2021年04月01日, 至 2022年03月31日

  金子　光顕
• 超高温動作可能な炭化ケイ素集積回路開発に関する研究

  サムコ科学技術振興財団

  自 2021年10月01日, 至 2022年09月30日

  金子光顕

教育

担当科目

• 自 2025年04月01日, 至 2026年03月31日

  電気電子工学実習

  6202, 後期, 工学部, 2
• 自 2024年04月01日, 至 2025年03月31日

  電気電子工学実習

  6202, 後期, 工学部, 2
• 自 2023年04月01日, 至 2024年03月31日

  電気電子工学実習

  6202, 後期, 工学部, 2
• 自 2022年04月01日, 至 2023年03月31日

  電気電子工学実習

  6202, 後期, 工学部, 2
• 自 2019年04月, 至 2020年03月

  電気電子工学実習

  後期, 工学部
• 自 2020年04月, 至 2021年03月

  電気電子工学基礎実験

  後期, 工学部
• 自 2020年04月, 至 2021年03月

  電気電子工学実習

  後期, 工学部
• 自 2021年04月, 至 2022年03月

  電気電子工学実習

  後期, 工学部

大学運営

部局運営(役職等)

• 自 2019年04月01日

  電気電子工学科　サマーキャンプ運営委員会
• 自 2020年04月01日, 至 2022年03月31日

  桂事業場環境安全衛生委員会　委員
• 自 2020年04月01日

  電気電子工学科　学生実験9人委員
• 自 2020年05月01日

  工学部無期廃液処理実行委員会（電気系担当）

学術・社会貢献

委員歴

• 自 2025年04月, 至 現在

  幹事, 応用物理学会 関西支部
• 自 2025年03月, 至 現在

  会計, ICSCRM2026実行委員会
• 自 2024年04月, 至 現在

  幹事, 応用物理学会 先進パワー半導体分科会
• 自 2023年03月, 至 2023年10月

  会場委員, 第42回EMS
• 自 2022年03月, 至 2022年10月

  会場委員, 第41回EMS
• 自 2020年04月, 至 2024年03月

  (常任) 会計幹事, 応用物理学会 先進パワー半導体分科会
• 自 2019年01月, 至 2019年10月

  ICSCRM 2019組織委員

社会貢献活動

• 君たちはどう使うか？～半導体デバイスの課題と、挑戦の先に見える世界とは

  パネリスト

  IVS2024, IVS2024, 自 2024年07月04日, 至 2024年07月09日