基本情報

学部兼担

• 工学部

所属学協会

• 日本航空宇宙学会
• 日本真空学会
• 応用物理学会：シリコンテクノロジー分科会，プラズマエレクトロニクス分科会
• AVS (American Vacuum Society)
• IEEE (The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc.): Electron Device Society, Reliability Society

学位

• 修士（工学）(京都大学)
• 博士（工学）(京都大学)

出身大学院・研究科等

• 京都大学, 大学院工学研究科修士課程物理工学専攻, 修了

出身学校・専攻等

• 京都大学, 工学部物理工学科, 卒業

経歴

• 自 2016年07月, 至 現在

  京都大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授
• 自 2005年07月, 至 2016年06月

  Kyoto University, 工学(系)研究科(研究院), 准教授
• 自 1991年04月, 至 2005年07月

  パナソニック

ID,URL

• ORCID ID

  0000-0003-1485-5897

• J-Global ID

  201401023989700330

• 外部リンク

  http://www.propulsion.kuaero.kyoto-u.ac.jp/

researchmap URL

• https://researchmap.jp/7000008458

研究

研究テーマ・研究概要

• 研究テーマ

  プラズマ応用工学，信頼性物理学，ナノプロセス科学

• 研究概要

  
  １．超微細領域でのプラズマ・固体表面界面反応制御を目指した研究：
  原子レベルでプラズマ－固体表面反応を理解することで，超微細領域で制御された新しいプラズマプロセス，プロセス最適化設計の実現．
  （例：イオンエネルギー・フラックス最適化，３次元デバイス構造での反応制御，統計的ばらつき・ゆらぎ最適制御設計，分子動力学・量子化学計算科学など）
  ２．プラズマを用いた新機能材料設計・デバイス創製とその信頼性物理に関する研究：
  宇宙空間のような極環境下において高性能・高信頼性を達成する新しい材料・デバイス設計の実現．
  （例：宇宙用途を鑑みた耐プラズマ性・超硬度特性をもつ薄膜BN構造材料設計，耐放射線性をもつ抵抗変化型メモリデバイスの高信頼性設計など）
  ３．新機能デバイス設計のための新しい電気的・光学的物性解析手法の研究：
  高信頼性材料設計を可能にする，誘電関数・量子トンネル過程に着目した新しい解析・設計手法の実現．
  （例：ナノ領域での新変調反射率分光・キャリア捕獲準位密度定量化など）

研究キーワード

• プラズマプロセス
• 誘電率
• 欠陥層
• 電気容量
• 分子動力学
• プラズマ
• 欠陥
• 表面・界面
• ナノ材料
• レーザー
• 変調反射率分光
• 誘電関数
• トランジスタ
• 極低消費電力
• 界面層
• 電子
• 表面界面改質
• シリコン
• プラズマ化学
• プラズマ加工
• 表面・界面物性
• 超微細加工形状
• 半導体超微細化
• 反応粒子輸送
• プラズマエッチング
• 表面ラフネス
• マイクロプラズマ
• 亜音速・超音速流れ場
• エッチング
• 高温反応場

研究分野

• ナノテク・材料, ナノ材料科学, 欠陥物理学
• ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学）, 電子デバイス、電子機器, 信頼性物理学
• ナノテク・材料, 材料加工、組織制御
• ナノテク・材料, 複合材料、界面
• エネルギー, プラズマ科学

論文

• Characterization of time-dependent dielectric degradation and breakdown in bulk hexagonal BN/Si structures

  Yuya Asamoto; Tatsuya Hattori; Masao Noma; Michiru Yamashita; Shigehiko Hasegawa; Keiichiro Urabe; Koji Eriguchi

  Journal of Applied Physics, 2025年03月10日, 査読有り

  
• Evaluation of plasma process-induced mechanical property change in SiN films using a cyclic nanoindentation technique

  Takahiro Goya; Keiichiro Urabe; Koji Eriguchi

  Journal of Physics D: Applied Physics, 2024年08月29日, 査読有り

  
• Study on Ion Flux From Magnetically Confined Low-Pressure Arc Discharge With a Thermionic Cathode to Substrate for High-Throughput Film Deposition Processes

  Yuya Asamoto; Keiichiro Urabe; Takayuki Matsuda; Takashi Hamano; Masao Noma; Michiru Yamashita; Shigehiko Hasegawa; Koji Eriguchi

  IEEE Transactions on Plasma Science, 2024年06月, 査読有り

  
• Characterization scheme for plasma-induced defect creation due to stochastic lateral straggling in Si substrates for ultra-low leakage devices

  Y. Sato; T. Yamada; K. Nishimura; M. Yamasaki; M. Murakami; K. Urabe; K. Eriguchi

  Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM, 2020年12月12日, 査読有り

  
• Evaluation methodology for assessment of dielectric degradation and breakdown dynamics using time-dependent impedance spectroscopy (TDIS)

  Tomohiro Kuyama; Keiichiro Urabe; Koji Eriguchi

  IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings, 2021年03月01日, 査読有り

  
• Model analysis for effects of spatial and energy profiles of plasma process-induced defects in Si substrate on MOS device performance

  Takashi Hamano; Keiichiro Urabe; Koji Eriguchi

  International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, SISPAD, 2020年09月23日, 査読有り

  
• Optical and electrical evaluation methods of plasma-induced damage in InP substrates

  Takahiro Goya; Keiichiro Urabe; Koji Eriguchi

  Japanese Journal of Applied Physics, 2024年06月03日, 査読有り

  
• Time-resolved laser-induced fluorescence spectroscopy using CW diode laser for diagnostics of argon-ion velocity distribution near AC-biased electrode

  Ryosuke Takahashi; Seiya Kito; Koji Eriguchi; Keiichiro Urabe

  Review of Scientific Instruments, 2024年05月01日, 査読有り

  
• Functional nitrogen science based on plasma processing: quantum devices, photocatalysts and activation of plant defense and immune systems

  Toshiro Kaneko; Hiromitsu Kato; Hideaki Yamada; Muneaki Yamamoto; Tomoko Yoshida; Pankaj Attri; Kazunori Koga; Tomoyuki Murakami; Kazuyuki Kuchitsu; Sugihiro Ando; Yasuhiro Nishikawa; Kentaro Tomita; Ryo Ono; Tsuyohito Ito; Atsushi M. Ito; Koji Eriguchi; Tomohiro Nozaki; Takayoshi Tsutsumi; Kenji Ishikawa

  Japanese Journal of Applied Physics, 2022年01月01日, 査読有り

  
• Investigation of small-fraction molecular impurities in high-pressure helium plasmas using optical plasma diagnostic methods

  Keiichiro Urabe; Minami Toyoda; Yoshinori Matsuoka; Koji Eriguchi

  Plasma Sources Science and Technology, 2024年02月01日, 査読有り

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• In situ electrical monitoring of SiO₂/Si structures in low-temperature plasma using impedance spectroscopy

  Junki Morozumi; Takahiro Goya; Tomohiro Kuyama; Koji Eriguchi; Keiichiro Urabe

  Japanese Journal of Applied Physics, 2023年05月02日, 査読有り

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• Predicting the effects of plasma-induced damage on p–n junction leakage and its application in the characterization of defect distribution

  Yoshihiro Sato; Satoshi Shibata; Kazuko Nishimura; Masayuki Yamasaki; Masashi Murakami; Keiichiro Urabe; Koji Eriguchi

  Journal of Vacuum Science & Technology B, 2022年12月, 査読有り

  
• Multi-harmonic analysis in a floating harmonic probe method for diagnostics of electron energy and ion density in low-temperature plasmas

  Seiya Kito; Keiichiro Urabe; Koji Eriguchi

  Japanese Journal of Applied Physics, 2022年09月, 査読有り

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• Characterization of Plasma Process-Induced Low-Density Defect Creation by Lateral Junction Leakage

  Yoshihiro Sato; Satoshi Shibata; Takayoshi Yamada; Kazuko Nishimura; Masayuku Yamasaki; Masashi Murakami; Keiichiro Urabe; Koji Eriguchi

  IEEE Journal of the Electron Devices Society, 2022年05月, 査読有り

  
• 反応性プラズマ支援コーティング（RePAC/MEP-IP）法による高機能窒化ホウ素薄膜の形成

  野間 正男; 山下 満; 江利口 浩二; 長谷川 繁彦

  表面科学学術講演会要旨集, 2017年

  
• Ion irradiation-induced sputtering and surface modification of BN films prepared by a reactive plasma-assisted coating technique

  T. Matsuda; T. Hamano; Y. Asamoto; M. Noma; M. Yamashita; S. Hasegawa; K. Urabe; K. Eriguchi

  Japanese Journal of Applied Physics, 2022年07月01日, 査読有り

  
• Quantitative evaluation of plasma-damaged SiN/Si structures using bias-dependent admittance analysis

  Tomohiro Kuyama; Keiichiro Urabe; Koji Eriguchi

  Journal of Applied Physics, 2022年04月07日, 査読有り

  
• Spectroscopic ellipsometry characterization of boron nitride films synthesized by a reactive plasma-assisted coating method

  Takashi Hamano; Takayuki Matsuda; Yuya Asamoto; Masao Noma; Shigehiko Hasegawa; Michiru Yamashita; Keiichiro Urabe; Koji Eriguchi

  Applied Physics Letters, 2022年01月17日, 査読有り

  
• Characterization techniques of ion bombardment damage on electronic devices during plasma processing—plasma process-induced damage

  Koji Eriguchi

  Jpn. J. Appl. Phys., 2021年03月, 査読有り, 招待有り, 筆頭著者

  
• Model analysis of the feature profile evolution during Si etching in HBr-containing plasmas

  Masahito Mori; Shoki Irie; Yugo Osano; Koji Eriguchi; Kouichi Ono

  J. Vac. Sci. Technol. A, 2021年, 査読有り

  
• Characterization of dynamic behaviors of defects in Si substrates created by H2 plasma using conductance method

  Tomohiro Kuyama; Keiichiro Urabe; Masanaga Fukawsawa; Tetsuya Tatsumi; Koji Eriguchi

  Japanese Journal of Applied Physics, 2020年06月01日, 査読有り, 最終著者

  
• Evaluation of residual defects created by plasma exposure of Si substrates using vertical and lateral pn junctions

  Yoshihiro Sato; Satoshi Shibata; Keiichiro Urabe; Koji Eriguchi

  JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY B, 2019年12月, 査読有り

  
• Microplasma thruster powered by X-band microwaves

  T. Takahashi; D. Mori; T. Kawanabe; Y. Takao; K. Eriguchi; K. Ono

  J. Appl. Phys., 2019年, 査読有り

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• Characterization of the distribution of defects introduced by plasma exposure in Si substrate

  Y. Sato; S. Shibata; A. Uedono; K. Urabe; K. Eriguchi

  J. Vac. Sci. Technol. A, 2019年01月, 査読有り

  
• Characterization of electric-field enhancement leading to circuit-layout dependent damage of low-k films when exposed to processing plasma

  Taro Ikeda; Akira Tanihara; Nobuhiko Yamamoto; Koji Eriguchi

  J. Appl. Phys., 2019年, 査読有り

  
• Investigation of spatial and energy profiles of plasma process-induced latent defects in Si substrate using capacitance-voltage characteristics

  Takashi Hamano; Keiichiro Urabe; Koji Eriguchi

  J. Phys. D: Applied Physics, 2019年, 査読有り

  
• Characterization of surface modification mechanisms for boron nitride films under plasma exposure

  Tomoya Higuchi; Masao Noma; Michiru Yamashita; Keiichiro Urabe; Shigehiko Hasegawa; Koji Eriguchi

  Surface and Coatings Technol., 2019年, 査読有り

  
• Formation mechanisms of etched feature profiles during Si etching in Cl2/O2 plasmas

  Masahito Mori; Yugo Osano; Shoki Irie; Koji Eriguchi; Kouichi Ono

  J. Vac. Sci. Technol. A, 2019年, 査読有り

  
• Improvement of the plasma‐induced defect generation model in Si substrates and the optimization design framework

  Koji Eriguchi; Takashi Hamano; Keiichiro Urabe

  Plasma Process. Polym., 2019年, 査読有り

  
• Ripple formation on Si surfaces during plasma etching in Cl2

  Nobuya Nakazaki; Haruka Matsumoto; Soma Sonobe; Takumi Hatsuse; Hirotaka Tsuda; Yoshinori Takao; Koji Eriguchi; Kouichi Ono

  AIP Advances, 2018年05月01日, 査読有り

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• Incident ion dose evolution of damaged layer thickness in Si substrate exposed to Ar and He plasmas

  T. Hamano; K. Eriguchi

  Jpn. J. Appl. Phys., 2018年05月, 査読有り

  
• First-principles predictions of electronic structure change in plasma-damaged materials

  Y. Yoshikawa; K. Eriguchi

  Jpn. J. Appl. Phys., 2018年05月, 査読有り

  
• Optical and electrical characterization methods of plasma-induced damage in silicon nitride films

  T. Kuyama; K. Eriguchi

  Jpn. J. Appl. Phys., 2018年05月, 査読有り

  
• Origin of plasma-induced surface roughening and ripple formation during plasma etching: The crucial role of ion reflection

  Takumi Hatsuse; Nobuya Nakazaki; Hirotaka Tsuda; Yoshinori Takao; Koji Eriguchi; Kouichi Ono

  J. Appl. Phys., 2018年, 査読有り

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• Electrical characterization of carrier trapping behavior of defects created by plasma exposures

  Koji Eriguchi; Yukimasa Okada

  JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2017年07月, 査読有り

  
• Characterization of residual defects in plasma-exposed Si substrates using cathodoluminescence and positron annihilation spectroscopy

  Yoshihiro Sato; Satoshi Shibata; Ryota Sakaida; Koji Eriguchi

  17th International Workshop on Junction Technology, IWJT 2017, 2017年06月30日, 査読有り

  
• Defect generation in electronic devices under plasma exposure: Plasma-induced damage

  Koji Eriguchi

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2017年06月, 査読有り, 招待有り

  
• Time-dependent dielectric breakdown characterizations of interlayer dielectric damage induced during plasma processing

  Kengo Shinohara; Kentaro Nishida; Kouichi Ono; Koji Eriguchi

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2017年06月, 査読有り

  
• Optical model for spectroscopic ellipsometry analysis of plasma-induced damage to SiOC films

  Kentaro Nishida; Kouichi Ono; Koji Eriguchi

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2017年06月, 査読有り

  
• Analytic Modeling for Nanoscale Resistive Filament Variation in ReRAM With Stochastic Differential Equation

  Zhiqiang Wei; Koji Eriguchi

  IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2017年05月, 査読有り

  
• Surface morphology evolution during plasma etching of silicon: roughening, smoothing and ripple formation

  K. Ono; N. Nakazaki; H. Tsuda; Y. Takao; K. Eriguchi

  J. Phys. D, 2017年03月, 査読有り

  
• Modeling of defect generation during plasma etching and its impact on electronic device performance—plasma-induced damage

  Koji Eriguchi

  J. Phys. D, 2017年03月, 査読有り

  
• True random number generator using current difference based on a fractional stochastic model in 40-nm embedded ReRAM

  Z. Wei; Y. Katoh; S. Ogasahara; Y. Yoshimoto; K. Kawai; Y. Ikeda; K. Eriguchi; K. Ohmori; S. Yoneda

  Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM, 2017年01月31日, 査読有り

  
• An evaluation method of the profile of plasma-induced defects based on capacitance–voltage measurement

  Yukimasa Okada; Kouichi Ono; Koji Eriguchi

  Jpn. J. Appl. Phys., 2017年, 査読有り

  
• Coatings of Boron Nitride Films for Vacuum Tribology by Reactive Plasma Assisted Coating (RePAC) Technology—Friction coefficient lowering under vacuum—

  江利口 浩二

  7th Tsukuba International Coating Symposium (TICS7), 2016年12月, 査読有り, 招待有り

  
• A new damage evaluation scheme predicting the nature of defects-an advanced capacitance-voltage technique

  江利口 浩二

  38th International Symposium on Dry Process, 2016年11月, 査読有り

  
• An optical model for in-line analysis of plasma-induced interlayer dielectric damage

  江利口 浩二

  38th International Symposium on Dry Process, 2016年11月, 査読有り

  
• Effects of plasma exposure on leakage and reliability parameters of dielectric film: New measures of damage?

  江利口 浩二

  38th International Symposium on Dry Process, 2016年11月, 査読有り

  
• Defect profiling of plasma-damaged layer by surface-controlled photoreflectance spectroscopy

  江利口 浩二

  38th International Symposium on Dry Process, 2016年11月, 査読有り

  
• Surface smoothing during plasma etching of Si in Cl-2

  Nobuya Nakazaki; Haruka Matsumoto; Hirotaka Tsuda; Yoshinori Takao; Koji Eriguchi; Kouichi Ono

  APPLIED PHYSICS LETTERS, 2016年11月, 査読有り

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• Evaluation technique for plasma-induced SiOC dielectric damage by capacitance–voltage hysteresis monitoring

  Kentaro Nishida; Yukimasa Okada; Yoshinori Takao; Koji Eriguchi; Kouichi Ono

  Jpn. J. Appl. Phys., 2016年05月, 査読有り

  
• True Random Number Generator using Current Difference based on a Fractional Stochastic Model in 40-nm Embedded ReRAM

  Z. Wei; Y. Katoh; S. Ogasahara; Y. Yoshimoto; K. Kawai; Y. Ikeda; K. Eriguchi; K. Ohmori; S. Yoneda

  2016 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM), 2016年, 査読有り

  
• Molecular dynamics simulations of Si etching in Cl- and Br-based plasmas: Cl+ and Br+ ion incidence in the presence of Cl and Br neutrals

  Nobuya Nakazaki; Yoshinori Takao; Koji Eriguchi; Kouichi Ono

  JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2015年12月, 査読有り

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• Influence of microwave annealing on optical and electrical properties of plasma-induced defect structures in Si substrate

  Takaaki Iwai; Koji Eriguchi; Shohei Yamauchi; Naotaka Noro; Junichi Kitagawa; Kouichi Ono

  JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A, 2015年11月, 査読有り

  
• Impacts of plasma process-induced damage on MOSFET parameter variability and reliability

  Koji Eriguchi; Kouichi Ono

  MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2015年08月, 査読有り

  
• Silicon nanowire growth on Si and SiO2 substrates by rf magnetron sputtering in Ar/H-2

  Ikumi Yamada; Yutaro Hirano; Kenkichi Nishimura; Yoshinori Takao; Koji Eriguchi; Kouichi Ono

  APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2015年06月, 査読有り

  
• Characterization of Plasma Process-Induced Latent Defects in Surface and Interface Layer of Si Substrate

  Yoshinori Nakakubo; Koji Eriguchi; Kouichi Ono

  ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2015年, 査読有り

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• Three-dimensional particle-in-cell simulation of a miniature plasma source for a microwave discharge ion thruster

  Yoshinori Takao; Hiroyuki Koizumi; Kimiya Komurasaki; Koji Eriguchi; Kouichi Ono

  PLASMA SOURCES SCIENCE & TECHNOLOGY, 2014年12月, 査読有り

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• Two modes of surface roughening during plasma etching of silicon: Role of ionized etch products

  Nobuya Nakazaki; Hirotaka Tsuda; Yoshinori Takao; Koji Eriguchi; Kouichi Ono

  JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014年12月, 査読有り

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• Surface roughening and rippling during plasma etching of silicon: Numerical investigations and a comparison with experiments

  Hirotaka Tsuda; Nobuya Nakazaki; Yoshinori Takao; Koji Eriguchi; Kouichi Ono

  Journal of Vacuum Science and Technology B:Nanotechnology and Microelectronics, 2014年05月01日, 査読有り

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• Surface roughening and rippling during plasma etching of silicon: Numerical investigations and a comparison with experiments

  Hirotaka Tsuda; Nobuya Nakazaki; Yoshinori Takao; Koji Eriguchi; Kouichi Ono

  JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2014年05月, 査読有り

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• Molecular dynamics simulations of silicon chloride ion incidence during Si etching in Cl-based plasmas

  Nobuya Nakazaki; Yoshinori Takao; Koji Eriguchi; Kouichi Ono

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014年05月, 査読有り

  
• Investigation of Plasma Characteristics and Ion Beam Extraction for a Micro RF Ion Thruster

  Yoshinori TAKAO; Masataka SAKAMOTO; Koji ERIGUCHI; Kouichi ONO

  Transactions of the Japan Society for Aeronautical and Space Sciences, Aerospace Technology Japan, 2014年03月28日, 査読有り

  
• Structural, mechanical, and electrical properties of cubic boron nitride thin films deposited by magnetically enhanced plasma ion plating method

  Masao Noma; Koji Eriguchi; Yoshinori Takao; Nobuyuki Terayama; Kouichi Ono

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014年03月, 査読有り

  
• Effects of plasma-induced charging damage on random telegraph noise in metal–oxide–semiconductor field-effect transistors with SiO2 and high-k gate dielectrics

  M. Kamei; Y. Takao; K. Eriguchi; K. Ono

  Jpn. J. Appl. Phys., 2014年03月, 査読有り

  
• Micro-photoreflectance spectroscopy for microscale monitoring of plasma-induced physical damage on Si substrate

  Asahiko Matsuda; Yoshinori Nakakubo; Yoshinori Takao; Koji Eriguchi; Kouichi Ono

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014年03月, 査読有り

  
• Annealing performance improvement of elongated inductively coupled plasma torch and its application to recovery of plasma-induced Si substrate damage

  Tomohiro Okumura; Koji Eriguchi; Mitsuo Saitoh; Hiroshi Kawaura

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014年03月, 査読有り

  
• Effects of straggling of incident ions on plasma-induced damage creation in "fin"-type field-effect transistors

  Koji Eriguchi; Asahiko Matsuda; Yoshinori Takao; Kouichi Ono

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014年03月, 査読有り

  
• A validation study of a 3D PIC model for a miniature microwave discharge ion thruster

  Yoshinori Takao; Koji Eriguchi; Kouichi Ono; Yuto Sugita; Hiroyuki Koizumi; Kimiya Komurasaki

  50th AIAA/ASME/SAE/ASEE Joint Propulsion Conference 2014, 2014年, 査読有り

  
• TDDB lifetime enhancement of high-k MOSFETs damaged by plasma processing—Conflicting results in plasma charging damage evaluation—

  江利口 浩二

  IEEE Int. Integrated Reliability Workshop Final Report, 2014年, 査読有り

  
• Improved hardness and electrical property of c-BN thin films by magnetically enhanced plasma ion plating technique

  M. Noma; K. Eriguchi; Y. Takao; N. Terayama; K. Ono

  Jpn. J. Appl. Phys., 2014年, 査読有り

  
• プラズマナノ加工における表面ラフネスとリップル形成機構

  斧 高一; 津田 博隆; 中崎 暢也; 鷹尾 祥典; 江利口 浩二

  表面科学 : hyomen kagaku = Journal of the Surface Science Society of Japan, 2013年10月10日

  
• 古典的分子動力学計算による物理的プラズマダメージ形成機構の検討 : Fin型MOSFETでの欠陥生成機構

  江利口浩二; 松田朝彦; 中久保義則; 鷹尾祥典; 斧高一

  信学技報, 2013年10月

  
• Effect of capacitive coupling in a miniature inductively coupled plasma source

  Yoshinori Takao; Koji Eriguchi; Kouichi Ono

  JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2012年11月, 査読有り

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• Modeling and Simulation of Nanoscale Surface Rippling during Plasma Etching of Si under Oblique Ion Incidence

  Hirotaka Tsuda; Yoshinori Takao; Koji Eriguchi; Kouichi Ono

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2012年08月, 査読有り

  
• High-k MOSFET Performance Degradation by Plasma Process-Induced Charging Damage

  Koji Eriguchi; Masayuki Kamei; Yoshinori Takao; Kouichi Ono

  2012 IEEE INTERNATIONAL INTEGRATED RELIABILITY WORKSHOP FINAL REPORT, 2012年, 査読有り

  
• 電気的手法を用いた物理的Ｓｉ基板ダメージのプラズマプロセス依存性の検討

  中久保義則; 江利口浩二; 松田朝彦; 鷹尾祥典; 斧高一

  電子情報通信学会技術研究報告, 2011年10月13日

  
• 物理的プラズマダメージによるＭＯＳＦＥＴバラツキ増大予測のための包括モデル

  江利口浩二; 中久保義則; 松田朝彦; 鷹尾祥典; 斧高一

  電子情報通信学会技術研究報告, 2011年10月13日

  
• Analytic Model of Threshold Voltage Variation Induced by Plasma Charging Damage in High-k Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor

  Koji Eriguchi; Masayuki Kamei; Yoshinori Takao; Kouichi Ono

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2011年10月, 査読有り

  
• 超小型高周波イオン推進機におけるプラズマ源の周波数依存性

  鷹尾祥典; 江利口浩二; 斧高一

  電気学会プラズマ研究会資料, 2011年08月07日

  
• Comparative Study of Plasma-Charging Damage in High-k Dielectric and p-n Junction and Their Effects on Off-State Leakage Current of Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors

  Masayuki Kamei; Yoshinori Takao; Koji Eriguchi; Kouichi Ono

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2011年08月, 査読有り

  
• Trade-Off Relationship between Si Recess and Defect Density Formed by Plasma-Induced Damage in Planar Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors and the Optimization Methodology

  Koji Eriguchi; Yoshinori Nakakubo; Asahiko Matsuda; Masayuki Kamei; Yoshinori Takao; Kouichi Ono

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2011年08月, 査読有り

  
• Advanced Contactless Analysis of Plasma-Induced Damage on Si by Temperature-Controlled Photoreflectance Spectroscopy

  Asahiko Matsuda; Yoshinori Nakakubo; Yoshinori Takao; Koji Eriguchi; Kouichi Ono

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2011年08月, 査読有り

  
• Molecular Dynamics Analysis of the Formation of Surface Roughness during Si Etching in Chlorine-Based Plasmas

  Hirotaka Tsuda; Yoshinori Takao; Koji Eriguchi; Kouichi Ono

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2011年08月, 査読有り

  
• Three-Dimensional Atomic-Scale Cellular Model and Feature Profile Evolution during Si Etching in Chlorine-Based Plasmas: Analysis of Profile Anomalies and Surface Roughness

  Hirotaka Tsuda; Hiroki Miyata; Yoshinori Takao; Koji Eriguchi; Kouichi Ono

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2011年08月, 査読有り

  
• Model for Effects of RF Bias Frequency and Waveform on Si Damaged-Layer Formation during Plasma Etching

  Koji Eriguchi; Yoshinori Takao; Kouichi Ono

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2011年08月, 査読有り

  
• Particle Simulations of Sheath Dynamics in Low-Pressure Capacitively Coupled Argon Plasma Discharges

  Yoshinori Takao; Kenji Matsuoka; Koji Eriguchi; Kouichi Ono

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2011年08月, 査読有り

  
• Modeling of plasma-induced damage and its impacts on parameter variations in advanced electronic devices

  Koji Eriguchi; Yoshinori Takao; Kouichi Ono

  JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A, 2011年07月, 査読有り

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• Structural and electrical characterization of HBr/O-2 plasma damage to Si substrate

  Masanaga Fukasawa; Yoshinori Nakakubo; Asahiko Matsuda; Yoshinori Takao; Koji Eriguchi; Kouichi Ono; Masaki Minami; Fumikatsu Uesawa; Tetsuya Tatsumi

  JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A, 2011年07月, 査読有り

  
• Microwave-excited microplasma thruster with helium and hydrogen propellants

  Takeshi Takahashi; Yoshinori Takao; Yugo Ichida; Koji Eriguchi; Kouichi Ono

  PHYSICS OF PLASMAS, 2011年06月, 査読有り

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• Two-dimensional particle-in-cell Monte Carlo simulation of a miniature inductively coupled plasma source

  Yoshinori Takao; Naoki Kusaba; Koji Eriguchi; Kouichi Ono

  JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010年11月, 査読有り

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• Atomic-Scale Cellular Model and Profile Simulation of Si Etching: Analysis of Profile Anomalies and Microscopic Uniformity

  Hirotaka Tsuda; Masahito Mori; Yoshinori Takao; Koji Eriguchi; Kouichi Ono

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010年08月, 査読有り

  
• Optical and Electrical Characterization of Hydrogen-Plasma-Damaged Silicon Surface Structures and Its Impact on In-line Monitoring

  Yoshinori Nakakubo; Asahiko Matsuda; Masanaga Fukasawa; Yoshinori Takao; Tetsuya Tatsumi; Koji Eriguchi; Kouichi Ono

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010年08月, 査読有り

  
• Threshold Voltage Instability Induced by Plasma Process Damage in Advanced Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors

  Koji Eriguchi; Yoshinori Nakakubo; Asahiko Matsuda; Masayuki Kamei; Yoshinori Takao; Kouichi Ono

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010年08月, 査読有り

  
• Model for Bias Frequency Effects on Plasma-Damaged Layer Formation in Si Substrates

  Koji Eriguchi; Yoshinori Nakakubo; Asahiko Matsuda; Yoshinori Takao; Kouichi Ono

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010年05月, 査読有り

  
• Atomic-scale cellular model and profile simulation of Si etching: Formation of surface roughness and residue

  Hirotaka Tsuda; Masahito Mori; Yoshinori Takao; Koji Eriguchi; Kouichi Ono

  THIN SOLID FILMS, 2010年04月, 査読有り

  
• Plasma-surface interactions for advanced plasma etching processes in nanoscale ULSI device fabrication: A numerical and experimental study

  Kouichi Ono; Hiroaki Ohta; Koji Eriguchi

  THIN SOLID FILMS, 2010年04月, 査読有り

  
• Bias frequency dependence of pn junction charging damage induced by plasma processing

  Masayuki Kamei; Yoshinori Nakakubo; Koji Eriguchi; Kouichi Ono

  THIN SOLID FILMS, 2010年04月, 査読有り

  
• Modeling of ion-bombardment damage on Si surfaces for in-line analysis

  Asahiko Matsuda; Yoshinori Nakakubo; Yoshinori Takao; Koji Eriguchi; Kouichi Ono

  THIN SOLID FILMS, 2010年04月, 査読有り

  
• Numerical simulation of microwave-excited microplasma thruster with helium propellant

  T. Takahashi; Y. Takao; K. Eriguchi; K. Ono

  61st International Astronautical Congress 2010, IAC 2010, 2010年, 査読有り

  
• Analysis of SI substrate damage induced by inductively coupled plasma reactor with various superposed bias frequencies

  Y. Nakakubo; A. Matsuda; M. Kamei; H. Ohta; K. Eriguchi; K. Ono

  Lecture Notes in Electrical Engineering, 2010年, 査読有り

  
• Molecular Dynamics Evaluation of Thermal Transport in Naked and Oxide-Coated Silicon Nanowires

  Takumi Saegusa; Koji Eriguchi; Kouichi Ono; Hiroaki Ohta

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010年, 査読有り

  
• Comprehensive Modeling of Threshold Voltage Variability Induced by Plasma Damage in Advanced Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors

  Koji Eriguchi; Yoshinori Nakakubo; Asahiko Matsuda; Masayuki Kamei; Yoshinori Takao; Kouichi Ono

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010年, 査読有り

  
• Modeling of field- and time-dependent resistance change phenomena under electrical stresses in Fe-O films

  Koji Eriguchi; Zhiqiang Wei; Takeshi Takagi; Kouichi Ono

  JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010年01月, 査読有り

  この論文にアクセスする：

  
• Plasma-Induced Defect-Site Generation in Si Substrate and Its Impact on Performance Degradation in Scaled MOSFETs

  Koji Eriguchi; Yoshinori Nakakubo; Asahiko Matsuda; Yoshinori Takao; Kouichi Ono

  IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2009年12月, 査読有り

  この論文にアクセスする：

  
• Molecular-Dynamics-Based Profile Evolution Simulation for Sub-10-nm Si Processing Technology

  Hirotaka Tsuda; Koji Eriguchi; Kouichi Ono; Hiroaki Ohta

  APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2009年11月, 査読有り

  
• Plasma chemical behaviour of reactants and reaction products during inductively coupled CF4 plasma etching of SiO2

  Hiroshi Fukumoto; Isao Fujikake; Yoshinori Takao; Koji Eriguchi; Kouichi Ono

  PLASMA SOURCES SCIENCE & TECHNOLOGY, 2009年11月, 査読有り

  
• Effects of Mask Pattern Geometry on Plasma Etching Profiles

  Hiroshi Fukumoto; Koji Eriguchi; Kouichi Ono

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009年09月, 査読有り

  
• Numerical and experimental study of microwave-excited microplasma and micronozzle flow for a microplasma thruster

  Takeshi Takahashi; Yoshinori Takao; Koji Eriguchi; Kouichi Ono

  PHYSICS OF PLASMAS, 2009年08月, 査読有り

  この論文にアクセスする：

  
• Numerical Study on Si Etching by Monatomic Br+/Cl+ Beams and Diatomic Br-2(+)/Cl-2(+)/HBr+ Beams

  Tatsuya Nagaoka; Hiroaki Ohta; Koji Eriguchi; Kouichi Ono

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009年07月, 査読有り

  
• Effects of Plasma-Induced Si Recess Structure on n-MOSFET Performance Degradation

  Koji Eriguchi; Asahiko Matsuda; Yoshinori Nakakubo; Masayuki Kamei; Hiroaki Ohta; Kouichi Ono

  IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2009年07月, 査読有り

  
• An Improvement of Stillinger-Weber Interatomic Potential Model for Reactive Ion Etching Simulations

  Hiroaki Ohta; Tatsuya Nagaoka; Koji Eriguchi; Kouichi Ono

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009年02月, 査読有り

  
• Selective Etching of High-k Dielectric HfO2 Films over Si in BCl3-Containing Plasmas without rf Biasing

  Keisuke Nakamura; Daisuke Hamada; Yoshinori Ueda; Koji Eriguchi; Kouichi Ono

  APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2009年01月, 査読有り

  
• Classical interatomic potential model for Si/H/Br systems and its application to atomistic Si etching simulation by HBr+

  T. Nagaoka; K. Eriguchi; K. Ono; H. Ohta

  JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009年01月, 査読有り

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• Field and polarity dependence of time-to-resistance increase in Fe-O films studied by constant voltage stress method

  Koji Eriguchi; Zhiqiang Wei; Takeshi Takagi; Hiroaki Ohta; Kouichi Ono

  APPLIED PHYSICS LETTERS, 2009年01月, 査読有り

  この論文にアクセスする：

  
• Numerical Simulation of a Microwave-Excited Microplasma Thruster

  Takahashi, Takeshi; Ichida, Yugo; Takao, Yoshinori; Eriguchi, Koji; Ono, Kouichi

  TRANSACTIONS OF THE JAPAN SOCIETY FOR AERONAUTICAL AND SPACE SCIENCES, SPACE TECHNOLOGY JAPAN, 2009年, 査読有り

  
• Molecular Dynamics Simulation of Si Etching by Off-Normal Cl+ Bombardment at High Neutral-to-Ion Flux Ratios

  Akira Iwakawa; Tatsuya Nagaoka; Hiroaki Ohta; Koji Eriguchi; Kouichi Ono

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2008年11月, 査読有り

  
• Microwave-excited microplasma thruster: a numerical and experimental study of the plasma generation and micronozzle flow

  Takeshi Takahashi; Yoshinori Takao; Koji Eriguchi; Kouichi Ono

  JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2008年10月, 査読有り

  
• An interatomic potential model for molecular dynamics simulation of silicon etching by Br(+)-containing plasmas

  H. Ohta; A. Iwakawa; K. Eriguchi; K. Ono

  JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2008年10月, 査読有り

  この論文にアクセスする：

  
• Microplasma thruster for ultra-small satellites: Plasma chemical and aerodynamical aspects

  Yoshinori Takao; Takeshi Takahashi; Koji Eriguchi; Kouichi Ono

  PURE AND APPLIED CHEMISTRY, 2008年09月, 査読有り

  
• Numerical Investigation on Origin of Microscopic Surface Roughness during Si Etching by Chemically Reactive Plasmas

  Akira Iwakawa; Hiroaki Ohta; Koji Eriguchi; Kouichi Ono

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2008年08月, 査読有り

  
• Estimation of defect generation probability in thin Si surface damaged layer during plasma processing

  Koji Eriguchi; Akira Ohno; Daisuke Hamada; Masayuki Kamei; Kouichi Ono

  THIN SOLID FILMS, 2008年08月, 査読有り

  
• Quantitative characterization of plasma-induced defect generation process in exposed thin Si surface layers

  Koji Eriguchi; Akira Ohno; Daisuke Hamada; Masayuki Kamei; Hiroshi Fukumoto; Kouichi Ono

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2008年04月, 査読有り

  
• Comparative study of plasma source-dependent charging polarity in metal-oxide-semiconductor field effect transistors with high-k and SiO2 gate dielectrics

  Koji Eriguchi; Masayuki Kamei; Daisuke Hamada; Kenji Okada; Kouichi Ono

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2008年04月, 査読有り

  
• Threshold voltage shift instability induced by plasma charging damage in MOSFETs with high-k dielectric

  K. Eriguchi; M. Kamei; K. Okada; H. Ohta; K. Ono

  2008 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON INTEGRATED CIRCUIT DESIGN AND TECHNOLOGY, PROCEEDINGS, 2008年, 査読有り

  
• A New Framework for Performance Prediction of Advanced MOSFETs with Plasma-Induced Recess Structure and Latent Defect Site

  K. Eriguchi; Y. Nakakubo; A. Matsuda; M. Kamei; H. Ohta; H. Nakagawa; S. Hayashi; S. Noda; K. Ishikawa; M. Yoshimaru; K. Ono

  IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING 2008, TECHNICAL DIGEST, 2008年, 査読有り

  
• Quantitative and comparative characterizations of plasma process-induced damage in advanced metal-oxide-semiconductor devices

  Koji Eriguchi; Kouichi Ono

  JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2008年01月, 査読有り

  
• A miniature electrothermal thruster using microwave-excited microplasmas: Thrust measurement and its comparison with numerical analysis

  Yoshinori Takao; Koji Eriguchi; Kouichi Ono

  JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2007年06月, 査読有り

  この論文にアクセスする：

  
• Plasma diagnostics and thrust performance analysis of a microwave-excited microplasma thruster

  Yoshinori Takao; Kouichi Ono; Kazuo Takahashi; Koji Eriguchi

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS, 2006年10月, 査読有り

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• A model analysis of feature profile evolution and microscopic uniformity during polysilicon gate etching in Cl-2/O-2 plasmas

  Yugo Osano; Masahito Mori; Naoshi Itabashi; Kazuo Takahashi; Koji Eriguchi; Kouichi Ono

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS, 2006年10月, 査読有り

  この論文にアクセスする：

  
• Impact of boron penetration from S/D-extension on gate leakage current and gate-oxide reliability for 65-nm node CMOS and beyond

  T. Yamashita; K. Shiga; T. Hayashi; H. Umeda; H. Oda; T. Eimori; M. Inuishi; Y. Ohji; K. Eriguchi; K. Nakanishi; H. Nakaoka; T. Yamada; M. Nakamura; I. Miyanaga; A. Kajiya; M. Kubota; M. Ogura

  IMFEDK 2004 - International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai, 2004年, 査読有り

  
• CMOS and interconnect reliability gate dielectric reliability - Breakdown, and device degradation mechanism

  K. Eriguchi; P. Nicollian

  Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM, 2004年, 査読有り

  
• Comparison of thermal and plasma oxidations for HfO2/Si interface

  S Hayashi; K Yamamoto; Y Harada; R Mitsuhashi; K Eriguchi; M Kubota; M Niwa

  APPLIED SURFACE SCIENCE, 2003年06月, 査読有り

  
• Challenges and opportunities in high-k gate dielectric technology

  M Niwa; Y Harada; K Yamamoto; S Hayashi; R Mitsuhashi; K Eriguchi; M Kubota; Y Hoshino; Y Kido; DL Kwong

  RAPID THERMAL AND OTHER SHORT-TIME PROCESSING TECHNOLOGIES III, PROCEEDINGS, 2002年, 査読有り

  
• Effects of the sputtering deposition process of metal gate electrode on the gate dielectric characteristics

  T Yamada; M Moriwaki; Y Harada; S Fujii; K Eriguchi

  MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2001年05月, 査読有り

  
• Effects of base layer thickness on reliability of CVD Si3N4 stack gate dielectrics

  K Eriguchi; Y Harada; M Niwa

  MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2001年04月, 査読有り

  
• Nondestructive and contactless monitoring technique of Si surface stress by photoreflectance

  M Sohgawa; M Agata; T Kanashima; K Yamashita; K Eriguchi; A Fujimoto; M Okuyama

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, 2001年04月, 査読有り

  
• Photoreflectance characterization of the plasma-induced damage in Si substrate

  H Wada; M Agata; K Eriguchi; A Fujimoto; T Kanashima; M Okuyama

  JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2000年09月, 査読有り

  
• Impact of structural strained layer near SiO2/Si interface on activation energy of time-dependent dielectric breakdown

  Y Harada; K Eriguchi; M Niwa; T Watanabe; Ohdomari, I

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS, 2000年07月, 査読有り

  
• Optical characterization of gate oxide charging damage by photoreflectance spectroscopy

  M Agata; H Wada; O Maida; K Eriguchi; A Fujimoto; T Kanashima; M Okuyama

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, 2000年04月, 査読有り

  
• Effects of strained layer near SiO2-Si interface on electrical characteristics of ultrathin gate oxides

  K Eriguchi; Y Harada; M Niwa

  JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2000年02月, 査読有り

  
• Impact of Structural Strained Layer near SiO2/Si Interface on Activation Energy of Time-Dependent Dielectric Breakdown

  Y. Harada; K. Eriguchi; M. Niwa; T. Watanabe; I. Ohdomari

  VLSI symposium Tech. Digest/Japan Society of Applied Physics, 2000年

  
• フォトレフレクタンス分光法によるゲート酸化膜に導入されたチャージングダメージの光学的評価(半導体Si及び関連電子材料評価)

  阿形 眞司; 寒川 雅之; 毎田 修; 江利口 浩二; 藤本 晶; 金島 岳; 奥山 雅則

  電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス, 1999年12月

  
• Role of base layer in CVD Si₃N₄ stack gate dielectrics on the process controllability and reliability in direct tunneling regime

  Koji Eriguchi; Yoshinao Harada; Masaaki Niwa

  Technical Digest - International Electron Devices Meeting, 1999年, 査読有り

  
• Metal gate MOS reliability with the improved sputtering process for gate electrode

  Takayuki Yamada; Masaru Moriwaki; Yoshinao Harada; Shinji Fujii; Koji Eriguchi

  Technical Digest - International Electron Devices Meeting, 1999年, 査読有り

  
• Stress polarity dependence of the activation energy in time-dependent dielectric breakdown of thin gate oxides

  K Eriguchi; M Niwa

  IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 1998年11月, 査読有り

  
• Temperature and stress polarity-dependent dielectric breakdown in ultrathin gate oxides

  Koji Eriguchi; M. Niwa

  APPLIED PHYSICS LETTERS, 1998年10月, 査読有り

  
• A new evaluation method of plasma process-induced Si substrate damage by the voltage shift under constant current injection at metal/Si interface

  K Egashira; K Eriguchi; S Hashimoto

  INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING 1998 - TECHNICAL DIGEST, 1998年, 査読有り

  
• Influence of 1nm-thick structural "strained-layer" near SiO2/Si interface on sub-4nm-thick gate oxide reliability

  K Eriguchi; Y Harada; M Niwa

  INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING 1998 - TECHNICAL DIGEST, 1998年, 査読有り

  
• Correlation between two time-dependent dielectric breakdown measurements for the gate oxides damaged by plasma processing

  K Eriguchi; Y Kosaka

  IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 1998年01月, 査読有り

  
• Correlation between lifetime, temperature, and electrical stress for gate oxide lifetime testing

  K Eriguchi; M Niwa

  IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 1997年12月, 査読有り

  
• Suppressing ion implantation induced oxide charging by utilizing physically damaged oxide region

  M Takase; K Eriguchi; B Mizuno

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, 1997年03月, 査読有り

  
• Correlating charge-to-breakdown with constant-current injection to gate oxide lifetime under constant-voltage stress

  K Eriguchi; Y Uraoka

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, 1996年02月, 査読有り

  
• Impacts of antenna layout enhanced charging damage on MOSFET reliability and performance

  T Yamada; K Eriguchi; Y Kosaka; K Hatada

  IEDM - INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING, TECHNICAL DIGEST 1996, 1996年, 査読有り

  
• NEW METHOD FOR LIFETIME EVALUATION OF GATE OXIDE DAMAGED BY PLASMA PROCESSING

  K ERIGUCHI; Y URAOKA

  IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 1995年05月, 査読有り

  
• PLASMA-INDUCED TRANSCONDUCTANCE DEGRADATION OF NMOSFET WITH THIN GATE OXIDE

  K ERIGUCHI; M ARAI; Y URAOKA; M KUBOTA

  IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS, 1995年03月, 査読有り

  
• A new gate oxide lifetime prediction method using cumulative damage law and its applications to plasma-damaged oxides

  K Eriguchi; Y Uraoka; S Odanaka

  INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING, 1995 - IEDM TECHNICAL DIGEST, 1995年, 査読有り

  
• EVALUATION TECHNIQUE OF GATE OXIDE DAMAGE

  Y URAOKA; K ERIGUCHI; T TAMAKI; K TSUJI

  IEEE TRANSACTIONS ON SEMICONDUCTOR MANUFACTURING, 1994年08月, 査読有り

  
• EVALUATION OF PLASMA DAMAGE TO GATE OXIDE

  Y URAOKA; K ERIGUCHI; T TAMAKI; K TSUJI

  IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS, 1994年03月, 査読有り

  
• QUANTITATIVE-EVALUATION OF GATE OXIDE DAMAGE DURING PLASMA PROCESSING USING ANTENNA-STRUCTURE CAPACITORS

  K ERIGUCHI; Y URAOKA; H NAKAGAWA; T TAMAKI; M KUBOTA; N NOMURA

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, 1994年01月, 査読有り

  
• HYDROGEN-ATOM SPECTROSCOPY OF THE IONIZING PLASMA CONTAINING MOLECULAR-HYDROGEN - LINE-INTENSITIES AND IONIZATION RATE

  K SAWADA; K ERIGUCHI; T FUJIMOTO

  JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1993年06月, 査読有り

  
• Damage-free metal etching using Lissajous electron plasma

  T. Tamaki; M. Ohkuni; S. Sivaram; K. Eriguchi; I. Nakayama; M. Lubota; N. Momura

  Technical Digest - International Electron Devices Meeting, 1993年, 査読有り

  
• SPECTROSCOPIC DETERMINATION OF HYDROGEN AND ELECTRON-DENSITIES IN PLASMA IN THE IONIZING PHASE - APPLICATION TO WT-III

  T FUJIMOTO; K SAWADA; K TAKAHATA; K ERIGUCHI; H SUEMITSU; K ISHII; R OKASAKA; H TANAKA; T MAEKAWA; Y TERUMICHI; S TANAKA

  NUCLEAR FUSION, 1989年09月, 査読有り

  
• Numerical transport studies for the CASTOR tokamak

  T. Fujimoto; K. Sawada; K. Takahata; K. Eriguchi; H. Suemitsu; K. Ishii; R. Okasaka; H. Tanaka; T. Maekawa; Y. Terumichi; S. Tanaka

  Nuclear Fusion, 1989年, 査読有り

  

MISC

• Dry Process FOREWORD

  Tatsuru Shirafuji; Keizo Kinoshita; Hiroshi Akatsuka; Koji Eriguchi; Takashi Ichikawa; Takanori Ichiki; Tatsuo Ishijima; Kenji Ishikawa; Kazuhiro Karahashi; Kazuaki Kurihara; Makoto Sekine

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2020年06月

  
• Dry Process

  M. Sekine; O. Sakai; K. Eriguchi; S. Higashi; T. Ichiki; K. Kinoshita

  Japanese Journal of Applied Physics, 2015年05月20日, 査読有り

  
• Foreword: Dry process

  O. Sakai; M. Sekine; S. Higashi; K. Eriguchi; T. Ichiki; K. Kinoshita; T. Tatsumi; N. Fujiwara

  Jpn. J. Appl. Phys., 2014年03月01日, 査読有り

  
• 30p-TG-11 WT-3における不純物イオンの空間分布

  江利口 浩二; 高畑 清人; 未満 英俊; 藤本 孝; WT-グループ

  年会講演予稿集, 1990年

  
• SBTとPZT膜を用いたMFIS構造におけるSiO₂/Si界面の光学的評価

  神田浩文; 寒川雅之; 豊嶋吉英; 金島岳; 奥山雅則; 藤本晶; 江利口浩二

  応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2002年

  
• FIS構造における界面Siのフォトレフレクタンス分光法による評価

  神田浩文; 寒川雅之; 北井聡; 金島岳; 児玉一志; 奥山雅則; 藤本晶; 江利口浩二

  応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2001年

  
• Hg/n-Si界面の電子トラップサイト密度測定によるプラズマ誘起Si損傷定量評価

  江頭 恭子; 江利口 浩二; 橋本 伸

  電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス, 1999年12月09日

  
• プラズマチャージングダメージによるゲート酸化膜信頼性劣化

  江利口 浩二; 山田 隆順; 橋本 由紀子; 丹羽 正昭

  半導体・集積回路技術シンポジウム講演論文集, 1997年12月04日

  
• Qbdによるゲート酸化膜の定電圧TDDB寿命の評価

  江利口 浩二; 浦岡 行治

  半導体・集積回路技術シンポジウム講演論文集, 1995年05月25日

  
• 6a-J-10 WT-IIIにおける不純物イオンの空間分布

  高畑 清人; 江利口 浩二; 末満 英俊; 藤本 孝; WT-IIIグループ

  秋の分科会予稿集, 1989年

  
• Structural and electrical characterization of HBr/O2 plasma damage to Si substrate

  Fukasawa Masanaga; Nakakubo Yoshinori; Matsuda Asahiko; Takao Yoshinori; Eriguchi Koji; Ono Kouichi; Minami Masaki; Uesawa Fumikatsu; Tatsumi Tetsuya

  Journal of Vacuum Science ＆ Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films, 2011年06月23日

  
• Modeling of plasma-induced damage and its impacts on parameter variations in advanced electronic devices

  Eriguchi Koji; Takao Yoshinori; Ono Kouichi

  Journal of Vacuum Science ＆ Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films, 2011年06月23日

  このMISCにアクセスする：

  
• Evaluation of Plasma Damage to Gate Oxide (Special Issue on Quarter Micron Si Device and Process Technologies)

  URAOKA Y.; Eriguchi Koji; Tamaki Tokuhiko; Tsuji Kazuhiko

  IEICE Trans. Electron., C, 1994年

  
• イオンフラックス制御型反応性プラズマ支援成膜法による窒化ホウ素膜構造制御に関する研究

  松田崇行; 濱野誉; 朝本雄也; 野間正男; 山下満; 長谷川繁彦; 占部継一郎; 江利口浩二

  応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 2021年

  
• 熱電子供給型真空アーク放電の放電電流決定機構に基づくプロセス制御

  朝本雄也; 松田崇行; 濱野誉; 野間正男; 長谷川繁彦; 山下満; 占部継一郎; 江利口浩二

  応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 2021年

  
• 反応性プラズマ支援成膜法により堆積した窒化ホウ素薄膜の機械的特性と耐プラズマ性に関する研究

  占部継一郎; 住平透; 野間正男; 山下満; 長谷川繁彦; 江利口浩二

  日本航空宇宙学会中部・関西支部合同秋期大会講演論文集(CD-ROM), 2019年

  
• 極薄酸化膜およびプラズマ損傷のあるSi表面の光学的評価

  今井 崇明; 江利口 浩二; 藤本 晶; 奥山 雅則

  電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス, 1996年12月05日

  
• プラズマダメージを受けたゲート酸化膜の定電流TDDB寿命と定電圧TDDB寿命の関係

  江利口 浩二; 山田 隆順; 小坂 由紀子; 畑田 賢造

  電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス, 1996年05月23日

  
• 表面波励起プラズマの無電極電気推進機への応用

  間 友貴; 鷹尾 祥典; 江利口 浩二

  宇宙科学技術連合講演会講演集, 2013年10月09日

  
• ドライエッチングのモデルとその実験検証

  斧 高一; 江利口 浩二

  プラズマ・核融合学会誌 = Journal of plasma and fusion research, 2009年04月25日

  
• 高誘電率 (High-k) 材料のドライエッチング

  斧 高一; 高橋 和生; 江利口 浩二

  プラズマ・核融合学会誌 = Journal of plasma and fusion research, 2009年04月25日

  
• 先端CMOS/メモリデバイスにおけるプラズマ加工技術の現状と課題

  江利口 浩二; 占部 継一郎

  応用物理, 2018年12月, 招待有り

  
• Formation of superhard c-BN films on the body and edge of cutting tools by reactive plasma-assisted coating (RePAC)

  江利口 浩二

  The 16th International Conference on Precision Engineering, 2016年11月, 査読有り

  
• Molecular dynamics simulations of Si etching in Cl- and Br-based plasmas: Cl+ and Br+ ion incidence in the presence of Cl and Br neutrals (vol 118, 233304, 2015)

  Nobuya Nakazaki; Yoshinori Takao; Koji Eriguchi; Kouichi Ono

  JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2016年02月

  
• Experimental demonstration of oblique ion incidence with sheath control plates during plasma etching of silicon

  N. Nakazaki; H. Matsumoto; S. Sonobe; Y. Takao; K. Eriguchi; K. Ono

  Proc. 37th International Symposium on Dry Process (DPS), 2015年11月, 査読有り

  
• Silicon Nanowire Groeth on Si and SiO2 Substrate by Plasma Sputtering

  C. Takeshita; I. Yamada; Y. Hirano; K. Nishimura; Y. Takao; K. Eriguchi; K. Ono

  Proc. 37th International Symposium on Dry Process (DPS), 2015年11月, 査読有り

  
• Surface orientation dependence of plasma-induced ion bombardment damage in Si substrate

  江利口 浩二

  Proc. 37th International Symposium on Dry Process (DPS), 2015年11月, 査読有り

  
• A new evaluation method to characterize low-k dielectric damage during plasma processing

  K. Nishida; Y. Okada; Y. Takao; K. Eriguchi; K. Ono

  Proc. 37th International Symposium on Dry Process (DPS), 2015年11月, 査読有り

  
• Role of Plasma Density in Damage Characterization and its Impact on Low-Damage Plasma Process Design

  K. Eriguchi; M. Kamei; Y. Nakakubo; K. Ono

  AVS 62nd International Symposium & Exhibition, 2015年10月, 査読有り

  
• Distribution Projecting the Reliability for 40 nm ReRAM and beyond based on Stochastic Differential Equation

  Z. Wei; K. Eriguchi; S. Muraoka; K. Katayama; R. Yasuhara; K. Kawai; Y. Ikeda; M. Yoshimura; Y. Hayakawa; K. Shimakawa; T. Mikawa; S. Yoneda

  2015 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM), 2015年, 査読有り

  
• Surface Orientation Dependence of Ion Bombardment Damage during Plasma Processing

  Yukimasa Okada; Koji Eriguchi; Kouichi Ono

  2015 INTERNATIONAL CONFERENCE ON IC DESIGN & TECHNOLOGY (ICICDT), 2015年, 査読有り

  
• Plasma-induced photon irradiation damage on low-k dielectrics enhanced by Cu-line layout

  Taro Ikeda; Akira Tanihara; Nobuhiko Yamamoto; Shigeru Kasai; Koji Eriguchi; Kouichi Ono

  2015 International Conference on IC Design & Technology (ICICDT), 2015年, 査読有り

  
• A New Prediction Method for ReRAM Data Retention Statistics based on 3D Filament Structures

  Z. Wei; K. Katayama; S. Muraoka; R. Yasuhara; T. Mikawa; K. Eriguchi

  2015 IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM (IRPS), 2015年, 査読有り

  
• Effects of ion energy on surface and mechanical properties of BN films formed by a reactive plasma-assisted coating method

  江利口 浩二

  Proc. 36th International Symposium on Dry Process (DPS), 2014年11月, 査読有り

  
• Experimental evidence of layout-dependent low-k damage during plasma processing - Role of "near-field" in damage creation -

  江利口 浩二

  Proc. 36th International Symposium on Dry Process (DPS), 2014年11月, 査読有り

  
• Low-temperature microwave repairing for plasma-induced local defect structures near Si substrate surface

  T. Iwai; K. Eriguchi; S. Yamauchi; N. Noro; J. Kitagawa; K. Ono

  Proc. 36th International Symposium on Dry Process (DPS), 2014年11月, 査読有り

  
• Systematic comparison of various analytical techniques for evaluating plasma-induced damage recovery

  江利口 浩二

  Proc. 36th International Symposium on Dry Process (DPS), 2014年11月, 査読有り

  
• A model for plasma-induced latent defects in three-dimensional structures and its application to parameter variation analysis of FinFETs

  江利口 浩二

  Proc. 36th International Symposium on Dry Process (DPS), 2014年11月, 査読有り

  
• A Novel Reactive Plasma-Assisted Coating Technique (RePAC) for Thin BN/Crystalline-Si Structures and their Mechanical and Electrical Properties

  江利口 浩二

  the AVS 61st International Symposium & Exhibition, 2014年11月, 査読有り

  
• プラズマエッチングにおけるナノスケール表面形状揺らぎ (小特集 プラズマとナノ界面の相互作用)

  斧 高一; 中崎 暢也; 津田 博隆; 鷹尾 祥典; 江利口 浩二

  プラズマ・核融合学会誌, 2014年07月

  
• Plasma-Induced Damage in 3D Structures behind Device Scaling

  江利口 浩二

  Plasma Etch and Strip in Microtechnology (PESM), 2014年05月, 査読有り

  
• Effects of ion-bombardment damage on mechanical properties of c-BN thin films formed by a magnetically-enhanced plasma ion plating method

  江利口 浩二

  6th Int. Symp. Adv. Plasma Sci. and its Application for Nitrides and Nanomaterials / 7th Int. Conf. on Plasma Nano-Technol. & Sci., 05pP48, 2014年03月, 査読有り

  
• Surface roughening during Si etching in inductively coupled Cl2 plasmas

  N. Nakazaki; Y. Takao; K. Eriguchi; K. Ono

  The 8th Int. Conf. Reactive Plasmas / 31st Symp. Plasma Processing, 2014年02月, 査読有り

  
• Impacts of plasma process parameters on mechanical properties of c-BN thin-films

  M. Noma; K. Eriguchi; S. Hasegawa; M.Yamashita; Y. Takao; N. Terayama; K. Ono

  The 8th Int. Conf. Reactive Plasmas / 31st Symp. Plasma Processing, 5B-AM-O2, 2014年02月, 査読有り

  
• Random Telegraph Noise as a New Measure of Plasma‐Induced Charging Damage in MOSFETs

  江利口 浩二

  IEEE Proc. Int. Conf. on Integrated Circuit Design & Technol. (ICICDT), 2014年, 査読有り

  
• A New Aspect of Plasma‐Induced Physical Damage in Three‐Dimensional Scaled Structures

  江利口 浩二

  IEEE Proc. Int. Conf. on Integrated Circuit Design & Technol. (ICICDT), 2014年, 査読有り

  
• TDDB Lifetime Enhancement of High-k MOSFETs Damaged by Plasma Processing – Conflicting Results in Plasma Charging Damage Evaluation

  M. Kamei; Y. Takao; K. Eriguchi; K. Ono

  IEEE International Integrated Reliability Workshop (IIRW), 6.1, 2014年, 査読有り

  
• Molecular dynamics analysis of Si etching in HBr-based plasmas: Effects of neutral radicals

  N. Nakazaki; Y. Takao; K. Eriguchi; K. Ono

  Proc. 35th International Symposium on Dry Process (DPS), 2013年11月, 査読有り

  
• プラズマチャージングダメージがMOSFETのRandom Telegraph Noise特性に及ぼす影響 (シリコン材料・デバイス)

  亀井 政幸; 中久保 義則; 鷹尾 祥典; 江利口 浩二; 斧 高一

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 2013年10月17日

  
• Scenario of plasma-induced physical damage in FinFET – the effects of "straggling" of incident ions by a range theory –

  江利口 浩二

  Proc. 35th International Symposium on Dry Process (DPS), pp. 181-182, 2013年08月, 査読有り

  
• Comprehensive Evidence-based Guidelines for Annealing Plasma-damaged Si Substrates - Impact of plasma process conditions -

  江利口 浩二

  Proc. 35th International Symposium on Dry Process (DPS), pp. 183-184, 2013年08月, 査読有り

  
• Impacts of Plasma-induced Charging Damage on Random Telegraph Noise (RTN) Behaviors in MOSFETs with SiO2 and High-k Gate Dielectrics

  江利口 浩二

  Proc. 35th International Symposium on Dry Process (DPS), pp. 185-186, 2013年08月, 査読有り

  
• micro-Photoreflectance spectroscopy for microscale monitoring of plasma-induced physical damage

  江利口 浩二

  Proc. 35th International Symposium on Dry Process (DPS), pp. 9-10, 2013年08月, 査読有り

  
• Improved hardness and electrical property of c-BN thin films by magnetically enhanced plasma ion plating technique

  江利口 浩二

  Proc. 35th International Symposium on Dry Process (DPS), pp. 39-40, 2013年08月, 査読有り

  
• Recovery of Plasma-Induced Si Substrate Damage Using Atmospheric Thermal Plasma

  江利口 浩二

  Proc. 35th International Symposium on Dry Process (DPS), pp. 41-42, 2013年08月, 査読有り

  
• Atomistic Simulations of Plasma Process-Induced Si Substrate Damage - Effects of Substrate Bias-Power Frequency -

  Asahiko Matsuda; Yoshinori Nakakubo; Yoshinori Takao; Koji Eriguchi; Kouichi Ono

  2013 INTERNATIONAL CONFERENCE ON IC DESIGN AND TECHNOLOGY (ICICDT), 2013年, 査読有り

  
• Modeling and Simulation of Nanoscale Surface Roughness during Plasma Etching of Si: Mechanism and Reduction

  H. Tsuda; Y. Takao; K. Eriguchi; K. Ono

  Proc. 34th International Symposium on Dry Process (DPS), 2012年11月, 査読有り

  
• Molecular Dynamics Analysis of Surface Structure and Etch Products in Si/Cl and Si/Br Systems

  N. Nakazaki; H. Tsuda; Y. Takao; K. Eriguchi; K. Ono

  Proc. 34th International Symposium on Dry Process (DPS), 2012年11月, 査読有り

  
• Microwave-Excited Microplasma Thrusters Using Surface Wave and Electron Cyclotron Resonance Discharges

  Mori, Daisuke; Takao, Yoshinori; Eriguchi, Koji; Ono, Kouichi

  Bulletin of the American Physical Society,57 (8), p. 22, 2012年10月

  
• Particle simulation of a micro inductively coupled plasma source including an external circuit

  Takao, Yoshinori; Sakamoto, Masataka; Eriguchi, Koji; Ono, Kouichi

  Bulletin of the American Physical Society,57 (8), p. 77, 2012年10月

  
• Model Analysis of Nanoscale Surface Roughness and Rippling during Plasma Etching of Si under Oblique Ion Incidence: Effects of Oxygen Addition

  H. Tsuda; Y. Takao; K. Eriguchi; K. Ono

  Proc. The 5th International Conference on Plasma Nano-Technology & Science (IC-PLANTS), 2012年, 査読有り

  
• Molecular Dynamics Analysis of Si Etching with Cl beams: Ion Incident Angle and Neutral Radical Flux Dependence

  N. Nakazaki; H. Tsuda; Y. Takao; K. Eriguchi; K. Ono

  Proc. The 5th International Conference on Plasma Nano-Technology & Science (IC-PLANTS), 2012年, 査読有り

  
• Three-Dimensional Parameter Mapping of Annealing Process for HBr/O2-Plasma-Induced Damages in Si Substrates

  江利口 浩二

  Proc. 34th International Symposium on Dry Process (DPS), pp. 181-182, 2012年, 査読有り

  
• Miniature ion thruster using a cylindrical micro ICP

  Y. Takao; K. Eriguchi; K. Ono

  48th AIAA/ASME/SAE/ASEE Joint Propulsion Conference and Exhibit 2012, 2012年, 査読有り

  
• Optimization problems for plasma-induced damage - A concept for plasma-induced damage design

  Koji Eriguchi; Yoshinori Nakakubo; Asahiko Matsuda; Masayuki Kamei; Yoshinori Takao; Kouichi Ono

  ICICDT 2012 - IEEE International Conference on Integrated Circuit Design and Technology, 2012年, 査読有り

  
• High-k MOSFET Performance Degradation by Plasma Process-Induced Charging Damage

  Koji Eriguchi; Masayuki Kamei; Yoshinori Takao; Kouichi Ono

  2012 IEEE INTERNATIONAL INTEGRATED RELIABILITY WORKSHOP FINAL REPORT, 2012年, 査読有り

  
• Numerical analysis of inductive and capacitive coupling in radio-frequency micro discharges

  Takao, Yoshinori; Eriguchi, Koji; Ono, Kouichi

  Bulletin of the American Physical Society,56 (15), p. 36, 2011年11月

  
• Atomic-scale analysis of plasma-surface interactions and feature profile evolution during Si etching in halogen-based plasmas: Monte Carlo and molecular dynamics approaches

  H. Tsuda; Y. Takao; K. Eriguchi; K. Ono

  The 10th Asia Pacific Conference on Plasma Science and Technology (APCPST) and 23rd Symposium on Plasma Science for Materials (SPSM), 2011年, 査読有り

  
• PIC-MCC Simulations of Capacitive RF Discharges for Plasma Etching

  Yoshinori Takao; Kenji Matsuoka; Koji Eriguchi; Kouichi Ono

  27TH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON RAREFIED GAS DYNAMICS, 2010, PTS ONE AND TWO, 2011年, 査読有り

  このMISCにアクセスする：

  
• Surface Roughness Formation during Si Etching in Chlorine-based Plasmas: Atomic-scale Analysis of Three-dimensional Feature Profile Evolution

  H. Tsuda; Y. Takao; K. Eriguchi; K. Ono

  2nd International Workshop on Plasma Nano-Interfaces and Plasma Characterization (2WPNI), 2011年, 査読有り

  
• Surface Roughness Formation during Si Etching in Cl2 and Cl2/O2 Plasmas: Atomic-scale Analysis of Three-dimensional Feature Profile Evolution

  H. Tsuda; Y. Takao; K. Eriguchi; K. Ono

  Proc. The 4th International Conference on Plasma Nano-Technology & Science (IC-PLANTS), 2011年, 査読有り

  
• Molecular Dynamics Analysis of Ion Incident Energy and Angle Dependence of Si etching with Cl, Br, and HBr beams

  N. Nakazaki; H. Tsuda; Y. Takao; K. Eriguchi; K. Ono

  Proc. 33rd International Symposium on Dry Process (DPS), 2011年, 査読有り

  
• Numerical Simulation of Capacitively Coupled Chlorine Plasma Using Two-dimensional Particle-in-cell/Monte Carlo Method

  K. Matsuoka; Y. Takao; K. Eriguchi; K. Ono

  Proc. 33rd International Symposium on Dry Process (DPS), 2011年, 査読有り

  
• Modeling and Simulation of Nanoscale Surface Rippling during Plasma Etching of Si under Oblique Ion Incidence

  H. Tsuda; Y. Takao; K. Eriguchi; K. Ono

  Proc. 33rd International Symposium on Dry Process (DPS), 2011年, 査読有り

  
• Prediction of Parameter Fluctuation Induced by Plasma Charging Damage in high-k MOSFET

  江利口 浩二

  Ext. Abs. 2011 Int. Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices, Science and Technology (IWDTF), pp. 33-34, 2011年, 査読有り

  
• Defect Profiling Using a Wet-Etch Technique and Photoreflectance Spectroscopy for He- and Ar-Plasma-Damaged Si Substrate

  江利口 浩二

  Proc. 33rd International Symposium on Dry Process (DPS 2011), pp. 159-160, 2011年, 査読有り

  
• Microwave-excited microplasma thruster with applied magnetic field

  Kawanabe, Testuo; Takao, Yoshinori; Eriguchi, Koji; Ono, Kouichi

  IEPC Paper,, p. 262, 2011年

  
• Two-Dimensional Particle-in-Cell Simulation of a Micro RF Ion Thruster

  Takao, Yoshinori; Eriguchi, Koji; Ono, Kouichi

  IEPC Paper,, p. 076, 2011年

  
• A new prediction model for effects of plasma-induced damage on parameter variations in advanced LSIs

  Koji Eriguchi; Yoshinori Takao; Kouichi Ono

  2011 IEEE International Conference on Integrated Circuit Design and Technology, ICICDT 2011, 2011年, 査読有り

  
• PIC-MCC Simulations of Capacitive RF Discharges for Plasma Etching

  Yoshinori Takao; Kenji Matsuoka; Koji Eriguchi; Kouichi Ono

  27TH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON RAREFIED GAS DYNAMICS, 2010, PTS ONE AND TWO, 2011年, 査読有り

  
• 11-GHz Microwave-Excited Microplasma Source for Electrothermal Thruster

  Takahashi, Takeshi; Takao, Yoshinori; Eriguchi, Koji; Ono, Kouichi

  Bulletin of the American Physical Society,55 (7), p. 97, 2010年10月

  
• Particle Simulations of Sheath dynamics in Low Pressure Capacitively Coupled Argon Plasma Discharges

  Takao, Yoshinori; Matsuoka, Kenji; Eriguchi, Koji; Ono, Kouichi

  Bulletin of the American Physical Society,55 (7), p. 20, 2010年10月

  
• Atomic-scale analysis of plasma-surface interactions and feature profile evolution by molecular dynamics approaches

  H. Tsuda; T. Nagaoka; Y. Takao; K. Eriguchi; K. Ono

  Proc. The 3rd Int. Conf. on Plasma-Nano Technology & Science (ICPLANTS), 2010年, 査読有り

  
• In Situ Fourier Transform Infrared Diagnostics of Surface Reaction Layer and Reaction Products in Cl2 Plasma Etching

  H. Miyata; H. Tsuda; Takao; K. Eriguchi; K. Ono

  Proc. The 3rd Int. Conf. on Plasma-Nano Technology & Science (ICPLANTS), 2010年, 査読有り

  
• Molecular Dynamics Analysis of Surface Roughness during Si Etching in Chlorine-Based Plasmas

  H. Tsuda; Y. Takao; K. Eriguchi; K. Ono

  Proc. 32nd International Symposium on Dry Process (DPS), 2010年, 査読有り

  
• Effects of Plasma Process Fluctuation on Variation in MOS Device Parameters

  江利口 浩二

  Proc. The 3rd Int. Conf. on Plasma-Nano Technology & Science (ICPLANTS), 2010年, 査読有り

  
• Study of Wet-Etch Rate of Plasma-Damaged Surface and Interface Layers and Residual Defect Sites

  江利口 浩二

  Proc. 32nd International Symposium on Dry Process (DPS), pp. 173-174, 2010年, 査読有り

  
• Trade-Off Relationship between Si Recess and Defect Density Formed by Plasma-Induced Damage in Planar MOSFETs and the Optimization Strategies

  江利口 浩二

  Proc. 32nd International Symposium on Dry Process (DPS), pp. 185-186, 2010年, 査読有り

  
• Comparative Study of Plasma-Charging Damage in High-k Dielectric and p-n Junction and their Effects on Off-State Leakage Current of MOSFETs

  江利口 浩二

  Proc. 32nd International Symposium on Dry Process (DPS), pp. 189-190, 2010年, 査読有り

  
• Advanced Contactless Analysis of Plasma-Induced Damage on Si by Temperature- Controlled Photoreflectance Spectroscopy

  江利口 浩二

  Proc. 32nd International Symposium on Dry Process (DPS), pp. 191-192, 2010年, 査読有り

  
• Numerical Analysis of a Micro Ion Thruster Using PIC/MCC Model

  Takao, Yoshinori; Eriguchi, Koji; Ono, Kouichi

  AIAA Paper,, p. 6947, 2010年

  
• Modeling the effects of plasma-induced physical damage on subthreshold leakage current in scaled MOSFETs

  Koji Eriguchi; Masayuki Kamei; Yoshinori Takao; Kouichi Ono

  2010 IEEE International Conference on Integrated Circuit Design and Technology, ICICDT 2010, 2010年, 査読有り

  
• Atomic-scale cellular model and profile simulation of Si etching: Analysis of profile anomalies and microscopic uniformity

  H. Tsuda; M. Mori; K. Eriguchi; K. Ono

  Proc. 31st International Symposium on Dry Process (DPS), 2009年, 査読有り

  
• Microwave-Excited Microplasma Thruster: Design Improvement for Implementation to Satellite

  T. Takahashi; S. Kitanishi; Y. Takao; K. Eriguchi; K. Ono

  31st International Electric Propulsion Conference (IEPC), 2009年, 査読有り

  
• Microwave-Excited Microplasma Thruster: Design of Improved Model Aiming for Flight

  T. Takahashi; Y. Ichida; S. Kitanishi; K. Eriguchi; K. Ono

  27th International Symposium on Space Technology and Science (ISTS), 2009年, 査読有り

  
• Comprehensive Modeling of Threshold Voltage Variability Induced by Plasma Damage in Advanced MOSFETs

  江利口 浩二

  Extended Abstracts of Int. Conf. Solid State Devices and Materials (SSDM), 2009年, 査読有り

  
• Threshold Voltage Instability Induced by Plasma Process Damage in Advanced MOSFETs

  江利口 浩二

  Proc. 31st International Symposium on Dry Process (DPS), 2009年, 査読有り

  
• Optical and Electrical Characterization of H2 Plasma-Damaged Si Surface Structures and its Impact on In-line Monitoring

  江利口 浩二

  Proc. 31st International Symposium on Dry Process (DPS), 2009年, 査読有り

  
• Assessment of Ion-Bombardment Damage in Plasma-Exposed Si by Interface Layer Thickness and Charge-Trapping Defects

  江利口 浩二

  Extended Abstracts of Int. Conf. Solid State Devices and Materials (SSDM),, 2009年, 査読有り

  
• Study of Plasma-Induced "Si Recess Structure" and Its Effects on Threshold Voltage Variability in Advanced MOSFETs

  Koji Eriguchi; Asahiko Matsuda; Yoshinori Nakakubo; Masayuki Kamei; Hiroaki Ohta; Kouichi Ono

  2009 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON INTEGRATED CIRCUIT DESIGN AND TECHNOLOGY, PROCEEDINGS, 2009年, 査読有り

  
• Simulation and Experimental Study on the Characteristics of Plasma-Induced Damage and Methodology for Accurate Damage Analysis

  Asahiko Matsuda; Yoshinori Nakakubo; Riki Ogino; Hiroaki Ohta; Koji Eriguchi; Kouichi Ono

  2009 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON INTEGRATED CIRCUIT DESIGN AND TECHNOLOGY, PROCEEDINGS, 2009年, 査読有り

  
• Atomic-scale simulation of Si etching by energetic Br+ and Br2+ ions for the analysis of Gate- or STI-etching processes

  T. Nagaoka; H. Ohta; K. Eriguchi; K. Ono

  Extended Abstracts of Int. Conf. Solid State Devices and Materials (SSDM), 2008年, 査読有り

  
• Analysis of Microwave-excited Plasma Thrusters with Hydrogen Propellant

  Y. Ichida; T. Takahashi; Y. Takao; K. Eriguchi; K. Ono

  26th International Symposium on Space Technology and Science (ISTS), 2008年, 査読有り

  
• Numerical Simulation of a Microwave-Excited Microplasma Thruster

  T. Takahashi; Y. Ichida; Y. Takao; K. Eriguchi; K. Ono

  26th International Symposium on Space Technology and Science (ISTS), 2008年, 査読有り

  
• Significance of Interface Layer between Surface Layer and Si Substrate in Plasma-Exposed Structures and Its Impacts on Plasma-Induced Damage Analysis

  江利口 浩二

  Extended Abstracts of Int. Conf. Solid State Devices and Materials (SSDM), 2008年, 査読有り

  
• Threshold voltage shift instability induced by plasma charging damage in MOSFETs with high-k dielectric

  K. Eriguchi; M. Kamei; K. Okada; H. Ohta; K. Ono

  2008 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON INTEGRATED CIRCUIT DESIGN AND TECHNOLOGY, PROCEEDINGS, 2008年, 査読有り

  
• Analysis of Si substrate damage induced by inductively coupled plasma reactor with various superposed bias frequencies

  Y. Nakakubo; A. Matsuda; M. Kamei; H. Ohta; K. Eriguchi; K. Ono

  2008 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON INTEGRATED CIRCUIT DESIGN AND TECHNOLOGY, PROCEEDINGS, 2008年, 査読有り

  
• Analysis of plasma-surface interactions during etching of Si and high-k HfO2 films by in-situ diagnostics of reactants and reaction products

  Y. Ueda; M. Yoshida; K. Eriguchi; K. On

  18th International Symposium on Plasma Chemistry (ISPC-18), 2007年

  
• Effects of geometrically different microstructures on etching profiles

  H. Fukumoto; K. Eriguchi; K. Ono

  18th International Symposium on Plasma Chemistry (ISPC-18), 2007年

  
• Numerical analysis and optical diagnostics of a microwave-excited plasma source for microthrusters

  T. Takahashi; Y. Takao; K. Eriguchi; K. Ono

  18th International Symposium on Plasma Chemistry (ISPC-18), 2007年

  
• Etching of high-k dielectric HfO2 films in BCl3-containing plasmas without rf biasing

  D. Hamada; K. Nakamura; K. Eriguchi; K. Ono

  18th International Symposium on Plasma Chemistry (ISPC-18), 2007年

  
• Model analysis of ion reflection on feature surfaces and profile evolution during Si etching in chlorine-and bromine containing plasmas

  S. Irie; Y. Osano; M. Mori; K. Eriguchi; K. Ono

  18th International Symposium on Plasma Chemistry (ISPC-18), 2007年

  
• Selective etching of high-k dielectric HfO2 films in BCl3-containing plasmas without rf biasing

  Y. Ueda; K. Nakamura; D. Hamada; M. Yoshida; K. Eriguchi; K. Ono

  Proc. 29th International Symposium on Dry Process (DPS), 2007年, 査読有り

  
• Profile simulation model including ion reflection on feature surfaces during plasma etching

  S. Irie; Y. Osano; M. Mori; K. Eriguchi; K. Ono

  Proc. 29th International Symposium on Dry Process (DPS), 2007年, 査読有り

  
• Etching of high-k dielectric HfO2 films in BCl3/Cl2/O2 plasmas without rf biasing

  D. Hamada; K. Osari; K. Nakamura; K. Eriguchi; K. Ono; M. Oosawa; K. Sakoda; S. Hasaka; M. Inoue

  Proc. 29th International Symposium on Dry Process (DPS), 2007年, 査読有り

  
• A model analysis of the feature profile evolution during Si etching in HBr-containing plasmas

  M. Mori; S. Irie; N. Itabashi; K. Eriguchi; K. Ono

  Proc. 29th International Symposium on Dry Process (DPS), 2007年, 査読有り

  
• A Comparative Study of Plasma Source-Dependent Charging Polarity in MOSFETs with High-k and SiO2 Gate Dielectrics

  江利口 浩二

  Extended Abstracts of Int. Conf. Solid State Devices and Materials (SSDM), 2007年, 査読有り

  
• Quantitative Characterization of Plasma-Induced Defect Generation Process in Exposed Thin Si Surface Layers

  江利口 浩二

  Extended Abstracts of Int. Conf. Solid State Devices and Materials (SSDM), 2007年, 査読有り

  
• Scaling of Plasma-Induced Defect Generation Probability in Si: Effects of Bias Voltage at Single- and Superposed-Frequencies

  江利口 浩二

  Proc. 29th International Symposium on Dry Process (DPS), 2007年, 査読有り

  
• Mechanisms for junction degradation of advanced MOSFETs induced by plasma processing

  Masayuki Kamei; Koji Eriguchi; Kenji Okada; Kouichi Ono

  2007 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON INTEGRATED CIRCUIT DESIGN AND TECHNOLOGY, PROCEEDINGS, 2007年, 査読有り

  
• Plasma etching of high-k and metal gate materials in high-density chlorine-containing plasma

  K. Nakamura; K. Osari; T. Kitagawa; K. Takahashi; K. Eriguchi; K. Ono

  Proc. The 6th Int. Conf. Reactive Plasmas (ICRP) / 23rd Symp. Plasma Process (SPP), 2006年

  
• Impact of boron penetration from S/D-extension on gate-oxide reliability for 65-nm node CMOS and beyond

  T Yamashita; K Ota; K Shiga; Hayashi, I; H Umeda; H Oda; T Eimori; M Inuishi; Y Ohji; K Eriguchi; K Nakanishi; H Nakaoka; T Yamada; M Nakamura; Miyanaga, I; A Kajiya; M Kubota; M Ogura

  2004 SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY, DIGEST OF TECHNICAL PAPERS, 2004年, 査読有り

  
• FIS構造における界面Siのフォトレフレクタンス分光法による評価 (2)

  神田浩文; 寒川雅之; 北井聡; 児玉一志; 豊島吉英; 金島岳; 奥山雅則; 藤本晶; 江利口浩二

  応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 2002年03月27日

  
• A novel bi-layer cobalt silicide process with nitrogen implantation for sub-50nm CMOS and beyond

  K Itonaga; K Eriguchi; Miyanaga, I; A Kajiya; M Ogura; T Tsutsumi; H Sayama; H Oda; T Eimori; H Morimoto

  2002 SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY, DIGEST OF TECHNICAL PAPERS, 2002年, 査読有り

  
• Sub-1 μm² high density embedded SRAM technologies for 100 nm generation SOC and beyond

  K. Tomita; K. Hashimoto; T. Inbe; T. Oashi; K. Tsukamoto; Y. Nishioka; M. Matsuura; T. Eimori; M. Inuishi; I. Miyanaga; M. Nakamura; T. Kishimoto; T. Yamada; K. Eriguchi; H. Yuasa; T. Satake; A. Kajiya; M. Ogura

  IEEE Symposium on VLSI Circuits, Digest of Technical Papers, 2002年, 査読有り

  
• 高誘電率ゲート絶縁膜/Si界面のフォトレフレクタンス分光法による評価

  寒川雅之; 神田浩文; 北井聡; 上野正人; 江利口浩二; 藤本晶; 金島岳; 奥山雅則

  応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 2001年03月28日

  
• 反応性スパッタリング法によるメタルゲート電極形成技術

  山田 隆順; 森脇 將; 原田 佳尚; 江利口 浩二

  應用物理, 2000年09月10日

  
• フォトレフレクタンス分光法を用いたSi/SiO₂界面の応力評価

  寒川雅之; 江利口浩二; 藤本晶; 金島岳; 奥山雅則

  応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2000年09月03日

  
• フォトレフレクタンス分光法によるSiO₂/Si界面の歪みの解析

  阿形眞司; 寒川雅之; 江利口浩二; 藤本晶; 金島岳; 山下馨; 奥山雅則

  応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 2000年03月28日

  
• Non-Destructive and Contactless Monitoring Technique of Si Surface Stress by Photoreflectance

  江利口 浩二

  Extended Abstracts of Int. Conf. Solid State Devices and Materials (SSDM), 2000年, 査読有り

  
• Optical characterization of antenna-area-dependent gate oxide charging damage in MOS capacitors by photoreflectance spectroscopy

  M Agata; M Sogawa; O Maida; K Eriguchi; A Fujimoto; T Kanashima; M Okuyama

  2000 5TH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON PLASMA PROCESS-INDUCED DAMAGE, 2000年, 査読有り

  
• Impacts of strained SiO2 on TDDB lifetime projection

  Y Harada; K Eriguchi; M Niwa; T Watanabe; Ohdomari, I

  2000 SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY, DIGEST OF TECHNICAL PAPERS, 2000年, 査読有り

  
• フォトレフレクタンス分光法によるSiの歪みの解析

  阿形真司; 江利口浩二; 藤本晶; 金島岳; 山下馨; 奥山雅則

  応用物理学会学術講演会講演予稿集, 1999年09月01日

  
• ゲート酸化膜に導入されたチャージングダメージのフォトレフレクタンス評価

  阿形真司; 鈴木正志; 和田秀夫; 江利口浩二; 藤本晶; 金島岳; 奥山雅則

  応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 1999年03月28日

  
• Optical Characterization of Gate Oxide Charging Damage by Photoreflectance Spectroscopy

  江利口 浩二

  Extended Abstracts of Int. Conf. Solid State Devices and Materials (SSDM), 1999年, 査読有り

  
• 平坦性の異なるSi(111)表面のフォトレフレクタンス評価

  阿形真司; 和田秀夫; 江利口浩二; 藤本晶; 金島岳; 奥山雅則

  電子情報通信学会技術研究報告, 1998年12月10日

  
• Siのフォトレフレクタンス信号の表面処理依存性

  阿形真司; 和田秀夫; 江利口浩二; 藤本晶; 金島岳; 奥山雅則

  応用物理学会学術講演会講演予稿集, 1998年09月

  
• RIE損傷Si中欠陥密度のフォトレフレクタンス分光法による評価

  和田秀夫; 阿形真司; 藤本晶; 江利口浩二; 金島岳; 奥山雅則

  応用物理学会学術講演会講演予稿集, 1998年09月

  
• 溶液中のSiのフォトレフレクタンス分光法によるin‐situ評価

  和田秀夫; 阿形真司; 江利口浩二; 藤本晶; 金島岳; 奥山雅則

  応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 1998年03月

  
• Photoreflectance spectroscopic technique: A new model for estimation of plasma-induced defect density in Si substrate

  H Wada; K Eriguchi; A Fujimoto; T Kanashima; M Okuyama

  1998 3RD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON PLASMA PROCESS-INDUCED DAMAGE, 1998年, 査読有り

  
• Contactless Characterization of Plasma-Induced Damage in Si Substrate by Photoreflectance Spectroscopy

  江利口 浩二

  Proc. 20th International Symposium on Dry Process (DPS), 1998年, 査読有り

  
• Stress mode of gate oxide charging during the MERIE and the ICP processing and its effect on the gate oxide reliability

  Y Kosaka; K Eriguchi; T Yamada

  1998 3RD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON PLASMA PROCESS-INDUCED DAMAGE, 1998年, 査読有り

  
• プラズマ損傷Siのフォトレフレクタンス分光法によるin‐situ評価

  和田秀夫; 江利口浩二; 藤本晶; 金島岳; 奥山雅則

  電子情報通信学会技術研究報告, 1997年12月12日

  
• A new evaluation technique of plasma-induced si substrate damage by photoreflectance spectroscopy

  K Eriguchi; T Imai; A Asai; M Okuyama

  1997 2ND INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON PLASMA PROCESS-INDUCED DAMAGE, 1997年, 査読有り

  
• Impacts of plasma process-induced damage on ultra-thin gate oxide reliability

  K Eriguchi; T Yamada; Y Kosaka; M Niwa

  1997 IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM PROCEEDINGS - 35TH ANNUAL, 1997年, 査読有り

  
• Suppressing Ion Implantation Induced Oxide Charging by Utilizing Physically Damaged Oxide Region

  江利口 浩二

  Extended Abstract of Int. Conf. Solid State Devices and Materials (SSDM), 1996年, 査読有り

  
• Correlating charge-to-breakdown with constant-current injection to gate oxide lifetime under constant-voltage stress

  江利口 浩二

  Extended Abstract of Int. Conf. Solid State Devices and Materials (SSDM), 1995年, 査読有り

  
• LISSAJOUS ELECTRON-PLASMA ETCHING FOR SUBHALF MICRON LSI

  M OHKUNI; M KUBOTA; NAKAYAMA, I; K ERIGUCHI; T TAMAKI; K HARAFUJI; N NOMURA; S SIVARAM

  1993 SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY, 1993年, 査読有り

  
• EVALUATION TECHNIQUE OF GATE OXIDE DAMAGE

  Y URAOKA; K ERIGUCHI; T TAMAKI; K TSUJI

  ICMTS 93 : PROCEEDINGS OF THE 1993 INTERNATIONAL CONFERENCE ON MICROELECTRONIC TEST STRUCTURES, 1992年, 査読有り

  
• Reliability Projecting for ReRAM based on Stochastic Differential Equation (集積回路)

  魏 志強; 江利口 浩二; 村岡 俊作; 片山 幸治; 安原 隆太郎; 河合 健; 早川 幸夫; 島川 一彦; 三河 巧; 米田 慎一

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 2016年04月14日

  
• 先端プロセスとプラズマ誘起ダメージ (特集 プラズマプロセスの新しい応用)

  江利口 浩二

  ケミカルエンジニヤリング, 2013年12月

  

講演・口頭発表等

• Time-dependent dielectric breakdown characterization of bulk boron nitride films in sp2-phase prepared by a reactive plasma assisted coating method

  Y. Asamoto; M. Noma; S. Hasegawa; M. Yamashita; K. Urabe; K. Eriguchi

  2024 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2024), 2024年

  
• Diagnostics of Plasma Parameters and Surface Impedance by Measuring AC Probe Current at Harmonic Frequencies

  J. Morozumi; K. Eriguchi; K. Urabe

  AVS 70th International Symposium & Exhibition, 2024年

  
• Investigation of Highly Diffusive Point Defects During Si Plasma Etching

  N. Kuboi; K. Saga; M. Miyoshi; T. Hamano; S. Kobayashi; T. Tatsumi; K. Eriguchi; Y. Hagimoto; H. Iwamoto

  AVS 70th International Symposium & Exhibition, 2024年

  
• Effects of Si/N Ratio on Plasma-induced Damage Creation in Silicon Nitride Films

  T. Goya; K. Urabe; K. Eriguchi

  AVS 70th International Symposium & Exhibition, 2024年

  
• Characterization scheme for plasma-induced damage analysis of dielectric films with pre-existing defects

  S. Kuronuma; K. Urabe; K. Eriguchi

  45th International Symposium on Dry Process: DPS2024, 2024年

  
• Electrical and mechanical property changes of Si-rich SiN films due to plasma exposure: Experimental and first-principles calculation study

  T. Goya; K. Urabe; K. Eriguchi

  45th International Symposium on Dry Process: DPS2024, 2024年

  
• Effect of low-energy ion irradiation during deposition on dielectric breakdown of hexagonal boron nitride films

  Y. Asamoto; M. Noma; S. Hasegawa; M. Yamashita; K. Urabe; K. Eriguchi

  45th International Symposium on Dry Process: DPS2024, 2024年

  
• Prediction of ion irradiation-induced defect creation in ultimately scaled devices based on stochastic process

  K. Eriguchi; K. Urabe

  44th International Symposium on Dry Process: DPS2023, 2023年

  
• Characterization of H2-plasma-induced damage in InP substrates using optical and electrical methods

  T. Goya; A. Kawashima; K. Urabe; K. Eriguchi

  44th International Symposium on Dry Process: DPS2023, 2023年

  
• Quantitative Characterization of Plasma-Induced Defect Creation in InP Substrates Using Conductance Analysis

  T. Goya; Y. Kodama; A. Kawashima; Y. Zaizen; M. Fukasawa; K. Urabe; K. Eriguchi

  AVS 68th International Symposium & Exhibition, 2022年

  
• Characterization of nano-network structure transition of boron nitride films by ion irradiation during the film growth

  T. Hamano; T. Matsuda; Y. Asamoto; M. Noma; S. Hasegawa; M. Yamashita; K. Urabe; K. Eriguchi

  43rd International Symposium on Dry Process: DPS2022, 2022年

  
• In-situ electrical monitoring of SiO2/Si structures in low-temperature plasma using impedance spectroscop

  J. Morozumi; T. Goya; K. Eriguchi; K. Urabe

  43rd International Symposium on Dry Process: DPS2022, 2022年

  
• Characterization methods of plasma process-induced damage to InP structures

  T. Goya; Y. Kodama; A. Kawashima; Y. Zaizen; M. Fukasawa; K. Urabe; K. Eriguchi

  43rd International Symposium on Dry Process: DPS2022, 2022年

  
• Electrical characterization of exposure time dependence of plasma-induced radiation damage to SiO2 films: Early-stage degradation turnover in the progressive phase

  T. Kuyama; S. Yura; K. Urabe; K. Eriguchi

  42nd International Symposium on Dry Process: DPS2021, 2021年

  
• A comprehensive analysis of defect state generation by ion bombardment at bottoms and sidewalls of deep holes in Si substrates

  T. Hamano; K. Urabe; K. Eriguchi

  42nd International Symposium on Dry Process: DPS2021, 2021年

  
• A nanoindentation-based statistical evaluation scheme for mechanical change in plasma-irradiated dielectric films

  T. Goya; T. Kuyama; K. Urabe; K. Eriguchi

  42nd International Symposium on Dry Process: DPS2021, 2021年

  
• Behaviors of metastable-state argon ion density in an electron cyclotron resonance plasma source measured by laser-induced fluorescence spectroscopy

  S. Kito; K. Eriguchi; K. Urabe

  42nd International Symposium on Dry Process: DPS2021, 2021年

  
• Characterization of carrier conduction in a magnetically-confined vacuum arc discharge and its application to control of incident-ion flux to a substrate

  Y. Asamoto; T. Matsuda; T. Hamano; M. Noma; S. Hasegawa; M. Yamashita; K. Urabe; K. Eriguchi

  42nd International Symposium on Dry Process: DPS2021, 2021年

  
• Controlling of nano-network structures in BN films by a reactive plasma assisted-coating technique and the sputtering characteristics against plasma exposure

  T. Matsuda; T. Hamano; Y. Asamoto; M. Noma; S. Hasegawa; M. Yamashita; K. Urabe; K. Eriguchi

  42nd International Symposium on Dry Process: DPS2021, 2021年

  
• Plasma-Induced Damage: Modeling and Characterization

  K. Eriguchi

  2022 IEEE International Integrated Reliability Workshop (IIRW), 2022年10月10日, 招待有り

  
• Plasma-induced damage

  K. Eriguchi

  2021 IEEE International Integrated Reliability Workshop (IIRW), Reliability Experts Forum, 2021年10月19日, 招待有り

  
• Comprehensive Characterization of Surface Modification Mechanisms in Boron Nitride Films Prepared by a Reactive Plasma-assisted Coating Technique

  K. Eriguchi; M. Noma; M. Yamashita; K. Urabe; S. Hasegawa

  The 47th ICMCTF, 2021年04月28日, 招待有り

  
• Evaluation methodology for assessment of dielectric degradation and breakdown dynamics using time-dependent impedance spectroscopy (TDIS)

  T. Kuyama; K. Urabe; K. Eriguchi

  IEEE Int. Reliability Physics Symp (IRPS), 2021年03月24日

  
• Plasma-induced Damage—Modeling and Characterizations

  K. Eriguchi

  International Symposium on Semiconductor Manufacturing (ISSM 2020), 2020年12月15日, 招待有り

  
• Characterization Scheme for Plasma-Induced Defect due to Stochastic Lateral Straggling in Si Substrates for Ultra-Low Leakage Devices

  Y. Sato; T. Yamada; K. Nishimura; M. Yamasaki; M. Murakami; K. Urabe; K. Eriguchi

  IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2020年12月14日

  
• Model analysis for effects of spatial and energy profiles of plasma process-induced defects in Si substrate on MOS device performance

  T. Hamano; K. Urabe; K. Eriguchi

  International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, 2020年10月06日

  
• A Framework for Sensitive Assessment of Plasma Process-Induced Damage in Si Substrates

  T. Hamano; K. Urabe; K. Eriguchi

  Proc. 52nd International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), 2020年09月27日

  
• Plasma-induced Damage-modeling, Characterizations, and Design Methodologies

  Koji Eriguchi

  IEEE Int. Reliability Physics Symp (IRPS), 2020年05月, 招待有り

  
• Characterization of dynamic behaviors of defects in Si substrates created by H2 plasma using conductance method

  T. Kuyama; K. Urabe; Masanaga Fukasawa; Tetsuya Tatsumi; K. Eriguchi

  41st International Symposium on Dry Process: DPS2019, November 21-22, 2019, JMS Aster plaza, Hiroshima, Japan, 2019年11月

  
• Characterization of dynamic behaviors of carrier traps in silicon nitride films created by Ar and He plasma exposures

  T. Kuyama; Keiichiro Urabe; Koji Eriguchi

  International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES – SCIENCE AND TECHNOLOGY – : IWDTF2019, November 18-20, Multi-Purpose Digital Hall, Tokyo Institute of Technology, Tokyo, Japan, S1-1 (2019), 2019年11月

  
• Modeling and controlling of defect generation in electronic devices during plasma etching processes—an optimization methodology of plasma-induced damage

  江利口 浩二

  The 72nd Annual Gaseous Electronics Conference (GEC), October 28-November 01, 2019, the Texas A&M Hotel and Conference Center in College Station, Texas, DT2-3 (Oct. 29, 2019), 2019年10月, 招待有り

  
• Comprehensive Reconsideration of Material Property Modification by Processing Plasma Exposure and Its Optimal Control Strategy

  T. Hamano; T. Sumihira; K. Urabe; K. Eriguchi

  32nd International Microprocesses and Nanotechnology Conference: MNC2019, Octorber 28-31, 2019, International Conference Center Hiroshima, Hiroshima, Japan. (2019), 2019年10月

  
• Impacts of plasma process-induced damage on future devices

  江利口 浩二

  The 12th Asian-European International Conference on Plasma Surface Engineering– AEPSE2019. S3-KN01, Sept. 02-05, Jeju Isand, Korea, 2019年09月, 招待有り

  
• Effects of Variability in Plasma-Induced Damage to Si Substrate on Device Performance and Its Application to Variability Assessment Methodology

  T. Hamano; K. Urabe; K. Eriguchi

  51st International Conference on Solid State Devices and Materials: SSDM2019, 2019年09月

  
• Characterization of Surface Modification Mechanisms for Boron Nitride Films under Plasma Exposure

  T. Higuchi; M. Noma; M. Yamashita; K. Urabe; S. Hasegawa; K. Eriguchi

  ICMCTF-46 2019, 2019年05月23日

  
• プラズマプロセスにおける欠陥形成過程のモデリングと予測

  江利口 浩二

  第206回応用物理学会シリコンテクノロジー分科会研究会, 2018年02月09日, 招待有り

  
• Defect Generation in Si substrates during Plasma Processing

  江利口 浩二

  17th International Workshop on Junction Technology 2017, 2017年06月02日, 招待有り

  
• Model prediction of stochastic effects of plasma-induced damage in advanced electronic devices

  江利口 浩二

  6th International Conference on Semiconductor Technology for Ultra Large Scale Integrated Circuits and Thin Film Transistors, 2017年05月24日, 招待有り

  
• Impacts of plasma process-induced damage on MOSFET parameter variability and reliability

  江利口 浩二

  The 26th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis, 2015年10月07日, 招待有り

  
• Modeling of Plasma‐induced Damage in Advanced Transistors in ULSI Circuits

  江利口 浩二

  Semicon Korea - S4. Plasma Science and Etching Technology, 2015年02月05日, SEMI, 招待有り

  
• Modeling of plasma-induced damage during the etching of ultimately-scaled transistors in ULSI circuits—A model prediction of damage in three dimensional structures—

  江利口 浩二

  67th Annual Gaseous Electronics Conference, 2014年11月04日, American Physical Society, 招待有り

  
• Modeling as a powerful tool for understanding surface damage during plasma processing of materials

  Koji Eriguchi

  Plasma Etch and Strip in Microtechnology (PESM), 2013年03月15日, IMEC, 招待有り

  
• High-k MOSFET performance degradation by plasma process-induced charging damage

  Koji Eriguchi

  IEEE International Integrated Reliability Workshop, 2012年10月, IEEE, 招待有り

  
• Modeling of Parameter Fluctuation Induced by Plasma Process Damage in Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors

  Koji Eriguchi

  19th Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD), pp. 1-4, 2011年, IEEK, IEICE, 招待有り

  
• Modeling of Plasma-Induced Damage and Its Impacts on Parameter Variations in Advanced Electronic Devices

  Koji Eriguchi

  AVS 57th International Symposium & Exhibition, PS-WeM9, 2010年, American Vacuum Society, 招待有り

  
• Plasma-induced damage and its impacts on the reliability of advanced semiconductor devices

  Koji Eriguchi

  Proc. The 6th Int. Conf. Reactive Plasmas (ICRP) / 23rd Symp. Plasma Process (SPP), 2006年, The Japan Society of Applied Physics, 招待有り

  
• Plasma-Induced Damage & Its Impact on Device Reliability

  Koji Eriguchi

  IEEE-International Conference on Integrated Circuit Design & Technology (ICICDT), 2005年, IEEE, 招待有り

  
• Reliability Concerns of Plasma Process Induced Oxide Charging Damage in MOS Devices

  Koji Eriguchi

  Semiconductor Equipment and Materials International (SEMI) Technology Symposium 97, 1997年, 招待有り

  

書籍等出版物

• 最新 実用真空技術総覧

  江利口 浩二, 分担執筆, 第3編 薄膜, 第7章 ドライエッチング

  (株)エヌ・ティー・エス, 2019, 2019年02月, 査読無し

  
• 先端CMOS/メモリデバイスにおけるプラズマ加工技術の現状と課題

  江利口 浩二; 占部継一郎, 共著

  応用物理 第87巻 第12号, 2018年12月, 査読無し

  
• 真空科学ハンドブック

  江利口 浩二, 分担執筆, 6.2 プラズマプロセス

  株式会社コロナ社(日本真空学会 編), 2018年02月, 査読無し

  
• プラズマプロセス技術

  江利口 浩二, 分担執筆, 第4章 4.4

  森北出版株式会社, 2017年, 査読無し

  
• プラズマプロセスの新しい応用

  江利口 浩二, 分担執筆, 先端プロセスとプラズマ誘起ダメージ

  ケミカルエンジニヤリング, 2013年, 査読無し

  
• Molecular Dynamics – Studies of Synthetic and Biological Macromolecules

  江利口 浩二, 分担執筆, Application of Molecular Dynamics Simulations to Plasma Etch Damage in Advanced Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors

  InTech, 2012年, 査読無し

  
• Emerging Technologies and Circuits", Lecture Notes in Electrical Engineering

  K. Eriguchi; M. Kamei; K. Okada; H. Ohta; K. Ono, 分担執筆, Threshold Voltage Shift Instability Induced by Plasma Charging Damage in MOSFETS with High-K Dielectric

  Springer, 2010年, 査読無し

  
• 半導体プロセスにおけるチャージング・ダメージ

  江利口 浩二, 分担執筆, チャージングによるMOSデバイスのゲート酸化膜劣化

  リアライズ社, 1996年, 査読無し

  
• ロジックLSI技術の革新

  江利口 浩二, 分担執筆, アンテナ効果ダメージと評価技術

  サイエンスフォーラム社, 1995年, 査読無し

  

受賞

• 2010年

  応用物理学会, 2009年ドライプロセスシンポジウム最優秀論文賞
• 2011年

  応用物理学会, 2011年度　応用物理学会優秀論文賞
• 2011年03月

  応用物理学会, 第９回（2010）プラズマエレクトロニクス（ＰＥ）賞
• 2015年11月05日

  応用物理学会, 2015年ドライプロセスシンポジウム論文賞
• 2021年03月

  応用物理学会, 第19回プラズマエレクトロニクス賞

外部資金：科学研究費補助金

• 電子捕獲準位の誘電損失機構を活用したナノ薄膜の欠陥回復と信頼性向上に関する研究

  挑戦的研究(萌芽)

  中区分28:ナノマイクロ科学およびその関連分野

  京都大学

  江利口 浩二

  自 2021年07月09日, 至 2023年03月31日, 完了

  欠陥;マイクロ波照射;シリコン窒化膜;電気容量;マイクロ波;窒化ホウ素膜;トンネルリーク電流;微分電気容量;ナノ欠陥構造;窒化シリコン;窒化ホウ素;電磁波照射

  https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21K18875/
• パラメータ分離型アーク放電による窒化ホウ素膜のsp結合制御と機能設計の研究

  基盤研究(B)

  小区分26050:材料加工および組織制御関連

  京都大学

  江利口 浩二

  自 2020年04月01日, 至 2023年03月31日, 完了

  窒化ホウ素;プラズマ;結合状態;光学特性;電気特性;高密度プラズマ;トンネルリーク電流;イオンエネルギー;フラックス;エネルギー;誘電率

  https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20H02481/
• ゆらぎの確率過程を用いたマイクロ流体デバイス内の現象予測と信頼性評価技術の開発

  挑戦的研究(萌芽)

  京都大学

  巽 和也

  自 2017年06月30日, 至 2019年03月31日, 完了

  粒子と細胞;誘電泳動力;位置決めとタイミング制御;分取技術;マイクロ流路;ゆらぎと確率論;マイクロ流体工学;確率論;信頼性評価;精度予測;粒子運動制御;高速分取;信頼性と性能の評価と予測;ゆらぎ;確率微分方程式;粒子と細胞の運動制御;マイクロデバイス;信頼性工学;細胞分取

  https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-17K18841/
• 確率過程モデルにもとづくナノ構造体における欠陥制御型プロセス設計手法の研究

  挑戦的萌芽研究

  京都大学

  江利口 浩二

  自 2016年04月01日, 至 2019年03月31日, 完了

  プラズマ処理;表面処理;ナノ構造;確率過程;欠陥

  https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-16K14405/
• イオンエネルギー確率分布関数制御型プラズマによる窒化ホウ素薄膜の組成制御の研究

  基盤研究(B)

  京都大学

  江利口 浩二

  自 2015年04月01日, 至 2018年03月31日, 完了

  プラズマ;結晶・組成制御;ナノ材料;材料加工・処理

  https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-15H04159/
• プラズマによる表面ナノ周期構造形成に関する研究

  基盤研究(B)

  大阪大学;京都大学

  斧 高一

  自 2015年04月01日, 至 2018年03月31日, 完了

  プラズマ加工;プラズマ化学;表面・界面物性;半導体超微細化;微細加工形状;反応粒子輸送;プラズマエッチング;プラズマ・表面過程揺動;超微細加工形状

  https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-15H03582/
• 誘電率変調構造を有する有機系新機能素子を目指したプラズマ表面反応制御の研究

  挑戦的萌芽研究

  京都大学

  江利口 浩二

  自 2013年04月01日, 至 2016年03月31日, 完了

  プラズマ;誘電率;欠陥;有機膜;シリコン;有機材料;電気容量

  https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-25630293/
• 統合型誘電率設計手法を用いた極低消費電力素子のナノ材料プロセスの研究開発

  基盤研究(B)

  京都大学

  江利口 浩二

  自 2011年04月01日, 至 2014年03月31日, 完了

  プラズマ;表面・界面制御;極低消費電力;欠陥;誘電率;シリコン;トランジスタ;欠陥構造;電気容量;分子動力学法;変調反射率分光;分子動力学;表面・界面;プラズマプロセス;欠陥層;電子;ナノ材料

  https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23360321/
• ナノスケールのプラズマ微細加工技術開発のためのプラズマ・固体表面相互作用の研究

  基盤研究(B)

  京都大学

  斧 高一

  自 2009年04月01日, 至 2012年03月31日, 完了

  プラズマ加工;プラズマ化学;表面・界面物性;半導体超微細化;超微細加工形状;プラズマエッチング;反応生成物;表面ラフネス

  https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21340169/
• プラズマと薄膜表面・界面の階層的複合反応制御による次世代ナノ加工技術の構築

  新学術領域研究(研究領域提案型)

  理工系

  京都大学

  斧 高一

  自 2009年07月23日, 至 2014年03月31日, 完了

  プラズマ加工;プラズマ化学;表面・界面物性;半導体超微細化;超微細加工技術;反応粒子輸送;プラズマエッチング;プラズマ・表面過程揺動;超微細加工形状

  https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PLANNED-21110008/
• ナノ領域誘電率解析手法を用いたプラズマ・固相界面改質プロセスの研究開発

  基盤研究(B)

  京都大学

  江利口 浩二

  自 2008年04月01日, 至 2011年03月31日, 完了

  表面界面改質;誘電率;プラズマ;シリコン;欠陥;トランジスタ;誘電関数;レーザー;欠陥層;界面層;分子動力学;電気容量

  https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20360329/
• マイクロプラズマスラスタの研究開発:高温反応場と高速流れ場の競合現象の解明と制御

  特定領域研究

  理工系

  京都大学

  斧 高一

  自 2006年04月01日, 至 2008年03月31日, 完了

  マイクロプラズマ;マイクロノズル;プラズマスラスタ;マイクロ波励起プラズマ;軸対称表面波励起プラズマ;亜音速・超音速流れ揚;高温反応揚;MEMS;亜音速・超音速流れ場;高温反応場

  https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-18030007/
• 塩素・臭素系混合プラズマの気相および固体表面におけるプラズマ化学の解明と制御

  基盤研究(B)

  京都大学

  斧 高一

  自 2005年04月01日, 至 2007年03月31日, 完了

  プラズマ加工;プラズマ化学;表面・界面物性;半導体超微細化;超微細加工形状;反応粒子輸送;プラズマプロセス;エッチング, Plasma Etching;Plasma Chemistry;Surface and Interfaces;Semiconductor Fabrication;Etched Profiles;Transport of Reactive Particles;Plasma Processing;Etching

  https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-17340172/
• 超高密度反応性プラズマ法による窒化ホウ素ナノ結晶集合体構造の信頼性物理の研究

  基盤研究(B)

  小区分26050:材料加工および組織制御関連

  京都大学

  江利口 浩二

  自 2023年04月01日, 至 2026年03月31日, 交付

  窒化ホウ素;高密度プラズマ;トンネルリーク電流

  https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23H01728/
• 超高密度反応性プラズマ法による窒化ホウ素ナノ結晶集合体構造の信頼性物理の研究

  基盤研究(B)

  小区分26050:材料加工および組織制御関連

  京都大学

  江利口 浩二

  自 2023年04月01日, 至 2026年03月31日, 交付

  プラズマ;窒化ホウ素;高密度プラズマ;トンネルリーク電流

  https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23K26421/

外部資金：その他

• プラズマプロセスによるダメージ層形成メカニズムの解明と抑制技術に関する研究

  共同研究（株式会社半導体理工学研究センター）

  自 2006年, 至 2008年

  江利口浩二
• 高感度プラズマダメージ定量解析とデバイス性能劣化モデリングに関する研究

  共同研究（株式会社半導体理工学研究センター）

  自 2009年, 至 2011年

  江利口浩二
• ３次元構造デバイスにおけるプラズマ誘起欠陥形成過程ゆらぎと特性バラツキ増大モデルに関する研究

  共同研究（株式会社半導体理工学研究センター）

  自 2013年08月01日, 至 2014年07月31日

  江利口浩二
• SiO2と比較したHigh-k MOSFETのプラズマ処理による信頼性劣化の解析

  NEDO受託研究

  自 2006年, 至 2007年

  代表

教育

担当科目

• 自 2024年04月01日, 至 2025年03月31日

  物理工学総論Ａ

  5110, 後期, 工学部, 2
• 自 2024年04月01日, 至 2025年03月31日

  推進基礎論

  5048, 後期, 工学部, 2
• 自 2024年04月01日, 至 2025年03月31日

  熱統計力学

  5046, 前期, 工学部, 2
• 自 2024年04月01日, 至 2025年03月31日

  電離気体工学セミナー

  V401, 後期, 工学研究科, 2
• 自 2024年04月01日, 至 2025年03月31日

  推進工学特論

  G405, 後期, 工学研究科, 2
• 自 2024年04月01日, 至 2025年03月31日

  電磁気学続論

  N233, 前期, 国際高等教育院, 2
• 自 2024年04月01日, 至 2025年03月31日

  研究論文

  G499, 通年集中, 工学研究科, 0
• 自 2024年04月01日, 至 2025年03月31日

  航空宇宙工学特別実験及び演習第一

  G418, 通年集中, 工学研究科, 4
• 自 2024年04月01日, 至 2025年03月31日

  航空宇宙工学特別実験及び演習第二

  G420, 通年集中, 工学研究科, 4
• 自 2023年04月01日, 至 2024年03月31日

  航空宇宙工学演義

  5145, 前期, 工学部, 2
• 自 2023年04月01日, 至 2024年03月31日

  推進基礎論

  5048, 後期, 工学部, 2
• 自 2023年04月01日, 至 2024年03月31日

  熱統計力学

  5046, 前期, 工学部, 2
• 自 2023年04月01日, 至 2024年03月31日

  推進工学特論

  G405, 後期, 工学研究科, 2
• 自 2023年04月01日, 至 2024年03月31日

  電離気体工学セミナー

  V401, 後期, 工学研究科, 2
• 自 2023年04月01日, 至 2024年03月31日

  電磁気学続論

  N233, 前期, 国際高等教育院, 2
• 自 2023年04月01日, 至 2024年03月31日

  航空宇宙工学実験２

  5067, 後期, 工学部, 1
• 自 2023年04月01日, 至 2024年03月31日

  航空宇宙工学実験１

  5066, 前期, 工学部, 1
• 自 2023年04月01日, 至 2024年03月31日

  特別研究２

  5998, 後期集中, 工学部, 6
• 自 2023年04月01日, 至 2024年03月31日

  特別研究１

  5995, 前期集中, 工学部, 4
• 自 2022年04月01日, 至 2023年03月31日

  推進基礎論

  5048, 後期, 工学部, 2
• 自 2022年04月01日, 至 2023年03月31日

  電磁気学続論

  N233, 前期, 国際高等教育院, 2
• 自 2022年04月01日, 至 2023年03月31日

  熱統計力学

  5046, 前期, 工学部, 2
• 自 2022年04月01日, 至 2023年03月31日

  電離気体工学セミナー

  V401, 後期, 工学研究科, 2
• 自 2022年04月01日, 至 2023年03月31日

  推進工学特論

  G405, 後期, 工学研究科, 2
• 自 2022年04月01日, 至 2023年03月31日

  物理工学総論Ａ

  5110, 後期, 工学部, 2
• 自 2011年04月, 至 2012年03月

  初修物理学Ａ

  前期, 全学共通科目
• 自 2011年04月, 至 2012年03月

  電磁気学続論

  前期, 全学共通科目
• 自 2011年04月, 至 2012年03月

  推進基礎論（宇）

  後期, 工学部
• 自 2011年04月, 至 2012年03月

  推進工学特論

  前期, 工学研究科
• 自 2011年04月, 至 2012年03月

  マイクロプロセス・材料工学

  前期, 工学研究科
• 自 2011年04月, 至 2012年03月

  電離気体工学セミナー

  後期, 工学研究科
• 自 2012年04月, 至 2013年03月

  初修物理学Ａ

  前期, 全学共通科目
• 自 2012年04月, 至 2013年03月

  推進基礎論

  後期, 工学部
• 自 2012年04月, 至 2013年03月

  推進工学特論

  前期, 工学研究科
• 自 2012年04月, 至 2013年03月

  マイクロプロセス・材料工学

  前期, 工学研究科
• 自 2012年04月, 至 2013年03月

  電磁気学続論

  前期, 全学共通科目
• 自 2012年04月, 至 2013年03月

  電離気体工学セミナー

  後期, 工学研究科
• 自 2013年04月, 至 2014年03月

  推進基礎論

  後期, 工学部
• 自 2013年04月, 至 2014年03月

  マイクロプロセス・材料工学

  前期, 工学研究科
• 自 2013年04月, 至 2014年03月

  推進工学特論

  前期, 工学研究科
• 自 2013年04月, 至 2014年03月

  電離気体工学セミナー

  後期, 工学研究科
• 自 2013年04月, 至 2014年03月

  電磁気学続論

  前期, 全学共通科目
• 自 2014年04月, 至 2015年03月

  推進基礎論

  後期, 工学部
• 自 2014年04月, 至 2015年03月

  マイクロプロセス・材料工学

  前期, 工学研究科
• 自 2014年04月, 至 2015年03月

  推進工学特論

  前期, 工学研究科
• 自 2014年04月, 至 2015年03月

  電離気体工学セミナー

  後期, 工学研究科
• 自 2014年04月, 至 2015年03月

  電磁気学続論

  前期, 全学共通科目
• 自 2015年04月, 至 2016年03月

  推進基礎論

  後期, 工学部
• 自 2015年04月, 至 2016年03月

  推進工学特論

  前期, 工学研究科
• 自 2015年04月, 至 2016年03月

  マイクロプロセス・材料工学

  前期, 工学研究科
• 自 2015年04月, 至 2016年03月

  電磁気学続論

  前期, 全学共通科目
• 自 2015年04月, 至 2016年03月

  電離気体工学セミナー

  後期, 工学研究科
• 自 2016年04月, 至 2017年03月

  推進基礎論

  後期, 工学部
• 自 2016年04月, 至 2017年03月

  推進工学特論

  前期, 工学研究科
• 自 2016年04月, 至 2017年03月

  マイクロプロセス・材料工学

  前期, 工学研究科
• 自 2016年04月, 至 2017年03月

  電磁気学続論

  前期, 全学共通科目
• 自 2016年04月, 至 2017年03月

  電離気体工学セミナー

  後期, 工学研究科
• 自 2017年04月, 至 2018年03月

  推進基礎論

  後期, 工学部
• 自 2017年04月, 至 2018年03月

  推進工学特論

  後期, 工学研究科
• 自 2017年04月, 至 2018年03月

  マイクロプロセス・材料工学

  前期, 工学研究科
• 自 2017年04月, 至 2018年03月

  熱統計力学

  前期, 工学部
• 自 2017年04月, 至 2018年03月

  電磁気学続論

  前期, 全学共通科目
• 自 2017年04月, 至 2018年03月

  電離気体工学セミナー

  後期, 工学研究科
• 自 2018年04月, 至 2019年03月

  推進基礎論

  後期, 工学部
• 自 2018年04月, 至 2019年03月

  推進工学特論

  後期, 工学研究科
• 自 2018年04月, 至 2019年03月

  マイクロプロセス・材料工学

  前期, 工学研究科
• 自 2018年04月, 至 2019年03月

  熱統計力学

  前期, 工学部
• 自 2018年04月, 至 2019年03月

  特別研究１

  前期集中, 工学部
• 自 2018年04月, 至 2019年03月

  特別研究１

  後期集中, 工学部
• 自 2018年04月, 至 2019年03月

  特別研究２

  前期集中, 工学部
• 自 2018年04月, 至 2019年03月

  特別研究２

  後期集中, 工学部
• 自 2018年04月, 至 2019年03月

  研究論文

  通年, 工学研究科
• 自 2018年04月, 至 2019年03月

  航空宇宙工学実験１

  前期, 工学部
• 自 2018年04月, 至 2019年03月

  航空宇宙工学実験２

  後期, 工学部
• 自 2018年04月, 至 2019年03月

  航空宇宙工学演義

  前期, 工学部
• 自 2018年04月, 至 2019年03月

  航空宇宙工学特別実験及び演習第一

  通年, 工学研究科
• 自 2018年04月, 至 2019年03月

  航空宇宙工学特別実験及び演習第二

  通年, 工学研究科
• 自 2018年04月, 至 2019年03月

  電磁気学続論

  前期, 全学共通科目
• 自 2018年04月, 至 2019年03月

  電離気体工学セミナー

  後期, 工学研究科
• 自 2019年04月, 至 2020年03月

  推進基礎論

  後期, 工学部
• 自 2019年04月, 至 2020年03月

  推進工学特論

  後期, 工学研究科
• 自 2019年04月, 至 2020年03月

  熱統計力学

  前期, 工学部
• 自 2019年04月, 至 2020年03月

  研究論文

  通年集中, 工学研究科
• 自 2019年04月, 至 2020年03月

  航空宇宙工学実験１

  前期, 工学部
• 自 2019年04月, 至 2020年03月

  航空宇宙工学実験２

  後期, 工学部
• 自 2019年04月, 至 2020年03月

  航空宇宙工学演義

  前期, 工学部
• 自 2019年04月, 至 2020年03月

  航空宇宙工学特別実験及び演習第一

  通年集中, 工学研究科
• 自 2019年04月, 至 2020年03月

  航空宇宙工学特別実験及び演習第二

  通年集中, 工学研究科
• 自 2019年04月, 至 2020年03月

  電磁気学続論

  前期, 全学共通科目
• 自 2019年04月, 至 2020年03月

  電離気体工学セミナー

  後期, 工学研究科
• 自 2020年04月, 至 2021年03月

  先端機械システム学通論

  後期, 工学研究科
• 自 2020年04月, 至 2021年03月

  推進基礎論（宇）

  後期, 工学部
• 自 2020年04月, 至 2021年03月

  推進工学特論

  後期, 工学研究科
• 自 2020年04月, 至 2021年03月

  熱統計力学（宇）

  前期, 工学部
• 自 2020年04月, 至 2021年03月

  電磁気学続論

  前期, 全学共通科目
• 自 2020年04月, 至 2021年03月

  電離気体工学セミナー

  後期, 工学研究科
• 自 2021年04月, 至 2022年03月

  推進基礎論（宇）

  後期, 工学部
• 自 2021年04月, 至 2022年03月

  推進工学特論

  後期, 工学研究科
• 自 2021年04月, 至 2022年03月

  熱統計力学（宇）

  前期, 工学部
• 自 2021年04月, 至 2022年03月

  電磁気学続論

  前期, 全学共通科目
• 自 2021年04月, 至 2022年03月

  電離気体工学セミナー

  後期, 工学研究科

博士学位審査

• A Study on Plasma Process-Induced Defect Creation in Si-Based Devices(シリコン系デバイスにおけるプラズマプロセス誘起欠陥生成に関する研究)

  佐藤　好弘, 工学研究科, 主査

  2023年03月23日
• A Study on Physical Property Changes in Dielectric and Semiconductor Materials Induced by Ion Irradiation During Plasma Processing(プラズマプロセス中のイオン照射により誘起される絶縁体および半導体材料の物性変化に関する研究)

  濱野　誉, 工学研究科, 主査

  2023年03月23日
• Effect of Amorphous Hydrogenated Carbon Multilayer Coating on Tensile and Torsional Strength of Single Crystal Silicon for Mechanical Reliability Enhancement of MEMS Structures(MEMS微細構造の機械的信頼性向上のための単結晶シリコンの引張およびねじり強度に及ぼす水素含有非晶質炭素多層膜の影響評価)

  夏　■林, 工学研究科, 副査

  2022年09月26日
• Emission Spectroscopy of Wall Surface Temperature and Impurity Ion Flow in Tokamak Edge Plasmas (トカマク周辺プラズマにおける壁表面温度と不純物イオン流れの発光分光計測)

  米田　奈生, 工学研究科, 副査

  2022年03月23日

指導学生の業績：受賞

• 32nd Dry Process Symposium, Young Researcher Award

  松田朝彦, 応用物理学会, 2011年
• 33rd Dry Process Symposium, Young Researcher Award

  津田博隆, 応用物理学会, 2012年
• 第44回(2018年春季)応用物理学会講演奨励賞

  吉川侑汰, 応用物理学会, 2018年03月19日
• 応用物理学会関西支部 第6回関西奨励賞

  久山智弘, 応用物理学会関西支部, 2018年03月07日
• 応用物理学会関西支部 平成29年度第3回講演会 ポスター賞（最優秀賞）

  久山智弘, 応用物理学会関西支部, 2018年02月23日
• 応用物理学会関西支部 平成29年度第3回講演会 ポスター賞（優秀賞）

  吉川侑汰, 応用物理学会関西支部, 2018年02月23日
• 第54回日本航空宇宙学会 関西・中部支部合同秋季大会 関西支部学生賞

  樋口智哉, 日本航空宇宙学会, 2017年11月11日
• 39th Dry Process Symposium, Young Researcher Award

  吉川侑汰, 応用物理学会, 2018年11月13日
• IEEE EDS Kansai Chapter MFSK Award

  濱野誉, IEEE関西支部, 2020年11月
• 応用物理学会関西支部 2020年度第1回+第2回合同講演会 ポスター賞（最優秀賞）

  濱野誉, 応用物理学会関西支部, 2021年01月27日
• シリコンテクノロジー分科会研究奨励賞

  濱野誉, 応用物理学会, 2021年03月17日
• 応用物理学会関西支部 関西奨励賞

  濱野誉, 応用物理学会関西支部, 2021年03月22日
• 第19回プラズマエレクトロニクス賞

  佐藤好弘, 応用物理学会, 2021年03月
• DPS 2019 Young Researcher Award

  濱野誉, 応用物理学会, 2021年
• DPS 2019 Young Researcher Award

  久山智弘, 応用物理学会, 2021年

大学運営

全学運営(役職等)

• 自 2020年10月28日, 至 2022年09月30日

  研究戦略タスクフォース プログラムオフィサー

部局運営(役職等)

• 自 2024年04月01日, 至 2025年03月31日

  航空宇宙工学専攻長
• 自 2018年04月01日, 至 2019年03月31日

  航空宇宙工学専攻長
• 自 2019年04月01日, 至 2021年03月31日

  工学研究科工学研究倫理委員会　委員

学術・社会貢献

委員歴

• 自 2025年, 至 2026年

  関西支部 幹事, 日本航空宇宙学会
• 自 2007年, 至 現在

  IRPS-Process Integration subcommittee Chair (2007–2008), Management committee (2011-), Technical Program Chair (2022), General Chair (2024), BoD Chair (2025), IEEE
• 自 2004年, 至 2021年

  ICICDT-Conference Chair (2009), General Chair (2010), Tutorial Chair (2014, 2015), Secretary (2016-2018), Tutorial Chair (2021), IEEE
• 自 2008年, 至 2010年

  PESM-International program committee, IMEC
• 自 2004年, 至 2005年

  IEDM-CMOS and Interconnect Reliability subcommittee member, IEEE
• 自 1999年, 至 2003年

  Plasma- and Process-Induced Damage (P2ID), Conference Chair (2003), American Vacuum Society
• 自 2021年03月, 至 2023年03月

  機関誌編集委員, 応用物理学会
• 自 2019年, 至 2020年

  関西支部 幹事, 日本航空宇宙学会
• 自 2017年04月01日, 至 2019年03月31日

  シリコンテクノロジー分科会 幹事（会計）, 応用物理学会
• 自 2014年

  関西支部 幹事, 応用物理学会
• 自 2014年

  プラズマ材料科学第１５３委員会委員, 日本学術振興会
• 自 2011年, 至 2013年

  RF-MEMSワイヤレス通信応用調査専門委員, 電気学会
• 自 2009年, 至 2012年

  関西支部 幹事, 日本真空協会
• 自 2010年, 至 2011年

  関西支部 幹事, 応用物理学会
• 自 2008年, 至 2010年

  関西支部 幹事, 日本航空宇宙学会
• 自 2007年, 至 2008年

  プラズマエレクトロニクス分科会 幹事, 応用物理学会
• 自 2008年

  -, -
• 自 2008年

  -, -
• 自 2007年

  -, -
• 自 2007年

  -, -
• 自 2004年, 至 2005年

  -, -
• 自 2000年, 至 2005年

  誘電体薄膜集積技術調査専門委員, 電気学会
• 自 2004年, 至 2004年

  -, -
• 自 2004年

  -, -
• 自 1999年, 至 2003年

  -, -
• 自 2000年, 至 2002年

  合同TEG技術会議委員, 半導体先端テクノロジーズ
• 自 1999年, 至 1999年

  -, -