基本情報

協力講座

• 工学研究科, 電子工学専攻 高機能材料工学講座, 教授

学部兼担

• 工学部

所属学協会

• ナノ学会
• IEEE
• 日本真空表面学会
• 日本材料学会
• 電気学会
• 電子情報通信学会
• 応用物理学会

学位

• 工学修士(京都大学)
• 工学博士(京都大学)

出身大学院・研究科等

• 京都大学, 大学院工学研究科修士課程電気工学専攻, 修了

出身学校・専攻等

• 京都大学, 工学部電気工学科, 卒業

経歴

• 自 2001年04月, 至 現在

  京都大学, 教授
• 自 1990年04月, 至 2001年03月

  京都大学, 助教授
• 自 1994年08月, 至 1995年04月

  North Carolina State University, 研究員
• 自 1980年04月, 至 1990年03月

  京都大学, 助手

使用言語

• 英語

ID,URL

• J-Global ID

  200901033344335803

• 外部リンク

  http://pesec.t.kyoto-u.ac.jp/ematerial/

researchmap URL

• https://researchmap.jp/read0012706

研究

研究キーワード

• 深紫外光デバイス
• パワーデバイス
• 電子・光物性
• 結晶成長
• 超ワイドバンドギャップ酸化物半導体

研究分野

• ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学）, 電気電子材料工学
• ナノテク・材料, 光工学、光量子科学
• ナノテク・材料, 結晶工学
• ナノテク・材料, 応用物性

論文

• Bandgap engineering of spinel-structured oxide semiconductor alloys

  Yuichi Ota; Kentaro Kaneko; Takeyoshi Onuma; Shizuo Fujita

  Journal of Physics D: Applied Physics, 2024年06月28日, 査読有り

  
• Corrigendum: “Initial nucleation scheme of Ga2O3 on (0001) sapphire by mist CVD for the growth of α-phase” [Jpn. J. Appl. Phys. 60, 055501 (2021)]

  Hitoshi Takane; Kentaro Kaneko; Yuichi Ota; Shizuo Fujita

  Japanese Journal of Applied Physics, 2022年09月01日, 査読有り

  
• Properties of Ga2O3-based (InxGa1-x)2O3alloy thin films grown by molecular beam epitaxy

  Takayoshi Oshima; Shizuo Fujita

  physica status solidi (c), 2008年07月, 査読有り

  
• Monolayer scale analysis of ZnSe/GaAs heterointerface structures by X-ray CTR scattering and interference

  Y. Takeda; K. Fujita; M. Tabuchi; M. Funato; S. Aoki; Sz. Fujita; Sg. Fujita

  Proceedings of the IEEE 24th International Symposium on Compound Semiconductors, ISCS 1997, 1997年

  
• Realization of cathodoluminescence in the 180 nm spectral range by suppressing thermal stress in mist chemical vapor deposition of rocksalt-structured MgZnO films

  Kotaro Ogawa; Wataru Kosaka; Hiroya Kusaka; Kanta Kudo; Soichiro Ohno; Izumi Serizawa; Yuichi Ota; Tomohiro Yamaguchi; Tohru Honda; Kentaro Kaneko; Shizuo Fujita; Takeyoshi Onuma

  Japanese Journal of Applied Physics, 2024年01月04日

  
• Electrical characterization of MOVPE-grown p-type GaN:Mg against annealing temperature

  Shizuo Fujita; Mitsuru Funato; Doo-Cheol Park; Yoshifumi Ikenaga; Shigeo Fujita

  Materials Research Society Symposium - Proceedings, 1999年

  
• Formation of ZnSe/GaAs heterovalent heterostructures by MOVPE

  Mitsuru Funato; Satoshi Aoki; Shizuo Fujita; Shigeo Fujita

  Materials Research Society Symposium - Proceedings, 1997年

  
• Steady-state and dynamic characteristics of deep UV luminescence in rock salt-structured MgxZn1−xO

  Takeyoshi Onuma; Kanta Kudo; Mizuki Ono; Wataru Kosaka; Kohei Shima; Kyohei Ishii; Kentaro Kaneko; Yuichi Ota; Tomohiro Yamaguchi; Kazunobu Kojima; Shizuo Fujita; Shigefusa F. Chichibu; Tohru Honda

  Journal of Applied Physics, 2023年07月13日

  
• Natural band alignment of MgO1−xSx alloys

  Yuichi Ota; Kentaro Kaneko; Takeyoshi Onuma; Shizuo Fujita

  AIP Advances, 2023年05月01日

  
• Identification of free and bound exciton emission of MgO single crystal in vacuum ultraviolet spectral range

  Takeyoshi Onuma; Wataru Kosaka; Kanta Kudo; Yuichi Ota; Tomohiro Yamaguchi; Kentaro Kaneko; Shizuo Fujita; Tohru Honda

  Applied Physics Letters, 2021年09月27日, 査読有り

  
• Mutually Synchronized Macroscopic Josephson Oscillations Demonstrated by Polarization Analysis of Superconducting Terahertz Emitters

  M. Tsujimoto; S. Fujita; G. Kuwano; K. Maeda; A. Elarabi; J. Hawecker; J. Tignon; J. Mangeney; S. S. Dhillon; I. Kakeya

  Physical Review Applied, 2020年05月, 査読有り

  
• Formation mechanism and energy levels of GaN six-bilayer periodic structures grown on GaAs(001)

  M Funato; S Fujita; S Fujita

  PHYSICAL REVIEW B, 2001年04月, 査読有り

  この論文にアクセスする：

  
• A cause of the crystalline orientation in hexagonal GaN grown on AIAs/GaAs(001)

  A Hamaguchi; M Funato; T Ishido; S Fujita; S Fujita

  PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, 2000年, 査読有り

  
• MOVPE growth of high quality cubic GaN on GaAs: The role of growth rates

  M Funato; M Ogawa; T Ishido; S Fujita; S Fujita

  PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 1999年11月, 査読有り

  
• Initial growth behavior of GaAs on ZnSe in MOVPE

  M Funato; S Aoki; S Fujita; S Fujita

  JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1997年01月, 査読有り

  
• FABRICATION OF SHORT-PERIOD ZNSE-GAAS SUPERLATTICES BY MOVPE

  M FUNATO; S FUJITA; S FUJITA

  SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES FOR PHOTONIC AND ELECTRONIC APPLICATIONS, 1993年, 査読有り

  
• ORGANOMETALLIC VAPOR-PHASE EPITAXIAL-GROWTH OF CUBIC ZNCDS LATTICE-MATCHED TO GAAS SUBSTRATE

  S FUJITA; S HAYASHI; M FUNATO; S FUJITA

  JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1990年01月, 査読有り

  
• Initial nucleation scheme of Ga2O3 on (0001) sapphire by mist CVD for the growth of alpha-phase

  Hitoshi Takane; Kentaro Kaneko; Yuichi Ota; Shizuo Fujita

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2021年05月, 査読有り

  
• Analysis of Deep Traps in Mist Chemical Vapor Deposition-Grown n-Type alpha-Ga2O3 by Photocapacitance Method

  Hitoshi Takane; Kentaro Kaneko; Takashi Shinohe; Shizuo Fujita

  PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, 2021年05月, 査読有り

  
• Thermal stability of α-(Al x Ga1–x )2O3 films grown on c-plane sapphire substrates with an Al composition up to 90%

  Riena Jinno; Kentaro Kaneko; Shizuo Fujita

  Japanese Journal of Applied Physics, 2021年05月01日

  
• Ultra-wide bandgap corundum-structured p-type alpha-(Ir,Ga)(2)O-3 alloys for alpha-Ga2O3 electronics

  Kentaro Kaneko; Yasuhisa Masuda; Shin-ichi Kan; Isao Takahashi; Yuji Kato; Takashi Shinohe; Shizuo Fujita

  APPLIED PHYSICS LETTERS, 2021年03月, 査読有り

  
• Thermal stability of alpha-Ga2O3 films grown on c-plane sapphire substrates via mist-CVD

  Riena Jinno; Kentaro Kaneko; Shizuo Fujita

  AIP ADVANCES, 2020年11月, 査読有り

  この論文にアクセスする：

  
• ミストCVD法 (特集 ガラスに適用可能なコーティング技術とその機能)

  藤田 静雄

  New glass, 2020年07月, 査読有り

  
• Excitation-current-density and temperature dependences of deep UV cathodoluminescence in rocksalt-structured MgxZn1-xO films (vol 125, 225108, 2019)

  M. Ono; K. Ishii; K. Kaneko; T. Yamaguchi; T. Honda; S. Fujita; T. Onuma

  JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2020年02月, 査読有り

  
• バッファ層導入によるサファイア基板上α-Ga₂O₃薄膜の高品質化

  金子 健太郎; 伊藤 義人; 藤田 静雄

  材料, 2020年, 査読有り

  
• Enhancement of epitaxial lateral overgrowth in the mist chemical vapor deposition of ?-Ga2O3 by using a-plane sapphire substrate

  Riena Jinno; Nobuhiro Yoshimura; Kentaro Kaneko; Shizuo Fujita

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2019年12月, 査読有り

  
• Towards Oxide Electronics: a Roadmap

  M. Coll; J. Fontcuberta; M. Althammer; M. Bibes; H. Boschker; A. Calleja; G. Cheng; M. Cuoco; R. Dittmann; B. Dkhil; I El Baggari; M. Fanciulli; I Fina; E. Fortunato; C. Frontera; S. Fujita; V Garcia; S. T; B. Goennenwein; C-G Granqvist; J. Grollier; R. Gross; A. Hagfeldt; G. Herranz; K. Hono; E. Houwman; M. Huijben; A. Kalaboukhov; D. J. Keeble; G. Koster; L. F. Kourkoutis; J. Levy; M. Lira-Cantu; J. L. MacManus-Driscoll; Jochen Mannhart; R. Martins; S. Menzel; T. Mikolajick; M. Napari; M. D. Nguyen; G. Niklasson; C. Paillard; S. Panigrahi; G. Rijnders; F. Sanchez; P. Sanchis; S. Sanna; D. G. Schlom; U. Schroeder; K. M. Shen; A. Siemon; M. Spreitzer; H. Sukegawa; R. Tamayo; J. van den Brink; N. Pryds; F. Miletto Granozio

  APPLIED SURFACE SCIENCE, 2019年07月, 査読有り

  この論文にアクセスする：

  
• Excitation-current-density and temperature dependences of deep UV cathodoluminescence in rocksalt-structured MgxZn1-xO films

  M. Ono; K. Ishii; K. Kaneko; T. Yamaguchi; T. Honda; S. Fujita; T. Onuma

  JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2019年06月, 査読有り

  
• Pure deep-ultraviolet cathodoluminescence from rocksalt-structured MgZnO grown with carbon-free precursors

  Kyohei Ishii; Mizuki Ono; Kentaro Kaneko; Takeyoshi Onuma; Tohru Honda; Shizuo Fujita

  APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2019年05月, 査読有り

  
• Study on fabrication of conductive antimony doped tin oxide thin films (SnOx:Sb) by 3rd generation mist chemical vapor deposition

  Li Liu; Toshiyuki Kawaharamura; Giang Thai Dang; Ellawala K. C. Pradeep; Shota Sato; Takayuki Uchida; Shizuo Fujita; Takahiro Hiramatsu; Hiroshi Kobayashi; Hiroyuki Orita

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2019年02月, 査読有り

  
• Epitaxial lateral overgrowth of alpha-Ga2O3 by halide vapor phase epitaxy

  Y. Oshima; K. Kawara; T. Shinohe; T. Hitora; M. Kasu; S. Fujita

  APL MATERIALS, 2019年02月, 査読有り

  
• 準安定相(非平衡)酸化物の作製と物性

  金子 健太郎; 藤田 静雄

  材料, 2019年, 査読有り

  
• Electrical properties of alpha-Ir2O3/alpha-Ga2O3 pn heterojunction diode and band alignment of the heterostructure

  Shin-ichi Kan; Shu Takemoto; Kentaro Kaneko; Isao Takahashi; Masahiro Sugimoto; Takashi Shinohe; Shizuo Fujita

  APPLIED PHYSICS LETTERS, 2018年11月, 査読有り

  
• Tin oxide coating by nonvacuum-based mist chemical vapor deposition on stainless steel separators for polymer electrolyte fuel cells

  Kentaro Kaneko; Masafumi Ono; Takashi Tanaka; Takayuki Uchida; Shizuo Fujita

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2018年11月, 査読有り

  
• Deep-Ultraviolet Luminescence of Rocksalt-Structured Mg (x) Zn1-x O (x > 0.5) Films on MgO Substrates

  Kentaro Kaneko; Keiichi Tsumura; Kyohei Ishii; Takayoshi Onuma; Tohru Honda; Shizuo Fujita

  JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2018年08月, 査読有り

  
• Impact of local arrangement of Mg and Zn atoms in rocksalt-structured MgxZn1-xO alloys on bandgap and deep UV cathodoluminescence peak energies

  T. Onuma; M. Ono; K. Ishii; K. Kaneko; T. Yamaguchi; S. Fujita; T. Honda

  APPLIED PHYSICS LETTERS, 2018年08月, 査読有り

  
• Evaluation of band alignment of alpha-Ga(2)o(3)/alpha-(AlxGa1-x)(2)O-3 heterostructures by X-ray photoelectron spectroscopy

  Takayuki Uchida; Riena Jinno; Shu Takemoto; Kentaro Kaneko; Shizuo Fujita

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2018年04月, 査読有り

  
• Control of Crystal Structure of Ga2O3 on Sapphire Substrate by Introduction of α-(AlxGa1−x)2O3 Buffer Layer

  Riena Jinno; Takayuki Uchida; Kentaro Kaneko; Shizuo Fujita

  Physica Status Solidi (B) Basic Research, 2018年04月01日, 査読有り

  
• A power device material of corundum-structured α-Ga2O3 fabricated by MIST EPITAXY® technique

  Kentaro Kaneko; Shizuo Fujita; Toshimi Hitora

  Japanese Journal of Applied Physics, 2018年02月01日, 査読有り

  
• Electrical characterization of Si-doped n-type α-Ga2O3 on sapphire substrates

  Takayuki Uchida; Kentaro Kaneko; Shizuo Fujita

  MRS Advances, 2018年, 査読有り

  
• Study on corundum-structured p-type iridium oxide thin films and band alignment at iridium oxide/gallium oxide hetero-junction

  Shin-ichi Kan; Shu Takemoto; Kentaro Kaneko; Takashi Shinohe; Shizuo Fujita

  2018 IEEE CPMT SYMPOSIUM JAPAN (ICSJ), 2018年, 査読有り

  
• Unpredicted surface termination of alpha-Fe2O3(0001) film grown by mist chemical vapor deposition

  Shun Osaka; Osamu Kubo; Kazuki Takahashi; Masaya Oda; Kentaro Kaneko; Hiroshi Tabata; Shizuo Fujita; Mitsuhiro Katayama

  SURFACE SCIENCE, 2017年06月, 査読有り

  
• Carrier confinement observed at modulation-doped beta-(AlxGa1-x)(2)O-3/Ga2O3 heterojunction interface

  Takayoshi Oshima; Yuji Kato; Naoto Kawano; Akito Kuramata; Shigenobu Yamakoshi; Shizuo Fujita; Toshiyuki Oishi; Makoto Kasu

  APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2017年03月, 査読有り

  
• 酸化ガリウム系ヘテロ接合界面におけるキャリア閉じ込めの観察 (電子デバイス研究会 次世代化合物半導体デバイスの機能と応用)

  大島 孝仁; 加藤 勇次; 河野 直士; 大石 敏之; 嘉数 誠; 倉又 朗人; 山腰 茂伸; 藤田 静雄

  電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan, 2017年01月

  
• 非真空下における高機能薄膜形成技術 ミストデポジション法 : 霧の力で安全・低コスト・高度な制御を実現する

  藤田 静雄

  Fine ceramics report, 2017年01月

  
• 酸化物半導体パワーデバイスの研究開発動向 : 酸化物の特徴を活かした低コスト・高性能のデバイスを目指して

  藤田 静雄

  電気評論, 2017年01月

  
• 発光ダイオードの医学応用：睡眠に与える効果について

  小笠原 正弘; 平尾 孝; 藤田 静雄

  材料, 2017年01月, 査読有り

  
• 高導電性･高耐食性酸化膜で被覆された燃料電池金属セパレータ

  金子 健太郎; 高木 良輔; 田中 孝; 人羅 俊実; 藤田 静雄

  材料, 2017年01月, 査読有り

  
• パワーデバイス用Ga₂O₃結晶

  人羅 俊実; 金子 健太郎; 藤田 静雄

  電気学会誌, 2017年01月, 査読有り

  
• Corundum-Structured α-In2O3 as a Wide-Bandgap Semiconductor for Electrical Devices

  Kentaro Kaneko; Masashi Kitajima; Shizuo Fujita

  MRS Advances, 2017年, 査読有り

  
• 酸化物半導体パワーデバイスの研究開発動向 : 酸化物の特徴を活かした低コスト・高性能のデバイスを目指して (特集 半導体パワーデバイスの研究開発と利用の動向)

  藤田 静雄

  電気評論, 2017年01月

  
• Corundum-strructured alpha-Ga2O3-based alloys for future power device applications

  Kentaro Kaneko; Masaya Oda; Toshimi Hitora; Shizuo Fujita

  2017 INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRONICS PACKAGING (ICEP), 2017年, 査読有り

  
• Crack-free thick (similar to 5 mu m) alpha-Ga2O3 films on sapphire substrates with alpha-(Al,Ga)(2)O-3 buffer layers

  Masaya Oda; Kentaro Kaneko; Shizuo Fujita; Toshimi Hitora

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2016年12月, 査読有り

  
• Homoepitaxial growth of beta gallium oxide films by mist chemical vapor deposition

  Sam-dong Lee; Kentaro Kaneko; Shizuo Fujita

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2016年12月, 査読有り

  
• Evolution of corundum-structured III-oxide semiconductors: Growth, properties, and devices

  Shizuo Fujita; Masaya Oda; Kentaro Kaneko; Toshimi Hitora

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2016年12月, 査読有り

  
• Conductivity control of Sn-doped alpha-Ga2O3 thin films grown on sapphire substrates

  Kazuaki Akaiwa; Kentaro Kaneko; Kunio Ichino; Shizuo Fujita

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2016年12月, 査読有り

  
• Gallium Oxide and Related Semiconductors FOREWORD

  Shizuo Fujita; Makoto Kasu; Masataka Higashiwaki; Yoshinao Kumagai; Takeyoshi Onuma; Takayoshi Oshima; Kazuyuki Uno

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2016年12月, 査読有り

  
• Growth of rocksalt-structured MgxZn1-xO (x > 0.5) films on MgO substrates and their deep-ultraviolet luminescence

  Kentaro Kaneko; Takeyoshi Onuma; Keiichi Tsumura; Takayuki Uchida; Riena Jinno; Tomohiro Yamaguchi; Tohru Honda; Shizuo Fujita

  APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2016年11月, 査読有り

  
• Reduction in edge dislocation density in corundum-structured alpha-Ga2O3 layers on sapphire substrates with quasi-graded alpha-(Al,Ga)(2)O-3 buffer layers

  Riena Jinno; Takayuki Uchida; Kentaro Kaneko; Shizuo Fujita

  APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2016年07月, 査読有り

  
• Electrical, optical, and magnetic properties of Sn doped alpha-Ga2O3 thin films

  E. Chikoidze; H. J. von Bardeleben; K. Akaiwa; E. Shigematsu; K. Kaneko; S. Fujita; Y. Dumont

  JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2016年07月, 査読有り

  
• Surface termination structure of alpha-Ga2O3 film grown by mist chemical vapor deposition

  Daiki Tamba; Osamu Kubo; Masaya Oda; Shun Osaka; Kazuki Takahashi; Hiroshi Tabata; Kentaro Kaneko; Shizuo Fujita; Mitsuhiro Katayama

  APPLIED PHYSICS LETTERS, 2016年06月, 査読有り

  
• Silver oxide Schottky contacts and metal semiconductor field-effect transistors on SnO2 thin films

  Giang T. Dang; Takayuki Uchida; Toshiyuki Kawaharamura; Mamoru Furuta; Adam R. Hyndman; Rodrigo Martinez; Shizuo Fujita; Roger J. Reeves; Martin W. Allen

  APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2016年04月, 査読有り

  
• Growth characteristics of corundum-structured alpha-(AlxGa1-x)(2)O-3/Ga2O3 heterostructures on sapphire substrates

  Kentaro Kaneko; Kenta Suzuki; Yoshito Ito; Shizuo Fujita

  JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2016年02月, 査読有り

  
• コランダム構造n型およびp型ワイドギャップ酸化物半導体の結晶成長と応用 (電子デバイス)

  金子 健太郎; 人羅 俊実; 藤田 静雄

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 2016年01月

  
• sapphire基板上へのコランダム構造酸化ガリウムの成長と電気特性制御 (レーザ・量子エレクトロニクス)

  赤岩 和明; 市野 邦男; 金子 健太郎; 藤田 静雄

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 2016年01月

  
• コランダム構造n型およびp型ワイドギャップ酸化物半導体の結晶成長と応用 (電子部品・材料)

  金子 健太郎; 人羅 俊実; 藤田 静雄

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 2016年01月

  
• sapphire基板上へのコランダム構造酸化ガリウムの成長と電気特性制御 (電子部品・材料)

  赤岩 和明; 市野 邦男; 金子 健太郎; 藤田 静雄

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 2016年01月

  
• コランダム構造酸化ガリウムの結晶成長とデバイス応用

  金子 健太郎; 織田 真也; 高塚 章夫; 人羅 俊実; 藤田 静雄

  材料, 2016年01月, 査読有り

  
• コランダム構造n型およびp型ワイドギャップ酸化物半導体の結晶成長と応用 (レーザ・量子エレクトロニクス)

  金子 健太郎; 人羅 俊実; 藤田 静雄

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 2016年01月

  
• sapphire基板上へのコランダム構造酸化ガリウムの成長と電気特性制御 (電子デバイス)

  赤岩 和明; 市野 邦男; 金子 健太郎; 藤田 静雄

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 2016年01月

  
• コランダム構造酸化ガリウムの結晶成長とデバイス応用 (特集 半導体エレクトロニクス)

  金子 健太郎; 織田 真也; 高塚 章夫; 人羅 俊実; 藤田 静雄

  材料, 2016年01月, 査読有り

  
• Characterization of band offset in alpha-(AlxGa1-x)(2)O-3 heterostructures

  Takayuki Uchida; Riena Jinno; Shu Takemoto; Kentaro Kaneko; Shizuo Fujita

  2016 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW) INCLUDES 28TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE & RELATED MATERIALS (IPRM) & 43RD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS (ISCS), 2016年, 査読有り

  
• Fabrication of alpha-Ga2O3 Thin Films Using alpha-(AlxGa1-x)(2)O-3 Buffer Layers and its Crystal Structure Properties

  Riena Jinno; Takayuki Uchida; Kentaro Kaneko; Shizuo Fujita

  2016 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW) INCLUDES 28TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE & RELATED MATERIALS (IPRM) & 43RD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS (ISCS), 2016年, 査読有り

  
• Evolution of Oxide Semiconductors for Novel Functional Device Applications

  Shizuo Fujita

  2016 IEEE 16TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NANOTECHNOLOGY (IEEE-NANO), 2016年, 査読有り

  
• Transparent conductive zinc-oxide-based films grown at low temperature by mist chemical vapor deposition

  Takahiro Shirahata; Toshiyuki Kawaharamura; Shizuo Fujita; Hiroyuki Orita

  THIN SOLID FILMS, 2015年12月, 査読有り

  
• Growth and metal-oxide-semiconductor field-effect transistors of corundum-structured alpha indium oxide semiconductors

  Kentaro Kaneko; Yoshito Ito; Takayuki Uchida; Shizuo Fujita

  APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2015年09月, 査読有り

  
• Enhanced thermal stability of alpha gallium oxide films supported by aluminum doping

  Sam-Dong Lee; Yoshito Ito; Kentaro Kaneko; Shizuo Fujita

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2015年03月, 査読有り

  
• Wide-bandgap semiconductor materials: For their full bloom

  Shizuo Fujita

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2015年03月, 査読有り

  この論文にアクセスする：

  
• Room temperature ferromagnetism in conducting α-(In1−xFex)2O3 alloy films

  K. Akaiwa; K. Kaneko; S. Fujita; E. Chikoidze; Y. Dumont

  Applied Physics Letters, 2015年02月, 査読有り

  
• ワイドバンドギャップ半導体発光デバイスの進展 (赤﨑・天野・中村博士のノーベル物理学賞受賞に際して)

  藤田 静雄

  学術の動向 : SCJフォーラム = Trends in the sciences : SCJ Forum, 2015年01月

  
• 超狭帯域LED光源の開発とその皮膚医学応用

  小笠原 正弘; 平尾 孝; 藤田 静雄

  材料, 2015年01月, 査読有り

  この論文にアクセスする：

  
• 超音波噴霧ミスト法によるCu₂ZnSnS₄薄膜の成膜

  柴山 健次; 金子 健太郎; 藤田 静雄

  材料, 2015年01月, 査読有り

  この論文にアクセスする：

  
• ワイドバンドギャップ半導体発光デバイスの進展

  藤田 静雄

  学術の動向, 2015年01月

  
• コランダム構造酸化物半導体の成長とMOSFET試作 (電子デバイス)

  伊藤 義人; 金子 健太郎; 藤田 静雄

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 2015年01月

  
• コランダム構造酸化物半導体の成長とMOSFET試作 (電子部品・材料)

  伊藤 義人; 金子 健太郎; 藤田 静雄

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 2015年01月

  
• コランダム構造酸化物半導体の成長とMOSFET試作 (シリコン材料・デバイス)

  伊藤 義人; 金子 健太郎; 藤田 静雄

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 2015年01月

  
• Growth of corundum-structured (InxGa1−x)2O3 alloy thin films on sapphire substrates with buffer layers

  Norihiro Suzuki; Kentaro Kaneko; Shizuo Fujita

  Journal of Crystal Growth, 2014年09月, 査読有り

  
• Epitaxial growth of corundum-structured wide band gap III-oxide semiconductor thin films

  Shizuo Fujita; Kentaro Kaneko

  JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2014年09月, 査読有り

  
• Epitaxial growth and superconducting anisotropy of PbSr2 Y1-x Cax Cu2 O7+δ thin films

  S. Komori; R. Inaba; K. Kaneko; S. Fujita; I. Kakeya; M. Suzuki

  Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, 2014年05月13日, 査読有り

  
• Aluminum Oxide Passivation Layer for Crystalline Silicon Solar Cells Deposited by Mist CVD in Open-Air Atmosphere

  Toshiyuki Kawaharamura; Takayuki Uchida; Kenji Shibayama; Shizuo Fujita; Takahiro Hiramatsu; Hiroyuki Orita

  MRS Proceedings, 2014年04月

  
• Mist chemical vapor deposition of aluminum oxide thin films for rear surface passivation of crystalline silicon solar cells

  Takayuki Uchida; Toshiyuki Kawaharamura; Kenji Shibayama; Takahiro Hiramatsu; Hiroyuki Orita; Shizuo Fujita

  APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2014年02月, 査読有り

  
• 超狭帯域LED光源の開発とその皮膚医学応用(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)及びその他)

  小笠原 正弘; 平尾 孝; 藤田 静雄

  電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス, 2014年01月

  
• 7aBD-9 PbSr_2Y_<1-x>Ca_xCu_2O_<7+δ>薄膜のエピタキシャル成長と超伝導異方性(7aBD 銅酸化物,領域8(強相関系))

  小森 祥央; 稲葉 遼太郎; 金子 健太郎; 藤田 静雄; 掛谷 一弘; 鈴木 実

  日本物理学会講演概要集, 2014年01月

  
• 物理学賞 青色光に魅せられた研究者たち : 信念が実を結んだ青色発光ダイオードとその波及効果 (2014年ノーベル賞を読み解く)

  藤田 静雄

  化学 = Chemistry, 2014年01月

  
• Ultrasonic-assisted mist chemical vapor deposition of II-oxide and related oxide compounds

  Shizuo Fujita; Kentaro Kaneko; Takumi Ikenoue; Toshiyuki Kawaharamura; Mamoru Furuta

  PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 11, NO 7-8, 2014年, 査読有り

  
• Band gap and function engineering for novel functional alloy semiconductors: Bloomed as magnetic properties at room temperature with α-(GaFe)2O3

  Kentaro Kaneko; Itsuhiro Kakeya; Sachio Komori; Shizuo Fujita

  Journal of Applied Physics, 2013年06月21日, 査読有り

  
• Formation of Semi-Insulating Layers on Semiconducting beta-Ga2O3 Single Crystals by Thermal Oxidation

  Takayoshi Oshima; Kenichi Kaminaga; Akira Mukai; Kohei Sasaki; Takekazu Masui; Akito Kuramata; Shigenobu Yamakoshi; Shizuo Fujita; Akira Ohtomo

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2013年05月, 査読有り

  
• Effect of O-3 and Aqueous Ammonia on Crystallization of MgO Thin Film Grown by Mist Chemical Vapor Deposition

  Toshiyuki Kawaharamura; Kazuharu Mori; Hiroyuki Orita; Takahiro Shirahata; Shizuo Fujita; Takashi Hirao

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2013年03月, 査読有り

  
• Growth of corundum-structured In2O3 thin films on sapphire substrates with Fe2O3 buffer layers

  Norihiro Suzuki; Kentaro Kaneko; Shizuo Fujita

  JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2013年02月, 査読有り

  
• Fabrication of Corundum-Structured α-(InFe)2O3 Alloy Films on Sapphire Substrates by Inserting α-Fe2O3 Buffer Layer

  Kazuaki Akaiwa; Norihiro Suzuki; Kentaro Kaneko; Shizuo Fujita

  MRS Proceedings, 2013年02月, 査読有り

  
• Crystal Structure of Non-Doped and Sn-Doped α-(GaFe)2O3 Thin Films.

  Kentaro Kaneko; Kazuaki Akaiwa; Shizuo Fujita

  MRS Proceedings, 2013年01月, 査読有り

  
• Oriented growth of beta gallium oxide thin films on yttrium-stabilized zirconia substrates

  Kentaro Kaneko; Hiroshi Ito; Sam-Dong Lee; Shizuo Fujita

  PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 10, NO 11, 2013年, 査読有り

  
• Thermal stability of single crystalline alpha gallium oxide films on sapphire substrates

  Sam-Dong Lee; Kazuaki Akaiwa; Shizuo Fujita

  PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 10, NO 11, 2013年, 査読有り

  
• Trap densities in ZnO TFTs with SiNx / SiOx stacked gate insulators fabricated using several N2O Flow Rate during SiOx deposition

  M. Kimura; T. Matsuda; M. Furuta; T. Hiramatsu; H. Furuta; C. Li; T. Hirao; Y. Kamada; S. Fujita

  ECS Transactions, 2013年, 査読有り

  
• Growth and Band Gap Control of Corundum-Structured alpha-(AlGa)(2)O-3 Thin Films on Sapphire by Spray-Assisted Mist Chemical Vapor Deposition

  Hiroshi Ito; Kentaro Kaneko; Shizuo Fujita

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2012年10月, 査読有り

  
• Fabrication of Silicon Oxide Thin Films by Mist Chemical Vapor Deposition Method from Polysilazane and Ozone as Sources

  Jinchun Piao; Shigetaka Katori; Toshiyuki Kawaharamura; Chaoyang Li; Shizuo Fujita

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2012年09月, 査読有り

  
• 超音波噴霧法による透明導電膜および有機薄膜太陽電池の作製

  池之上卓己; 藤田静雄

  材料, 2012年09月, 査読有り

  
• Electrical Conductive Corundum-Structured alpha-Ga2O3 Thin Films on Sapphire with Tin-Doping Grown by Spray-Assisted Mist Chemical Vapor Deposition

  Kazuaki Akaiwa; Shizuo Fujita

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2012年07月, 査読有り

  
• Formation of aluminum tris (8-hydroxyquinoline) solution in methanol and fabrication of thin films by ultrasonic spray-assisted vapor deposition

  Jinchun Piao; Shigetaka Katori; Takumi Ikenoue; Shizuo Fujita

  PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2012年07月, 査読有り

  
• Photo-Leakage Current of Thin-Film Transistors with ZnO Channels Formed at Various Oxygen Partial Pressures under Visible Light Irradiation

  Shin-ichi Shimakawa; Yudai Kamada; Toshiyuki Kawaharamura; Dapeng Wang; Chaoyang Li; Shizuo Fujita; Takashi Hirao; Mamoru Furuta

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2012年03月, 査読有り

  
• Evaluation of Misfit Relaxation in alpha-Ga2O3 Epitaxial Growth on alpha-Al2O3 Substrate

  Kentaro Kaneko; Hitoshi Kawanowa; Hiroshi Ito; Shizuo Fujita

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2012年02月, 査読有り

  
• Fabrication of conducting poly(3,4-ethylenedioxythiophene): poly(styrenesulfonate) thin films by ultrasonic spray-assisted mist deposition method

  Takumi Ikenoue; Hiroyuki Nishinaka; Shizuo Fujita

  THIN SOLID FILMS, 2012年01月, 査読有り

  
• 半導体エレクトロニクス特集号の発刊によせて

  藤田 静雄

  材料, 2012年01月

  
• <高校生のページ>太陽光発電のいま、そしてこれから

  藤田 静雄

  Cue : 京都大学電気関係教室技術情報誌, 2012年01月

  この論文にアクセスする：

  
• 超音波噴霧法による酸化物半導体薄膜の作製と太陽電池への応用

  池之上 卓己; 藤田 静雄; 坂本 眞一; 乾 義尚

  電気学会研究会資料. FTE, 新エネルギー・環境研究会, 2012年01月

  
• 超音波噴霧法による透明導電膜および有機薄膜太陽電池の作製

  池之上 卓己; 藤田 静雄

  材料, 2012年01月, 査読有り

  
• フレキシブルデバイスの構造設計と有機FETへの応用

  香取 重尊; 藤田 静雄; 松重 和美

  材料, 2012年01月, 査読有り

  
• ミストデポジション法による薄膜形成 (極める薄膜形成技術)

  藤田 静雄

  コンバーテック, 2012年01月

  
• Influence of annealing under reducing ambient on properties of ZnO thin films prepared by mist CVD

  T. Kawaharamura; H. Orita; T. Shirahata; A. Yoshida; S. Fujita; T. Hirao

  PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 9, NO 2, 2012年, 査読有り

  
• Study on oxygen source and its effect on film properties of ZnO deposited by radio frequency magnetron sputtering

  Yudai Kamada; Mamoru Furuta; Takahiro Hiramatsu; Toshiyuki Kawaharamura; Dapeng Wang; Shin-ichi Shimakawa; Chaoyang Li; Shizuo Fujita; Takashi Hirao

  APPLIED SURFACE SCIENCE, 2011年11月, 査読有り

  
• Photocurrent and Persistent Photoconductivity in Zinc Oxide Thin-Film Transistors under Ultraviolet-Light Irradiation

  Mamoru Furuta; Yudai Kamada; Mutsumi Kimura; Shin-ichi Shimakawa; Toshiyuki Kawaharamura; Dapeng Wang; Chaoyang Li; Shizuo Fujita; Takashi Hirao

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2011年11月, 査読有り

  
• Extraction of trap densities in ZnO thin-film transistors and dependence on oxygen partial pressure during sputtering of ZnO films

  Mutsumi Kimura; Mamoru Furuta; Yudai Kamada; Takahiro Hiramatsu; Tokiyoshi Matsuda; Hiroshi Furuta; Chaoyang Li; Shizuo Fujita; Takashi Hirao

  IEEE Transactions on Electron Devices, 2011年09月, 査読有り

  
• Surface Potential Measurement of Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum and Bis[N-(1-naphthyl)-N-phenyl]benzidine Thin Films Fabricated on Indium-Tin Oxide by Kelvin Probe Force Microscopy

  Shigetaka Katori; Nobuo Satoh; Masayuki Yahiro; Kei Kobayashi; Hirofumi Yamada; Kazumi Matsushige; Shizuo Fujita

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2011年07月, 査読有り

  
• ZnO Thin-Film Transistors with SiN_x/SiO_x Stacked Gate Insulators: Trap Densities and N₂O Flow Rate Dependence

  Mutsumi Kimura; Mamoru Furuta; Yudai Kamada; Takahiro Hiramatsu; Tokiyoshi Matsuda; Hiroshi Furuta; Chaoyang Li; Shizuo Fujita; Takashi Hirao

  Electrochemical and Solid-State Letters, 2011年06月, 査読有り

  
• Reduction of Photo-Leakage Current in ZnO Thin-Film Transistors With Dual-Gate Structure

  Yudai Kamada; Shizuo Fujita; Mutsumi Kimura; Takahiro Hiramatsu; Tokiyoshi Matsuda; Mamoru Furuta; Takashi Hirao

  IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2011年04月, 査読有り

  
• Effects of chemical stoichiometry of channel region on bias instability in ZnO thin-film transistors

  Yudai Kamada; Shizuo Fujita; Mutsumi Kimura; Takahiro Hiramatsu; Tokiyoshi Matsuda; Mamoru Furuta; Takashi Hirao

  APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011年03月, 査読有り

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• Ultrasonic Spray-Assisted Solution-Based Vapor-Deposition of Aluminum Tris(8-hydroxyquinoline) Thin Films

  Jinchun Piao; Shigetaka Katori; Takumi Ikenoue; Shizuo Fujita

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2011年02月, 査読有り

  
• Fabrication of PEDOT:PSS/ZnMgO Schottky-type ultraviolet sensors on glass substrates with solution-based mist deposition technique and hard-mask patterning

  Takumi Ikenoue; Naoki Kameyama; Shizuo Fujita

  Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, 2011年02月, 査読有り

  
• 超音波噴霧ミストＣＶＤ法によるリチウム系酸化物の成膜

  井川 拓人; 金子 健太郎; 藤田 静雄

  材料, 2011年01月, 査読有り

  
• エレワザ×エレザイ(FILE 10)ミストを利用した薄膜成長技術および加工技術の開発

  川原村 敏幸; 平尾 孝; 藤田 静雄

  コンバーテック, 2011年01月

  
• ミストデポジション法による酸化マグネシウム(MgO)薄膜作製 : 大気圧下、低温成長への挑戦(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)

  川原村 敏幸; 織田 容征; 白幡 孝洋; 井川 拓人; 伊藤 大師; 吉田 章男; 藤田 静雄; 平尾 孝

  映像情報メディア学会技術報告, 2011年01月

  
• 酸化亜鉛薄膜トランジスタ(ZnO TFT)のバイアスストレス劣化メカニズム(LSIを含む電子デバイスの評価・解析・診断,及び信頼性一般)

  古田 守; 平松 孝浩; 松田 時宜; 平尾 孝; 鎌田 雄大; 藤田 静雄

  電子情報通信学会技術研究報告. R, 信頼性, 2011年01月

  
• ZnOの基本物性と光デバイス応用

  藤田 静雄

  レーザー研究, 2011年01月

  
• ミストデポジション法による酸化マグネシウム(MgO)薄膜作製 : 大気圧下、低温成長への挑戦

  川原村 敏幸; 織田 容征; 白幡 孝洋; 井川 拓人; 伊藤 大師; 吉田 章男; 藤田 静雄; 平尾 孝

  電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会, 2011年01月

  
• Positive Bias Instability of Bottom-Gate Zinc Oxide Thin-Film Transistors with a SiOx/SiNx-Stacked Gate Insulator

  Mamoru Furuta; Yudai Kamada; Takahiro Hiramatsu; Chaoyang Li; Mutsumi Kimura; Shizuo Fujita; Takashi Hirao

  Jpn. J. Appl. Phys., 2011年, 査読有り

  
• Growth of SnO2 crystalline thin films by mist chemical vapour deposition method

  Takeya Okuno; Takayoshi Oshima; Sam-Dong Lee; Shizuo Fujita

  PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 8, NO 2, 2011年, 査読有り

  
• ZnO thin-film transistors with SiNx/SiOx stacked gate insulators: Trap densities and N2O flow rate dependence

  Mutsumi Kimura; Mamoru Furuta; Yudai Kamada; Takahiro Hiramatsu; Tokiyoshi Matsuda; Hiroshi Furuta; Chaoyang Li; Shizuo Fujita; Takashi Hirao

  Electrochemical and Solid-State Letters, 2011年, 査読有り

  
• Analysis of subthreshold photo-leakage current in ZnO thin-film transistors using indium-ion implantation

  Yudai Kamada; Shizuo Fujita; Takahiro Hiramatsu; Tokiyoshi Matsuda; Mamoru Furuta; Takashi Hirao

  SOLID-STATE ELECTRONICS, 2010年11月, 査読有り

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• Analysis of Hump Characteristics in Thin-Film Transistors With ZnO Channels Deposited by Sputtering at Various Oxygen Partial Pressures

  Mamoru Furuta; Yudai Kamada; Mutsumi Kimura; Takahiro Hiramatsu; Tokiyoshi Matsuda; Hiroshi Furuta; Chaoyang Li; Shizuo Fujita; Takashi Hirao

  IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2010年11月, 査読有り

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• Mechanism analysis of photoleakage current in ZnO thin-film transistors using device simulation

  Mutsumi Kimura; Yudai Kamada; Shizuo Fujita; Takahiro Hiramatsu; Tokiyoshi Matsuda; Mamoru Furuta; Takashi Hirao

  APPLIED PHYSICS LETTERS, 2010年10月, 査読有り

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• 有機ホウ素ポリマーの二光子吸収型多層光メモリへの応用

  香取重尊; 池之上卓己; 平林克彦; 神原浩久; 栗原隆; 藤田静雄

  材料, 2010年09月18日, 査読有り

  
• Growth characteristics of single-crystalline ZnMgO layers by ultrasonic spray assisted mist CVD technique

  Hiroyuki Nishinaka; Yudai Kamada; Naoki Kameyama; Shizuo Fujita

  PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, 2010年06月, 査読有り

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• ミストCVD法によるコランダム型構造酸化物半導体薄膜の作製と評価

  金子 健太郎; 野村 太一; 福井 裕; 藤田 静雄

  材料, 2010年01月, 査読有り

  
• 有機ホウ素ポリマーの二光子吸収型多層光メモリへの応用

  香取 重尊; 池之上 卓己; 平林 克彦; 神原 浩久; 栗原 隆; 藤田 静雄

  材料, 2010年01月, 査読有り

  
• 気相法による酸化亜鉛半導体薄膜のステップフローホモエピタキシャル成長

  西中 浩之; 藤田 静雄

  材料, 2010年01月, 査読有り

  
• Corundum-structured α-phase Ga_2_O3-Cr_2O_3-Fe_2O_3 alloy system for novel functions

  Kentaro Kaneko; Taichi Nomura; Shizuo Fujita

  physica status solidi (c), 2010年, 査読有り

  
• Photo-Leakage Current of Zinc Oxide Thin-Film Transistors

  Yudai Kamada; Shizuo Fujita; Takahiro Hiramatsu; Tokiyoshi Matsuda; Hiroshi Nitta; Mamoru Furuta; Takashi Hirao

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010年, 査読有り

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• Epitaxial ZnO Thin Films on a-Plane Sapphire Substrates Grown by Ultrasonic Spray-Assisted Mist Chemical Vapor Deposition

  Hiroyuki Nishinaka; Yudai Kamada; Naoki Kameyama; Shizuo Fujita

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009年12月, 査読有り

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• UV-B Sensor Based on a SnO2 Thin Film

  Takayoshi Oshima; Takeya Okuno; Shizuo Fujita

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009年12月, 査読有り

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• Fabrication of highly crystalline corundum-structured α-(Ga 1-xFex)2O3alloy thin films on sapphire substrates

  Kentaro Kaneko; Taichi Nomura; Itsuhiro Kakeya; Shizuo Fujita

  Applied Physics Express, 2009年07月, 査読有り

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• beta-Al2xGa2-2xO3 Thin Film Growth by Molecular Beam Epitaxy

  Takayoshi Oshima; Takeya Okuno; Naoki Arai; Yasushi Kobayashi; Shizuo Fujita

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009年07月, 査読有り

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• Wet Etching of beta-Ga2O3 Substrates

  Takayoshi Oshima; Takeya Okuno; Naoki Arai; Yasushi Kobayashi; Shizuo Fujita

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009年04月, 査読有り

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• Flame Detection by a beta-Ga2O3-Based Sensor

  Takayoshi Oshima; Takeya Okuno; Naoki Arai; Norihito Suzuki; Harumichi Hino; Shizuo Fujita

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009年01月, 査読有り

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• Growth of ZnO Nanostructures by Using Ultrasonic Spray Chemical Vapor Deposition with a Au Catalyst

  Hiroyuki Nishinaka; Toshiyuki Kawaharamura; Shizuo Fujita

  JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY, 2008年11月, 査読有り

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• Mist CVD Growth of ZnO-Based Thin Films and Nanostructures

  Toshiyuki Kawaharamura; Hiroyuki Nishinaka; Yudai Kamaka; Yoshio Masuda; Jian-Guo Lu; Shizuo Fujita

  JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY, 2008年11月, 査読有り

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• Enhancement of electron mobility in ZnO layers with applying ultrasonic spray-assisted MOVPE and buffer layers

  Yudai Kamada; Hiroyuki Nishinaka; Naoki Kameyama; Shizuo Fujita

  JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2008年11月, 査読有り

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• Step-flow growth of homoepitaxial ZnO thin films by ultrasonic spray-assisted MOVPE

  Hiroyuki Nishinaka; Shizuo Fujita

  JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2008年11月, 査読有り

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• Atomically controlled surfaces with step and terrace of beta-Ga(2)O(3) single crystal substrates for thin film growth

  Shigeo Ohira; Naoki Arai; Takayoshi Oshima; Shizuo Fujita

  APPLIED SURFACE SCIENCE, 2008年09月, 査読有り

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• Heteroepitaxy of corundum-structured alpha-Ga2O3 thin films on alpha-Al2O3 substrates by ultrasonic mist chemical vapor deposition

  Daisuke Shinohara; Shizuo Fujita

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2008年09月, 査読有り

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• Non-Linear Optical Effects in Au Nanoparticle-Deposited ZnO Nanocrystalline Films

  Katarzyna Ozga; Toshiyuki Kawaharamura; Akrajas Ali Umar; Munetaka Oyama; Andrzej Slezak; Shizuo Fujita; Ivan Kityk

  JOURNAL OF NANO RESEARCH, 2008年08月, 査読有り

  
• Catalyst-free synthesis of ZnO nanorods on metal substrates by using thermal chemical vapor deposition

  Seung-Sik Park; Jin-Moo Lee; Sung-Jin Kim; Sang-Woo Kim; Hyun Hwi Lee; Sang-Hyeob Kim; Shizuo Fujita

  JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY, 2008年07月, 査読有り

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• Surface morphology of homoepitaxial beta-Ga2O3 thin films grown by molecular beam epitaxy

  Takayoshi Oshima; Naoki Arai; Norihito Suzuki; Shigeo Ohira; Shizuo Fujita

  THIN SOLID FILMS, 2008年07月, 査読有り

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• ZnO nanotips and nanorods on carbon nanotube/Si substrates: anomalous p-type like optical properties of undoped ZnO nanotips

  Seung-Sik Park; Jin-Moo Lee; Sung-Jin Kim; Sang-Woo Kim; Min-Su Yi; Sang-Hyeob Kim; Sunglyul Maeng; Shizuo Fujita

  NANOTECHNOLOGY, 2008年06月, 査読有り

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• Growth of crystalline zinc oxide thin films by fine-channel-mist chemical vapor deposition

  Toshiyuki Kawaharamura; Hiroyuki Nishinaka; Shizuo Fujita

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2008年06月, 査読有り

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• Density functional theory study on beta-hydride elimination as thermal decomposition process of diethylzinc

  Keigou Maejima; Hiroshi Kawabata; Shizuo Fujita

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2008年02月, 査読有り

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• Vertical solar-blind deep-ultraviolet schottky photodetectors based on beta-Ga2O3 substrates

  Takayoshi Oshima; Takeya Okuno; Naoki Arai; Norihito Suzuki; Shigeo Ohira; Shizuo Fujita

  APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2008年01月, 査読有り

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• An approach for single crystalline zinc oxide thin films with fine channel mist chemical vapor deposition method

  Toshiyuki Kawaharamura; Shizuo Fujita

  PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 5, NO 9, 2008年, 査読有り

  
• Properties of Ga2O3-based (InxGa1-x)O-3 alloy thin films grown by molecular beam epitaxy

  Takayoshi Oshima; Shizuo Fujita

  PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 5, NO 9, 2008年, 査読有り

  
• Quantum chemical study on interactions of diethylzinc with nitrous oxide and water for ZnO growth by metal-organic vapor phase epitaxy

  Keigou Maejima; Hiroshi Kawabata; Shizuo Fujita

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS, 2007年12月

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• Route from ZnO thin films to nanostructures on Si substrates by metal organic chemical vapor deposition

  Sang-Woo Kim; Han-Ki Kim; Soon-Wook Jeong; Shizuo Fujita; Kyoung-Kook Kim

  JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY, 2007年12月

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• Ga2O3 thin film growth on c-plane sapphire substrates by molecular beam epitaxy for deep-ultraviolet photodetectors

  Takayoshi Oshima; Takeya Okuno; Shizuo Fujita

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS, 2007年11月

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• Low-temperature growth of ZnO thin films by linear source ultrasonic spray chemical vapor deposition

  Hiroyuki Nishinaka; Toshiyuki Kawaharamura; Shizuo Fujita

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS, 2007年10月

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• Improved p-type conductivity and acceptor states in N-doped ZnO thin films

  Jianguo Lu; Qunian Liang; Yinzhu Zhang; Zhizhen Ye; Shizuo Fujita

  JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2007年05月

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• Carrier concentration dependence of band gap shift in n-type ZnO : Al films

  J. G. Lu; S. Fujita; T. Kawaharamura; H. Nishinaka; Y. Kamada; T. Ohshima; Z. Z. Ye; Y. J. Zeng; Y. Z. Zhang; L. P. Zhu; H. P. He; B. H. Zhao

  JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2007年04月, 査読有り

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• ZnO-based thin films synthesized by atmospheric pressure mist chemical vapor deposition

  J. G. Lu; T. Kawaharamura; H. Nishinaka; Y. Kamada; T. Ohshima; S. Fujita

  JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2007年02月, 査読有り

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• Crystal growth of ZnO on Si(111) by metalorganic vapor phase epitaxy

  Takumi Moriyama; Shizuo Fujita

  JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2007年01月

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• Carrier concentration induced band-gap shift in Al-doped Zn1-xMgxO thin films

  J. G. Lu; S. Fujita; T. Kawaharamura; H. Nishinaka; Y. Kamada; T. Ohshima

  APPLIED PHYSICS LETTERS, 2006年12月, 査読有り

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• (111)-Oriented Zn3N2 growth on a-plane sapphire substrates by molecular beam epitaxy

  Takayoshi Oshima; Shizuo Fujita

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS, 2006年11月

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• Linear source ultrasonic spray chemical vapor deposition method for fabrication of ZnMgO films and ultraviolet photodetectors (vol 45, pg L857, 2006)

  Yudai Kamada; Tshiyuki Kawaharamura; Hiroyuki Nishinaka; Shizuo Fujita

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS, 2006年10月

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• Growth of ZnO nanostructures in a chemical vapor deposition process

  Sang-Woo Kim; Shizuo Fujita; Hyun-Kyu Park; Beelyong Yang; Han-Ki Kim; Dae Ho Yoon

  JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2006年07月

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• Catalyst-free synthesis of ZnO nanowall networks on Si3N4/Si substrates by metalorganic chemical vapor deposition

  Sang-Woo Kim; Shizuo Fujita; Min-Su Yi; Dae Ho Yoon

  APPLIED PHYSICS LETTERS, 2006年06月

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• Optical properties of CdSe/MgS monolayer quantum wells and self-assembled quantum dots

  M. Funato; K. Omae; Y. Kawakami; Sg. Fujita; C. Bradford; A. Balocchi; K. A. Prior; B. C. Cavenett

  PHYSICAL REVIEW B, 2006年06月

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• Artificial control of ZnO nanodots by ion-beam nanopatterning

  S.W. Kim; M Ueda; M Funato; S Fujita; S Fujita

  JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2005年05月

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• Efficient radiative recombination from < 11(2)over-bar-2 >-oriented InxGa1-xN multiple quantum wells fabricated by the regrowth technique

  K Nishizuka; M Funato; Y Kawakami; S Fujita; Y Narukawa; T Mukai

  APPLIED PHYSICS LETTERS, 2004年10月

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• Optically pumped lasing and gain formation properties in blue InxGa1-xN MQWs

  K Kojima; A Shikanai; K Omae; M Funato; Y Kawakami; Y Narukawa; T Mukai; S Fujita

  PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, 2004年10月, 査読有り

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• Radiative carrier recombination dependent on temperature and well width of InGaN/GaN single quantum well

  A Sasaki; K Nishizuka; T Wang; S Sakai; A Kaneta; Y Kawakami; S Fujita

  SOLID STATE COMMUNICATIONS, 2004年01月

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• The hot carrier dynamics in InGaN multi-quantum well structure

  A Shikanai; K Kojima; K Omae; Y Kawakami; Y Narukawa; T Mukai; S Fujita

  PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, 2003年11月, 査読有り

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• Discrimination of local radiative and nonradiative recombination processes in an InGaN/GaN single-quantum-well structure by a time-resolved multimode scanning near-field optical microscopy

  A Kaneta; T Mutoh; Y Kawakami; S Fujita; G Marutsuki; Y Narukawa; T Mukai

  APPLIED PHYSICS LETTERS, 2003年10月

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• Growth of ZnO Nanorods on A-Plane ($11\bar{2}0$) Sapphire by Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy

  Maejima Keigou; Ueda Masaya; Fujita Shizuo; Fujita Shigeo

  Japanese journal of applied physics. Pt. 1, Regular papers & short notes, 2003年05月15日

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• Formation mechanism and energy levels of GaN six-bilayer periodic structures grown on GaAs(001)

  Mitsuru Funato; Shizuo Fujita; Shigeo Fujita

  Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, 2001年04月04日

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• Radiative and nonradiative recombination processes in GaN-based semiconductors

  Y. Kawakami; K. Omae; A. Kaneta; K. Okamoto; T. Izumi; S. Saijou; K. Inoue; Y. Narukawa; T. Mukai; Sg Fujita

  Physica Status Solidi (A) Applied Research, 2001年01月

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• Integration of GaN with Si using a AuGe-mediated wafer bonding technique

  M Funato; S Fujita; S Fujita

  APPLIED PHYSICS LETTERS, 2000年12月

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• Dynamics of optical gain in InxGa1-xN multi-quantum-well-based laser diodes

  Y Kawakami; Y Narukawa; K Omae; S Fujita; S Nakamura

  APPLIED PHYSICS LETTERS, 2000年10月

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• Engineered interface properties in ZnSSe/GaAs heterovalent heterostructures

  M Funato; S Fujita; S Fujita

  JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2000年06月

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• Effect of degree of localization and confinement dimensionality of excitons on their recombination process in CdSe/ZnSe/ZnSxSe1-x single quantum well structures

  S Yamaguchi; H Kurusu; Y Kawakami; S Fujita; S Fujita

  PHYSICAL REVIEW B, 2000年04月

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• Dimensionality of excitons in InGaN-based light emitting devices

  Y. Kawakami; Y. Narukawa; K. Omae; Sg Fujita; S. Nakamura

  Physica Status Solidi (A) Applied Research, 2000年03月

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• Six-bilayer periodic structures in GaN grown on GaAs(001)

  M Funato; T Ishido; S Fujita; S Fujita

  APPLIED PHYSICS LETTERS, 2000年01月

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• Energy states in ZnSe-GaAs heterovalent quantum structures

  M Funato; S Fujita; S Fujita

  PHYSICAL REVIEW B, 1999年12月

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• Growth of GaN on Indium Tin Oxide/Glass Substrates by RF Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition Method.

  Park Doo–Cheol; Ko Hyun–Chul; Fujita Shizuo; Fujita Shigeo

  Japanese Journal of Applied Physics, 1998年

  
• 5a-E-2 GaN量子ドットの多励起子効果

  田中, 悟; 野村, 晋太郎; Riblet, P; Ramvall, P; 青柳, 克信; 成川, 幸男; 川上, 養一; 藤田, 静雄; 藤田, 茂夫

  日本物理学会講演概要集, 1997年09月

  
• Formation of an Atomically Flat Surface of ZnSe on GaAs (001) by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

  Funato Mitsuru; Aoki Satoshi; Fujita Shizuo; Fujita Shigeo

  Japanese Journal of Applied Physics, 1997年

  
• Reflection High Energy Electron Diffraction Intensity Oscillations during the Growth of ZnSe on Cleaved GaAs(110) Surface by Molecular Beam Epitaxy.

  Ko Hyun–Chul; Yamaguchi Shigeo; Kurusu Hitoshi; Kawakami Yoichi; Fujita Shizuo; Fujita Shigeo

  Japanese Journal of Applied Physics, 1996年

  
• Time-resolved nonlinear luminescence of biexcitons in ZnSe-Zn_xMg_1-xS_ySe_1-y single quantum wells

  Y. Yamada; T. Mishina; Y. Masumoto; Y. Kawakami; J. Suda; Sz. Fujita; Sg. Fujita

  Physical Review B, 1995年, 査読有り

  
• Time-resolved spectroscopy of excitonic luminescence in cubic ZnCdS lattice matched to GaAs

  Y. Kawakami; M. Funato; Sz. Fujita; Sg. Fujita; Y. Yamada; Y. Masumoto

  Proceedings of the 22nd International Conference on the Physics of Semiconductors, 1995年

  
• LOCALIZED EXCITONS IN CUBIC ZN1-XCDXS LATTICE-MATCHED TO GAAS

  Y KAWAKAMI; M FUNATO; S FUJITA; S FUJITA; Y YAMADA; Y MASUMOTO

  PHYSICAL REVIEW B, 1994年11月, 査読有り

  
• GROWTH OF ZNS AND ZNCDSSE ALLOYS ON GAP USING AN ELEMENTAL SULFUR SOURCE BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY

  K ICHINO; T ONISI; Y KAWAKAMI; S FUJITA; S FUJITA

  JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1994年04月

  
• ULTRAVIOLET SEMICONDUCTOR-LASER STRUCTURES WITH PSEUDOMORPHIC ZNCDSSE QUATERNARY ALLOYS ON GAP SUBSTRATES

  K ICHINO; K IWAMI; Y KAWAKAMI; SZ FUJITA; SG FUJITA

  JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 1993年05月

  
• OBSERVATION OF PHONON-PLASMON COUPLED MODES AT THE INTERFACE BETWEEN ZNSE AND SEMIINSULATING GAAS BY MICRO-RAMAN SPECTROSCOPY

  M ICHIMURA; A USAMI; T WADA; S FUJITA; S FUJITA

  APPLIED PHYSICS LETTERS, 1993年04月, 査読有り

  
• Stabilization of Li acceptors in ZnSe by above-band-gap photoirradiation

  Masaya Ichimura; Takao Wada; Shizuo Fujita; Shigeo Fujita

  Journal of Applied Physics, 1993年, 査読有り

  
• Reduction of Compensating Defects in ZnSe and ZnS by Photo-Irradiation

  M. Ichimura; T. Wada; Sz. Fujita; Sg. Fujita

  J. Cryst. Growth, 1992年04月, 査読有り

  
• Raman Spectra of Cubic Zn1-xCdxS

  M. Ichimura; A. Usami; T. Wada; M. Funato; K. Ichino; Sz. Fujita; Sg. Fujita

  Phys. Rev. B, 1992年04月, 査読有り

  
• II-VI族半導体ヘテロ構造の設計と作製

  市野 邦男; 川上 養一; 藤田 静雄; 藤田 茂夫

  應用物理, 1992年02月10日

  
• FABRICATION OF ZNCDSSE ALLOYS BY MOMBE AND THEIR APPLICATIONS FOR DOUBLE-HETERO AND QUANTUM-WELL STRUCTURES

  K ICHINO; YH WU; Y KAWAKAMI; S FUJITA; S FUJITA

  JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1992年02月

  
• "Growth of II-VI semiconductor quantum well structures under in situ RHEED observations" (共著)

  WU Y‐H; ICHINO K; KAWAKAMI Y; FUJITA S; FUJITA S

  Journal of Crystal Growth, 1991年12月

  
• A Defect Model for Photoirradiated Semiconductors －Suppression of the Self-compensation in II-VI Materials－

  M. Ichimura; T. Wada; Sz. Fujita; Sg. Fujita

  Jpn. J. Appl. Phys., 1991年, 査読有り

  

MISC

• 光MOVPE成長ZnSeの熱処理効果と評価

  尾形 健一; 計良 尚志; 川口 大介; 船戸 充; 藤田 静雄; 藤田 茂夫

  電気学会研究会資料. EFM, 電子材料研究会, 1995年12月06日

  
• 二光子吸収特性を利用した有機ホウ素化合物の導波路構造型多層光メモリへの応用

  香取 重尊; 石塚 知明; 岡田 真理子; 藤田 静雄; 神原 浩久; 平林 克彦; 八木 生剛; 栗原 隆

  電子情報通信学会技術研究報告. OPE, 光エレクトロニクス, 2007年08月16日

  
• Metalorganic Molecular Beam Epitaxy of Zn_1−xCd_xS_ySe_1−y Quaternary Alloys on GaAs Substrate

  Ichino Kunio; Wu Yi-hong; Kawakami Yoichi; Fujita Shizuo; Fujita Shigeo

  Japanese Journal of Applied Physics, 1991年

  
• Zn(S,Se)-GaAsヘテロエピタキシャル成長と積層構造の作製 : エピタキシーI

  船戸 充; 石井 正宏; 藤田 静雄; 藤田 茂夫

  日本結晶成長学会誌, 1991年07月25日

  
• ミストCVD法による酸化薄膜の成膜

  藤田 静雄; Nishinaka Hiroyuki; Kiba Keiji

  兵庫県立大学工学研究科イオン工学研究室論文集, 2008年

  
• GaAs(001)基板上六方晶GaNのMOVPE成長とウェハ融着によるGaN/Si構造作製への応用

  山本 秀一郎; 船戸 充; 藤田 静雄; 藤田 茂夫

  電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス, 2000年10月12日

  
• MOVPE成長した立方晶GaNへの六方晶成分の混入

  小川 雅弘; 石堂 輝樹; 船戸 充; 藤田 静雄; 藤田 茂夫

  電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス, 1998年11月06日

  
• ZuSe/GaAsおよびGaAs/ZuSe有機金属気相成長と電気的特性の評価

  船戸 充; 藤田 静雄; 藤田 茂夫

  電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス, 1994年11月17日

  
• 有機ホウ素ポリマーを用いた二光子吸収型光メモリ装置

  池之上 卓己; 香取 重尊; 藤田 静雄; 神原 浩久; 平林 克彦; 栗原 隆

  電子情報通信学会技術研究報告. EMD, 機構デバイス, 2008年12月12日

  
• ミストCVD法で作製されたATO薄膜の電気的および光学的特性

  上田真理子; LIU Li; 佐藤翔太; DANG Giang T; 川原村敏幸; 川原村敏幸; 藤田静雄; 織田容征; 平松孝浩

  応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 2018年09月05日

  
• 高品質α‐Fe₂O₃薄膜の電気特性および磁気特性に与えるドーピング効果の影響

  内田昌志; 赤岩和明; 小森祥央; 掛谷一弘; 金子健太郎; 藤田静雄

  応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 2015年08月31日

  
• 反応支援型ミストCVD法により低温成長した酸化アルミニウム(AlO_x)薄膜のパッシベーション応用特性

  内田貴之; 川原村敏幸; 藤田静雄; 平松孝浩; 織田容征

  応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 2015年02月26日

  
• 大気開放下によるSnO薄膜の作製とその物性評価

  内田貴之; 川原村敏幸; 藤田静雄

  応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 2014年09月01日

  
• 超狭帯域LED光源の開発とその皮膚医学応用 (電子部品・材料)

  小笠原 正弘; 平尾 孝; 藤田 静雄

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 2014年05月28日

  
• 超狭帯域LED光源の開発とその皮膚医学応用 (電子デバイス)

  小笠原 正弘; 平尾 孝; 藤田 静雄

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 2014年05月28日

  
• オゾン支援を用いたミストCVD法による酸化アルミニウム(AlO_x)パッシベーション膜の特性

  内田貴之; 川原村敏幸; 柴山健次; 藤田静雄; 平松孝浩; 織田容征

  応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 2014年03月03日

  
• ミストCVD法によるSnO_x薄膜の作製とその特性

  内田貴之; 川原村敏幸; 藤田静雄

  応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 2014年03月03日

  
• 大気圧ミストCVD法で作製した酸化アルミニウム(AlO_x)薄膜の太陽電池用パッシベーション応用

  内田貴之; 川原村敏幸; 柴山健次; 藤田静雄; 平松孝浩; 織田容征

  応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 2013年08月31日

  
• アモルファスα‐Fe₂O₃‐Co₂O₃薄膜の磁気特性評価

  金子健太郎; 小森祥央; 掛谷一弘; 藤田静雄; 田中勝久

  応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 2013年08月31日

  
• Pb_1-yBi_ySr₂Y_1-xCa_xCu₂O_7+δ単結晶エピタキシャル薄膜の成長と評価

  小森祥央; 稲葉遼太郎; 金子健太郎; 藤田静雄; 掛谷一弘; 鈴木実

  応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 2013年03月11日

  
• Fabrication of corundum-structured α-(InFe)₂O₃ alloy films on sapphire substrates by inserting α-Fe₂O ₃ buffer layer

  K. Akaiwa; N. Suzuki; K. Kaneko; S. Fujita

  Materials Research Society Symposium Proceedings, 2013年, 査読有り

  
• Crystal structure of non-doped and Sn-doped α-(GaFe) ₂O₃ thin films

  K. Kaneko; K. Akaiwa; S. Fujita

  Materials Research Society Symposium Proceedings, 2013年, 査読有り

  
• Fabrication of organic polymer solar cells by a novel solution-based vapor-like mist deposition method

  Takumi Ikenoue; Shizuo Fujita

  Materials Research Society Symposium Proceedings, 2012年, 査読有り

  
• Ultrasonic spray-assisted solution-based vapor-deposition of functional thin films and their applications

  Jinchun Piao; Shigetaka Katori; Takumi Ikenoue; Shizuo Fujita

  2011 Materials Research Society Fall Meeting, 2011年11月, 査読有り

  
• Solution-based vapor deposition of oxide and organic thin films

  Shizuo Fujita; Kentaro Kaneko; Takumi Ikenoue; Hiroshi Ito; Jinchun Piao; Sam-Dong Lee; Shigetaka Katori

  2nd International Conference on Green & Sustainable Chemistry (ICGSC 2011), 2011年11月, 査読有り, 招待有り

  
• Solution-source vapor-phase synthesis of oxide and organic thin films

  Shizuo Fujita; Takumi Ikenoue; Kentaro Kaneko; Hiroshi Ito; Takuto Igawa; Jinchun Piao; Sam-Dong Lee; Shigetaka Katori

  IUPAC 7th International Symposium on Novel Materials and Their Synthesis (NMS 2011), 2011年10月, 査読有り, 招待有り

  
• Growth, characterization, and device applications of various oxide semiconductors

  Shizuo Fujita; Kentaro Kaneko; Takayoshi Oshima; Hiroshi Ito; Takumi Ikenoue; Takuto Igawa

  15th International Conference on II-VI Compounds (II-VI 2011), 2011年08月, 査読有り, 招待有り

  
• Demonstration of tunable ultraviolet sensors with PEDOT:PSS/ZnMgO Schottky contacts fabricated by all mist-deposition method

  Takumi Ikenoue; Naoki Kameyama; Shizuo Fujita

  38th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2011), 2011年05月, 査読有り

  
• ミスト法を用いた薄膜成長に関する反応メカニズムの解析 1

  川原村敏幸; 織田容征; 白幡孝洋; 吉田章男; 藤田静雄; 平尾孝

  応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM), 2011年03月09日

  
• Transparency of Zinc Oxide thin-film transistors in the visible light and its application to a signal readout circuit of stacked image sensor

  M. Furuta; T. Hirao; Y. Kamada; S. Fujita; S. Aihara; H. Seo; T. Sakai; M. Kubota

  SID Conference Record of the International Display Research Conference, 2011年, 査読有り

  
• Thin film formation of transparent conductive oxides by solution-based mist deposition method toward hybrid device applications

  Takumi Ikenoue; Shizuo Fujita

  Materials Research Society Symposium Proceedings, 2011年, 査読有り

  
• Fabrication of organic small molecular thin films based on ultrasonic spray-assisted vapor-deposition method

  Jinchun Piao; Shigetaka Katori; Takumi Ikenoue; Shizuo Fujita

  Materials Research Society Symposium Proceedings, 2011年, 査読有り

  
• Mist deposition technique: a novel vapor-deposition method based on solution processes for conductive polymers and organic materials toward device applications

  Takumi Ikenoue; Shizuo Fujita

  2010 International Chemical Congress of Pacific Basin Societies (2010 Pacifichem), 2010年12月, 査読有り

  
• 酸化ガリウム半導体の表面制御と高品質単結晶薄膜の作製

  藤田静雄; 大島孝仁; 金子健太郎

  表面科学, 2010年12月, 査読有り

  
• Fabrication of PEDOT:PSS thin films by a novel ultrasonic spray assisted mist deposition technique

  Takumi Ikenoue; Naoki Kameyama; Shizuo Fujita

  International Conference on Science and Technology of Synthetic Metals 2010 (ICSM2010), 2010年07月, 査読有り

  
• Ultraviolet photodetectors with novel oxide thin films

  Shizuo Fujita; Takumi Ikenoue; Naoki Kameyama; Takayoshi Oshima

  52nd Electronic Materials Conference (EMC), 2010年06月, 査読有り

  
• Hard-mask patterned mist deposition of PEDOT:PSS thin films and demonstration of ultraviolet sensors with the PEDOT:PSS/ZnMgO Schottky contacts

  Takumi Ikenoue; Naoki Kameyama; Shizuo Fujita

  37th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2010), 2010年05月, 査読有り

  
• 超音波噴霧ミストデポジション法によるPEDOT/PSS薄膜の作製と評価

  池之上卓己; 藤田静雄

  応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM), 2010年03月03日

  
• スパッタリング法で成膜したZnO薄膜の光学特性とTFT応用

  鎌田雄大; 藤田静雄; 川原村敏幸; 平松孝浩; 松田時宜; 古田守; 平尾孝

  応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM), 2010年03月03日

  
• Lithographyless mist deposition of PEDOT:PSS thin films and demonstration of UV sensors with Schottky contacts

  Takumi Ikenoue; Naoki Kameyama; Shizuo Fujita

  3rd GCOE International Symposium on Photonics and Electronics Science and Engineering, 2010年03月

  
• 非真空気相プロセスによる有機太陽電池作製に向けた検討

  池之上卓己; 李在衡; 佐川尚; 増田喜男; 吉川暹; 藤田静雄

  2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会，長﨑大学文教キャンパス，2010.9.14-17, 2010年, 査読有り

  
• Solution- and non-vacuum-based vapor deposition methods for oxides and organic materials

  T. Ikenoue; N. Kameyama; S. Fujita

  Proceedings of International Meeting on Information Display, 2010年, 査読有り

  
• Role of film properties in sub-threshold characteristics of zinc oxide thin-film transistors (ZnO TFTs)

  Y. Kamada; S. Fujita; T. Hiramatsu; T. Matsuda; M. Furuta; T. Hirao

  Proceedings of International Meeting on Information Display, 2010年, 査読有り

  
• 69.1: Photo-leakage current in ZnO TFTs for transparent electronics

  Y. Kamada; S. Fujita; T. Hiramatsu; T. Matsuda; M. Furuta; T. Hirao

  Digest of Technical Papers - SID International Symposium, 2010年, 査読有り

  
• Mist deposition technique as a green chemical route for synthesizing oxide and organic thin films

  S. Fujita; K. Kaneko; Y. Fukui; H. Nishinaka; T. Ikenoue; T. Nomura

  Materials Research Society Symposium Proceedings, 2010年, 査読有り

  
• ワイドバンドギャップ酸化ガリウム半導体

  藤田静雄; 大島孝仁; 金子健太郎

  応用物理, 2009年12月, 査読有り

  
• 有機ホウ素化合物の二光子吸収特性を利用した積層導波路型光メモリ(光記録技術,一般)

  香取 重尊; 池之上 卓己; 藤田 静雄; 平林 克彦; 神原 浩久; 栗原 隆

  電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料, 2009年09月18日

  
• Second order optical effects in Au nanoparticle-deposited ZnO nanocrystallite films

  K. Ozga; T. Kawaharamura; A. Ali Umar; M. Oyama; K. Nouneh; A. Slezak; S. Fujita; M. Piasecki; A. H. Reshak; I. V. Kityk

  NANOTECHNOLOGY, 2008年05月

  このMISCにアクセスする：

  
• Fine Channel Mist CVD法によるZnO薄膜の成長メカニズム

  川原村敏幸; 藤田静雄

  応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 2008年03月27日

  
• ミストCVD法によるsapphire基板上α‐Ga₂O₃薄膜の成長

  篠原大輔; 西中浩之; 大島考仁; 騎馬啓嗣; 鎌田雄大; 川原村敏幸; 藤田静雄

  応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 2008年03月27日

  
• Junction properties of nitrogen-doped ZnO thin films

  J. G. Lu; S. Fujita; T. Kawaharamura; H. Nishinaka; Y. Kamada

  PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 5, NO 9, 2008年

  
• ミストＣＶＤ法の薄膜作製におけるファインチャネルおよび衝突混合の効果

  川原村 敏幸; 西中 浩之; 藤田 静雄

  材料試験, 2008年

  
• Investigation of instability mechanisms in zinc oxide thin-film transistors under bias stress

  M. Furuta; T. Hiramatsu; T. Matsuda; H. Nitta; T. Hirao; Y. Kamada; S. Fujita

  IDW \\'08 - Proceedings of the 15th International Display Workshops, 2008年, 査読有り

  
• Ultrasonic spray assisted mist-CVD method for high-quality crystalline and amorphous oxide semiconductors growth

  H. Nishinaka; Y. Kamada; K. Kiba; N. Kameyama; S. Fujita

  Materials Research Society Symposium Proceedings, 2008年, 査読有り

  
• Direct fabrication of ZnO whiskers bridging between micron-gap electrodes in aqueous solution for highly gas sensing

  R. Hattori; K. Kametani; H. Imamoto; S. Fujita

  Materials Research Society Symposium Proceedings, 2008年, 査読有り

  
• Ultraviolet optical functions of ZnO and Ga(2)O(3) thin films

  Shizuo Fujita

  NANOSTRUCTURED THIN FILMS, 2008年, 査読有り

  
• Fine Channel Mist CVD法による単結晶ZnO薄膜の作製(2)

  川原村敏幸; 西中浩之; 藤田静雄

  応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2007年09月04日

  
• リニアソース方式超音波噴霧CVD法による低温成長ZnO薄膜の作製

  西中浩之; 川原村敏幸; 藤田静雄

  応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2007年09月04日

  
• Roles of hydrogen and nitrogen in p-type doping of ZnO

  J. G. Lu; S. Fujita; T. Kawaharamura; H. Nishinaka

  CHEMICAL PHYSICS LETTERS, 2007年06月

  このMISCにアクセスする：

  
• 金触媒を用いた超音波噴霧CVD法によるZnOナノ構造の成長

  西中浩之; 川原村敏幸; 藤田静雄

  応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 2007年03月27日

  
• Fine Channel Mist CVD法による単結晶ZnO薄膜の作製

  川原村敏幸; 西中浩之; 増田喜男; 藤田静雄

  応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 2007年03月27日

  
• Fabrication of ZnO and ZnMgO thin films and UV photodetectors by mist chemical vapor deposition method

  Y. Kamada; T. Kawaharamura; H. Nishinaka; S. Fujita

  Materials Research Society Symposium Proceedings, 2007年, 査読有り

  
• ファインチャネルミストCVD法によるサファイア基板上ZnO薄膜の作製

  川原村敏幸; 西中浩之; 亀谷圭介; 増田喜男; 藤田静雄

  応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2006年08月29日

  
• リニアソース方式超音波噴霧CVD法によるGaドープZnO膜の作製

  西中浩之; 川原村敏幸; 鎌田雄大; LU J; 増田善男; 藤田静雄

  応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2006年08月29日

  
• ミストCVD法によるZn_1-xMg_xO薄膜の作製

  鎌田雄大; 川原村敏幸; 西中浩之; 谷垣昌敬; 藤田静雄

  応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 2006年03月22日

  
• ファインチャネルミストCVD法によるZnO透明薄膜の作製(2)

  川原村敏幸; 西中浩之; 亀谷圭介; 増田喜男; 谷垣昌敬; 藤田静雄

  応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 2006年03月22日

  
• ミストCVD法による各種金属酸化物薄膜の作製

  川原村敏幸; 西中浩之; 須磨隆富; 谷垣昌敬; 藤田静雄

  応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 2006年03月22日

  
• ファインチャネルミスト法によるZnO透明薄膜の作製とその特性(<特集>半導体エレクトロニクス)

  川原村 敏幸; 西中 浩之; 亀谷 圭介; 増田 喜男; 谷垣 昌敬; 藤田 静雄

  材料, 2006年02月

  
• Oligomerization process in MOVPE growth of ZnO

  K Maejima; S Fujita

  PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 3, NO 4, 2006年, 査読有り

  
• Epitaxial growth of nonpolar ZnO by MOVPE

  T Moriyama; S Fujita

  PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 3, NO 4, 2006年, 査読有り

  
• ファインチャネルミストCVD法によるZnO透明薄膜の作製

  川原村敏幸; 西中浩之; 亀谷圭介; 増田喜男; 谷垣昌敬; 藤田静雄

  応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2005年09月07日

  
• 「超音波噴霧熱分解(UMHD‐)CVD法」によるZnO透明薄膜の作製とその特性(2)

  川原村敏幸; 西中浩之; 亀谷圭介; 増田喜男; 谷垣昌敬; 藤田静雄

  応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 2005年03月29日

  
• Fabrication and characterization of GaN-based distributed Bragg reflector mirrors for low lasing threshold and integrated photonics

  T Kotani; Y Hatada; M Funato; Y Narukawa; T Mukai; Y Kawakami; S Fujita

  Physica Status Solidi C - Conferences and Critical Reviews, Vol 2, No 7, 2005年, 査読有り

  
• Electrochemical polymerization of terthiophene-fullerene derivative and its optical property for organic solar cells

  M. Morita; K. Furukawa; Y. Murata; T. Yamazaki; K. Komatsu; N. Maruyama; T. Yamao; S. Fujita

  Pacific Rim Conference on Lasers and Electro-Optics, CLEO - Technical Digest, 2005年, 査読有り

  
• 超音波噴霧熱分解(UMHD‐)CVD法によるZnO透明薄膜の作製とその特性

  川原村敏幸; 西中浩之; 亀谷圭介; 増田喜男; 谷垣昌敬; 藤田静雄

  応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2004年09月01日

  
• Indium doping to GaN grown on GaAs{114}B substrates by metalorganic vapor phase epitaxy

  M. Funato; K. Shimogami; S. Ujita; Y. Kawaguchi; Sz. Fujita; Sg. Fujita

  Physica Status Solidi C: Conferences, 2002年, 査読有り

  
• Self-organized ZnO nanosize islands with low-dimensional characteristics on SiO₂/Si substrates by metalorganic chemical vapor deposition

  S.-W. Kim; S. Fujita; S. Fujita

  Materials Research Society Symposium - Proceedings, 2002年, 査読有り

  
• Structural dependence and dynamics of white luminescence in multilayer structures for white organic light emitting devices

  S Fujita; K Uesaka; S Fujita

  ORGANIC OPTOELECTRONIC MATERIALS, PROCESSING AND DEVICES, 2002年, 査読有り

  
• Luminescence dynamics of Alq₃-based multilayer structures in terms of HOMO and LUMO energy discontinuity

  S. Fujita; T. Nakazawa; M. Asano; S. Fujita

  Materials Research Society Symposium - Proceedings, 2000年, 査読有り

  
• Effects of sapphire substrate configurations on MBE growth of ZnO

  Keiichiro Sakurai; Ken Nakahara; Tetsuhiro Tanabe; Shizuo Fujita; Shigeo Fujita

  Materials Research Society Symposium - Proceedings, 2000年, 査読有り

  
• Electrical characterization of MOVPE-grown p-type GaN:Mg against annealing temperature

  S. Fujita; M. Funato; D.-C. Park; Y. Ikenaga; S. Fujita

  Materials Research Society Symposium - Proceedings, 1999年, 査読有り

  
• Optical absorption in ZnSe-GaAs heterovalent quantum structures

  M. Funato; S. Fujita; S. Fujita

  Materials Research Society Symposium - Proceedings, 1999年, 査読有り

  
• 原子価不整合系の半導体へテロ構造におけるバンド不連続量の制御

  船戸 充; 藤田 静雄; 藤田 茂夫

  應用物理, 1997年02月10日

  
• Surface reconstruction and morphology of hydrogen sulfide treated GaAs (001) substrate

  Jun Suda; Yoichi Kawakami; Shizuo Fujita; Shigeo Fujita

  Materials Research Society Symposium - Proceedings, 1997年, 査読有り

  
• Formation of ZnSe/GaAs heterovalent heterostructures by MOVPE

  Mitsuru Funato; Satoshi Aoki; Shizuo Fujita; Shigeo Fujita

  Materials Research Society Symposium - Proceedings, 1997年, 査読有り

  
• Defect states in p-ZnSe:N grown by MOVPE

  Shizuo Fujita; Ken-ichi Ogata; Daisuke Kawaguchi; Zhi Gang Peng; Shigeo Fujita

  Materials Research Society Symposium - Proceedings, 1997年, 査読有り

  
• Emission mechanism of the InGaN MQW grown by MOCVD

  Y. Narukawa; Y. Kawakami; S. Fujita; S. Fujita; S. Nakamura

  Materials Research Society Symposium - Proceedings, 1997年, 査読有り

  
• Photocurrent spectrum of p-i-n Zn1-xCdxSe/ZnSe multiple quantum well heterostructures

  Jiu Y. Tang; Yoichi Kawakami; Shizuo Fujita; Shigeo Fujita

  Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering, 1996年, 査読有り

  
• Gas source molecular beam epitaxy (MBE) of ZnMgSSe layers

  Shizuo Fujita; Jun Suda; Yoichi Kawakami; Shiego Fujita

  Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering, 1995年, 査読有り

  
• WELL WIDTH DEPENDENCE OF STARK EFFECT IN ZNSE-ZNCDSE MULTIPLE QUANTUM WELL MODULATORS

  JY TANG; T ONISHI; H KURUSU; Y KAWAKAMI; S FUJITA; S FUJITA

  SECOND INTERNATIONAL CONFERENCE ON THIN FILM PHYSICS AND APPLICATIONS, 1994年, 査読有り

  
• Low pressure MOVPE photo-assisted growth of Zn_xCd_1-xS

  Herve Dumont; Shizuo Fujita; Shigeo Fujita

  Materials Research Society Symposium - Proceedings, 1994年, 査読有り

  
• Plasma enhanced liquid source-CVD and rapid thermal annealing of tantalum penta oxide dielectric material

  P.A. Murawala; M. Sawai; T. Tatsuta; O. Tsuji; Sz. Fujita; Sg. Fujita

  Conference on Solid State Devices and Materials, 1992年, 査読有り

  
• Electrical properties of ZnSe-based II-VI Semiconductors/(NH₄)₂S_x-pretreated GaAs heterointerfaces

  Takahiro Ohnakado; Yi-hong Wu; Yoichi Kawakami; Shizuo Fujita; Shigeo Fujita

  Conference on Solid State Devices and Materials, 1991年, 査読有り

  
• Thermal stability and interdiffusion at ZnSe/GaAs interface

  P.A. Murawala; O. Tsuji; Sz. Fujita; Sg. Fujita

  Conference on Solid State Devices and Materials, 1991年, 査読有り

  
• Sulfur-passivation pretreatment of GaAs surface for layer-by-layer growth and atomic layer epitaxy of ZnSe by MOMBE

  Shigeo Fujita; Yi-hong Wu; Yasunori Miyazaki; Takashi Toyoda; Yoichi Kawakami; Shizuo Fujita

  Conference on Solid State Devices and Materials, 1990年, 査読有り

  
• Characterization of GaAs/Zn(S, Se) multi-layered structures grown by OMVPE

  Prakash A. Murawala; Seiji Maruo; Osamu Tsuji; Shizuo Fujita; Shigeo Fujita

  Conference on Solid State Devices and Materials, 1990年, 査読有り

  
• THERMAL NITRIDATION OF SILICON IN NITROGEN PLASMA AND NITROGEN-HYDROGEN PLASMA.

  S. Matsumoto; H. Nakamura; S. Eguchi; S. Fujita; A. Sasaki

  Materials Research Society Symposia Proceedings, 1985年, 査読有り

  

書籍等出版物

• 現代工学の基礎(2)(共著)

  藤田 静雄

  岩波書店,/,49-112, 2000年, 査読無し

  
• Fundamentals of modern engineering(2)(共著)

  藤田 静雄

  Iwanami Publishing,/,49-112, 2000年, 査読無し

  
• Properties of wide bandgap II-VI semiconductors(共著)

  藤田 静雄

  The institution of electrical engineers,, 1997年, 査読無し

  
• II-VI blue/green light emitters : device physics and epitaxial growth, semiconductors and semimetals vol. 44(共著)

  藤田 静雄

  Academic press,, 1997年, 査読無し

  
• 薄膜作製応用ハンドブック(共著)

  藤田 静雄

  エヌ・ティー・エス,, 1995年, 査読無し

  
• Handbook on thin film fabrication and application

  藤田 静雄

  ,, 1995年, 査読無し

  

産業財産権

• 特許5652768, 特願2011-529718, 金属酸化膜の成膜方法、金属酸化膜および金属酸化膜の成膜装置

  藤田 静雄 ほか

  
• 特許5645191, 特願2011-510106, 金属酸化膜の成膜方法および金属酸化膜

  藤田 静雄 ほか

  
• 特許5621130, 特願2009-266429, ミスト噴出用ノズル、それを備えた成膜装置および成膜方法

  藤田 静雄 ほか

  
• 特許5614558, 特願2012-518167, 金属酸化膜の成膜装置、金属酸化膜の成膜方法

  藤田 静雄 ほか

  
• 特許5294432, 特願2011-510107, 酸化亜鉛バリスタの製造方法および酸化亜鉛バリスタ

  藤田 静雄 ほか

  
• 特許5124760, 特開2005-307238, 特願2004-122834, 成膜方法及び成膜装置

  藤田 静雄 ほか

  
• 特許5103683, 特願2007-301235, 酸化ガリウム基板用電極の製造方法及びそれにより製造される酸化ガリウム基板用電極

  藤田 静雄 ほか

  
• 特許4940425, 特開2007-254869, 特願2006-83679, 原料ガス噴出用ノズル及び化学的気相成膜装置

  藤田 静雄 ほか

  
• 特許4911569, 特願2006-010078, 多層導波路およびその作製方法

  藤田 静雄 ほか

  
• 特許4785363, 特願2004-268203, 蛍光体粒子、蛍光体粒子分散体ならびにこれらを含む照明装置および表示装置

  藤田 静雄 ほか

  
• 特許4754998, 特願2006-041640, 二光子吸収材料

  藤田 静雄 ほか

  
• 特許4704894, 特開2007-138230, 特願2005-332083, 成膜方法及び成膜装置

  藤田 静雄 ほか

  
• 特許4672996, 特開2005-305233, 特願2004-122836, 成膜用霧化装置

  藤田 静雄 ほか

  
• 特許4526339, 特願2004-268122, 発光体

  藤田 静雄 ほか

  
• 特許4475432, 特願2007-019382, 情報記録方法及び情報再生方法

  藤田 静雄 ほか

  
• 特許4401264, 特願2004-268202, 蛍光体およびその製造方法ならびに発光装置

  藤田 静雄 ほか

  
• 特許4270381, 特願2004-055245, 導電性重合体及びその製造方法並びにそれを用いた有機太陽電池

  藤田 静雄 ほか

  
• 特許4197109, 特願2002-229110, 照明装置

  藤田 静雄 ほか

  
• 特許2784093, 特願平03-027065, 半導体装置

  藤田 静雄 ほか

  
• 特許2616287, 特願平03-194927, 半導体装置

  藤田 静雄 ほか

  

受賞

• 2022年10月31日

  応用物理学会関西支部, 関西支部貢献賞

  酸化ガリウムの研究開発と実用開発に向けた取り組み

  藤田 静雄、金子 健太郎
• 2017年08月31日

  JST/NEDO, 大学発ベンチャー表彰（NEDO理事長賞）

  人羅 俊実、藤田 静雄
• 2020年03月31日

  応用物理学会, 化合物半導体エレクトロニクス業績賞

  GaAs系，ZnSe系，および酸化物半導体の結晶成長における新技術開拓への貢献

  藤田 静雄
• 2008年09月02日

  応用物理学会, 応用物理学会フェロー表彰
• 2010年04月14日

  応用物理学会, 応用物理学会APEX/JJAP編集貢献賞
• 2014年09月17日

  応用物理学会, 応用物理学会論文賞（解説論文賞）

外部資金：科学研究費補助金

• 真空紫外半導体光物性の学理創成

  基盤研究(A)

  中区分21:電気電子工学およびその関連分野

  京都大学

  藤田 静雄

  自 2020年04月01日, 至 2023年03月31日, 完了

  超ワイドギャップ半導体;酸化物半導体;真空紫外光;光物性;量子構造

  https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20H00246/
• 脳科学と細胞生理学にもとづく照明デザイン

  挑戦的研究(萌芽)

  中区分21:電気電子工学およびその関連分野

  京都大学

  藤田 静雄

  自 2019年06月28日, 至 2021年03月31日, 完了

  発光ダイオード;脳波測定;アルファ波;タンパク質;照明環境;光工学;脳波;狭帯域光;住環境;磁気共鳴画像

  https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19K21973/
• 深紫外プラズモニクスの基盤創成と高効率深紫外発光素子への応用

  基盤研究(B)

  小区分30020:光工学および光量子科学関連

  大阪府立大学

  岡本 晃一

  自 2018年04月01日, 至 2021年03月31日, 完了

  プラズモニクス;深紫外;酸化物半導体;発光素子;量子構造;金属ナノ構造;表面プラズモン;NHoM構造;UVC

  https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-18H01903/
• 超狭帯域発光ダイオードによる細胞光エンジニアリング

  挑戦的研究(萌芽)

  京都大学

  藤田 静雄

  自 2017年06月30日, 至 2019年03月31日, 完了

  超狭帯域光;発光ダイオード;細胞;蛋白質;狭帯域光;光刺激;線維芽細胞;コラーゲン;希土類添加LED

  https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-17K18879/
• 超ワイドギャップ酸化物半導体量子構造によるサブ200nm光機能の創成

  基盤研究(A)

  京都大学

  藤田 静雄

  自 2017年04月01日, 至 2020年03月31日, 完了

  光物性;量子井戸;酸化物;深紫外;量子構造

  https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-17H01263/
• サステナブル・マテリアルを用いた高効率光触媒の開発

  若手研究(B)

  京都大学

  金子 健太郎

  自 2015年04月01日, 至 2017年03月31日, 完了

  酸化物半導体;可視光応答型光触媒;化学気相成長法;光触媒;酸化鉄;薄膜作製;導電性;結晶薄膜;バンドギャップ変調;混晶;酸化物;ドーピング;結晶成長

  https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-15K17461/
• 還元反応による酸化制御に基づく酸化物半導体の伝導性制御

  挑戦的萌芽研究

  京都大学

  藤田 静雄

  自 2015年04月01日, 至 2017年03月31日, 完了

  酸化物半導体;伝導性制御;酸化還元反応;酸化スズ;酸化ガリウム

  https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-15K13350/
• ミスト成長法による機能性単結晶酸化物薄膜の創成

  基盤研究(B)

  京都大学

  藤田 静雄

  自 2013年04月01日, 至 2016年03月31日, 完了

  酸化物半導体;環境材料;結晶成長;省エネルギー;電子デバイス・機器;多機能デバイス

  https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-25286050/
• 新しい酸化物半導体による光・電子・磁気融合機能の創成

  基盤研究(B)

  京都大学

  藤田 静雄

  自 2010年04月01日, 至 2013年03月31日, 完了

  酸化ガリウム;コランダム構造;混晶;スピントロニクス;バンドギャップ制御;ヘテロ構造;パワーデバイス;ドーピング;酸化物半導体;量子機能;機能エンジニアリング;バンドギャップエンジニアリング;ミストCVD法

  https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22360007/
• 有機薄膜のミスト成膜法の開発

  萌芽研究

  京都大学

  藤田 静雄

  自 2007年04月01日, 至 2009年03月31日, 完了

  有機薄膜;ミスト法;超音波霧化;成膜装置;超音波伝搬;有機デバイス

  https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19656192/
• 酸化ガリウム系深紫外発光デバイスの研究

  基盤研究(B)

  京都大学

  藤田 静雄

  自 2007年04月01日, 至 2010年03月31日, 完了

  酸化物半導体;深紫外線;光源;検出器;結晶成長;物性制御;バルク基板;酸化ガリウム;MBE成長;深紫外光領域;発光デバイス;光検出器;パワー電子デバイス;ステップフロー成長;多層構造

  https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19360007/
• 擬似混晶技術によるp型酸化亜鉛系半導体の作製

  基盤研究(B)

  京都大学

  藤田 静雄

  自 2005年04月01日, 至 2007年03月31日, 完了

  酸化亜鉛;P型伝導;疑似混晶;超格子;ドーピング;分子線エピタキシ;銅系酸化物薄膜;ワイドギャップ半導体;擬似混晶;p型伝導;デラフォサイト型酸化物;MBE;サブバンド形成;紫外発光デバイス, zinc oxide;p-type;quasi alloy;superlattice;doping;molecular beam epitaxy;cupper-based oxide thin film;wide band gap semiconductor

  https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-17360010/
• 超微細ナノドット・ナノロッド・ナノラインの新しい超精密配列制御技術の研究

  基盤研究(B)

  京都大学

  藤田 静雄

  自 2003年04月01日, 至 2005年03月31日, 完了

  集束イオンビーム;ナノ加工;ナノドット;MOCVD成長;配列制御;酸化亜鉛;励起子物性;光機能;ZnO, focused ion beam;nanopatterning;nanodots;MOCVD growth;artificial arrangement;zinc oxide;exciton properties;optical functions

  https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-15360009/
• 有機材料による白色発光のダイナミクス

  基盤研究(B)

  京都大学

  藤田 茂夫

  自 2001年04月01日, 至 2003年03月31日, 完了

  発光ダイナミクス;有機発光材料;白色発光デバイス;時間分解発光測定;HOMO-LUMOエネルギー;分散構造;エネルギー緩和過程, luminescence dynamics;organic luminescent layer;white-luminescence device;time-resolved spectroscopy;HOMO-LUMO energy levels;codoped structure;Energy transfer

  https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-13450011/
• 短波長材料における励起子局在化の空間制御と多波長発光の研究

  特定領域研究

  理工系

  京都大学

  藤田 茂夫

  自 2001年04月01日, 至 2004年03月31日, 完了

  短波長材料;窒化物半導体;酸化物半導体;励起子;組成不均一;局在化;多波長発光;時間スペクトロスコピー;時間空間分解スペクトロスコピー

  https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-13026216/
• 直接遷移型多色発光材料の研究

  萌芽的研究

  京都大学

  藤田 静雄

  自 2000年04月01日, 至 2001年03月31日, 完了

  励起子;量子ドット;相分離;CdSe;ZnCdO;多色発光;青色ルミネセンス

  https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-12875062/
• InAlN系半導体量子ドットの自己形成に関する研究

  萌芽的研究

  京都大学

  川上 養一

  自 1999年04月01日, 至 2000年03月31日, 完了

  InAlN;InGaN;励起子;局在;輻射再結合過程;光利得生成機構

  https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-11875072/
• 半導体/強磁性体薄膜多層構造による励起子磁気光学効果の創出

  萌芽的研究

  京都大学

  藤田 静雄

  自 1999年04月01日, 至 2000年03月31日, 完了

  励起子;励起子磁気光学効果;強磁性体薄膜;ZnO;多層構造;配向特性

  https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-11875005/
• 表面エネルギー変調エピタキシーによる半導体不整合系へテロ構造の作製

  基盤研究(C)

  京都大学

  船戸 充

  自 1999年04月01日, 至 2001年03月31日, 完了

  表面エネルギー;半導体へテロ構造;不整合;GaN;GaAs;結晶構造

  https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-11650014/
• 光機能性有機薄膜多層構造の光ダイナミクス

  基盤研究(B)

  京都大学

  藤田 静雄

  自 1999年04月01日, 至 2001年03月31日, 完了

  有機薄膜多層構造;HOMOエネルギー;LUMOエネルギー;光ダイナミクス;発光再結合寿命;励起子局在;白色EL;光タイナミクス;Alq;TPD;PBD, organic materials multilayer structures;HOMO energy;LUMO energy;photodynamics;radiative recombination lifetime;exciton localization;white EL

  https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-11450013/
• 量子ドット閉じこめ励起子分子を用いた発光素子の基礎研究

  基盤研究(A)

  京都大学

  藤田 茂夫

  自 1998年04月01日, 至 2001年03月31日, 完了

  ワイドギャップ半導体;励起子;励起子分子;低次元構造;局在;時間分解分光;発光ダイナミクス;ZnCdSe;InGaN;量子ドット;多体効果;局在化, Widegap Semiconductors;Exciton;Exciton Molecule;Low-dimensional Structures;Localization;Time-resolved spectroscopy;Luminescence Dynamics

  https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-10305025/
• 有機薄膜界面超構造の設計と制御に関する研究

  重点領域研究

  京都大学

  藤田 茂夫

  自 1997年04月01日, 至 1998年03月31日, 完了

  有機薄膜;超構造;多層構造;分子分散構造;タイプI型エネルギー構造;エレクトルミネセンス

  https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-09217229/
• 半導体低次元構造制御の新技術に関する研究

  基盤研究(B)

  京都大学

  藤田 静雄

  自 1996年04月01日, 至 1998年03月31日, 完了

  光照射結晶成長;原料の光感度による反応の選択性;照射光波長による反応の選択性;基板温度による反応の選択性;ZnCdSSe;低次元構造;構造制御;量子構造, photoassisted growth;growth selectivity for photoirradiation;growth selectivity with photon energy;growth selectivity with temperature;ZnCdSSe;low dimensional structure;structure control;quantum structure

  https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-08455013/
• 有機薄膜界面超構造の設計と制御に関する研究

  重点領域研究

  京都大学

  藤田 茂夫

  自 1996年04月01日, 至 1997年03月31日, 完了

  界面超構造;有機EL;薄膜多層構造;分子線蒸着法;分子配列

  https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-08231238/
• II-VI族化合物半導体低次元構造における励起子ダイナミクスの研究

  一般研究(C)

  京都大学

  川上 養一

  自 1995年04月01日, 至 1996年03月31日, 完了

  ZnSe系量子井戸;青緑色発光素子;励起子;局在;励起子分子;発光ダイナミクス

  https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-07650052/
• 半導体表面光触媒反応による気相成長のダイナミクス

  基盤研究(A)

  京都大学

  藤田 茂夫

  自 1995年04月01日, 至 1998年03月31日, 完了

  光触媒反応;反応過程;ZnCdSSe;不純物添加;p型伝導性制御;量子構造;電流注入レーザ発振;反応素過程;欠陥制御;励起子発光寿命, photocatalysis;growth processes;ZnCdSSe;impurity doping;p-type control;quantum structure;current-injection lasing

  https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-07405017/
• 分子性機能薄膜の配向性とキャリア伝導機構制御に関する研究

  重点領域研究

  京都大学

  藤田 茂夫

  自 1995年04月01日, 至 1996年03月31日, 完了

  有機EL素子構造;Alq_3;TPD;ナノレベル;配向性制御;キャリア注入

  https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-07241236/
• 有機金属気相成長法による青緑色半導体レーザの試作研究

  試験研究(B)

  京都大学

  藤田 茂夫

  自 1994年04月01日, 至 1996年03月31日, 完了

  光触媒反応;水素パッシベーション;不純物添加;量子構造;急速熱処理;青緑半導体レーザ;有機金属気相成長法;ZnCdSe;p型ZnSe;窒素添加;熱処理, photocatalysis;hydrogen passivation;impurity doping;quanturn structure;rapid thermal annealing

  https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-06555006/
• II-VI族半導体量子井戸構造を用いた光吸収変調素子に関する研究

  一般研究(C)

  京都大学

  川上 養一

  自 1993年04月01日, 至 1994年03月31日, 完了

  光吸収変調;量子閉じ込めシュタルク効果;青緑色領動作;ZnCdSe;ZnSSe;励起子;原子層制御

  https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-05805030/
• 準格子整合系異族半導体新ヘテロ構造の物性とデバイス応用に関する研究

  一般研究(C)

  京都大学

  藤田 静雄

  自 1993年04月01日, 至 1994年03月31日, 完了

  準格子整合系;異族半導体;ヘテロ構造;超格子;界面物性

  https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-05805029/
• 紫外光デバイス用II-VI族新混晶半導体の成長に関する研究

  一般研究(B)

  京都大学

  藤田 茂夫

  自 1993年04月01日, 至 1995年03月31日, 完了

  紫外光デバイス;分子線エピタキシ-;ZnCdSSe;GaP;MIS;量子井戸構造;紫外発光ダイオード;紫外半導体レーザ;Gap;P型伝導度制御;量子井戸;原子層制御成長, Ultraviolet Optical Devices;Moleclar Beam Epitaxy;ZnCdSSe;GaP;MIS;Quantum Well

  https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-05452097/
• イオン性の異なる準格子整合系半導体多層構造・ヘテロ界面の物性に関する研究

  一般研究(C)

  京都大学

  藤田 静雄

  自 1992年04月01日, 至 1993年03月31日, 完了

  準格子整合系半導体;異族半導体;多層構造;超格子;ヘテロ界面

  https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-04805030/
• 表面光触媒反応による半導体薄膜成長に関する基礎研究

  重点領域研究

  京都大学

  藤田 静雄

  自 1991年04月01日, 至 1992年03月31日, 完了

  光触媒;有機金属気相成長;質量分析;低温成長;組成制御;伝導性制御

  https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-03239204/
• 短波長レ-ザ用IIーVI族新混晶半導体の成長と物性に関する研究

  一般研究(B)

  京都大学

  藤田 茂夫

  自 1990年04月01日, 至 1992年03月31日, 完了

  短波長半導体レ-ザ;二重異種接合;バンド不連続;新混晶半導体;有機金属分子線成長, Short Wavelength Lasers;Double Heterostructure;Band Discontinuity;New Alloy Semiconductor

  https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-02452147/
• 表面光触媒反応による半導体薄膜成長に関する基礎研究

  重点領域研究

  京都大学

  藤田 静雄

  自 1990年04月01日, 至 1991年03月31日, 完了

  光触媒;有機金属気相成長;質量分析;低温成長;伝導性制御

  https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-02253208/
• 表面光化学反応による気相エピタキシアル成長に関する研究

  一般研究(C)

  京都大学

  藤田 茂夫

  自 1988年04月01日, 至 1989年03月31日, 完了

  表面光化学反応;気相エピタキシアル成長;II-VI族半導体;光照射効果;成長機構

  https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-63550015/
• 歪超格子緩衝層を用いたOMVPE Zn(S,Se)の高品質化の研究

  重点領域研究

  京都大学

  藤田 茂夫

  自 1987年04月01日, 至 1988年03月31日, 完了

  II-VI族半導体Zn(S,Se);有機金属気相成長;ヘテロエピ成長;歪超格子緩衝層

  https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-62604564/

外部資金：その他

• 脱炭素を実現する熱ソリューションビジネスエコシステムの共創 (2022年度分)

  経済産業省, 中小企業経営支援等対策費補助金

  自 2022年04月01日, 至 2023年03月31日

  分担
• 高品質/高均質薄膜を実現する非真空成膜プロセスの研究開発

  国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構

  自 2015年02月01日, 至 2016年02月28日

  藤田静雄
• 省エネルギー革新技術開発/挑戦研究（事前研究一体型）/超高耐圧酸化ガリウムパワーデバイスの研究開発

  独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構

  自 2011年07月15日, 至 2014年02月28日

  藤田静雄
• ミストCVD法を用いた燃料電池金属セパレータ用高耐食性高電導性酸化膜の開発

  独立行政法人科学技術振興機構

  自 2014年04月01日, 至 2016年03月31日

  黒田泰広

教育

担当科目

• 自 2016年04月, 至 2017年03月

  研究インターンシップD(融合光)

  通年, 工学研究科
• 自 2016年04月, 至 2017年03月

  研究インターンシップM(融合光)

  通年, 工学研究科
• 自 2016年04月, 至 2017年03月

  研究論文（修士）

  通年, 工学研究科
• 自 2016年04月, 至 2017年03月

  融合光･電子科学の展望

  前期, 工学研究科
• 自 2016年04月, 至 2017年03月

  融合光・電子科学特別セミナー

  通年, 工学研究科
• 自 2016年04月, 至 2017年03月

  融合光・電子科学特別実験及演習２

  通年, 工学研究科
• 自 2016年04月, 至 2017年03月

  融合光・電子科学特別実験及演習１

  通年, 工学研究科
• 自 2016年04月, 至 2017年03月

  融合光･電子科学特別演習1

  通年, 工学研究科
• 自 2016年04月, 至 2017年03月

  融合光･電子科学特別演習2

  通年, 工学研究科
• 自 2016年04月, 至 2017年03月

  融合光・電子科学特別研修1(ｲﾝﾀｰﾝ)

  前期, 工学研究科
• 自 2016年04月, 至 2017年03月

  融合光・電子科学特別研修2(ｲﾝﾀｰﾝ)

  前期, 工学研究科
• 自 2017年04月, 至 2018年03月

  研究インターンシップD(融合光)

  通年, 工学研究科
• 自 2017年04月, 至 2018年03月

  研究インターンシップM(融合光)

  通年, 工学研究科
• 自 2017年04月, 至 2018年03月

  研究論文（修士）

  通年, 工学研究科
• 自 2017年04月, 至 2018年03月

  融合光･電子科学の展望

  前期, 工学研究科
• 自 2017年04月, 至 2018年03月

  融合光・電子科学特別セミナー

  通年, 工学研究科
• 自 2017年04月, 至 2018年03月

  融合光・電子科学特別実験及演習２

  通年, 工学研究科
• 自 2017年04月, 至 2018年03月

  融合光・電子科学特別実験及演習１

  通年, 工学研究科
• 自 2017年04月, 至 2018年03月

  融合光･電子科学特別演習1

  通年, 工学研究科
• 自 2017年04月, 至 2018年03月

  融合光･電子科学特別演習2

  通年, 工学研究科
• 自 2017年04月, 至 2018年03月

  融合光・電子科学特別研修1(ｲﾝﾀｰﾝ)

  前期, 工学研究科
• 自 2017年04月, 至 2018年03月

  融合光・電子科学特別研修2(ｲﾝﾀｰﾝ)

  前期, 工学研究科
• 自 2017年04月, 至 2018年03月

  電気電子工学実習

  後期, 工学部
• 自 2018年04月, 至 2019年03月

  研究インターンシップD(融合光)

  通年, 工学研究科
• 自 2018年04月, 至 2019年03月

  研究インターンシップM(融合光)

  通年, 工学研究科
• 自 2018年04月, 至 2019年03月

  研究論文（修士）

  通年, 工学研究科
• 自 2018年04月, 至 2019年03月

  融合光･電子科学の展望

  前期, 工学研究科
• 自 2018年04月, 至 2019年03月

  融合光・電子科学特別セミナー

  通年, 工学研究科
• 自 2018年04月, 至 2019年03月

  融合光・電子科学特別実験及演習２

  通年, 工学研究科
• 自 2018年04月, 至 2019年03月

  融合光・電子科学特別実験及演習１

  通年, 工学研究科
• 自 2018年04月, 至 2019年03月

  融合光･電子科学特別演習1

  通年, 工学研究科
• 自 2018年04月, 至 2019年03月

  融合光･電子科学特別演習2

  通年, 工学研究科
• 自 2018年04月, 至 2019年03月

  融合光・電子科学特別研修1(ｲﾝﾀｰﾝ)

  前期, 工学研究科
• 自 2018年04月, 至 2019年03月

  融合光・電子科学特別研修2(ｲﾝﾀｰﾝ)

  前期, 工学研究科
• 自 2018年04月, 至 2019年03月

  電気電子工学実習

  後期, 工学部
• 自 2019年04月, 至 2020年03月

  研究インターンシップD(融合光)

  通年集中, 工学研究科
• 自 2019年04月, 至 2020年03月

  研究インターンシップM(融合光)

  通年集中, 工学研究科
• 自 2019年04月, 至 2020年03月

  研究論文（修士）

  通年集中, 工学研究科
• 自 2019年04月, 至 2020年03月

  融合光･電子科学の展望

  前期, 工学研究科
• 自 2019年04月, 至 2020年03月

  融合光・電子科学特別セミナー

  通年集中, 工学研究科
• 自 2019年04月, 至 2020年03月

  融合光・電子科学特別実験及演習２

  通年集中, 工学研究科
• 自 2019年04月, 至 2020年03月

  融合光・電子科学特別実験及演習１

  通年集中, 工学研究科
• 自 2019年04月, 至 2020年03月

  融合光･電子科学特別演習1

  通年集中, 工学研究科
• 自 2019年04月, 至 2020年03月

  融合光･電子科学特別演習2

  通年集中, 工学研究科
• 自 2019年04月, 至 2020年03月

  融合光・電子科学特別研修1(ｲﾝﾀｰﾝ)

  前期, 工学研究科
• 自 2019年04月, 至 2020年03月

  融合光・電子科学特別研修2(ｲﾝﾀｰﾝ)

  前期, 工学研究科
• 自 2019年04月, 至 2020年03月

  電気電子工学実習

  後期, 工学部
• 自 2020年04月, 至 2021年03月

  専攻共通卓越特別講義

  通年集中, 理学研究科
• 自 2020年04月, 至 2021年03月

  研究インターンシップD(融合光)

  通年集中, 工学研究科
• 自 2020年04月, 至 2021年03月

  研究インターンシップM(融合光)

  通年集中, 工学研究科
• 自 2020年04月, 至 2021年03月

  研究論文（修士）

  通年集中, 工学研究科
• 自 2020年04月, 至 2021年03月

  融合光･電子科学の展望

  前期, 工学研究科
• 自 2020年04月, 至 2021年03月

  融合光・電子科学特別セミナー

  通年集中, 工学研究科
• 自 2020年04月, 至 2021年03月

  融合光・電子科学特別実験及演習２

  通年集中, 工学研究科
• 自 2020年04月, 至 2021年03月

  融合光・電子科学特別実験及演習１

  通年集中, 工学研究科
• 自 2020年04月, 至 2021年03月

  融合光･電子科学特別演習1

  通年集中, 工学研究科
• 自 2020年04月, 至 2021年03月

  融合光･電子科学特別演習2

  通年集中, 工学研究科
• 自 2020年04月, 至 2021年03月

  融合光・電子科学特別研修1(ｲﾝﾀｰﾝ)

  後期, 工学研究科
• 自 2020年04月, 至 2021年03月

  融合光・電子科学特別研修2(ｲﾝﾀｰﾝ)

  後期, 工学研究科
• 自 2020年04月, 至 2021年03月

  電気電子工学実習

  後期, 工学部

非常勤講師

• 自 2018年04月01日, 至 2019年03月31日

  高知工科大学
• 自 2019年04月01日, 至 2020年03月31日

  高知工科大学

大学運営

全学運営(役職等)

• 自 2011年04月01日, 至 2017年03月31日

  ローム記念館運営ワーキンググループ 1号委員
• 自 2011年04月01日, 至 2017年03月31日

  ローム記念館運営委員会 4号委員
• 自 2017年04月01日, 至 2019年03月31日

  ローム記念館運営委員会 ４号委員
• 自 2017年04月01日, 至 2019年03月31日

  ローム記念館運営ワーキンググループ １号委員
• 自 2019年04月01日, 至 2021年03月31日

  ローム記念館運営委員会 委員
• 自 2019年04月01日, 至 2021年03月31日

  ローム記念館運営ワーキンググループ 委員長

部局運営(役職等)

• 自 2016年04月01日, 至 2021年03月31日

  工学研究科教育制度委員会　委員
• 自 2019年04月01日, 至 2021年03月31日

  工学研究科高等教育院運営委員会 委員