基本情報

学部兼担

• 工学部

学位

• 修士(工学)(京都大学)
• 博士(工学)(京都大学)

出身大学院・研究科等

• 京都大学, 大学院工学研究科修士課程電子工学専攻, 修了
• 京都大学, 大学院工学研究科博士後期課程電子工学専攻, 修了

出身学校・専攻等

• 京都大学, 工学部電気電子工学科, 卒業

経歴

• 自 2019年01月, 至 現在

  京都大学大学院, 助教
• 自 2017年12月, 至 2018年12月

  スイス連邦工科大学, 日本学術振興会海外特別研究員
• 自 2017年04月, 至 2017年12月

  京都大学大学院, 特定研究員（PD）
• 自 2016年10月, 至 2017年03月

  京都大学大学院, 日本学術振興会特別研究員（PD）
• 自 2014年04月, 至 2016年09月

  京都大学大学院, 日本学術振興会特別研究員（DC1）

ID,URL

• J-Global ID

  201901019940361859

• 外部リンク

  http://semicon.kuee.kyoto-u.ac.jp/

researchmap URL

• https://researchmap.jp/Miki-k

研究

研究テーマ・研究概要

• 研究テーマ

  厳環境動作集積回路実現に向けたSiCデバイスの開発

• 研究概要

  ワイドギャップ半導体SiCを用いた高温・高放射線環境・高圧といった厳環境で動作する集積回路開発に向けた基礎検討

研究キーワード

• 炭化ケイ素
• 結晶成長
• 電子デバイス
• ワイドギャップ半導体

研究分野

• ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学）, 電気電子材料工学

論文

• SiC Complementary Junction Field-Effect Transistor Logic Gate Operation at 623 K

  M. Kaneko; M. Nakajima; Q. Jin; T. Kimoto

  IEEE Electron Device Letters, 2022年07月, 査読有り, 筆頭著者, 責任著者

  
• Mobility enhancement in heavily doped 4H-SiC (0001), (112̄0), and (11̄00) MOSFETs via an oxidation-minimizing process

  Keita Tachiki; Kyota Mikami; Koji Ito; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto

  Applied Physics Express, 2022年07月01日, 査読有り

  
• Performance Improvement and Reliability Physics in SiC MOSFETs

  T. Kimoto; K. Tachiki; A. Iijima; M. Kaneko

  Proc. of IEEE Int. Reliability Phys. Sympo., 2022年05月

  
• Critical electric field for transition of thermionic field emission/field emission transport in heavily doped SiC Schottky barrier diodes

  Masahiro Hara; Hajime Tanaka; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto

  Applied Physics Letters, 2022年04月25日, 査読有り

  
• Electron mobility along 〈0001〉 and 〈11̅00〉 directions in 4H-SiC over a wide range of donor concentration and temperature

  Ryoya Ishikawa; Masahiro Hara; Hajime Tanaka; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto

  Applied Physics Express, 2021年06月03日, 査読有り

  
• Expansion patterns of single Shockley stacking faults from scratches on 4H-SiC

  Euihyeon Do; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto

  Japanese Journal of Applied Physics, 2021年05月13日, 査読有り

  
• Lateral spreads of ion-implanted Al and P atoms in silicon carbide

  Qimin Jin; Masashi Nakajima; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto

  Japanese Journal of Applied Physics, 2021年04月28日, 査読有り

  
• Nearly Fermi-level-pinning-free interface in metal/heavily-doped SiC Schottky structures

  Masahiro Hara; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto

  Japanese Journal of Applied Physics, 2021年02月18日, 査読有り

  
• Mobility improvement of 4H-SiC (0001) MOSFETs by a three-step process of H2 etching, SiO2 deposition, and interface nitridation

  Keita Tachiki; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto

  Applied Physics Express, 2021年01月29日, 査読有り

  
• Formation of high-quality SiC(0001)/SiO2 structures by excluding oxidation process with H2 etching before SiO2 deposition and high-temperature N2 annealing

  Keita Tachiki; Mitsuaki Kaneko; Takuma Kobayashi; Tsunenobu Kimoto

  Applied Physics Express, 2020年12月01日, 査読有り

  
• Experimental Study on Short-Channel Effects in Double-Gate Silicon Carbide JFETs

  M. Kaneko; M. Nakajima; Q. Jin; T. Kimoto

  IEEE Transactions on Electron Devices, 2020年10月, 査読有り, 筆頭著者

  
• Experimental Determination of Impact Ionization Coefficients Along 〈1120〉 in 4H-SiC

  Dionysios Stefanakis; Xilun Chi; Takuya Maeda; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto

  IEEE Transactions on Electron Devices, 2020年09月, 査読有り

  
• Tunneling Current in 4H-SiC p-n Junction Diodes

  M. Kaneko; X. Chi; T. Kimoto

  IEEE Transactions on Electron Devices, 2020年08月, 査読有り, 筆頭著者

  
• Multi-cycle RHEED oscillation under nitrogen supply in alternative source supply AlN growth by rf-MBE

  Mitsuaki Kaneko; Kazuto Hirai; Tsunenobu Kimoto; Jun Suda

  Applied Physics Express, 2020年02月01日, 査読有り, 筆頭著者

  
• Normally-off 400 °c Operation of n- and p-JFETs with a Side-Gate Structure Fabricated by Ion Implantation into a High-Purity Semi-Insulating SiC Substrate

  M. Nakajima; M. Kaneko; T. Kimoto

  IEEE Electron Device Letters, 2019年06月, 査読有り

  
• SIC vertical-channel n-and P-JFETS fully fabricated by ion implantation

  Mitsuaki Kaneko; Ulrike Grossner; Tsunenobu Kimoto

  Materials Science Forum, 2019年01月, 査読有り

  
• Characterization of carrier concentration and mobility of GaN bulk substrates by Raman scattering and infrared reflectance spectroscopies

  Kanegae Kazutaka; Kaneko Mitsuaki; Kimoto Tsunenobu; Horita Masahiro; Suda Jun

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2018年07月, 査読有り

  
• High-Temperature Operation of n- and p-Channel JFETs Fabricated by Ion Implantation into a High-Purity Semi-Insulating SiC Substrate

  M. Kaneko; T. Kimoto

  IEEE Electron Device Letters, 2018年05月01日, 査読有り

  
• Deep-ultraviolet light emission from 4H-AlN/4H-GaN short-period superlattice grown on 4 H - SiC (11 2 0)

  M. Kaneko; S. Ueta; M. Horita; T. Kimoto; J. Suda

  Applied Physics Letters, 2018年01月01日, 査読有り

  
• Phonon frequencies of a highly strained AlN layer coherently grown on 6H-SiC (0001)

  M. Kaneko; T. Kimoto; J. Suda

  AIP Advances, 2017年01月01日, 査読有り

  
• Strain control in AlN top layer by inserting an ultrathin GaN interlayer on an AlN template coherently grown on SiC(0001) by PAMBE

  Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto; Jun Suda

  Physica Status Solidi (B) Basic Research, 2016年05月01日, 査読有り

  
• Strong impact of the initial III/V ratio on the crystalline quality of an AlN layer grown by rf-plasma-assisted molecular-beam epitaxy

  Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto; Jun Suda

  Applied Physics Express, 2016年02月01日, 査読有り

  
• Coherent growth of AlN/GaN short-period superlattice with average GaN mole fraction of up to 20% on 6H-SiC(0001) substrates by plasma-assisted molecular-beam epitaxy

  Mitsuaki Kaneko; Ryosuke Kikuchi; Hironori Okumura; Tsunenobu Kimoto; Jun Suda

  Japanese Journal of Applied Physics, 2013年08月, 査読有り

  
• Optical properties of highly strained AlN coherently grown on 6H-SiC(0001)

  Mitsuaki Kaneko; Hironori Okumura; Ryota Ishii; Mitsuru Funato; Yoichi Kawakami; Tsunenobu Kimoto; Jun Suda

  Applied Physics Express, 2013年06月, 査読有り

  
• AIN/GaN short-period superlattice coherently grown on 6H-SiC(0001) substrates by molecular beam epitaxy

  Ryosuke Kikuchi; Hironori Okumura; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto; Jun Suda

  Applied Physics Express, 2012年05月, 査読有り

  
• Physics and Innovative Technologies in SiC Power Devices

  T. Kimoto; M. Kaneko; K. Tachiki; K. Ito; R. Ishikawa; X. Chi; D. Stefanakis; T. Kobayashi; H. Tanaka

  Tech. Digest of 67th IEEE Int. Electron Devices Meeting, 2022年03月09日

  
• Carrier Trapping Effects on Forward Characteristics of SiC p-i-n Diodes Fabricated on High-Purity Semi-Insulating Substrates

  Katsuya Takahashi; Hajime Tanaka; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto

  IEEE Transactions on Electron Devices, 2022年04月, 査読有り

  

MISC

• ラマン散乱分光法および赤外反射分光法によるGaN自立基板の評価 (電子デバイス)

  鐘ヶ江 一孝; 金子 光顕; 木本 恒暢; 堀田 昌宏; 須田 淳

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 2016年12月12日

  
• ラマン散乱分光法および赤外反射分光法によるGaN自立基板の評価 (電子部品・材料)

  鐘ヶ江 一孝; 金子 光顕; 木本 恒暢; 堀田 昌宏; 須田 淳

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 2016年12月12日

  
• ラマン散乱分光法および赤外反射分光法によるGaN自立基板の評価 (レーザ・量子エレクトロニクス)

  鐘ヶ江 一孝; 金子 光顕; 木本 恒暢; 堀田 昌宏; 須田 淳

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 2016年12月12日

  
• 学生としてノーベルウィークに参加して:SIYSS参加報告

  金子 光顕

  応用物理, 2015年

  

講演・口頭発表等

• High Mobility in SiC MOSFETs with Heavily-Doped p-Bodies

  Tsunenobu Kimoto; Keita Tachiki; Koji Ito; Kyota Mikami; Mitsuaki Kaneko; Masahiro Horita; Jun Suda

  14th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2022), 2022年08月30日, 招待有り

  
• High-Temperature Operation of SiC JFET-Based Complementary Circuits

  M. Kaneko, M. Nakajima, Q. Jin, and T. Kimoto

  2022 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices, 2022年07月08日, 招待有り

  
• Physical Understanding and Prevention of Bipolar Degradation in SiC Power Devices

  Tsunenobu Kimoto; Akifumi Iijima; Mitsuaki Kaneko

  241st Electrochemical Society Meeting, 2022年05月30日, 招待有り

  
• Physics and Innovative Technologies in SiC Power Devices

  Tsunenobu Kimoto; Mitsuaki Kaneko; Keita Tachiki; Koji Ito; Ryoya Ishikawa; Xilun Chi; Dionysios Stefanakis; Takuma Kobayashi; Hajime Tanaka

  67th IEEE Int. Electron Devices Meeting, 2021年12月15日, 招待有り

  
• A New Horizon of SiC Technology Driven by Deeper Understanding of Physics

  Tsunenobu Kimoto; Mitsuaki Kaneko; Takuya Kobayashi; Hajime Tanaka; Keita Tachiki; Akihumi Iijima; Shoma Yamashita; Xilun Chi; Ying Zhao; Dionysios Stefanakis; Yu-ichiro Matsushita

  13th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2020・2021), 2021年10月28日, 招待有り

  
• Mobility improvement in 4H-SiC MOSFETs by H2 etching before SiO2 deposition and interface nitridation

  Keita Tachiki; Koji Ito; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto

  13th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2020・2021), 2021年10月26日, 招待有り

  
• Progress and Future Challenges of SiC Power MOSFETs

  Tsunenobu Kimoto; Takuma Kobayashi; Keita Tachiki; Koji Ito; Mitsuaki Kaneko

  5th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference 2021, 2021年04月11日, 招待有り

  
• Progress and Future Prospects of High-Voltage SiC Power Devices

  Tsunenobu Kimoto; Mitsuaki Kaneko

  2020 Int. Symp. on VLSI Technology, Systems and Applications, 2020年08月11日, 招待有り

  
• Progress and future challenges of SiC power devices for energy efficiency

  T. Kimoto; M. Kaneko

  12th Int. Symp. on Advanced Plasma Sci. & Its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2020), 2020年03月09日, 招待有り

  
• Breakdown Phenomena in High- and Low-Voltage SiC Devices

  T. Kimoto; X. Chi; Y. Zhao; H. Niwa; M. Kaneko

  Materials Research Meeting 2019, 2019年12月11日, 招待有り

  
• 高温動作集積回路を目指したノーマリオフ型p-JFETおよびn-JFETの同一SiC基板上への作製

  中島誠志; 金祺民; 金子光顕; 木本恒暢

  応用物理学会先進パワー半導体分科会 第6回講演会, 2019年12月04日, 招待有り

  
• SiCにおけるショックレー型積層欠陥の拡大/縮小臨海条件のモデリング

  金子光顕; 飯島彬文; 田中一; 木本恒暢

  応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第5回個別討論会「ここまで来たSiC順方向劣化現象の理解と対策」, 2019年06月17日, 招待有り

  
• 400℃ operation of normally-off n- and p-JFETs with a side-gate structure fabricated by ion implantation into a high-purity semi-insulating SiC substrate

  Masashi Nakjima; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto

  European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2018), 2018年09月10日, 招待有り

  
• Intentional introduction of misfit dislocations at AlN/SiC heterointerface

  Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto; Jun Suda

  6th Center for Integrated Research of Future Electronics Seminar: Seminar on Interface Control, 2017年08月10日, 招待有り

  
• Performance Improvement and Reliability Physics in SiC MOSFETs

  Tsunenobu Kimoto; Keita Tachiki; Akifumi Iijima; Mitsuaki Kaneko

  IEEE Int. Reliability Phys. Sympo., 2022年03月30日, 招待有り

  

産業財産権

• 特開2019-091873, 特願2018-036440, SiC接合型電界効果トランジスタ及びSiC相補型接合型電界効果トランジスタ

  木本 恒暢; 金子 光顕; 中島 誠志

  

受賞

• 2012年04月28日

  第4回窒化物半導体結晶成長講演会, 発表奨励賞
• 2012年10月19日

  窒化物半導体国際ワークショップ2012, 最優秀論文賞
• 2015年07月17日

  第34回電子材料シンポジウム, EMS賞
• 2015年09月13日

  応用物理学会, 第38回応用物理学会講演奨励賞
• 2020年04月40日

  船井情報科学振興財団, 船井研究奨励賞

外部資金：科学研究費補助金

• SiC集積回路の超広温域における論理閾値電圧安定化

  若手研究

  小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連

  京都大学

  金子 光顕

  自 2021年04月01日, 至 2024年03月31日, 交付

  炭化ケイ素;電界効果トランジスタ;論理回路;閾値電圧;イオン注入

  https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21K14209/
• ロバストエレクトロニクスを目指したSiC半導体の学理深化

  基盤研究(S)

  大区分C

  京都大学

  木本 恒暢

  自 2021年07月05日, 至 2026年03月31日, 交付

  炭化珪素;MOS界面;MOSFET;絶縁破壊;高温動作デバイス

  https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21H05003/
• 学理に基づく高品質SiC/酸化膜界面の形成とロバストデバイスへの展開

  基盤研究(A)

  中区分21:電気電子工学およびその関連分野

  京都大学

  木本 恒暢

  自 2021年04月05日, 至 2024年03月31日, 交付

  炭化珪素;酸化膜;MOSFET;MOS界面;チャネル移動度

  https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21H04563/
• 厳環境動作SiCハイブリッド集積回路の開発

  研究活動スタート支援

  0302:電気電子工学およびその関連分野

  京都大学

  金子 光顕

  自 2019年08月30日, 至 2021年03月31日, 完了

  炭化ケイ素;電界効果トランジスタ;論理回路;ハイブリッド;イオン注入;厳環境;接合型トランジスタ;炭化珪素;集積回路

  https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19K23515/

外部資金：その他

• イオン注入による厳環境動作SiC集積回路の開発

  増屋記念基礎研究振興財団

  自 2019年04月01日, 至 2020年03月31日

  金子光顕
• 超高温環境動作SiC集積回路の開発

  稲盛財団

  自 2020年04月01日, 至 2023年03月31日

  金子光顕
• 超高温環境動作可能な相補型JFET集積回路の開発

  村田学術振興財団

  自 2020年07月01日, 至 2021年06月30日

  金子光顕
• 厳環境動作集積回路実現に向けた炭化ケイ素半導体中のイオン注入時チャネリング量の同定

  池谷科学技術振興財団

  自 2021年04月01日, 至 2022年03月31日

  金子　光顕
• 超高温動作可能な炭化ケイ素集積回路開発に関する研究

  サムコ科学技術振興財団

  自 2021年10月01日, 至 2022年09月30日

  金子光顕

教育

担当科目

• 自 2022年04月01日, 至 2023年03月31日

  電気電子工学実習

  6202, 後期, 工学部, 2
• 自 2019年04月, 至 2020年03月

  電気電子工学実習

  後期, 工学部
• 自 2020年04月, 至 2021年03月

  電気電子工学基礎実験

  後期, 工学部
• 自 2020年04月, 至 2021年03月

  電気電子工学実習

  後期, 工学部
• 自 2021年04月, 至 2022年03月

  電気電子工学実習

  後期, 工学部

大学運営

部局運営(役職等)

• 自 2019年04月01日

  電気電子工学科　サマーキャンプ運営委員会
• 自 2020年04月01日, 至 2022年03月31日

  桂事業場環境安全衛生委員会　委員
• 自 2020年04月01日

  電気電子工学科　学生実験9人委員
• 自 2020年05月01日

  工学部無期廃液処理実行委員会（電気系担当）

学術・社会貢献

委員歴

• 自 2022年03月, 至 現在

  会場委員, 第41回EMS
• 自 2020年04月, 至 現在

  (常任) 会計幹事, 応用物理学会 先進パワー半導体分科会
• 自 2019年01月, 至 2019年10月

  ICSCRM 2019組織委員